Mje3055t transistor

In Stock: 1903

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Alternate Parts for MJE3055T

This table gives cross-reference parts and alternative options found for MJE3055T. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of MJE3055T, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.

Functional Equivalents (10)

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
MJE3055TJ69Z	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Fairchild Semiconductor Corporation	MJE3055T vs MJE3055TJ69Z
MJE3055TTU	Bipolar Power Transistor, NPN, 10 A, 60 V, 75 Watt, 1000-TUBE	onsemi	MJE3055T vs MJE3055TTU
MJE3055-BP	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	Micro Commercial Components	MJE3055T vs MJE3055-BP
MJE3055T	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Continental Device India Ltd	MJE3055T vs MJE3055T
MJE3055T	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Fairchild Semiconductor Corporation	MJE3055T vs MJE3055T
MJE3055T	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Central Semiconductor Corp	MJE3055T vs MJE3055T

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
2N4922	TRANSISTOR NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, BIP General Purpose Power	National Semiconductor Corporation	MJE3055T vs 2N4922
2N4922	NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	Texas Instruments	MJE3055T vs 2N4922
MJE15030	Bipolar Transistor, NPN, 150 V, 8.0 A, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE	onsemi	MJE3055T vs MJE15030
MJE3055T	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Fairchild Semiconductor Corporation	MJE3055T vs MJE3055T
2N4922	1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126	STMicroelectronics	MJE3055T vs 2N4922
BD910	15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	STMicroelectronics	MJE3055T vs BD910
2SC1116	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin	Continental Device India Ltd	MJE3055T vs 2SC1116
BD953	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Continental Device India Ltd	MJE3055T vs BD953
MJE3055TJ69Z	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN	Fairchild Semiconductor Corporation	MJE3055T vs MJE3055TJ69Z
2N4922	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126VAR, 3 PIN	Space Power Electronics Inc	MJE3055T vs 2N4922

MJE3055T vs 2N3055

In the table below, we listed the electrical specifications of both MJE3055T and 2N3055 transistors, the comparison of specs will help us to know more about these devices for circuit-level applications.

Characteristics	MJE3055T	2N3055
Collector to base voltage (VCB)	70V	100V
Collector to emitter voltage (VCE)	60V	100V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	7V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	1.1 to 8V	1.1 to 3V
Collector current (IC)	10A	15A
Base current (IB)	6A	7A
Power dissipation	75W	115W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-65 to +200°C
Thermal resistance	1.66℃/W	—
Transition frequency (FT)	2MHz	2.5MHz
Gain (hFE)	20 to 100hFE	20 to 70hFE
Package	TO-220	TO-3

MJE3055T NPN transistor electrical specification description

In this section, we try to explain the electrical specifications of the MJE3055T transistor device. This description will give us an idea about the device.

Voltage specs

The voltage specs of the MJE3055T NPN transistor are collector to base voltage is 70V, collector to emitter voltage is 60V, and emitter to base voltage is 5V.

The collector to emitter saturation voltage is 1.1V to 8V, it is the voltage range of the terminals at the stage of saturation.

Overall voltage specifications of the MJE3055T transistor show that it is a moderate voltage device having different applications.

Current specs

The collector current value of the MJE3055T transistor is 10A, the current value indicates the device maximum load capacity.

The base current value is 6A, it is the recombination of electrons and holes at the semiconductor device material.

The current values of the MJE3055T transistor indicate that it is a higher current device having applications like power supply-based and regulator based.

Dissipation specs

The power dissipation value of the MJE3055T transistor is 75W, when we consider the product of voltage and current, it is naturally high so this is why MJE3055T has many power supply applications.

Технические характеристики

2N3055 являются низкочастотным транзистором. Вместе с тем считается, что типовая граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Впервые данный параметр на устройства появился в техописаниях компании RCA в 1971 г. и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно он рос, вместе с совершенствованием технического процесса изготовления. В 1977 г принял современное значение в 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с момента начала его производства (с 1967 г.) практически не изменялись. У разных производителей могут быть они могут незначительно отличатся. Вот типовые значения максимально допустимых эксплуатационных характеристик 2N3055:

• предельное напряжение К-Б (V_{КБО макс}) до 100 В, при разомкнутой цепи Э;
• предельное напряжение К-Э (V_{КЭО макс}) до 70 В, при обрыве на Б;
• максимальный коллекторный ток (I_Кмакс) до 15 А;
• рассеиваемая мощность (P_Кмакс) до 115 Вт;
• статический коэффициент передачи тока (H_FE) 20 … 70;
• температура перехода (T_К) до 200 oC, хранения (Т_Хран) -65…+200 oC.

Превышение любого из этих значений может привести к выходу устройства из строя. С повышением температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

Самым популярным российским аналогом 2N3055 считается мощный биполярный транзистор KT819ГM от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». От зарубежных производителей, в качестве замены можно использовать современный варианты с большим номинальным напряжением 2N3055HV (VКЭО = 100 В), MJ15015G (VКЭО = 120 В). Хорошей альтернативой является: T2N6371HV

Стоит обратить внимание на появившиеся в настоящее время версии в пластиковом корпусе ТО-3PN типа TIP3055 с мощностью до 90 Вт

В 70-хх компания Philips выпускала очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V_КЭО до 60 В) и позиционировала их для применения в аппаратуре Hi-Fi. Очень надежными и качественными эквивалентами у радиолюбителей до сих пор считаются KD502, KD503 бывшего Чехословацского производителя Teslа. К сожалению найти их сейчас очень сложно, так как они больше не выпускаются, а предприятие после распада СССР пришло в упадок.

Комплементарная пара

У устройства есть комплементарная пара MJ2955 с переходом типа PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является почти полной копией транзистора 2N3055. Применяется вместе с ним в выходных каскадах мощных усилителей до 40 Вт с нагрузкой до 8 Ом, и 60 Вт на 4 Ом.

Characteristics curves of MJE3055T transistor

DC current gain characteristics of the MJE3055T

The figure shows the DC current gain characteristics of the MJE3055T transistor, the graph plots with dc current gain vs collector current.

At constant collector to emitter voltage, the DC current gain increases from a higher value, and a slight increase will show after the device starts working then it dips at the end.

safe operating area characteristics of the MJE3055T

The figure shows the safe operating area characteristics of the MJE3055T transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage and switching speed.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.