Транзистор b698 характеристики цоколевка

Устройство и принцип действия

Рис.2: Планарный биполярный n-p-n транзистор в поперечном разрезе

Самые первые модели биполярных транзисторов выполнялись с применением металлического германия (полупроводниковый материал). На данный момент для этих целей используется монокристаллический кремний и монокристаллический арсенид галлия.

Рис.3: Монокристаллы кремния и арсенида галлия

Наиболее быстродействующими устройствами являются те, в которых задействован арсенид галлия. По этой причине их наиболее часто применяют как элементы сверхбыстродействующих логических схем и схем сверхвысокочастотных усилителей.

Как уже говорилось выше, структура биполярного транзистора складывается из эмиттерного, базового и коллекторного слоёв с различным уровнем легированности, и каждый слой соединён со своим электродом, представленный омическим (невыпрямляющим) контактом.

Слаболегированный базовый слой транзистора отличается большим уровнем омического сопротивления.

При соотнесении контактов эмиттер-база и коллектор-база можно отметить, что первый уступает по размерам второму.

Подобная конструкция обусловлена следующими моментами:

• Большой коллекторно-базовый переход позволяет увеличить количество передаваемых от базы к коллектору неосновных носителей заряда (ННЗ);
• На момент активной работы К-Б-переход функционирует в условиях обратного смещения, что вызывает сильное тепловыделение в зоне коллекторного перехода, поэтому, чтобы улучшить его теплоотводность приходится увеличивать площадь.

Таким образом «идеальный» симметричный биполярный транзистор фигурирует только в теоретических выкладках, а перенос теорию на практическую базу демонстрирует, что наибольшим КПД обладают именно те модели, которые не обладают симметрией.

В режиме активного усиления в транзисторе происходит прямое смещение Э-перехода (он становится открытым), и обратное смещение К-перехода (он становится закрытым). В противоположной ситуации, при закрытии Э-перехода и открытии К-перехода происходит инверсное включение биполярного транзистора.

Если подробнее рассматривать процесс функционирования транзисторов n-p-n типа, то в первую очередь наблюдается переход основных НЗ (носителей заряда) из эмиттерного слоя по Э-Б-переходу в базовый слой. Часть НЗ, представленных электронами взаимодействует с дырками базы, что приводит к нейтрализации обоих зарядов и сопутствующему выделению энергии. Тем не менее, базовый слой достаточно тонок и легирован достаточно слабо, это увеличивает общее время процесса взаимодействия, поэтому гораздо большее количество эмиттерных НЗ успевает проникнуть в коллекторный слой. Кроме того, сказывается действие силы электрического поля, образуемого смещённым коллекторным переходом. Благодаря этой силе значительно увеличивается количество перетягиваемых из базового слоя электронов.

В  результате, значение коллекторного тока практически равняется эмиттерному за вычетом потерь в базовом слое, которыми и исчисляется ток самой базы. Для вычисления значения коллекторного тока используется формула:

Iк = αIэ,

где Iк – коллекторный ток, Iэ – эмиттеный ток, α– коэффициент передачи тока эмиттера.

Спектр значений коэффициента α варьируется от 0,9 до 0,99. Большие значения позволяют производить более эффективную трансляцию тока транзистором. Величина α при этом не определяется тем, какое напряжение демонстрируют К-Б и Б-Э переходы. Как результат, в условиях множества вариантов рабочего напряжения сохраняется пропорциональное соотношение между Iк и Iб. Для нахождения коэффициента данной пропорциональности применяется формула:

β = α/(1 − α).

Значения β  могут находиться в диапазоне 10-100. Отсюда можно сделать вывод о том, что для регуляции работы большого коллекторного тока, вполне можно обходиться током малой силы на базе.

Описание транзистора 2N5401

Транзистор 2N5401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE288, SK3867A, PMBT5401, THC5401, TMPT5401, A5T5401*, A5T5400*.

