Описание и применение
Описание:
- Тип: NPN;
- Максимальный ток коллектора: 10А;
- Максимальное напряжение коллектора: 150В;
- Максимальная мощность: 100Вт;
- Максимальная рабочая частота: 3МГц;
- Корпус: TO-220;
- Вес: 2.5г.
Применение:
- Инверторные источники питания;
- Усилители мощности;
- Импульсные блоки питания;
- DC-DC преобразователи;
- Электроавтоматика;
- Устройства для зарядки батарей;
- Электронные схемы общего назначения.
Транзистор C4242 обладает низким уровнем шума и высоким усилением, что делает его привлекательным для использования в различных приложениях, где требуется стабильная работа и высокое качество сигнала.
Технические характеристики транзистора C4242
Транзистор C4242 относится к семейству PNP-транзисторов и предназначен для работы в режиме аналогового усиления средней и высокой мощности. Он оперирует в условиях малого сигнала и имеет высокую степень надежности и эффективности.
Основные технические характеристики транзистора C4242:
- Типоразмер: TO-3P
- Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 230 В
- Ток коллектора (Ic): 5 А
- Ток базы (Ib): 1 А
- Мощность коллектора (Pc): 80 Вт
- Граничная частота (ft): 30 МГц
- Коэффициент усиления (hfe): не менее 30
Транзистор C4242 обладает высоким коэффициентом усиления (hfe) и может использоваться в различных схемах усиления аналоговых сигналов, включая звуковые усилители, радиоприемники и видеоусилители.
Важно отметить, что он является интегральной частью электронных устройств и должен быть использован с соблюдением всех рекомендаций и условий эксплуатации, указанных в его техническом описании и руководстве пользователя
Физические характеристики
Физические характеристики транзистора C4242 включают в себя:
Тип: NPN (негативно-позитивно-негативный), что означает, что ток базы управляет током эмиттера.
Состав: Транзистор C4242 изготовлен из полупроводникового материала, как правило, кремния.
Мощность: C4242 обладает высокой мощностью, это позволяет использовать его в различных цепях и устройствах.
Температурный диапазон: Транзистор C4242 способен работать в широком диапазоне температур, что обеспечивает стабильную работу в различных условиях.
Упаковка: Транзистор C4242 может поставляться в различных вариантах упаковки, таких как корпус TO-220, TO-126 и других.
Приведенные характеристики помогают определить область применения транзистора C4242 и выбрать подходящую схему его использования.
Преимущества транзистора C4242
Высокая надежность: транзистор C4242 имеет высокую степень стабильности и долговечности, что обеспечивает надежную работу в течение длительного времени.
Высокая мощность: данный транзистор обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в схемах с большой нагрузкой.
Высокое качество звука: использование транзистора C4242 в аудиоусилителях обеспечивает высокое качество звучания и минимальные искажения.
Низкий уровень шума: C4242 обладает низким уровнем шума, что важно для работы электронных устройств, в которых требуется высокая точность и чувствительность.
Хорошая управляемость: транзистор C4242 легко управляется и имеет низкое напряжение насыщения, что делает его эффективным и экономичным.
Широкий диапазон рабочих температур: данный транзистор может работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных условиях.
Возможность параллельного соединения: C4242 можно соединять параллельно для увеличения выходной мощности и получения большей эффективности.
Все эти преимущества делают транзистор C4242 незаменимым компонентом в электронных схемах и устройствах, обеспечивая их стабильную работу, высокое качество звука и энергоэффективность.
Условия эксплуатации транзистора C4242
Температурный режим: Транзистор C4242 должен эксплуатироваться в пределах указанного температурного диапазона. Рабочая температура составляет от -55°C до +150°C. Вне этого диапазона могут происходить нежелательные изменения в работе транзистора.
Монтаж: Для надежной работы транзистора C4242 необходимо правильно монтировать его на печатную плату или другую поверхность. При монтаже следует обеспечить надлежащее теплопроводное соединение между корпусом транзистора и радиатором для эффективного отвода тепла.
