Транзистор кт846в: характеристики и цоколевка

История разработки первых транзисторов

Склонности передаются по наследству, это видно на примере Уильяма Брэдфорда Шокли. Сын горного инженера и одной из первых в США женщины-геодезиста. Специфичное сочетание. В 22 года получил степень бакалавра, не остановился на достигнутом, и в 1936-м становится доктором философии. Звание, присуждённое Массачусетским институтом технологии, не означает, что Шокли изучал Ницше и Аристотеля. Степень говорит о наличии диссертации в области из большого перечня наук. Диковинное название – дань традиции, когда философия в средние века занималась широким спектром вопросов, по праву считаясь прародителем прочих направлений хода учёной мысли.

Лаборатория Белла

Смысл работы состоял в исследовании электронных уровней хлорида натрия. Зонная теория, объяснявшая процессы, происходившие в материалах, как раз набирала популярность. Согласно воззрениям теории, любой электрон в кристалле способен занимать уникальное, свойственное исключительно указанной частице, состояние с определённой энергией и направлением спина. Сообразно представлению градации идут с некоторой дискретностью в валентной зоне (связанные с ядром), вдобавок присутствует запрещённая область, где частицы располагаться не вправе. Из последнего тезиса исключением считаются примесные полупроводники, ставшие базисом для создания твердотельной электроники, включая биполярные транзисторы.

В Лаборатории Белла Шокли попал за любопытные идеи в области конструирования ядерных реакторов. Уран в чистом виде открыт задолго до этого, впервые на примере элемента Беккерель обнаружил радиоактивность. Бомбардировать нейтронами ядра металла пробовал в начале 30-х годов (XX века) Энрико Ферми, преследовалась цель – получить трансурановые элементы. Позднее оказалось доказано, что одновременно происходит радиоактивный распад с выделением вовне энергии. Шокли задумал бомбардировать U-235, чтобы получить новый источник большой мощности. В ходе Второй мировой войны занимался исследования по оценке возможного сухопутного вторжения Японии, собранные данные во многом способствовали решению Трумэна сбросить атомную бомбу на Хиросиму.

Лаборатория Белла поставила перед Шокли прямую задачу – отыскать альтернативу громоздким ламповым усилителям. Это означало бы экономию места и появление на свет нового поколения приборов, способных функционировать в условиях войны. Не секрет, что боевые заслуги СССР оказались по достоинству оценены на противоположной стороне океана. Шокли назначили менеджером бригады, бившейся над задачей, куда среди прочего входили создатели первого точечного транзистора:

Джон Бардин;
Уолтер Хаузер Браттейн.

Конструкция оказалась специфичной. К примеру, контактные площадки из золота прижаты пружиной к германиевому кристаллу p-n-перехода, больше напоминают лабораторную установку, нежели полнофункциональный прибор для военной техники. Собрано — при помощи канцелярских скрепок и ядовитого клея-электролита. Но прибор в будущем даст название Силиконовой Долине. Между учёными произошёл раздор, потому что теория поля Шокли, применяемая в транзисторе, не помогла созданию прибора, вдобавок упоминалась в канадском патенте Лилиенфельда 1925 года. В результате Лаборатория Белла выкидывает имя Уильяма из списка создателей при оформлении бумаг.

Примечательно, что структура MESFET (полевой транзистор), предложенная Лилиенфельдом, не функционировала. Но заложенные идеи в бюро приняли, и у Лаборатории Белла возникли сложности с подачей заявок. Парадокс, но учёные могли запатентовать лишь дизайн Бардина и Браттейна – ничего более. Остальное давно уже существовало в виде концепции на момент 1946 года. Шокли решил, что судьба сыграла с изобретателем очередную шутку после всех неудач. Однако компания Белла идёт на всяческие уступки, и общепринято, что Уильям фигурирует для прессы в качестве первого лица.

