Данные datasheet транзистора MMBT3906 SMD
Технические характеристики транзистора MMBT3906 SMD:
Максимальное постоянное напряжение коллектора-эмиттера составляет 40 В, в то время как максимальное переменное напряжение коллектора-эмиттера равно 25 В. Максимальное постоянное напряжение базы-эмиттера составляет 40 В, а максимальное переменное напряжение базы-эмиттера равно 5 В. Соответствующий постоянный ток коллектора составляет 200 мА, а максимальный переменный ток коллектора — 1 А. Ток базы, как постоянный, так и переменный, составляет 200 мА.
Транзистор MMBT3906 SMD имеет тип корпуса SOT-23 и может использоваться в схемах для усиления, переключения и стабилизации сигналов. Он также обладает низким уровнем шума и низким уровнем паразитных емкостей, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
Для более подробной информации о параметрах и характеристиках транзистора MMBT3906 SMD рекомендуется обратиться к соответствующему даташиту производителя.
Применение транзистора MMBT3906 SMD
Транзистор MMBT3906 SMD широко используется в различных электронных устройствах и схемах благодаря своим характеристикам и особенностям. Вот несколько примеров его применения:
- В усилительных схемах: Транзистор MMBT3906 SMD широко применяется в усилительных схемах благодаря своей высокой усилительной способности и низкому уровню шума.
- В схемах коммутации: Благодаря высокой скорости переключения, транзистор MMBT3906 SMD может быть использован в схемах коммутации, таких как таймеры и счетчики.
- В источниках питания: Транзистор MMBT3906 SMD может использоваться в источниках питания для регулировки и контроля тока и напряжения.
- В схемах управления: Благодаря высокой надежности и стабильности работы, транзистор MMBT3906 SMD может быть использован в различных схемах управления, включая программные контроллеры и микроконтроллеры.
Транзистор MMBT3906 SMD обладает компактным размером, что делает его удобным в монтаже на плату. Благодаря своим характеристикам и возможностям, MMBT3906 SMD является важным элементом в электронике.
Производители
Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.
Описание транзистора MMBT3906 SMD
ММВТ3906 представляет собой малогабаритный и низкомощный биполярный PNP транзистор, который широко применяется в электронике и микроэлектронике. Он имеет SOT-23 корпус и используется в малогабаритных устройствах.
Транзистор MMBT3906 обладает следующими основными характеристиками:
- Коллектор-эмиттерное напряжение (VCEO) — 40 В
- Коллектор-базовое напряжение (VCBO) — 40 В
- Коллекторный ток непрерывной работы (IC) — 200 мА
- Мощность потери в базе (PD) — 300 мВт
- Коллекторная мощность (PC) — 625 мВт
- Тепловое сопротивление перехода (θjc) — 417 °C/Вт
Транзистор MMBT3906 предназначен для использования в низкочастотных схемах и аналоговых устройствах. Он обладает низкими уровнями шума и длительным сроком службы. Благодаря своим низким габаритам и высоким характеристикам, MMBT3906 является популярным и надежным выбором для различных приложений.
Преимущества транзистора MMBT3906 SMD
Транзистор MMBT3906 SMD имеет ряд преимуществ, которые делают его популярным и востребованным в различных областях электроники:
| Преимущество | Описание |
|---|---|
| Малые габариты | Транзистор MMBT3906 SMD выполняется в форм-факторе SOT-23, что позволяет существенно сократить размеры устройства, в котором он используется. |
| Высокая надежность | Благодаря использованию технологии СМД и материалов высокого качества, транзистор MMBT3906 SMD обладает высокой надежностью в работе и длительным сроком службы. |
| Низкое энергопотребление | Транзистор MMBT3906 SMD имеет низкое энергопотребление, что делает его идеальным для использования в батарейно-питаемых устройствах, где важна экономия энергии. |
| Высокая коммутационная скорость | Транзистор MMBT3906 SMD обладает высокой коммутационной скоростью, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных устройствах с высокими требованиями к скорости работы. |
| Широкий диапазон рабочих температур | Транзистор MMBT3906 SMD способен работать в широком диапазоне рабочих температур, что делает его универсальным и подходящим для различных условий эксплуатации. |
Все эти преимущества делают транзистор MMBT3906 SMD отличным выбором для различных приложений в сфере электроники, где требуется надежный и высококачественный полупроводниковый элемент.
What are the Applications of 2N3906?
From the above list of parameters and specifications, we can figure out some applications of the 2N3906 Transistor. Due to its very low rise-time and fall time values, we can use the 2N3906 as a fast-switching transistor.
The collector to emitter voltage is significantly high at -40V. So, we can easily switch loads at higher voltages. But an important point about 2N3906 PNP Transistors is its low collector current.
Since it has a relatively low continuous collector current of -200mA, you cannot use this transistor for loads that draw more than 200mA.