Электрические параметры: Транзистор C4242 необходимо использовать в соответствии с его электрическими характеристиками. При выборе рабочих параметров, таких как напряжение и ток, необходимо учитывать допустимые значения, указанные в техническом описании транзистора.
Проверка и испытания: Перед включением транзистора C4242 в схему необходимо провести проверку и испытания, чтобы убедиться в его работоспособности и соответствии к требованиям. Это позволит избежать возможных проблем и повреждений при использовании транзистора.
Ограничения: Важно обратить внимание на то, что транзистор C4242 имеет свои ограничения и рекомендации по эксплуатации, указанные в документации производителя. Необходимо соблюдать эти ограничения, чтобы избежать возможных повреждений и обеспечить длительный срок службы транзистора
Тепловые свойства
Транзистор C4242 обладает некоторыми тепловыми характеристиками, которые важны для правильной работы и долговечности устройства. Ниже приведены основные тепловые свойства данного транзистора:
- Максимальная температура перегрева: 150 °C
- Тепловое сопротивление корпуса-радиатора: 2.5 °C/W
- Максимальная диссипация тепла: 30 Вт
- Тепловая стабильность: ±1 °C
Учет и правильное управление тепловыми характеристиками является важным аспектом при проектировании и эксплуатации устройств на основе транзистора C4242. Неправильное распределение и отвод тепла может привести к перегреву и выходу транзистора из строя.
Отличия импульсного блока питания от обычного трансформаторного
Схема трансформаторного стабилизированного источника питания.
Традиционный «трансформаторный» блок питания строится по схеме: трансформатор — выпрямитель с фильтром — стабилизатор выходного напряжения (может отсутствовать). Схема несложна и отработана годами, но у нее есть существенный недостаток – при увеличении мощности опережающими темпами растут габариты и вес.
В первую очередь растут размеры и масса трансформатора. Для повышения тока надо увеличивать сечение обмоток, но главный вклад в массогабаритные характеристики вносит сердечник. Не вдаваясь в физические подробности, можно отметить, что эту проблему можно обойти, увеличив частоту, на которой происходит трансформация. Чем выше частота, тем меньшим сердечником можно обойтись. Не зря в авиации и кораблестроении используются электросети на частоту 400 Гц. Многие элементы получаются гораздо легче и компактнее. Но в быту негде взять повышенную частоту. 50 Гц в розетке – все, что доступно потребителю. Поэтому блоки питания на большие токи строят по другому принципу. В них переменное напряжение сети выпрямляется, а затем из него «нарезаются» импульсы более высокой (до нескольких десятков килогерц) частоты. За счет этого трансформатор получается маленьким и легким без потери мощности. Это главное, чем отличается любой импульсный блок питания от обычного.
Еще один источник повышенных размеров и габаритов – стабилизатор. В традиционных БП применяются линейные стабилизаторы. Они требуют повышенного входного напряжения, а разница между входом и выходом, умноженная на ток нагрузки, бесполезно рассеивается. Это ведет к дополнительному увеличению массы трансформатора, который должен обеспечивать необходимый бесполезный запас по мощности, а также требует больших и тяжелых теплоотводящих радиаторов. В ИИП это делается по другому принципу. Напряжение стабилизируется методом изменения ширины импульсов. Это позволяет повысить КПД и не требует отвода излишнего тепла в таком количестве.
В видео-сравнение линейного и импульсного блоков питания.
К недостаткам импульсников можно отнести усложненную схемотехнику и повышенные требования к надежности элементов. Эти минусы сходят на нет с ростом мощности. Считается, что для выходных токов до 2..3 ампер подходят трансформаторные блоки с линейными стабилизаторами, а чем выше нагрузка, тем ярче начинают проявляться преимущества ИИП. При токах от 10 А обычно о трансформаторных БП речь уже не идет.
Среди минусов импульсных источников также надо упомянуть генерацию помех в питающую сеть и «замусоренность» выходного напряжения высокочастотными составляющими.