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5401
150/160
600
350

100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Digitron Electronic Corp
Digitron

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Fairchild Semiconductor Corp
FairchildSC

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Loras Industries Inc
Loras Ind

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

New Jersey Semi-Conductor Products Inc
New Jersey

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Solid State Systems
Sld St Syst

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer

Transistor Со
Transistor

Taiwan Liton Electronic Со Ltd
TwLitonEIec

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
C
B
E

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

• устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
• стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
• SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.

Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.

Немного подробнее о модуле и принципе его работы

Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.

Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.

Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.

B698 Datasheet PDF — Sanyo

Part Number	B698
Description	PNP Transistor — 2SB698
Manufacturers	Sanyo
Logo
There is a preview and B698 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! Ordering number:512F PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB698/2SD734 1W AF Output, Electronic Governor, DC-DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2003A [2SB698/2SD734] ( ) : 2SB698 for audio 1W output. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg Electrical Characteristics at Ta = 25˚C Conditions Parameter Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Symbol Conditions ICBO IEBO hFE1 hFE2 fT Cob VCB=(–)20V, IE=0 VEB=(–)4V, IC=0 VCE=(–)2V, IC=(–)50mA VCE=(–)2V, IC=(–)500mA VCE=(–)10V, IC=(–)50mA VCB=(–)10V, f=1MHz * : The 2SB698/2SD734 are classified by 50mA hFE as follows : 60 D 120 100 E 200 160 F 320 280 G 560 JEDEC : TO-92 EIAJ : SC-43 SANYO : NP B : Base C : Collector E : Emitter Ratings (–)25 (–)20 (–)5 (–)0.7 (–)1.5 0.6 150 –55 to +150 Unit V V V A A W ˚C ˚C Ratings min typ 60* 50 250 (13) 8 max (–)1.0 (–)1.0 560* Unit µA µA MHz pF pF Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using any SANYO products described or contained herein in such applications. SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained herein. SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 91098HA (KT)/4017KI/3075KI/1313KI/6162KI, TS No.512–1/4

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for B698 electronic component.

Information	Total 4 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

• КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
• КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
• К209 – ромб (серая точка).
• К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
• КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
• КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
• КТ342 – четверть круга (синяя точка).
• КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
• КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
• КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
• К366 – буква Т (цвета нет).
• КТ6127 – перевернутая буква П.
• КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
• КТ638 – без символа (оранжевая точка).
• КТ680 – буква Г.
• КТ681 – вертикальная палочка.
• КТ698 – буква П.

Полевые SMD транзисторы

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:

Характеристики

Выпускается транзистор различными производителями, как правило, в пластиковом корпусе. В системе JEDEC есть корпус обновлённого типа ТО-225АА. Вы можете скачать datasheet на транзистор BD139.

Изделие с надёжным корпусом имеет цоколевку типа:

• Эммитер – E;
• Коллектор – С;
• База – В.

Транзистор используется при температуре +25 по градусу Цельсия, работает по биполярному принципу, а его корпус без радиатора сделан прочно. Материал корпуса – пластмасса, кристалл используется кремний, проводимость – NPN.

Если покупателю необходимо найти отечественный аналог bd1390, то ниже будет указано, какой подойдёт для применения и считается качественным. Можно сказать, что аналог не уступает конкуренту, поэтому данный вариант будет оптимальным решением.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

1. Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
2. Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
3. Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются

В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники

Источники

• https://habr.com/ru/post/133136/
• https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
• https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
• https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
• https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
• https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
• https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/

Биполярный транзистор 2SB698 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB698

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SB698
Datasheet (PDF)

 9.1. Size:136K  jmnic 2sb697 2sb697k.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB697 2SB697K DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SD733/733K High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-

 9.2. Size:215K  inchange semiconductor 2sb695.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB695DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD731Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor 2sb697.pdf

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB697DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -140V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD733Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF power amplifier applications.Recommended for output stage of 80W

