Параметры транзистора 2n2905. интернет-справочник основных параметров транзисторов

FTP08N06A Datasheet (PDF)

1.1. ftp08n06a.pdf Size:274K _update

FTP08N06A
N-Channel MOSFET Pb
Lead Free Package and Finish
Applications:
• Automotive
VDSS RDS(ON) (Max.) ID
• DC Motor Control
55V 8 mΩ 120A
• Class D Amplifier
• Uninterruptible Power Supply (UPS)
Features:
D
• RoHS Compliant
• Low ON Resistance
• Low Gate Charge
• Peak Current vs Pulse Width Curve
G
• Inductive Switching Curves
G
D
S
TO-220
Ordering I

1.2. ftp08n06a.pdf Size:274K _inpower_semi

FTP08N06A
N-Channel MOSFET Pb
Lead Free Package and Finish
Applications:
• Automotive
VDSS RDS(ON) (Max.) ID
• DC Motor Control
55V 8 mΩ 120A
• Class D Amplifier
• Uninterruptible Power Supply (UPS)
Features:
D
• RoHS Compliant
• Low ON Resistance
• Low Gate Charge
• Peak Current vs Pulse Width Curve
G
• Inductive Switching Curves
G
D
S
TO-220
Ordering I

 4.1. ftp08n50 fta08n50.pdf Size:468K _ark-micro

FTP08N50/FTA08N50
500V N-Channel MOSFET
BVDSS RDS(ON) (Max.) ID
General Features
Low ON Resistance
500V 0.9Ω 8.0A
Low Gate Charge (typical 33nC)
Fast Switching
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant/Lead Free
Applications
High Efficiency SMPS
Adaptor/Charger
Active PFC
LCD Panel Power
Ordering Information
Part Number Package Marking
FTP08N50 TO-

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
2N540	Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	New Jersey Semiconductor
2N5400	Amplifier Transistor	ON Semiconductor
2N5400	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Samsung semiconductor
2N5400	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications	Semtech Corporation

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск

FQP32N20C Datasheet (PDF)

1.1. fqp32n20c fqpf32n20c.pdf Size:1208K _fairchild_semi


QFET
FQP32N20C/FQPF32N20C
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 28A, 200V, RDS(on) = 0.082Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 82.5 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 185 pF)
This advanced technology has been especially tailo

4.1. fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf Size:856K _fairchild_semi


QFET
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
120V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 70 pF)
This advanced technology has been especially tailor

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	hFE	Корпус
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	От 30 до 300	ТО-92
КТ375 А/Б	0,2	≥ 250	60/30	5	0,1	100/280	То-92
КТ3117 А/Б	0,5	≥ 200	60/75	4	0,4	300	То-92 и КТ1-7
КТ6137 А	0,625	300	60	6	0,2	300	ТО-92
КТ3102 А/Б	0,25	≥ 150	50	5	0,1	200/500
КТ660 А/Б	0,5	≥ 200	50/30	5	0,8	450

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	Tj	hFE
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	150	300
2SC2474	0,6	٭	60	6	0,2	150	150
2SC2475	0,6		60	6	0,6	200
2SC2477	0,6		60	6	0,6	150
2SC6136	0,5		600	8	0,7	100
2SD1388	0,7	200	60	6	1	250
2SD1490	0,75	80	70	6	1	4000
2SD1642	0,7		100	6	2	40
2SD1698	0,75		100	8	0,8	10000
2SD1701	0,75		1700	8	0,8	10000
2SD1853	0,7		80	6	1,5	2000
3DG3904	0,625	300	60	6	0,2	100
BTN3904A3	0,625	300	60	6	0,2	100
C266	0,825		60	10	2	175	45
ECG123AP	0,5	300	75	6	0,8	200
ECG2341	0,8	300	80		1	150	2000
H2N3904	0,625	300	60	6	0,2	100
HEPS0015	0,31	300	60		0,6	135	200
HEPS0025	0,35	300	60		0,6	150	100
HSE424	0,31	400	60			80
KN3903	0,625	300	60	6	0,2	50
KN3904	0,625	300	60	6	0,2	100
KN4401	0,35	250	60	6	0,6	100
KSC1072	0,8		60	8	0,7	40
KSP8097	0,625		60	6	0,2	250
KTC3245	0,625		400	6	0,3	50
NTE46	0,625		100	12	0,5	10000
P2N2222A	0,625	300	75	6	0,6	100

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

IXFN32N60 Datasheet (PDF)