Уильям Брэдфорд Шокли

Шокли начинает трудиться над собственным направлением, попутно пытаясь исправить ситуацию. Последнее не даёт положительных результатов, зато первое приводит к созданию прибора, сегодня известного миру под именем биполярного транзистора. Перебирая ряд конструкций, 1 января 1948 года находит правильную, но не сразу осознает. Впоследствии к Шокли приходит идея, что ток образуется не только основными носителями заряда.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Параметры полевых транзисторов n-канальных. Параметры полевых транзисторов p-канальных. Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp. Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке. Поиск биполярного транзистора по основным параметрам. Поиск полевого транзистора по основным параметрам. Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов. Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Технические характеристики транзистора КТ846

Ниже приведены основные технические характеристики транзистора КТ846:

Параметр	Значение
Максимальное коллекторное напряжение (U_к)	30 В
Максимальный коллекторный ток (I_к)	100 мА
Максимальная мощность потерь (P_т)	150 мВт
Коэффициент усиления по току (h_21e)	не менее 100
Время нарастания тока базы (t_rb)	не более 100 нс
Время спада тока базы (t_fb)	не более 100 нс
Максимальная рабочая температура (T_раб)	125 °C

Такие характеристики позволяют использовать транзистор КТ846 в различных схемах усиления сигнала, включая интегральные схемы и высокочастотные устройства. Также, он может использоваться в цифровых и аналоговых схемах усиления и коммутации.

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Структура и рабочие параметры

База является тонким слоем P-типа полупроводникового материала, эмиттер – P-типа, а коллектор – N-типа. Такая структура позволяет КТ846В работать в режиме усиления сигнала.

Основные рабочие параметры транзистора:

Максимальное постоянное напряжение коллектор-база (U_кбо): 60 В
Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (U_кэо): 45 В
Максимальный коллекторный ток (I_к): 100 мА
Максимальный ток базы (I_б): 50 мА
Максимальная мощность потерь в транзисторе (P_т): 400 мВт
Коэффициент усиления тока (β): от 40 до 400
Максимальная рабочая частота (f_т): 50 МГц

Такие параметры делают транзистор КТ846В подходящим для широкого спектра применений, таких как усилительные схемы, генераторы сигналов, переключатели и другие электронные устройства.

Важно помнить, что при использовании транзистора КТ846В необходимо учитывать его рабочие параметры и рекомендации производителя, чтобы избежать повреждения и обеспечить надежную работу

Устройство и принцип действия

Транзистор — электронный полупроводник, состоящий из 3 электродов, одним из которых является управляющий. Транзистор биполярного типа отличается от полярного наличием 2 типов носителей заряда (отрицательного и положительного).

Отрицательные заряды представляют собой электроны, которые высвобождаются из внешней оболочки кристаллической решетки. Положительный тип заряда, или дырки, образуются на месте высвобожденного электрона.

Устройство биполярного транзистора (БТ) достаточно простое, несмотря на его универсальность. Он состоит из 3 слоев проводникового типа: эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К).

Эмиттер (от латинского «выпускать») — тип полупроводникового перехода, основной функцией которого является инжекция зарядов в базу. Коллектор (от латинского «собиратель») служит для получения зарядов эмиттера. База является управляющим электродом.

Слои эмиттерный и коллекторный почти одинаковые, однако отличаются степенью добавления примесей для улучшения характеристик ПП. Добавление примесей называется легированием. Для коллекторного слоя (КС) легирование выражено слабо для повышения коллекторного напряжения (Uк). Эмиттерный полупроводниковый слой легируется сильно для того, чтобы повысить обратное допустимое U пробоя и улучшить инжекцию носителей в базовый слой (увеличивается коэффициент передачи по току — Kт). Слой базы легируется слабо для обеспечения большего сопротивления (R).

Переход между базой и эмиттером меньший по площади, чем К-Б. Благодаря разнице в площадях и происходит улучшение Кт. При работе ПП переход К-Б включается со смещением обратного типа для выделения основной доли количества теплоты Q, которое рассеивается и обеспечивает лучшее охлаждение кристалла.

Быстродействие БТ зависит от толщины базового слоя (БС). Эта зависимость является величиной, изменяющейся по обратно пропорциональному соотношению. При меньшей толщине — большее быстродействие. Эта зависимость связана с временем пролета носителей заряда. Однако при этом снижается Uк.