Coming to the amplification applications, the DC Current gain (hFE) of 2N3906 is in the range of 100 to 300. This number may seem small, but we can use 2N3906 as a low-power amplifier. But keep an eye on its power dissipation it is rated for only 625mW of total power dissipation.
Important Specifications of 2N3906
Let us now see some important specifications of 2N3906 PNP Transistor. The two main specifications for any Bipolar Transistor are its Collector–to–Emitter Voltage and the Collector Current.
For 2N3906, the typical collector–to–emitter voltage (VCEO) is –40V and the collector current (IC) is –200mA. Apart from these two another important specification is the Emitter–Base Voltage (VEBO), which –5V.
We will see other important specifications with the help of the following table.
| Parameter | Symbol | Value |
| Collector – Emitter Voltage | VCEO | -40V |
| Collector – Base Voltage | VCBO | -40V |
| Emitter – Base Voltage | VEBO | -5V |
| Continuous Collector Current | IC | -200mA |
| Total Power Dissipation at 25°C | PD | 625mW |
| Operating and Storage Junction Temperature Range | TJ, TSTG | -55°C to 150°C |
| Thermal Resistance (Junction to Case) | RθJC | 83.3°C/W |
| Thermal Resistance (Junction to Ambient) | RθJA | 200°C/W |
| DC Current Gain (IC = -10 mA, VCE = -1V) | hFE | Minimum 100, Maximum 300 |
| Current Gain – Bandwidth Product | fT | 250MHz |
| Rise Time (VCC = -3V, VBE = -0.5V, IC = -10mA, IB1 = -1mA) | tr | 35ns |
| Fall Time (VCC = -3V, IC = -10mA, IB1 = IB1 = -1mA) | tf | 75ns |
We listed out only few important parameters of 2N3906 Transistor in the table. For more information on all the parameters and specifications, we suggest you to refer to the official datasheet.
Introduction to 2N3906 PNP Transistor
The 2N3906 is a general-purpose Bi-Polar PNP Transistor. It is one of the popular discrete transistors that circuit designers, hobbyists and makers use in their electronics projects. Motorola Semiconductor released the 2N3906 as well as its NPN counterpart, the 2N3904 back in the 60’s.
We can use this transistor for both amplification as well as switching applications. The TO-92 package is the most common package for 2N3906 with both straight leans and bent leads.
Apart from TO-92, it is also available in a couple of SMD packages as well. SOT-23 and SOT-223 are the main SMD packages, where the SOT-23 variant has a part name as MMBT3906 while the SOT-223 variant has the part name as PZT3906.
The onsemi semiconductor company is the primary producer of 2N3906 transistors in TO-92 package with some small-time companies such as Micro Commercial Company, NTE Electronics and Comchip Technology are also producing them.
Previously, some big semiconductor companies (Fairchild – NXP, STMicroelectronics) also produced the 2N3906 Transistors, but as of today, only onsemi acts as the main producer.
The SOT-223 package is very rare (and Digi-Key listed it as obsolete) but the SOT-23 package is still popular. Some companies that manufacture SOT23 variant of 2N3906 are onsemi, Diodes Incorporated, TSMC, Micro Commercial Company, Panjit International Inc.
Характеристики транзистора MMBT3906 SMD
Транзистор MMBT3906 SMD представляет собой PNP транзистор общего назначения, который позволяет усиливать и коммутировать электрические сигналы. Он имеет маленький размер и монтируется поверхностным монтажом (SMD), что позволяет использовать его в компактных электронных устройствах.
Основные характеристики транзистора MMBT3906 SMD:
- Тип: PNP
- Максимальное постоянное коллекторное напряжение: -40 В
- Максимальный ток коллектора: -200 мА
- Максимальная мощность: 300 мВт
- Коэффициент усиления постоянного тока: от 100 до 300
- Максимальная рабочая температура: 150°C
- Корпус: SOT-23
Транзистор MMBT3906 SMD отличается низким уровнем шума, высокой линейностью и надежностью. Он широко используется в различных схемах усилителей, включая аудиоусилители и устройства управления мощностью.
Дополнительную информацию о транзисторе MMBT3906 SMD можно найти в его datasheet.
Главные характеристики irfz44n
Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.
При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:
- Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
- Наибольший ток стока — 49 Ампер.
- Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
- Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.
В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:
- Металл.
- Диэлектрик.
- Полупроводник.
У этих устройств может быть 2 вида каналов:
- встроенный;
- индуцированный.
Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.
2N3906 Transistor Pinout
Before looking at the specifications of 2N3906 PNP Transistor, let us quickly take a peek at the circuit symbol and also the pinout of different packages of 23906 Transistor.
As it is a BJT, it has three terminals: Base (B), Emitter (E) and Collector (C). There is nothing special about the circuit symbol as it is essentially a regular PNP Transistor. But none the less, here is the circuit symbol of 2N3906 Transistor.
Image
Coming to the pinout, we took the three popular packages (TO092, SOT-23 and SOT-223) and made 3D models with pinouts. The following image shows the pinout of 2N3906 Transistor.