2SC4242 Datasheet (PDF)
..1. Size:139K utc 2sc4242.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC4242 NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC 2SC4242 is a high-voltage, high-speed switchingpower transistor and designed particularly for 115 and 220V switch mode applications, such as switching regulators, inverters, DC-DC converter and general purpose power amplifiers. FEATURES * Low satura
..2. Size:120K mospec 2sc4242.pdf
AAA
..3. Size:174K inchange semiconductor 2sc4242.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4242DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Fast Switching SpeedCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.8V(Max.)@ I = 4.0ACE(sat) C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use i
8.1. Size:305K toshiba 2sc4246.pdf
2SC4246 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4246 TV Tuner, UHF Oscillator Applications (common base) Unit: mm TV Tuner, UHF Converter Applications (common base) Transition frequency is high and dependent on current excellently. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter vo
8.2. Size:300K toshiba 2sc4248.pdf
2SC4248 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4248 TV Tuner, UHF Oscillator Applications Unit: mm (common collector) Transition frequency is high and dependent on current excellently. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 12 VEmitter-base voltage VEBO 3 V
8.3. Size:262K toshiba 2sc4249.pdf
2SC4249 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4249 TV VHF RF Amplifier Applications Unit: mm High gain: Gpe = 24dB (typ.) (f = 200 MHz) Low noise: NF = 2.0dB (typ.) (f = 200 MHz) Excellent forward AGC characteristics Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter volta
8.4. Size:273K toshiba 2sc4244.pdf
2SC4244 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4244 UHF TV Tuner RF Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 4dB (typ.) High power gain: Gpb = 17dB (typ.) Excellent forward AGC characteristics Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 25 VCollector-emitter voltage VCEO 20
8.5. Size:302K toshiba 2sc4247.pdf
2SC4247 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4247 TV Tuner, UHF Oscillator Applications Unit: mm (common collector) Transition frequency is high and dependent on current excellently. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 12 VEmitter-base voltage VEBO 3 V
8.6. Size:335K toshiba 2sc4245.pdf
2SC4245 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4245 TV Tuner, UHF Mixer Applications Unit: mm VHF~UHF Band RF Amplifier Applications Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO 15 VEmitter-base voltage VEBO 3 VCollector current IC 50 mABase current IB 25 mAColle
8.7. Size:179K inchange semiconductor 2sc4246.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC4246DESCRIPTIONHigh Current-Gain Bandwidth Productf = 1500MHz TYP. @V = 10 V, I = 8 mAT CE CLow Noise100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSTV tuner , UHF oscillator applicationsTV tuner , UHF converter applicationsABSOLUTE MAXIM
8.8. Size:178K inchange semiconductor 2sc4247.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC4247DESCRIPTIONHigh Current-Gain Bandwidth Productf = 4 GHz TYP. @V = 10 V, I = 10 mAT CE CLow Noise100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV tuner , UHF oscillator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
8.9. Size:179K inchange semiconductor 2sc4245.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC4245DESCRIPTIONHigh Current-Gain Bandwidth Productf = 2400MHz TYP. @V = 10 V, I = 2 mAT CE CLow Noise100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSTV tuner , UHF mixer applicationsVHF~UHF band RF amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM R
NM_000335.
Assertion and evidence details
Help
| Submission Accession | Submitter | Review Status (Assertion method) | Клиническая значимость (последняя оценка) | Происхождение | Метод | Цитаты |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ) SCV000967725 | Laboratory для Molecular Medicine, Mass General Brigham Medicine Medicine | Cillia Medicular Medicine, Mass General Brigham Персональная медицина | Cillia Medicular Medicine, Mass General Brigham. | зародышевая линия | клинические испытания |
PubMed (2) |
Summary from all submissions
Help
| Ethnicity | Origin | Affected | Individuals | Families | Chromosomes tested | Number Tested | Family history | Method |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| not имеется | зародышевая линия | не предоставляется | 1 | 1 | не предоставляется | не предоставляется | не предоставляется | клиническое тестирование |
PubMed
Результаты генетического тестирования 855 последовательных неродственных пациентов, направленных в клиническую лабораторию по поводу синдрома удлиненного интервала QT.
