Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
MPSA44 Datasheet PDF — Unisonic Technologies
| Part Number | MPSA44 | |
| Description | (MPSA44 / MPSA45) HIGH VOLTAGE TRANSISTOR | |
| Manufacturers | Unisonic Technologies | |
| Logo | ||
|
There is a preview and MPSA44 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 5 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD FEATURES * Collector-Emitter Voltage: * VCEO=400V (UTC MPSA44) * VCEO=350V (UTC MPSA45) * Collector Current up to 300mA ORDERING INFORMATION Ordering Number |
|
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.) High Frequency Current Gain 102 VCE=10V f=10MHz TA=25 C 101 10 NPN SILICON TRANSISTOR 103 1s 102 101 10-1 10-1 10101 102 Collector Current, IC (mA) 103 1010 101 102 103 Collector Voltage (V) 104 UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that Preview 5 Page |
MPSA44/45|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MPSA44 electronic component. |
| Information | Total 5 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
В каких режимах функционирует полевой транзистор
Режим отсечки
Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.
Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:
Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?
Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.
Режим активной работы irfz44n
Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).
Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.
В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.
Режим насыщения irfz44n
Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.
Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.
Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение сток-исток | V(BR)DSS | 55 В |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя | ∆V(BR)DSS/∆TJ | 0.058 В/°C |
| Сопротивление между стоком и истоком при открытом канале | RDS(on) | 17.5 mΩ |
| Минимальное напряжение необходимое для включения транзистора | VGS(th) | От 2 до 4 В |
| Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затворе | gfs | 19 А/В |
| Ток утечки стока | IDSS | От 25 до 250 мкА |
| Ток утечки затвора | IGSS | От -100 до 100 нА |
| Заряд для затвора необходимый для открытия транзистора | Qg | 63 нКл |
| Заряд емкости затвор-исток | Qgs | 14 нКл |
| Емкость Миллера | Qgd | 23 нКл |
| Время необходимое для открытия транзистора | td(on) | 12 нс |
| Время нарастания импульса для открытия (передний фронт) | tr | 60 нс |
| Время необходимое для закрытия транзистора | td(off) | 44 нс |
| Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт) | tf | 45 нс |
| Значение индуктивности стока | LD | 4.5 нГн |
| Значение индуктивности истока | LS | 7.5 нГн |
| Входная емкость | Ciss | 1470 пФ |
| Выходная емкость | Coss | 360 пФ |
| Емкость затвор-сток | Crss | 88 пФ |
| Максимальная энергия одного импульса на стоке | EAS | 150 мДж |
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока – от 8.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 300 В.
Максимальный ток коллектора – 1,5 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – – не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора – около 40 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока – 4 МГц.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в – не более 1 мА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в – не более 1 мА.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Юмор: Вскрытие неизбежно – здоровый образ жизни лишь отсрочит его. Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 8050.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 8050 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 8050 транзистором 2SC1166; транзистором 2SC1213A; транзистором КТ630Г; транзистором SS8050; Коллективный разум.дата записи: 2015-02-07 15:32:40 дата записи: 2016-01-02 14:07:49 дата записи: 2016-05-24 08:28:57 S8550 – комплементарная пара; дата записи: 2017-04-01 23:42:34 Добавить аналог транзистора 8050.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 8050? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов
Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин. В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы
Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима
В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.
Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.
Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов
Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин. В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы
Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима
В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.
Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.
mpsa44 datasheet (36)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MPSA44 |
Korea Electronics |
High Voltage Transistor | Original |
|
||
| MPSA44 |
Micro Commercial Components |
NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW | Original |
|
||
| MPSA44 |
Motorola |
High Voltage Transistors | Original |
|
||
| MPSA44 |
NXP Semiconductors |
NPN high-voltage transistor — fT min: 20 MHz; hFE max:>40 ; hFE min: 40 ; IC max: 300 mA; Polarity: NPN ; Ptot max: 625 mW; VCEO max: 400 V | Original |
|
||
| MPSA44 |
On Semiconductor |
High Voltage Transistor NPN; Package: TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height; No of Pins: 3; Container: Bulk; Qty per Container: 5000 | Original |
|
||
| MPSA44 |
On Semiconductor |
High Voltage Transistor | Original |
|
||
| MPSA44 |
Philips Semiconductors |
Small-signal Transistors | Original |
|
||
| MPSA44 |
Philips Semiconductors |
NPN high-voltage transistor | Original |
|
||
| MPSA44 |
Sinyork |
Mini size of Discrete semiconductor elements | Original |
|
||
| MPSA44 |
Transys Electronics |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | Original |
|
||
| MPSA44 |
Weitron |
High-Voltage NPN Transistors | Original |
|
||
| MPSA44 |
Zetex Semiconductors |
NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR | Original |
|
||
| MPSA44 |
Continental Device India |
Semiconductor Device Data Book 1996 | Scan |
|
||
| MPSA44 |
Korea Electronics |
High Voltage Transistor | Scan |
|
||
| MPSA44 |
Motorola |
European Master Selection Guide 1986 | Scan |
|
||
| MPS-A44 |
Unknown |
Shortform Transistor PDF Datasheet | Scan |
|
||
| MPSA44 |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
||
| MPS-A44 |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
||
| MPSA44 |
On Semiconductor |
Over 600 obsolete distributor catalogs now available on the Datasheet Archive — Transistor, Bipolar, NPN, High Voltage Amplifier, Pkg Style TO92 | Scan |
|
||
| MPSA44 |
USHA |
High voltage transistor. Vcbo = 500V, Vceo = 400V, Vebo = 6V, Ic = 300mA, Pc = 625mW. | Scan |
|
Назначение контактов
Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.