1.1. ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf Size:192K _ixys

IXFK 32N60 IXFN 32N60
IXFK 36N60 IXFN 36N60
Preliminary Data
VDSS ID25 RDS(on) trr
IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18Ω 250ns
HiPerFETTM Power MOSFET
IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25Ω 250ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
TO-264 AA (IXFK)
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
IXFK IXFN
VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 600 V
G
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1

5.1. ixfn39n90.pdf Size:128K _ixys

VDSS = 900 V
IXFN 39N90
HiPerFETTM
ID25 = 39 A
Power MOSFETs
Ω
RDS(on) = 0.22 Ω
Ω
Ω
Ω
Single MOSFET Die
D
≤
trr ≤
≤ 250 ns
≤
≤
N-Channel Enhancement Mode
G
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t
rr
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
VDSS TJ = 25°C to 150°C 900 V
E153432
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 900

5.2. ixfn34n80.pdf Size:128K _ixys

HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFN 34N80 VDSS = 800 V
Single DieMOSFET
ID25 = 34 A
RDS(on) = 0.24 W
N-Channel Enhancement Mode D
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
trr £ 250 ns
Preliminary data sheet
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C 800 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 800 V
G
VGS Continuous ±20 V
VGSM Transi

 5.3. ixfn340n07.pdf Size:104K _ixys

HiPerFETTM
IXFN 340N07 VDSS = 70 V
Power MOSFETs
ID25 = 340 A
Ω
Ω
Single Die MOSFET RDS(on) = 4 mΩ
Ω
Ω
D
≤
trr ≤
≤ 200 ns
≤
≤
N-Channel Enhancement Mode
G
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C70 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 70 V
G
VGS Co

5.4. ixfn36n100.pdf Size:128K _ixys

HiPerFETTM
IXFN 36N100 V = 1000V
DSS
Power MOSFETs
ID25 = 36A
Ω
Ω
Single Die MOSFET RDS(on) = 0.24Ω
Ω
Ω
D
N-Channel Enhancement Mode
G
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t
rr
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C 1000 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 1000 V
G
VGS Continuous ±20 V
VGSM

 5.5. ixfn34n100.pdf Size:570K _ixys

IXFN 34N100 VDSS = 1000V
HiPerFETTM
ID25 = 34A
Power MOSFETs
Ω
RDS(on) = 0.28Ω
Ω
Ω
Ω
Single Die MOSFET
D
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C 1000 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 1000 V
G
VGS Continuous ±20 V
VGSM Tran

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв	2N5401
Описание	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Производители	Unisonic Technologies
логотип
1Page No Preview Available ! UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N5401 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR 1 FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain SOT-89 1 TO-92 *Pb-free plating product number:2N5401L ORDERING INFORMATION Order Number Normal Lead Free Plating 2N5401-x-AB3-R 2N5401L-x-AB3-R 2N5401-x-T92-B 2N5401L-x-T92-B 2N5401-x-T92-K 2N5401L-x-T92-K Package Pin Assignment 123 SOT-89 BCE www.DataSheet4U.com TO-92 EBC TO-92 EBC Packing Tape Reel Tape Box Bulk 2N5401L-x-AB3-R (1)Packing Type (2)Package Type (3)Rank (4)Lead Plating (1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel (2) AB3: SOT-89, T92: TO-92 (3) x: refer to Classification of hFE (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn www.unisonic.com.tw Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 4 QW-R201-001,D No Preview Available ! 2N5401 PNP SILICON TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO -160 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -600 mA Collector Dissipation TO-92 625 mW SOT-89 PC 500 mW Junction Temperature TJ +150 Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain(Note) Collector-Emitter Saturation Voltage SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE1 hFE2 hFE3 VCE(SAT) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(SAT) Current Gain Bandwidth Product fT Output Capacitance Cob Noise Figure NF Note: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2% TEST CONDITIONS Ic = -100µA, IE = 0 Ic = -1mA, IB = 0 IE = -10µA, Ic = 0 VCB = -120V, IE = 0 VEB = -3V, Ic = 0 VCE = -5V, Ic = -1mA VCE = -5V, Ic = -10mA VCE = -5V, Ic = -50mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA VCE = -10V, Ic = -10mA f = 100MHz VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz Ic = -0.25mA, VCE = -5V Rs = 1kΩ, f = 10Hz ~ 15.7kHz CLASSIFICATION OF hFE RANK RANGE A 80-170 B 150-240 MIN TYP MAX UNIT -160 V -150 V -6 V -50 nA -50 nA 80 80 400 80 -0.2 V -0.5 -1 -1 V 100 400 MHz 6.0 pF 8 dB C 200-400 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw 2 of 4 QW-R201-001,D No Preview Available ! 2N5401 TYPICAL CHARACTERISTICS Capacitance vs. Collector- Base Voltage 20 16 f= 1M H z 12 IE=0 8 4 -10 — 101 -102 Collector-Base Voltage (V) Collector Current vs. Base-Emitter Voltage -103 -102 VCE =-5 V -101 -10 0 -0.2 -0.4 -0 .6 -0 .8 -1.0 Base-Emitter V oltage (V) Current Gain-B andwidth Product vs. Collector Current 103 V CE=- 10V 102 101 10 -10-1 -10-101 -10 2 -10 3 Collector Current, Ic(mA) UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw PNP SILICON TRANSISTOR DC Current Gain vs. Collector Current 103 V CE=-5V 102 10 1 10 -10 -1 -10 -101 -102 -103 Collector Current , Ic (mA) Saturation Voltage vs. Collector Current -10 1 I C= 10* IB -10 VBE(SAT) -10 -1 VCE (SAT) -10 -2 — 10-1 -10 -101 -102 -103 Collector Current , Ic (mA) 3 of 4 QW-R201-001,D
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