 9.4. Size:123K  inchange semiconductor 2sb697-k.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB697 2SB697K DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SD733/733K High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simpli

 9.5. Size:218K  inchange semiconductor 2sb690.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB690DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh Power DissipationComplement to Type 2SD726Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 9.6. Size:212K  inchange semiconductor 2sb696.pdf

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB696DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD732Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF power amplifier applications.Recommended for output stage of 60W

 9.7. Size:215K  inchange semiconductor 2sb691.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB691DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD727Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier and powerswitching applications.ABSOLUTE

 9.8. Size:216K  inchange semiconductor 2sb692.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB692DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD728Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier and powerswitching applications.ABSOLUT

Другие транзисторы… 2SB693
, 2SB693H
, 2SB694
, 2SB695
, 2SB696
, 2SB696K
, 2SB697
, 2SB697K
, BC327
, 2SB698D
, 2SB698E
, 2SB698F
, 2SB698G
, 2SB699
, 2SB70
, 2SB700
, 2SB700A
.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Маркировка: выбор транзистора

На транзисторе, а точнее его корпусе указывается маркировка, которая выведена по европейским системам и широко распространена в Европе. Маркировка указана Pro Electron. Данная система поддержана европейской ассоциацией тех, производителей, которые поставляют электронные элементы и другую продукцию.

На изделие буквы показывают следующее, первая из них B обозначает кремнёвый, а вторая D подтверждает мощность низкочастотного компонента. Затем идёт цифра устройства, т.е. 139 – это серийный номер транзистора.

Замену этому изделию можно найти на российском рынке, например, нередко применяют аналог КТ815Г. Он практически не отличается от оригинала и работает по тому же принципу, как bd139. Идентичный корпус, расположение выводов в том же порядке, исходная электрическая характеристика делают изделие надёжным и подходящим для применения.

Если хочется заменить на дорогой транзистор, то можно посмотреть такие варианты, как:

• Bd139G;
• Bd230;
• Bd349.

При выборе компонента важно внимательно изучить характеристику,  чтобы она совпадала с оригиналом. Это позволит последующее применение сделать грамотным и добиться желаемого результата

Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

Что такое SMD

Прежде всего, что означает «SMD» и откуда такое странное название? Все очень просто: это аббревиатура от английского выражения Surface Mounted Device, означающего прибор, монтируемый на поверхность.

То есть, в отличие от обычной радиодетали, ножки которой вставляются в отверстия в печатной плате и припаиваются с другой ее стороны, smd прибор просто накладывается на контактные площадки, предусмотренные на плате, и с этой же стороны припаивается.

Технология поверхностного монтажа не только позволила уменьшить габариты элементов и плотность элементов на плате, но и существенно упростила сам монтаж, с которым сегодня легко справляются роботы. Автомат прикладывает электронный компонент к нужному месту платы, разогревает это место ИК светом или лазером до температуры плавления нанесенной на площадки паяльной пасты, и монтаж элемента выполнен.

Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов

Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.

Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.

Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.

В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.

Транзистор B698: основные характеристики

Основные характеристики транзистора B698 включают:

• Тип элемента: NPN (негативно-положительно-негативный)
• Максимальная рабочая частота: 300 МГц
• Максимальное коллекторное напряжение (V_CEO): 100 В
• Максимальный коллекторный ток (I_C): 1 А
• Максимальная мощность (P_C): 1 Вт
• Коэффициент усиления тока (h_FE): от 100 до 320
• Корпус: TO-92, SOT-23 (SMD)

Транзистор B698 широко используется в электронике, включая интегральные схемы, усилители и другие устройства. Его высокая рабочая частота и низкое напряжение делают его привлекательным для различных приложений, требующих высокой производительности и компактности.

Основные характеристики транзистора B698 позволяют инженерам и разработчикам эффективно использовать его в различных проектах, от простых радиоприемников до сложных электронных устройств.