Между эмиттером и К протекает сильный ток, называемый током К (Iк). Между Э и Б протекает ток маленькой величины — ток Б (Iб), который используется для управления. При изменении Iб произойдет изменение Iк.

У транзистора два p-n перехода: Э-Б и К-Б. При активном режиме Э-Б подключается со смещением прямого типа, а подключение К-Б происходит с обратным смещением. Так как переход Э-Б находится в открытом состоянии, то отрицательные заряды (электроны) перетекают в Б. После этого происходит их частичная рекомбинация с дырками. Однако большая часть электронов достигает К-Б из-за малой легитивности и толщины Б.

В БС электроны являются неосновными носителями заряда, и электромагнитное поле помогает им преодолеть переход К-Б. При увеличении Iб произойдет расширение открытия Э-Б и между Э и К пробежит больше электронов. При этом произойдет существенное усиление сигнала низкой амплитуды, т. к. Iк больше, чем Iб.

Watch this video on YouTube

Для того чтобы проще понять физический смысл работы транзистора биполярного типа, нужно ассоциировать его с наглядным примером. Нужно предположить, что насос для закачки воды является источником питания, водопроводный кран — транзистором, вода — Iк, степень поворота ручки крана — Iб. Для увеличения напора нужно немного повернуть кран — совершить управляющее действие. Исходя из примера можно сделать вывод о простом принципе работы ПП.

Однако при существенном увеличении U на переходе К-Б может произойти ударная ионизация, следствием которой является лавинное размножение заряда. При комбинации с тоннельным эффектом этот процесс дает электрический, а с увеличением времени и тепловой пробой, что выводит ПП из строя. Иногда тепловой пробой наступает без электрического в результате существенного увеличения тока через выход коллектора.

Кроме того, при изменении U на К-Б и Э-Б меняется толщина этих слоев, если Б тонкая, то происходит эффект смыкания (его еще называют проколом Б), при котором происходит соединение переходов К-Б и Э-Б. В результате этого явления ПП перестает выполнять свои функции.

Подключение и монтаж

Для подключения транзистора КТ846 необходимо соблюдать определенные правила монтажа. Во-первых, перед началом работы рекомендуется проверить целостность корпуса транзистора, отсутствие видимых повреждений или трещин. В случае обнаружения дефектов, транзистор следует заменить на исправный.

Перед монтажом транзистора важно убедиться, что контакты цоколевки не загрязнены и не окислены. Для удаления загрязнений можно использовать спирт или специальные моющие средства для электроники

При очищении контактов необходимо быть аккуратным и не наносить повреждений металлическим контактам.

Подключение транзистора КТ846 осуществляется путем вставки его ножек в отверстия цоколевки по соответствующим контактам. При этом необходимо правильно определить положение эмиттера, базы и коллектора. Обычно на корпусе транзистора есть маркировка или рисунок, показывающий положение контактов.

После вставки ножек транзистора в цоколевку следует убедиться, что они надежно закреплены и не проворачиваются. В случае необходимости, можно использовать специальные фиксирующие приспособления или скобы.

После монтажа рекомендуется проверить правильность подключения транзистора с помощью схемы или мультиметра. Также следует убедиться в отсутствии короткого замыкания или обрыва цепи.

Важно помнить, что при работе с электронными компонентами всегда нужно соблюдать правила электробезопасности

Работу следует проводить только при выключенном питании и соблюдать особую осторожность при работе с токами высокой частоты

Схемы включения

Для корректного применения и подключения БТ нужно знать их классификацию и тип. Классификация биполярных транзисторов:

Материал изготовления: германий, кремний и арсенидогаллий.
Особенности изготовления.
Рассеиваемая мощность: маломощные (до 0,25 Вт), средние (0,25-1,6 Вт), мощные (выше 1,6 Вт).
Предельная частота: низкочастотные (до 2,7 МГц), среднечастотные (2,7-32 МГц), высокочастотные (32-310 МГц), сверхвысокочастотные (более 310 МГц).
Функциональное назначение.