Лив К.В., Уильямс Л., Дейли А., Ричард Г., Бэйл С., Макая Д., Чанг В.К.
Genet Test Mol Биомаркеры. 2013 июль; 17 (7): 553-61. doi: 10.1089/gtmb.2012.0118. Epub 2013 30 апреля.
PubMed
- PMID:
- 23631430
Системный подход к оценке клинической значимости генетических вариантов.
Дузкале Х., Шен Дж., Маклафлин Х., Альфарес А., Келли М.А., Пью Т.Дж., Функе Б.Х., Рем Х.Л., Лебо М.С.
Клин Жене. 2013 ноябрь;84(5):453-63. дои: 10.1111/cge.12257.
PubMed
- PMID:
- 24033266
- PMCID:
- PMC3995020
| # | Ethnicity | Individuals | Chromosomes Tested | Family History | Method | Citations |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | not provided | 1 | not provided | not provided | клинические испытания | ПабМед (2) |
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия
Параметр
Нагрузка
Российские
Зарубежные
Pпот. мВт.
tзд.р. нс
Эпот. пДж.
Cн. пФ.
Rн. кОм.
К155 КМ155
74
10
9
90
15
0,4
К134
74L
1
33
33
50
4
К131
74H
22
6
132
25
0,28
К555
74LS
2
9,5
19
15
2
К531
74S
19
3
57
15
0,28
К1533
74ALS
1,2
4
4,8
15
2
К1531
74F
4
3
12
15
0,28
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
Нагружаемыйвыход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)
К155 (74)
К531 (74S)
К155, КM155, (74)
40
10
8
К155, КM155, (74), буферная
60
30
24
К555 (74LS)
20
5
4
К555 (74LS), буферная
60
15
12
К531 (74S)
50
12
10
К531 (74S), буферная
150
37
30
Выходы однокристальных, т.
oвх.
Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр
Условия измерения
К155
К555
К531
К1531
Мин.
Тип.
Макс.
Мин.
Тип.
Макс.
Мин.
Тип.
Макс.
Мин.
Макс.
U1вх, Всхема
U1вх или Uвх Присутствуют на всех входах
2
2
2
2
Uвх, Всхема
0,8
0,8
0,8
Uвых, Всхема
Uи.п.= 4,5 В
0,4
0,35
0,5
0,5
0,5
Iвых= 16 мА
Iвых= 8 мА
Iвых= 20 мА
U1вых, Всхема
Uи. п.= 4,5 В
2,4
3,5
2,7
3,4
2,7
3,4
2,7
I1вых= -0,8 мА
I1вых= -0,4 мА
I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОКсхема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В
250
100
250
I1вых, мкА Состояние Zсхема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В
40
20
50
Iвых, мкА Состояние Zсхема
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В
-40
-20
-50
I1вх, мкАсхема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В
40
20
50
20
I1вх, max, мА
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В
1
0,1
1
0,1
Iвх, мАсхема
U1и.п.= 5,5 В, Uвх= 0,4 В
-1,6
-0,4
-2,0
-0,6
Iк. з., мА
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0 В
-18
-55
-100
-100
-60
-150
Характеристики транзистора КТ3107
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), мВт | h21э | fгр., МГц |
| КТ3107А | 50 | 45 | 100(200) | 300 | 70-140 | 200 |
| КТ3107Б | 50 | 45 | 100(200) | 300 | 120-220 | 200 |
| КТ3107В | 30 | 25 | 100(200) | 300 | 70-140 | 200 |
| КТ3107Г | 30 | 25 | 100(200) | 300 | 120-220 | 200 |
| КТ3107Д | 30 | 25 | 100(200) | 300 | 180-460 | 200 |
| КТ3107Е | 25 | 20 | 100(200) | 300 | 120-220 | 200 |
| КТ3107Ж | 25 | 20 | 100(200) | 300 | 180-460 | 200 |
| КТ3107И | 50 | 45 | 100(200) | 300 | 180-460 | 200 |
| КТ3107К | 30 | 25 | 100(200) | 300 | 380-800 | 200 |
| КТ3107Л | 25 | 20 | 100(200) | 300 | 380-800 | 200 |
Uкбо(и)
— Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Применение транзистора C4242
Транзистор C4242 широко используется в различных устройствах, требующих усиления и коммутации сигналов. Его высокая мощность и низкое сопротивление включения делают его идеальным выбором для мощных электронных устройств.