Графическое обозначение
Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.
Распиновка
Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.
Маркировка
Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.
В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.
IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Аналоги
Для транзисторов IRFZ44N нет аналогов, с полностью идентичными характеристиками. При этом имеется ряд транзисторов, которые своими характеристиками лишь немного отличаются от IRFZ44N.
| Тип | Id, А | Vdss, В | VGS(th), В | VGS, В | RDS(on), Ом | Tj °C |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44N | 49 | 55 | 2-4 | 20 | 0.0175 | 175 |
| Зарубежное производство | ||||||
| IRFZ44E | 48 | 60 | 4 | 10 | 0.023 | 150 |
| IRFZ45 | 35 | 60 | 2-4 | 20 | 0.035 | 150 |
| IRFZ46N | 46 | 55 | 2-4 | 10 | 0.02 | 150 |
| STP45NF06 | 38 | 60 | 4 | 20 | 0.028 | 175 |
| HUF75329P3 | 49 | 55 | 4 | 20 | 0.024 | 150 |
| IRF3205 | 98 | 55 | 2-4 | 10 | 0.008 | 150 |
| BUZ102 | 42 | 50 | 4 | 20 | 0.023 | 175 |
| Отечественное производство | ||||||
| КП723 | 50 | 60 | 2-4 | 20 | 0.028 | 150 |
| КП812А1 | 50 | 60 | 2-4 | 20 | 0.028 | 150 |
При этом стоит отметить, что рабочая температура у многих зарубежных и отечественных аналогов транзистора немного меньше оригинала.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.
Преимущества полевых транзисторов
Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.
Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.
Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.
С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.
Основные характеристики
Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):
- Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
- Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
- Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
- Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт
Максимальные значения
Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.
Тепловые параметры
Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.
Электрические параметры
Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.
Search Stock
NTE Electronics Inc
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Verical |
MPSA44 |
900 | 300 |
|
Buy Now |
||||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
MPSA44 |
Box | 2,500 |
|
Get Quote |
||||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
MPSA44 PBFREE |
Box | 7,500 |
|
Buy Now |
||||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
MPSA44 TIN/LEAD |
Box | 7,500 |
|
Buy Now |
||||||
Central Semiconductor Corp
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
MPSA44 APM PBFREE |
Ammo Pack | 8,000 |
|
Buy Now |
Datasheet Download — MCC
| Номер произв | MPSA44 | ||
| Описание | NPN Silicon High Voltage Transistor | ||
| Производители | MCC | ||
| логотип | |||
|
1Page
MCC omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !»# l Through Hole Package l 150oC Junction Temperature Pin Configuration l Case: TO-92, Molded Plastic l Marking: A44 www.DataSheet4U.com Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified Charateristic Power Dissipation@TA=25oC Power Dissipation@TC=25oC Thermal Resistance, Junction to VCEO VCBO VEBO IC Pd Pd Value mW/oC W mW/oC RqJA 200 oC/W RqJC 83.3 oC/W Tj, TSTG -55~150 oC MPSA44
MPSA44 MCC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Collector–Emitter Breakdown Voltage(1) (IC = 1.0 mAdc, IB = 0) Collector–Base Breakdown Voltage (IC = 100 mAdc, IE = 0) Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = 100 mAdc, IC = 0) Collector Cutoff Current (VCB = 300 Vdc, IE = 0) Emitter Cutoff Current (VEB = 4.0 Vdc, IC = 0) ON CHARACTERISTICS(1) DC Current Gain(1) (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) (IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc) (IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc) Collector–Emitter Saturation Voltage(1) (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) (IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc) Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS (VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Input Capacitance (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) Small–Signal Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. Symbol V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO ICBO IEBO 400 0.1 µAdc 0.1 µAdc hFE VCE(sat) VBE(sat) 70 Cobo — Cibo — 130 pF hfe 1.0 — — www.mccsemi.com
MPSA44 MCC TA = 125°C 25°C VCE = 10 V -55°C 5.0 10 20 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 1. DC Current Gain 0.4 IC = 1.0 mA 0.3 IC = 10 mA IC = 50 mA TA = 25°C 0.1 10 30 IB, BASE CURRENT (µA) 10 k TA = 25°C 0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10 0.6 VBE(on) @ VCE = 10 V 0.4 0.2 VCE(sat) @ IC/IB = 10 0.1 0.3 IC, COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 3. “On” Voltages 100 TA = 25°C 1.0 ms 100 µs TC = 25°C 1.0 s 10 CURRENT LIMIT THERMAL LIMIT 2.0 VALID FOR DUTY CYCLE ≤ 10% 1.0 VCE, COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS) 200 Cib 50 10 Cob 5.0 TA = 25°C f = 1.0 MHz |
|||
| Всего страниц | 3 Pages | ||
| Скачать PDF |
Графические данные характеристик
Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.
Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.
Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.
Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.
Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.
Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.
Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Графические данные характеристик
Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.
Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.
Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.
Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.
Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.
Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.
Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.
Преимущества полевых транзисторов
Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.
Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.
Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.
С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.