Функциональное назначение БТ делится на следующие виды:

Усилительные низкочастотные с нормированным и ненормированным коэффициентом шума (НиННКШ).
Усилительные высокочастотные с НиННКШ.
Усилительные сверхвысокочастотные с НиННКШ.
Усилительные мощные высоковольтные.
Генераторные с высокими и сверхвысокими частотами.
Маломощные и мощные высоковольтные переключающие.
Импульсные мощные для работы с высокими значениями U.

Кроме того, существуют такие типы биполярных транзисторов:

Р-n-p.
N-p-n.

Смотрите это видео на YouTube

Существует 3 схемы включения биполярного транзистора, каждая из которых обладает своими достоинствами и недостатками:

Общая Б.
Общий Э.
Общий К.

Включение с общей базой (ОБ)

Схема применяется на высоких частотах, позволяя оптимально использовать частотную характеристику. При подключении одного БТ по схеме с ОЭ, а потом с ОБ его частота работы усилится. Эту схему подключения применяют в усилителях антенного типа. Уровень шумов на высоких частотах снижается.

Достоинства:

Оптимальные значения температуры и широкий диапазон частот (f).
Высокое значение Uк.

Недостатки:

Низкое усиление по I.
Низкое входное R.

Включение с общим эмиттером (ОЭ)

При подключении по этой схеме происходит усиление по U и I. Схему можно запитать от одного источника. Часто применяется в усилителях мощности (P).

Достоинства:

Высокие коэффициенты усиления по I, U, P.
Один источник питания.
Происходит инвертирование выходного переменного U относительно входного.

Обладает существенными недостатками: наименьшая температурная стабильность и частотные характеристики хуже, чем при подключении с ОБ.

Включение с общим коллектором (ОК)

Входное U полностью передается обратно на вход, и Кi аналогичен при подключении с ОЭ, но по U он низкий.

Этот тип включения применяют для согласования каскадов, выполненных на транзисторах, или при источнике входного сигнала, который имеет высокое выходное R (микрофон конденсаторного типа или звукосниматель). К достоинствам можно отнести следующие: большое значение входного и малого выходного R. Недостатком является низкий коэффициент усиления по U.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Описание и назначение транзистора КТ846

Назначение транзистора КТ846 обширно. Он может применяться в различных электронных устройствах, таких как радиоприемники, телевизоры, сигнальные усилители и другие. Это происходит благодаря тому, что транзистор обладает высокой надежностью, широким диапазоном рабочих частот и малым уровнем шума.

Помимо этого, транзистор КТ846 обладает следующими характеристиками:

Тип корпуса: TO-92
Максимальное значение коллекторного тока: 100 мА
Максимальное значение напряжения коллектора: 30 В
Максимальное значение мощности потерь: 300 мВт

Таким образом, транзистор КТ846 является универсальным и простым в использовании электронным компонентом, который нашел применение в широком спектре устройств и систем.

Обзор и назначение

Главным назначением транзистора КТ846 является усиление сигналов. Он может использоваться в различных электронных устройствах, включая радиоприемники, телевизоры, музыкальные системы и другие аудио- и видеоустройства. Также транзистор КТ846 можно применять в схемах управления электропотребителями, например, включением и выключением электрических нагрузок.

Данный транзистор обладает хорошими параметрами работы, такими как низкое сопротивление включения и выключения, высокий коэффициент усиления сигнала и малый уровень шума. Все эти характеристики делают транзистор КТ846 надежным и эффективным элементом в различных электронных схемах.

Применение в современной электронике

Транзистор КТ846 активно применяется в современной электронике благодаря своим характеристикам. Он может быть использован в различных устройствах и схемах для усиления сигналов, коммутации и модуляции.

Одним из основных применений транзистора КТ846 является его использование в усилителях звука. Благодаря высоким показателям коэффициента усиления и малым искажениям, этот транзистор обеспечивает качественное усиление аудиосигналов.

Транзистор КТ846 также применяется в телекоммуникационных устройствах, таких как радиопередатчики и радиоприемники. А высокие рабочие частоты, которые он поддерживает, позволяют использовать его в современных системах связи.

