C4153 транзистор: характеристики, описание, применение

Транзистор c4153 характеристики на русском

Где можно приобрести C4153 транзистор и почему стоит обратить внимание на этот компонент

Но почему стоит обратить внимание на C4153 транзистор? Этот компонент имеет ряд характеристик, которые могут быть полезными в различных электронных проектах. Вот несколько причин, почему стоит обратить внимание на C4153 транзистор:

  1. Высокая надежность: C4153 транзистор изготовлен из качественных материалов и обладает высокой надежностью, что обеспечивает долгую и стабильную работу ваших устройств.
  2. Широкий диапазон применений: C4153 транзистор может использоваться в различных электронных схемах, таких как усилители, источники питания, импульсные преобразователи и многое другое.
  3. Высокая мощность: C4153 транзистор обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в проектах, где требуется передача больших токов и мощности.
  4. Хорошие тепловые характеристики: C4153 транзистор обладает хорошими тепловыми характеристиками, что позволяет ему эффективно отводить тепло и предотвращать перегрев.
  5. Доступная цена: C4153 транзистор имеет доступную цену, что делает его привлекательным для широкого круга потребителей.

Таким образом, C4153 транзистор является надежным и универсальным компонентом, который может быть полезным в различных электронных проектах

Обратите свое внимание на C4153 транзистор, если вы ищете качественный и доступный компонент для своих электронных устройств

Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!

Металл-воздушные транзисторы

По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой. Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.

Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок. О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:

  • VMware EMPOWER 2021: делимся впечатлениями
  • Перспективы дата-центров: технологии, которые повысят производительность серверов
  • Процессоры для серверов: обсуждаем новинки
  • Развитие дата-центров: технологические тренды
  • Как повысить энергоэффективность дата-центра
  • Как разместить 100% инфраструктуры в облаке IaaS-провайдера и не пожалеть об этом
  • «Как дела у VMware»: обзор новых решений

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Описание C4153 транзистора

Основные параметры C4153 транзистора:

  • Коллекторный ток (IC): 1 А
  • Коллектор-эмиттерное напряжение (VCEO): 50 В
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 100-400
  • Максимальная мощность (PD): 1 Вт

C4153 транзистор характеризуется высокой надежностью и стабильной работой в широком диапазоне рабочих температур. Он имеет малый коэффициент генерации тепла и высокую переключающую способность.

Транзистор C4153 применяется в различных электронных устройствах, включая источники питания, регуляторы напряжения, усилители и схемы переключения. Его основное преимущество — высокая надежность и долговечность работы.

C4153 Datasheet PDF — Sanken electric

Part Number C4153
Description NPN Transistor — 2SC4153
Manufacturers Sanken electric 
Logo  

There is a preview and C4153 download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 1 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
2SC4153

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor ( Switchihg Transistor)

Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose

sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol
2SC4153
Unit

VCBO 200 V

VCEO 120 V

VEBO 8 V

IC

7(Pulse14)

A

IB 3 A

PC

30(Tc=25°C)
W

Tj 150 °C

Tstg

–55 to +150
°C

sElectrical Characteristics

Symbol
Conditions

ICBO

VCB=200V

IEBO

VEB=8V

V(BR)CEO

hFE

IC=50mA

VCE=4V, IC=3A

VCE(sat)

IC=3A, IB=0.3A

VBE(sat)

IC=3A, IB=0.3A

fT VCE=12V, IE=–0.5A

COB VCB=10V, f=1MHz

(Ta=25°C)
2SC4153

100max

100max

120min

70 to 220
Unit

µA

µA

V

0.5max

1.2max

30typ

110typ

V
V
MHz
pF

sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)

VCC

RL

IC

VBB1

VBB2

IB1

(V) (Ω) (A) (V) (V) (A)

50 16.7 3
10 –5 0.3

IB2

(A)
–0.6

ton

(µs)

0.5max

tstg

(µs)

3max

tf

(µs)

0.5max

External Dimensions FM20(TO220F)

10.1±0.2

4.2±0.2

2.8 c0.5

ø3.3±0.2

a
b

1.35±0.15

1.35±0.15

2.54
0.85
+0.2
-0.1
2.54
0.45
+0.2
-0.1

2.2±0.2

2.4±0.2

BCE
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
b. Lot No.

