Bc547 транзистор характеристики аналоги

Разновидности и характеристики

Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102 :

Максимальный допустимый ток на коллекторе( I K MAX ) – 0,1 A .
Максимальный импульсный ток на коллекторе( I K I MAX ) – 0,2 A .
Максимальная мощность коллектора( P K MAX ) – 0,25 B т. ( Данное значение мощности подсчитано без использования радиатора)
Максимальная частота при подключении по схеме с общим эмиттером ( f гр ) – 150МГц.

Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа.

U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
I КБ – обратный ток коллектора.
К Ш – коэффициент шума.

Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.

Тип	U КБ и U КЭ , В	H 21 Э	I КБ , МкА	К Ш , Дб	Аналог КТ3102
КТ3102А(АМ)	50	100-250	0,05	10	2 N 4123
КТ3102Б(БМ)	50	200-500	0,05	10	2N2483
КТ3102В(ВМ)	30	200-500	0,15	10	2SC828
КТ3102Г(ГМ)	20	400-1000	0,15	10	BC546C
КТ3102Д(ДМ)	30	200-500	0,15	4	BC547B
КТ3102Е(ЕМ)	20	400-1000	0,15	4	BC547C
КТ3102Ж(ЖМ)	50	100-250	0,05	—	—
КТ3102И(ИМ)	50	200-500	0,05	—	—
КТ3102К(КМ)	20 и 30	200-500	0,15	—	—

Мастерам на все руки будет интересна статья о самостоятельном подключении дифавтомата в однофазной сети.

BC549 Datasheet (PDF)

..1. Size:110K motorola bc549 bc550.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC549B/DLow Noise TransistorsNPN SiliconBC549B,CBC550B,CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating S

..2. Size:49K philips bc549 bc550 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistors1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS

..3. Size:231K philips bc549 bc550.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D186BC549; BC550NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors BC549; BC550FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 colle

..4. Size:44K philips bc549.pdf

..5. Size:44K fairchild semi bc546 bc547 bc548 bc549 bc550.pdf

BC546/547/548/549/550Switching and Applications High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 … BC560TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC546 80 V: BC547/550 50 V: BC548/549 30 VVCE

..6. Size:355K cdil bc549 bc550.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC549,A.B,CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC550,A,B,CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with «T»EBCLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC549 BC550 UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 30 45 V

0.1. Size:52K diodes bc549b-c bc550b-c.pdf

Low Noise TransistorsBC549B,CNPN SiliconBC550B,CMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC549 BC550 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdc1Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW2Derate above 25C 5.0 mW/C 3Total Device Dissipation @ TC = 25

0.2. Size:314K onsemi bc546abu bc546ata bc546bta bc546btf bc546cta bc547ata bc547b bc547bbu bc547bta bc547btf bc547cbu bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

0.3. Size:377K taiwansemi bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdf

BC546A/B/C — BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi

0.4. Size:1554K lrc bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

0.5. Size:81K diotec bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Characteristics curves of BC549 transistor

static characteristics of the BC549 transistor

The figure shows the static characteristics of the BC549 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the collector current produces a curve with respect to the collector to emitter voltage.

The current curves start at the lowest value to a higher value.

DC current gain characteristics of the BC549 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the BC549 transistor, the graph is plotted with dc current gain vs collector current.

At the fixed collector to an emitter voltage value, the DC current gain value started slowly and dips at the end.

In Stock: 12492

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Модификации транзистора

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
BC547	0.5 W	50 V	50 V	6 V	150 °C	6 pf	0.1 A	110	300 MHz	TO92
BC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547ABK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	90	300 MHz	TO92
BC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547BA3	0.625 W	60 V	50 V	6 V	150 °C	2.1 pf	0.2 A	200	100 MHz	TO92
BC547BBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	150	300 MHz	TO92
BC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
BC547CBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	270	300 MHz	TO92
BC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
LBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
LBC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
SBC547	0.625 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	150 MHz	TO92
TBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92

Модификации транзистора

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
BC547	0.5 W	50 V	50 V	6 V	150 °C	6 pf	0.1 A	110	300 MHz	TO92
BC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547ABK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	90	300 MHz	TO92
BC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547BA3	0.625 W	60 V	50 V	6 V	150 °C	2.1 pf	0.2 A	200	100 MHz	TO92
BC547BBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	150	300 MHz	TO92
BC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
BC547CBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	270	300 MHz	TO92
BC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
LBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
LBC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
SBC547	0.625 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	150 MHz	TO92
TBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92

BC549 transistor electrical specification description/ application

In this section we try to explain the electrical specifications of the BC549 transistor, this will help us for a better understanding of this transistor device.

This description provides us with a better view of the BC549 transistor and supports us in the replacement process.

Voltage specs

The terminal voltage specs of BC549 transistor are collector to base voltage and collector to emitter voltage is 30V and emitter to base voltage is 5V, the voltage specs show it is a general-purpose device.

The collector to emitter saturation voltage is 90 to 250Mv, it is the switching voltage for the transistor and it is less than the base voltage.

Overall voltage specifications of BC549 transistor show it is a general-purpose device, mainly used for low-power applications.

Current specs

The collector current value of the BC549 transistor is 100mA, it is the maximum load capacity of this device.

The maximum pulsed collector current is 200mA, the pulsed current value is double that of the current value because they are been calculated in a specific condition.

The maximum base current value is 200mA, it is the current value withstood by the base terminal.

Overall current specifications of BC549 transistors show that they had enormous applications in switching and driver circuits.

Dissipation specs

The power dissipation of the BC549 transistor is 500mW, it is the power dissipation of the device.

The dissipation ability of the device mainly depends on the device package and applications.

Current gain specs

The current gain value of the BC549 transistor is 110 to 800hFE, this is why these transistors are used for low-power amplifiers and switching applications.

The applications like amplifiers utilize DC current gain property of the transistor at the circuits.

Transition frequency

The bandwidth transition frequency value of the BC549 transistor is 100 to 300MHz, it is the frequency range of the transistor.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC546 – BC550 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A – от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B – от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время – КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.

BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда – наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.

BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой h_FE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 f_T.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. R_G – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Значение
			Мин.	Тип.	Макс.
I_CBO	Обратный ток коллектора, nA	V_CB=30В, I_E =0			15
h_FE (h₂₁)	Коэффициент усиления	V_CE=5В, I_C =2мА	110		800
V_CE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ	I_C=10 мA, I_B=0,5мA		90	250
I_C=100 мA, I_B=5мA		200	600
V_BE(sat)(U_BEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ	I_C =10 мA, I_B=0,5мA		700
I_C =100 мA, I_B=5мA		900
V_BE (U_BE)	Напряжение б-э (прямое), В	V_CE=5 В, I_C =2 мA	580	660	700
V_CE=5 В, I_C =10 мA			720
f_T	Граничная частота, МГц	V_CE=5В, I_C =10мA, f=100 MГц		300
C_ob	Выходная емкость, пФ	V_CB=10В, I_E =0, f= 1MГц		3,5	6
C_ib	Входная емкость, пФ	V_EB=0,5В, I_С =0, f= 1MГц		9
NF (F)	Коэффициент шума, дБ	ВС546-548	V_CE=5В, I_C =0,2мA, R_G=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц		2	10
ВС549, 550		1,2	4
ВС549	V_CE=5В, I_C =0,2мA, R_G=2кОм, f= 30-15000 Гц		1,4	4
ВС550		1,4	3

Примечания:

Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.