Другим важным применением транзистора КТ846 является его использование в источниках питания. Благодаря низкому уровню собственного потребления энергии, этот транзистор может обеспечивать стабильное питание для различных устройств и цепей.

Также транзистор КТ846 может быть использован в различных электронных схемах, требующих точного управления тока или напряжения. Благодаря возможности установки в режимы работы с различными показателями коэффициента усиления, этот транзистор подходит для широкого спектра задач в современной электронике.

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Характеристики

Список максимальных параметров КТ827А перечислен ниже:

Коллекторный ток Iк макс постоянный максимальный =20 А;
Коллекторный ток Iки макс импульсный максимальный =40 А;
Сопротивление коллектор-эмиттер насыщения Rкэ нас не более =0,4 Ом;
Напряжение пробоя база-эмиттер Uбэо макс =5 В;
Напряжение Uкби импульсное (при tФ=2 мкс) =100 В;
Напряжение Uкэ макс длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =100 В;
Ток базы Iб макс длительно протекающий =500 mА;
Ток коллектора обратный <=3 мА;
Шумовой коэффициент транзистора менее 2 дБ.

Электрические параметры

Характеристики измерены при температуре +25 ОС и с указанными значениями сопутствующих параметров.

Параметры	Обозначения	Показатели
Uэб вх напряжение база-эмиттер входное	В	1,6÷2,8
Uэб нас (напряжение насыщения между эмиттером и базой транзистора) при Iк20А, Iб=200мА	В	2,6÷4
Напряжение насыщения Uкэ при Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА	В	1÷2 1,8÷3
f гp — частота коэффициента передачи тока граничная	МГц	<4
С_Э — емкость эмиттерного перехода при U_ЭБ=5,0 В	пФ	min 160 пФ max 350 пФ
С_К — емкость коллекторного перехода при U _КБ=10,0 В	пФ	min 200 пФ max 400 пФ
Время включения	мкс	0,3÷1
Время выключения	мкс	3÷6
Обратный ток коллектор-эмиттер при Т=Тк макс	мА	5
Ток эмиттера обратный при U_ЭБ=5В	мА	2

Коэффициент hfe

Этот параметр один из важнейших для схем усиления сигналов. Коэффициент усиления h21_Эпо току в схеме Дарлингтона очень высокий, по факту он представляет собой произведение коэффициентов двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21_Э находится в диапазоне от 750 до 18000. Коэффициент передачи тока зависит от температуры прямо и линейно. Предельная частота работы ограничена емкостью составного транзистора. Коэффициент передачи тока для транзисторов, включённых по схеме с общим эмиттером при Uкэ=3В, Iк=10А и Тк=25°С составляет от 750 до 6000; при том же напряжении и токе Iк=20А он падает до 3500, и до 100 при Тк=-60°С.

Тепловые и др. параметры

Корпус транзистора КТ827А рассеивает тепло до 3 Вт без радиатора и до 100 Вт с радиатором охлаждения, или 125 Вт для транзистора 2Т827А. Широкий диапазон температуры среды в которой предполагается использование изделия рассчитан на применение как в тропиках, так и в арктических условиях.

Р_К макс — постоянная допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе	Вт	3
Р_Кт макс — постоянная допустимая мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом	Вт	125
Т макс — температура окружающей среды допустимая	°С	-60 ÷+100
T_П макс — температура pn перехода допустимая	°С	200
fгр — частота граничная коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	МГц	4
Масса транзистора в металлостеклянном (ТО-3) корпусе	грамм	20
Cопротивление тепловое кристалл—корпус (при I_К = 12.5 А U_КЭ= 10 В)	°С/Вт	4

Комплементарная пара (транзисторы имеющие одинаковые значения параметров, с разным типом проводимости) для КТ827А состоит из комплекса с КТ825 с pnp структурой. Изделие КТ827А содержит драгметаллы — серебро и золото. Информация по содержанию драгметаллов для аффинажа показывает зависимость от года выпуска и производителя и колеблется на уровне 0,01–0,02 грамма в одном изделии.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока. – 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.