I C– V CE Characteristics (Typical)

7

5 200mA 150mA

100mA
5
60mA

4 40mA

3 20mA

2

IB=10mA

1

01 234

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

V CE( s a t ) – I B Characteristics (Typical)

3
2
1

0.005 0.01

IC=1A

3A
0.1

Base Current IB(A)

5A
12

I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

7
6
5
4
3
2
1

0 0.5 1.0 1.1

Base-Emittor Voltage VBE(V)

h FE– I C Characteristics (Typical)

300

(VCE=4V)

Typ
100
50

h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)

300
125˚C

(VCE=4V)

25˚C
100
–30˚C
50

θ j-a– t Characteristics

5
1
0.5
20
0.01
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

20
5 7 0.01
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

0.2
57 1
10 100
Time t(ms)
1000

f T– I E Characteristics (Typical)

(VCE=12V)

40
Typ
30

Safe Operating Area (Single Pulse)

20

100µs

10
5
20
10

–0.01
–0.1
–1

Emitter Current IE(A)

1
0.5
Without Heatsink
Natural Cooling
0.1
0.05
–5 5 10
50 100 200

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Pc–Ta Derating
30
20
Natural Cooling
Silicone Grease
Heatsink: Aluminum
in mm
150x150x2
100x100x2
10
50x50x2
Without Heatsink
2

0 25 50 75 100 125
Ambient Temperature Ta(˚C)
150
93

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C4153 electronic component.

Information Total 1 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

Схема NPN транзистора

Когда NPN транзистор связан с ресурсами напряжения, базовый ток будет проходить через транзистор. Даже небольшое количество базы контролирует циркуляцию большого количества тока через эмиттер к коллектору. Напряжение базы выше, чем напряжение на эмиттере.

Когда VB базовое напряжение не -ve по сравнению с VE напряжение эмиттера, ток не может проходить в цепи. Таким образом, необходимо обеспечить подачу напряжения обратного смещения> 0.72 Вольт.

Резисторы RL и RB включены в цепь. Это ограничивает ток, проходящий через максимально возможную высоту транзистора.

Напряжение эмиттера VEB как входная сторона. Здесь ток эмиттера (IE) течет со стороны входа и течет в двух направлениях; один яB а другое это яC.

IE= ЯB+ ЯC

C5353 описание

Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Модуль датчика стука и цифровой интерфейс 13, светодио дный встроенный светодиод создают простую схему для производства ударных мигалок Если вы выбираете Бесплатная Post Доставка с незарегистрированных, там не будет отслеживания в пункт назначения,Вы должны держать в touch с местном почтовом отделении все время до доставки. Если пакет будет взиматься таможенные пошлины, мы не несем ответственности за любые таможенные пошлины или налоги на импорт.

Где купить C4153 транзистор по выгодной цене?

Если вы ищете место, где можно приобрести C4153 транзистор по выгодной цене, то вам рекомендуется обратиться к проверенным поставщикам и магазинам электронных компонентов. Такие организации обычно предлагают широкий ассортимент активных и пассивных компонентов, среди которых вы всегда можете найти интересующий вас транзистор модели C4153.

Одним из популярных вариантов являются онлайн-магазины электронных компонентов. В интернете вы можете найти большое количество магазинов, предлагающих C4153 транзисторы разных производителей и с различными параметрами. Здесь вы можете сравнить цены, просмотреть подробные характеристики и особенности каждого предложения, а также ознакомиться с отзывами других покупателей.

Кроме того, вы также можете обратиться к надежным поставщикам электронных компонентов, которые имеют свои физические магазины. Такие компании обычно предлагают профессиональную консультацию и помощь в выборе нужного вам транзистора. Вы можете найти такого поставщика в вашем городе или обратиться к крупным компаниям, имеющим филиалы в разных городах.

Важно помнить, что при выборе магазина или поставщика необходимо учитывать не только цену на C4153 транзистор, но и качество продукции, репутацию продавца, условия доставки и гарантийные обязательства

Применение C4153 транзистора

Транзистор C4153 широко используется в электронных схемах как ключевой элемент для усиления сигналов и коммутации электрических цепей. Благодаря своим характеристикам и параметрам, он нашел применение во многих областях, включая электронику, радиотехнику, автомобильную промышленность и другие.

Основное преимущество C4153 транзистора заключается в его высокой мощности и высокой частоте переключения. Он способен обрабатывать большие электрические токи и работать на высоких частотах, что делает его идеальным для использования в усилителях мощности, инверторах и других устройствах, где требуется эффективное управление большими токами.

Также C4153 транзистор обладает низким уровнем шума и минимальными потерями мощности, что делает его полезным для применения в радиоприемниках и передатчиках, где качество сигнала играет важную роль.