STP100N8F6 Datasheet (PDF)

1.1. stp100n8f6.pdf Size:535K _upd-mosfet

STP100N8F6
N-channel 80 V, 0.008 Ω typ., 100 A, STripFET F6
Power MOSFET in a TO-220 package
Datasheet — production data
Features
TAB
Order code VDS RDS(on)max ID PTOT
STP100N8F6 80 V 0.009 Ω 100A 176 W
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
3
2
• High avalanche ruggedness
1
• Low gate drive power loss
TO-220
Applications
• Switching applications
F

1.2. stp100n8f6.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor STP100N8F6
·FEATURES
·Very low on-resistance
·Very low gate charge
·High avalanche ruggedness
·Low gate drive power loss
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

 3.1. stp100n10f7.pdf Size:1657K _upd-mosfet

STB100N10F7, STD100N10F7,
STF100N10F7, STP100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ω typ., 80 A, STripFET VII DeepGATE
Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220
Datasheet — production data
Features
TAB TAB
RDS(on)
3
Order codes VDS max ID PTOT
1
3
1 DPAK
STB100N10F7 80 A 120 W
D2PAK
STD100N10F7 80 A 120W
TAB
100 V 0.008 Ω
STF100N10F7 45 A 30 W
STP100N10F7 80A 150 W

3.2. stp100n6f7.pdf Size:493K _update-mosfet

STP100N6F7
N-channel 60 V, 4.7 mΩ typ.,100 A STripFET F7
Power MOSFET in a TO-220 package
Datasheet — production data
Features
Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT
STP100N6F7 60 V 5.6 mΩ 100A 125 W
TAB
• Among the lowest RDS(on) on the market
3
• Excellent figure of merit (FoM)
2
1
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
TO-220
• High avalanche ruggedness
Applicati

 3.3. stp100nf04l.pdf Size:268K _update-mosfet

STP100NF04L
N-CHANNEL 40V — 0.0036 Ω — 100A TO-220
STripFET II POWER MOSFET
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP100NF04L 40 V 3.4. stb100nf03l-03 stb100nf03l-03-1 stp100nf03l-03.pdf Size:460K _st

STP100NF03L-03
STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1
N-channel 30V — 0.0026? — 100A — D2PAK/I2/TO-220
STripFET III Power MOSFET
General features
Type VDSS RDS(on) ID
STB100NF03L-03 30V

 3.5. stb100nf04 stp100nf04.pdf Size:398K _st

STP100NF04
STB100NF04
N-channel 40V — 0.0043? — 120A — TO-220 — D2PAK
STripFET II Power MOSFET
General features
Type VDSS RDS(on) ID Pw
STP100NF04 40V 3.6. stp100nf04l.pdf Size:268K _st

STP100NF04L
N-CHANNEL 40V — 0.0036 ? — 100A TO-220
STripFET II POWER MOSFET
TYPE VDSS RDS(on) ID
STP100NF04L 40 V 3.7. stp100n10f7.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor STP100N10F7
·FEATURES
·Very low on-resistance
·Very low gate charge
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Voltage 100 V
DSS
V Gate-

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

PHP45N03LT Datasheet (PDF)

1.1. php45n03lta phb45n03lta phd45n03lta.pdf Size:113K _upd-mosfet

PHP/PHB/PHD45N03LTA
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 02 — 02 November 2001 Product data
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance

1.2. php45n03lt.pdf Size:295K _philips

PHP45N03LT; PHB45N03LT;
PHD45N03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Rev. 06 — 05 October 2000 Product specification
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance

 1.3. php45n03lt-06.pdf Size:295K _philips

PHP45N03LT; PHB45N03LT;
PHD45N03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Rev. 06 — 05 October 2000 Product specification
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance

1.4. php45n03lt 2.pdf Size:45K _philips

Philips Semiconductors Product specification
TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT
Logic level FET
FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA
• ’Trench’ technology d VDSS = 30 V
• Very low on-state resistance
• Fast switching ID = 45 A
• Stable off-state characteristics
• High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V)
g
• Low thermal

 1.5. php45n03lta phb45n03lta phd45n03lta.pdf Size:113K _philips

PHP/PHB/PHD45N03LTA
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 02 — 02 November 2001 Product data
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance

1.6. php45n03lt phb45n03lt phd45n03lt.pdf Size:89K _philips

Philips Semiconductors Product specification
TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT
Logic level FET
FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA
• ’Trench’ technology d VDSS = 30 V
• Very low on-state resistance
• Fast switching ID = 45 A
• Stable off-state characteristics
• High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V)
g
• Low thermal

MDF11N60TH Datasheet (PDF)

1.1. mdf11n60th.pdf Size:956K _magnachip

 MDF11N60
N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55Ω
General Description Features
The MDF11N60 uses advanced MagnaChip’s MOSFET  V = 600V
DS
Technology, which provides low on-state resistance, high  V = 660V @ T
DS jmax
switching performance and excellent quality.  I = 11A @ V = 10V
D GS
 R ≤ 0.55Ω @ V = 10V
DS(ON) GS
MDF11N60 is suitable device for SMPS, high Spee

3.1. mdf11n65b.pdf Size:781K _update

 MDF11N65B
N-Channel MOSFET 650V, 12A, 0.65Ω
General Description Features
These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V
MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 12A @ VGS = 10V
state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) ≤ 0.65Ω @ VGS = 10V
quality.
Applications
These devices are suitable device for SMPS, high Speed

3.2. mdf11n65b.pdf Size:781K _magnachip

 MDF11N65B
N-Channel MOSFET 650V, 12A, 0.65Ω
General Description Features
These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V
MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 12A @ VGS = 10V
state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) ≤ 0.65Ω @ VGS = 10V
quality.
Applications
These devices are suitable device for SMPS, high Speed

 3.3. mdf11n65bth.pdf Size:781K _magnachip

 MDF11N65B
N-Channel MOSFET 650V, 12A, 0.65Ω
General Description Features
These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V
MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 12A @ VGS = 10V
state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) ≤ 0.65Ω @ VGS = 10V
quality.
Applications
These devices are suitable device for SMPS, high Speed

Транзистор 2N3904 Информация о выводах, эквиваленте, использовании

В этом посте содержится информация о транзисторе 2N3904 о выводе, эквиваленте, использовании, описании, как использовать и где использовать в электронной схеме.

Объявления

Объявления

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки:  TO-92
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ):  200 мА
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 40 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 60 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 625 мВт
• Макс. частота перехода (fT): 300 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  40–300
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

PNP Дополнение:

PNP Дополнение к 2N3904: 2N3906

90 100129 Замена и эквивалент 002

2N2222 S8050 2N4401 SS9013

2N3904 Описание транзистора:

2N3904 — широко используемый транзистор общего назначения. Он в основном используется студентами и любителями электроники в своих проектах, но также используется в коммерческих электронных продуктах.

Где мы можем его использовать и как использовать:

2N3904 можно использовать в любых электронных приложениях, которые подпадают под его электрические характеристики. ток менее 200 мА, тогда этот транзистор будет работать достаточно хорошо, и вы можете управлять различными нагрузками с помощью этого транзистора, например, реле, мощные транзисторы, светодиоды, часть электронной схемы и т. д. При использовании в качестве усилителя его можно использовать для усиления звука. каскады, в качестве усилителя для управления небольшими динамиками, в качестве предусилителя звука, а также может использоваться в каскадах усиления радиочастотных приложений.

Применение:

Переключение нагрузки до 200 мА

Цепи датчиков

Аудиопредусилители

Аудиоусилители 90 Darling P00203s 90 Усилители звука Darling P0023s 90

Как безопасно проводить длительные пробеги в цепи:

Чтобы получить хорошую и долгосрочную работу от этого транзистора, рекомендуется не управлять нагрузкой более 100 мА, всегда использовать подходящий базовый резистор, не обеспечивать напряжение коллектор-эмиттер более 40 В и всегда эксплуатировать или хранить при температурах выше -55 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.