2N3906 Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание
12 декабря 2017 – 0 комментариев
2N3906 Конфигурация контактов
|
Номер контакта |
Название контакта |
Описание |
|
1 |
Излучатель |
Утечка тока через эмиттер |
|
2 |
Базовый |
Управляет смещением транзистора |
|
3 |
Коллектор |
Ток протекает через коллектор |
Характеристики
- Биполярный PNP-транзистор
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
- Базовое напряжение эмиттера (VBE) равно 5 В
- Базовый ток (IB) не более 5 мА
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
- Базовое напряжение коллектора (VCB) составляет 40 В
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полные технические характеристики можно найти в техническом паспорте 2N3906, приведенном в конце этой страницы.
2N3906 Эквивалентные транзисторы
2N4403, MPSA13, MPSA92, MPSA55, ZTX555
Альтернатива для 2N3906
BC157, BC558, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42
Краткое описание 2N3906
2N3906 представляет собой транзистор PNP , следовательно, коллектор и эмиттер будет закрыт (смещен в прямом направлении), когда базовый штифт удерживается на земле, и будет разомкнут (смещен в обратном направлении), когда на базовый штырь подается сигнал. В этом отличие PNP-транзистора от NPN-транзистора: логическое состояние (синий цвет) используется для переключения между заземлением и сигнальным напряжением (эмиттер-база VBE), как показано ниже.0003
2N3906 имеет коэффициент усиления от 110 до 300, это значение определяет мощность усиления транзистора.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (VCE) или базой-эмиттером (VBE), может составлять 40 и 5 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 5 В.
Где использовать 2N3906
2N3906 — широко используемый PNP-транзистор. Он очень похож на транзистор bc557, за исключением того, что он имеет высокое напряжение между коллектором и эмиттером, и, следовательно, можно переключать высоковольтные нагрузки.
Итак, если вы ищете PNP-транзистор , способный переключать высоковольтные нагрузки в пределах 0,2 А, то этот транзистор 2N3906 может оказаться для вас правильным выбором.
Как использовать 2N3906
Транзистор 2N3906 обычно используется в качестве переключающего устройства. При использовании в качестве переключателя он может работать в области насыщения и области отсечки. В транзисторе PNP по умолчанию он находится во включенном состоянии, но нельзя сказать, что он полностью включен, пока базовый вывод не будет заземлен. Если мы обеспечим заземление на базовый контакт, то транзистор будет смещен в обратном направлении и, как говорят, включен. Если питание подается на базовый контакт, он прекращает проводить ток между эмиттером и коллектором и считается выключенным. Для защиты транзистора последовательно с ним добавлено сопротивление.
RB = VBE / IB
Где значение VBE для этого транзистора будет 5В. Максимальное значение обеспечения базового тока составляет 200 мА. Таким образом, из этого вы можете найти значение сопротивления, которое будет добавлено последовательно с ним. В приведенной ниже схеме напряжение базового эмиттера (VBE) равно 0 В (заземлено), поэтому транзистор PNP проводит, и двигатель вращается. Если установлено высокое значение (5 В), двигатель остановит вращение
Обратите внимание, что для PNP-транзисторов нагрузки должны быть подключены со стороны коллектора, как показано ниже. Также обратите внимание, что ток нагрузки должен быть менее 200 мА (здесь 140 мА)
Применение
- Используется для переключения высоковольтных слаботочных нагрузок
- Оптимально для нагрузок с высоким пиковым напряжением до 40 В
- Используется в различных приложениях переключения.
- Используется в схемах инверторов и преобразователей
- Используется для изготовления сирены или двойной светодиодной или ламповой мигалки.
- Можно использовать в парах Дарлингтона.
2D-модель и размеры
2D-размеры помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на плате или печатной плате.
Особенности транзистора MMBT3906 SMD
Одна из особенностей MMBT3906 SMD — его небольшой размер и поверхностный монтаж. Это делает его идеальным для применения в небольших устройствах, где пространство ограничено. Транзистор может быть легко паян на печатные платы и установлен на компактные устройства.
Транзистор MMBT3906 SMD имеет высокую надежность и стабильность работы. Он обладает широким диапазоном рабочих температур, что позволяет использовать его в условиях экстремальных температурных воздействий. Это делает его идеальным для применения в автомобильной, промышленной и других сферах, где требуется надежный и стабильный элемент.
Транзистор MMBT3906 SMD имеет низкое напряжение насыщения и быстрое переключение, что позволяет использовать его в высокочастотных и высокоскоростных схемах. Это делает его идеальным для применения в электронике сигнала и усиления сигнала.
У транзистора MMBT3906 SMD также есть низкий уровень шума, что позволяет использовать его в аналоговых приложениях, где требуется высококачественное усиление с минимальными искажениями сигнала.
В целом, транзистор MMBT3906 SMD — это надежный, стабильный и высокофункциональный элемент, который идеально подходит для множества различных приложений в электронной промышленности.