Применение транзистора C4242 охватывает такие области, как аудиоусилители, силовые блоки питания, световые индикаторы и драйверы, системы автоматического управления и другие устройства, где требуется контроль и усиление сигналов.
Благодаря своей высокой надежности и долговечности, транзистор C4242 популярен в промышленной сфере и широко применяется в различных проектах и схемах.
Описание транзистора C4242 на русском
Транзистор C4242 имеет следующие типоразмеры:
| Типоразмер | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 300 В |
| Максимальный коллекторный ток непрерывной работы (IC) | 10 А |
| Максимальная мощность потери (PD) | 150 Вт |
| Максимальная рабочая температура (Tj) | 150 °C |
Транзистор C4242 обладает следующими свойствами:
- Высокая надежность и стабильность работы
- Низкое сопротивление перехода коллектор-эмиттер
- Быстрый переключательный характеристики
- Малые величины выходной емкости и обратного тока
Транзистор C4242 используется во многих электронных устройствах, включая усилители мощности, импульсные источники питания, блоки питания, и другие схемы, где требуется управление и усиление сигнала.
DataSheet
Цоколевка транзистора КТ3107Параметры транзистора КТ3107
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ3107А | ВС557А, MPS3703,BC177VI *1, BC307VI *3, ВСХ79-7 *1, EN3250 *3, MPS6517 *1, MPS6516 *1, IMBT3905 *1, BSS69 *1, BSS69R *1, ВСХ78-7 *3, 2SA608SPAD *3, 2SA608NPD *3, 2SA495 *3 | |||
| КТ3107Б | ВС308А, ВС212А, JC560A *1, JC557A *1, ВС204А *1, ВСХ79-8 *1, BCX71GR *1, BCX79VII *1, KC307A *3, IMBT2907 *3, ВСХ78-8 *3, BCX78VII *3, 2SA608SPAE *3, 2SA608NPE *3, JC559A *3, JC558A *3 | ||||
| КТ3107В | ВС178АР, BCY72, РС108 *1, ВС260В *3, BC250B *3 | ||||
| КТ3107Г | ВС308А, ВС558А, РС109 *1, ВС357 *1, BSY40 *3, ВС205А *1 | ||||
| КТ3107Д | ВС308А, ВС178ВР, CD9012H *3, CD9012I *3, KC308B *3 | ||||
| КТ3107Е | ВС179АР, ВС309В, BC205A *1, BC205 *3, BC252A *1, BC262A *1, BC263A *1 | ||||
| КТ3107Ж | ВС309В, ВС179ВР, ВС559, BC252B *1, BC205B *1, BC206B *1, BC260C *1, BC253C *1 | ||||
| КТ3107И | ВС307В, ВС212С, BCX79VIII *1, JC557 *3, BC560A *3, BC177-6 *1, BC204B *1, BCX79-9 *1, BCX79-8 *3, BCX71 HR *1, BCX71H *1, BCX71GR *3, BCX79VII *3, MPS6518 *1, BCX78-9 *1 , BCX78-8 *3, BCX78VIII *1, BCX78VII *3, BCY78-8 *3, BCY78-7 *3, 2SA608SPAF *3, 2SA608SP *3, 2SA4950 | ||||
| КТ3107К | ВС308С, ВС213С, MPS6519 *1, КС308С *3, 2SB598G *3 | ||||
| КТ3107Л | ВС309С, ВС322С, BC205B *3, BC206B *3, ВС259С *3, ВС260С *3, BC253C *3, ВС250С *3 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | — | — | 300 | мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ3107А | — | ≥200 | МГц |
| КТ3107Б | — | ≥200 | |||
| КТ3107В | — | ≥200 | |||
| КТ3107Г | — | ≥200 | |||
| КТ3107Д | — | ≥200 | |||
| КТ3107Е | — | ≥200 | |||
| КТ3107Ж | — | ≥200 | |||
| КТ3107И | — | ≥200 | |||
| КТ3107К | — | ≥200 | |||
| КТ3107Л | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ3107А | — | 50 | В |
| КТ3107Б | — | 50 | |||
| КТ3107В | — | 30 | |||
| КТ3107Г | — | 30 | |||
| КТ3107Д | — | 30 | |||
| КТ3107Е | — | 25 | |||
| КТ3107Ж | — | 25 | |||
| КТ3107И | — | 50 | |||
| КТ3107К | — | 30 | |||
| КТ3107Л | — | 25 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ3107А | — | 5 | В |
| КТ3107Б | — | 5 | |||
| КТ3107В | — | 5 | |||