Еще одним преимуществом C4153 транзистора является его стабильная работа в широком диапазоне температур. Он способен оставаться надежным и эффективным даже при экстремальных условиях, что делает его идеальным для применения в автомобильной промышленности и других областях, где высокая температура может быть проблемой.

В заключение, C4153 транзистор является многоцелевым и надежным компонентом, который можно использовать во многих электронных устройствах. Его уникальные характеристики и параметры позволяют эффективно усиливать сигналы, коммутировать электрические цепи и работать при различных условиях эксплуатации.

Биполярный транзистор 2SC1384 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1384

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SC1384
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf

Transistor2SC1383, 2SC1384Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA683 and 2SA6845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings Unit

 ..2. Size:276K  utc 2sc1384.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC1384 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver. FEATURES * Low VCE(SAT) * 2~3W output in complementary pair with 2SA684 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3- 2SC1384G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel2SC138

 ..3. Size:377K  jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC1383 TRANSISTOR (NPN)2SC1384 TO-92L FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat).1.EMITTER Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684.2.COLLECTOR 3.BASE C1383=Device code C1383Solid dot = Green molding compound device, Equivalent Circuit if none,

 ..4. Size:193K  lzg 2sc1384 3da1384.pdf

2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..5. Size:166K  tgs 2sc1383 2sc1384.pdf

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1383 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 2SC1384 FEATURES 1.EMITTER Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 2.COLLECTOR Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 60 V

 0.1. Size:245K  lge 2sc1383-2sc1384.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 7.8008.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.350VCBO Collector-Base Voltage 30 60 V 0.550

 0.2. Size:245K  lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD2.COLLECTOR 1 23.BASE 3 Features5.800 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 6.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 30

 0.3. Size:514K  semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf

ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCo

Другие транзисторы… 2SC1378
, 2SC1379
, 2SC138
, 2SC1380
, 2SC1380A
, 2SC1381
, 2SC1382
, 2SC1383
, 2SC2073
, 2SC1385
, 2SC1385H
, 2SC1386
, 2SC1386H
, 2SC1387
, 2SC1388
, 2SC1388F
, 2SC138A
.

Что такое NPN транзистор?

Транзисторы вытеснили электролампы, позволили уменьшить количество реле, переключателей в устройствах. Это полупроводниковые триоды — радиоэлектронные компоненты из полупроводников, стандартно имеют 3 вывода.

Транзисторы, предназначенные для управления током, то есть основным силовым фактором электросхем, именно его удар (не напряжения) несет опасность для человека.

Элемент способен контролировать чрезвычайно высокие величины в выходных цепях при подаче слабого входного сигнала. Транзисторы повышают, генерируют, коммутируют, преобразовывают электросигналы, это основа микроэлектроники, электроустройств.

Разновидности по принципу действия:

  • биполярный транзистор из 2 типов проводников, в основе функционирования – взаимодействие на кристалле соседних p-n участков. Состоят из эмиттера/коллектора/базы (далее, эти термины будем сокращать): на последнюю идет слабый ток, вызывающий модификацию сопротивления (дальше по тексту «сопр.») в линии, состоящей из первых 2 элементов. Таким образом, протекающая величина меняется, сторона ее однонаправленности (n-p-n или p-n-p) определяется характеристиками переходов (участков) в соответствии с полярностью подключения (обратно, прямо). Управление осуществляется модулированием тока на сегменте база/эмит., вывод последнего всегда общий для сигналов управления и выхода;
  • полевой. Тип проводника один — узкий канал, подпадающий под электрополе обособленного затворного прохода. Контроль основывается на модуляции количества Вольт между ним и истоком. А между последним и стоком течет электроток (2 рабочие контакты). Величина имеет силу, зависящую от сигналов, формируемых между затвором (контакт контроля) и одной из указанных частей. Есть изделия с p-n участком управления (рабочие контакты подключаются к p- или n-полупроводнику) или с обособленными затворами.

У полевиков есть варианты полярности, для управления требуется низкий вольтаж, из-за экономичности их ставят в радиосхемы с маломощными БП. Биполярные варианты активируются токами. В аналоговых сборках превалируют вторые (БТ, BJT), в цифровых (процессоры, компьютеры) — первые. Есть также гибриды — IGBT, применяются в силовых схемах.

Электронный компонент C4153: описание и назначение

Транзистор C4153 имеет такие характеристики, как высокое напряжение переключения, высокая тепловая стабильность и низкая емкость переключения, что позволяет использовать его в различных силовых электронных схемах. Благодаря своей высокой надежности и эффективности, C4153 находит применение во многих устройствах, включая источники питания, усилители звука, блоки питания и другие.

