Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;
транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;
Главные характеристики irfz44n
Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.
При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:
- Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
- Наибольший ток стока — 49 Ампер.
- Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
- Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.
В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:
- Металл.
- Диэлектрик.
- Полупроводник.
У этих устройств может быть 2 вида каналов:
- встроенный;
- индуцированный.
Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.
Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.
В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.
Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.
Основные особенности транзистора Дарлингтона
Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.
Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.
Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.
схема Шиклаи
К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.
Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.
Основные электрические параметры:
-
Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
-
Напряжение эмиттер – база 5 V;
-
Ток коллектора – 15 А;
-
Ток коллектора максимальный – 30 А;
-
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
-
Температура кристалла (перехода) – 1750С.
На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.
Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.