| КТ3107Г | — | 5 | |||
| КТ3107Д | — | 5 | |||
| КТ3107Е | — | 5 | |||
| КТ3107Ж | — | 5 | |||
| КТ3107И | — | 5 | |||
| КТ3107К | — | 5 | |||
| КТ3107Л | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ3107А | — | 100(200*) | мА |
| КТ3107Б | — | 100(200*) | |||
| КТ3107В | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Г | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Д | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Е | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Ж | — | 100(200*) | |||
| КТ3107И | — | 100(200*) | |||
| КТ3107К | — | 100(200*) | |||
| КТ3107Л | — | 100(200*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ3107А | 20 В | ≤0.1 | мкА |
| КТ3107Б | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107В | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Г | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Д | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Е | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Ж | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107И | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107К | 20 В | ≤0.1 | |||
| КТ3107Л | 20 В | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ3107А | 5 В; 2 мА | 70…140 | |
| КТ3107Б | 5 В; 2 мА | 120…220 | |||
| КТ3107В | 5 В; 2 мА | 70…140 | |||
| КТ3107Г | 5 В; 2 мА | 120…220 | |||
| КТ3107Д | 5 В; 2 мА | 180…460 | |||
| КТ3107Е | 5 В; 2 мА | 120…220 | |||
| КТ3107Ж | 5 В; 2 мА | 180…460 | |||
| КТ3107И | 5 В; 2 мА | 180…460 | |||
| КТ3107К | 5 В; 2 мА | 380…800 | |||
| КТ3107Л | 5 В; 2 мА | 380…800 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ3107А | 10 В | ≤7 | пФ |
| КТ3107Б | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107В | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Г | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Д | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Е | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Ж | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107И | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107К | 10 В | ≤7 | |||
| КТ3107Л | 10 В | ≤7 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | КТ3107А | — | ≤20 | Ом |
| КТ3107Б | — | ≤20 | |||
| КТ3107В | — | ≤20 | |||
| КТ3107Г | — | ≤20 | |||
| КТ3107Д | — | ≤20 | |||
| КТ3107Е | — | ≤20 | |||
| КТ3107Ж | — | ≤20 | |||
| КТ3107И | — | ≤20 | |||
| КТ3107К | — | ≤20 | |||
| КТ3107Л | — | ≤20 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ3107А | 1 кГц | ≤10 | Дб, Ом, Вт |
| КТ3107Б | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107В | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Г | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Д | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Е | 1 кГц | ≤4 | |||
| КТ3107Ж | 1 кГц | ≤4 | |||
| КТ3107И | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107К | 1 кГц | ≤10 | |||
| КТ3107Л | 1 кГц | ≤4 | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ3107А | — | — | пс |
| КТ3107Б | — | — | |||
| КТ3107В | — | — | |||
| КТ3107Г | — | — | |||
| КТ3107Д | — | — | |||
| КТ3107Е | — | — | |||
| КТ3107Ж | — | — | |||
| КТ3107И | — | — | |||
| КТ3107К | — | — | |||
| КТ3107Л | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов. *1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.