Назначение транзистора C4153 включает такие функции, как усиление электрического сигнала, регулирование энергии и инвертирование сигналов. Также, данный компонент может использоваться в качестве переключателя для управления электрическими цепями. С помощью транзистора C4153 можно управлять различными нагрузками, включая светодиоды, электромоторы и другие электронные устройства.

Компонент C4153 имеет форму транзистора в корпусе TO-220AB, что обеспечивает удобство его установки на печатную плату. Данный компонент имеет три вывода: коллектор, базу и эмиттер, которые позволяют подключать его к соответствующим контактам схемы.

Таким образом, C4153 является незаменимым электронным компонентом для множества электронных устройств, где требуется надежное и эффективное управление электронными цепями. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор способен обеспечить стабильную работу электронных устройств в различных условиях эксплуатации.

Особенности применения C4153 в электронике

Одной из особенностей C4153 является его высокое быстродействие. Транзистор имеет низкое время задержки переключения и малую временную задержку на насыщение или выключение. Это делает его идеальным для использования в высокочастотных схемах, где важна точность и быстрота передачи сигнала.

Еще одной преимущественной особенностью C4153 является его высокая мощность. Транзистор может выдерживать большие токи и напряжения, что позволяет использовать его в схемах, где требуется высокая мощность, например, в усилителях или модуляторах.

Также C4153 обладает хорошим коэффициентом усиления, что позволяет его использовать в усилительных схемах, где необходимо усиливать слабые сигналы.

Надежность является важной характеристикой C4153. Транзистор имеет высокий уровень стабильности и долговечности, что гарантирует его длительное и бесперебойное функционирование

Это особенно важно в устройствах, где неприемлемы сбои или отказы.

Наконец, C4153 обладает удобными габаритными размерами и низкой стоимостью, что делает его доступным для широкого круга потребителей и облегчает его интеграцию в различные электронные устройства и схемы.

В целом, C4153 – это надежный, быстродействующий и мощный транзистор, который обладает рядом преимуществ и идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах.

C4153 транзистор: основные характеристики и применение

Основные характеристики C4153:

1. Тип корпуса: C4153 имеет SOT-23 корпус, который обеспечивает небольшой размер и удобство монтажа.

2. Максимальное напряжение коллектора: C4153 может выдерживать напряжение до 50 В, что делает его подходящим для работы в высоковольтных схемах.

3. Максимальный ток коллектора: C4153 способен переносить ток до 0.1 А, что позволяет использовать его в схемах с ограниченными токовыми требованиями.

4. Рабочая частота: C4153 может работать в диапазоне высоких частот, что позволяет использовать его в радиочастотных устройствах и коммуникационных системах.

Применение C4153 в электронике:

Благодаря своим характеристикам, транзистор C4153 находит применение во многих устройствах и системах. Он может использоваться в усилителях мощности, генераторах сигналов, высокочастотных усилителях, телекоммуникационных устройствах, а также в других аналоговых и цифровых схемах.

Особенности C4153, такие как небольшой размер и высокий предел рабочей частоты, делают его полезным компонентом в разработке миниатюрных устройств, где место ограничено. Кроме того, его высоковольтные и токовые характеристики позволяют использовать его в схемах, требующих больших значений напряжения и тока.

В заключение, транзистор C4153 является важным элементом в сфере электроники. Его основные характеристики и применение делают его ценным компонентом для различных проектов и устройств. Зная эти характеристики, можно правильно использовать C4153 для достижения оптимальной производительности и эффективности в своих приложениях.

Выводы о C4153 транзисторе

  • Транзистор C4153 является общеприменимым NPN биполярным транзистором, который широко используется в различных электронных устройствах.
  • Основные параметры C4153 транзистора включают максимальное значение коллекторного тока, максимальное значение коллекторной напряжения и коэффициент усиления тока.
  • Транзистор C4153 обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что позволяет использовать его в широком диапазоне условий эксплуатации.
  • Малый коэффициент усиления тока позволяет транзистору C4153 использоваться в схемах с высокими частотами, что делает его особенно полезным в радиоэлектронике.
  • Транзистор C4153 обладает хорошими коммутационными характеристиками, что делает его подходящим для использования в силовых и ключевых приложениях.
  • Транзистор C4153 доступен в удобном корпусе TO-220, который обеспечивает хорошую тепловую передачу и удобство монтажа.

В целом, транзистор C4153 представляет собой надежное и универсальное электронное устройство, применяемое в различных сферах электроники и могущее эффективно выполнять широкий спектр функций.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: