2SD965 transistor electrical specification & application note:
Here we explain the electrical specifications of the 2SD965 transistor, the detailed explanation is very helpful for a better understanding of the device, and this will be useful for the applications.
Voltage specs
The terminal voltage value of 2SD965 transistors is a collector-to-emitter voltage is 20V, collector-to-base voltage is 40V and emitter-to-base voltage is 7V.
The collector-to-emitter saturation voltage value is 1V, it is the switching voltage value of the transistor.
The voltage specifications of the 2SD965 transistor indicated that it is a low-voltage level device that had general-purpose applications.
Current specs
The collector current value of the 2SD965 transistor is 5A, and the current specs of the semiconductor device show the load capacity.
The pulsed collector current value of the 2SD965 transistor is 8A, this current value is calculated at a specific condition.
The current specifications of the 2SD965 transistor shows, it is a low-power device which having general-purpose-switching applications.
Transition frequency
Transition frequency value of the 2SD965 transistor is 150MHz, this value is the capacity of the device for applications.
Output capacitance
Output capacitance value of the 2SD965 transistor is 50Pf, the capacitance range of the device is important for some applications.
2SD965 Datasheet PDF — Dc Components
| Part Number | 2SD965 | |
| Description | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Manufacturers | Dc Components | |
| Logo | ||
|
There is a preview and 2SD965 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available ! DC COMPONENTS CO., LTD. R DISCRETE SEMICONDUCTORS 2SD965 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic VCBO VCEO VEBO IC PD TJ TSTG Rating oC oC TO-92 2o Typ 2o Typ .050 5oTyp. 5oTyp. (1.27)Typ Dimensions in inches and (millimeters) (Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic BVCBO 40 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 20 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 7 ICBO — IEBO Collector-Emitter Saturation Voltage(1) VCE(sat) — DC Current Gain(1) hFE1 hFE2 230 fT — Output Capacitance Cob — (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% — µA µA V IC=100µA, IE=0 IC=1mA, IB=0 IE=10µA, IC=0 VCB=10V, IE=0 VEB=7V, IC=0 IC=3A, IB=100mA IC=0.5A, VCE=2V IC=2A, VCE=2V IE=50mA, VCE=6V VCB=20V, f=1MHz, IE=0 Classification of hFE1 Rank |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SD965 electronic component. |
| Information | Total 1 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Транзистор Д965: особенности и назначение
Основная особенность транзистора Д965 заключается в его способности усиливать сигналы постоянного тока, что позволяет его использовать в усилительных и переключающих схемах. Данный транзистор также часто применяется в схемах драйверов, инверторов и регулирования мощности.
Транзистор Д965 имеет максимальное значение тока коллектора в 2А и максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер в 30В, что позволяет использовать его в различных схемах с учетом требуемых параметров.
Помимо этого, транзистор Д965 обладает высоким коэффициентом усиления тока, что является важным фактором при использовании в усилительных схемах. Это позволяет достичь высокой эффективности и качества работы устройств.
Также следует отметить, что транзистор Д965 обладает небольшими габаритами, что делает его удобным для интеграции в различные электронные устройства и печатные платы.
В заключение, транзистор Д965 является надежным и универсальным элементом, который широко используется в различных схемах и приборах. Благодаря своим характеристикам и особенностям, данный транзистор обеспечивает эффективную работу электронных устройств и способствует их стабильной работе.
