Интернет-справочник основных параметров транзисторов. параметры транзистора c945 (с945)

Модификации транзистора

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
C945	0.2 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3 pf	0.15 A	130	150 MHz	SOT23
2SC945	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C		0.1 A	75	125 MHz	TO-92
STC945	0.5 W	50 V	40 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	70	80 MHz	TO-92
2PC945	0.5 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	SOT54, TO-92, SC43
2SC945-GR	0.4 W	60 V	50 V	5 V	150 °C		0.15 A	200	150 MHz	TO-92
2SC945-Y	0.4 W	60 V	50 V	5 V	150 °C		0.15 A	120	150 MHz	TO-92
2SC945L	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C		0.1 A	75	125 MHz	TO-92
2SC945LT1	0.23 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.2 pf	0.15 A	200	150 MHz	SOT23
2SC945M	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	250 pf	0.15 A	90	3 MHz	SOT23
2SC945O	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92
2SC945P	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	200	300 MHz	TO-92
2SC945R	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
2SC945T	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C		0.1 A	75	125 MHz	TO-92
2SC945Y	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	120	300 MHz	TO-92
BTC945A3	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	9 pf	0.2 A	135	150 MHz	TO-92
C945LT1	0.2 W	60 V	50 V	5 V	150 °C		0.15 A	40	150 MHz	SOT23
C945T	0.4 W	60 V	50 V	5 V	125 °C	3 pf	0.15 A	70	200 MHz	TO-92
CSC945	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945K	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945P	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945Q	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945R	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
FPC945	0.25 W	50 V	40 V		175 °C	5 pf	0.1 A	200	250 MHz	TO-92
FTC945B	0.4 W	60 V	50 V	5 V	125 °C	3 pf	0.15 A	70	200 MHz	TO-92
HSC945	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	4 pf	0.1 A	135	150 MHz	TO-92
KSC945	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
KSC945G	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	200	300 MHz	TO-92
KSC945L	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	350	300 MHz	TO-92
KSC945O	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92
KSC945R	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
KSC945Y	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	120	300 MHz	TO-92
KTC945	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	90	300 MHz	TO-92
KTC945B	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92

2SC945 vs 2SC1815 vs 2N3904

The table will explain the comparison between 2SC945 vs 2SC1815 vs 2N3904, electrical specs of each transistor will give us an idea about the transistor.

Characteristics	2SC945	2SC1815	2N3904
Collector to base voltage (VCB)	50V	60V	60V
Collector to emitter voltage (VCE)	40V	50V	40V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	5V	6V
Collector current (IC)	0.1A	0.15A	200mA
Power dissipation	250mW	0.4W	625mW
Junction temperature (TJ)	150°C	150°C	150°C
Transition frequency (FT)	150MHZ	80MHZ	250MHZ
Noise (N)	15dB	1dB	6dB
Gain (hFE)	50 to 185hFE	70 to 700hFE	30 to 300hFE
Package	TO-92	TO-92	TO-92

The electrical specification table of three transistors states that each of the transistors had almost the same specifications.

The difference we can only see at transition frequency and DC current gain values, the transition frequency are higher at 2N3904 and 2SC1815 had higher DC gain value.

Транзистор 2SC945 — характеристики

• Тип транзистора: NPN
• Максимальное напряжение коллектора (V_CBO): 60 В
• Максимальное напряжение эмиттера (V_EBO): 5 В
• Максимальное коллекторное напряжение (V_CEO): 50 В
• Максимальный коллекторный ток (I_C): 150 мА
• Максимальный ток эмиттера (I_E): 150 мА
• Мощность коллектора (P_C): 400 мВт
• Коэффициент усиления по току (h_FE): 70-400
• Рабочая температура (T_j): -55°C до +150°C
• Корпус: TO-92

Транзистор 2SC945 обладает низким уровнем шума и высокой линейностью, благодаря чему он широко применяется в усилительных схемах, а также как ключевой элемент для управления другими устройствами. Он может быть заменен аналогичными транзисторами, такими как 2SC1815, 2N4401 или BC547, в зависимости от требуемых характеристик и условий работы.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора C945 (С945)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора C945 (С945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
400	60	50	5	150	150	200000000	3	70/700

Производитель: WEITRONСфера применения: Дополнительные параметры транзистора C945 (С945):
Внимание! У разных производителей транзистора с945 — разная цоколевка. Например у Daya Electric Group Co., Ltd.: 123-ebc

Проверяйте перед установкой.Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Биполярный транзистор 2SC3950 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3950

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC3950
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  sanyo 2sc3950.pdf

Ordering number:EN2441APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3950High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042AFeatures High fT : fT=2.0GHz. Large current capacity : IC=500mA. Micaless type : TO-126 plastic package.B : BaseC

 8.1. Size:41K  sanyo 2sa1539 2sc3954.pdf

Ordering number:ENN2438BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1539/2SC3954High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1539/SC3954]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 Sm

 8.2. Size:41K  sanyo 2sa1536 2sc3951.pdf

Ordering number:ENN2435BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1536/2SC3951High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1536/2SC3951]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=600MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma

 8.3. Size:39K  sanyo 2sa1541 2sc3956.pdf

Ordering number:ENN2440BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1541/2SC3956High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1541/2SC3956]8.0Features4.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=2

 8.4. Size:41K  sanyo 2sa1537 2sc3952.pdf

Ordering number:ENN2436CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1537/2SC3952High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1537/2SC3952]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=700MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma

 8.5. Size:40K  sanyo 2sa1538 2sc3953.pdf

Ordering number:ENN2437BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1538/2SC3953High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1538/2SC3953]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=400MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 S

 8.6. Size:40K  sanyo 2sa1540 2sc3955.pdf

Ordering number:ENN2439BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1540/2SC3955High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1540/2SC3955]Features 8.04.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=20

 8.7. Size:33K  hitachi 2sc3957.pdf

2SC3957Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineMPAK-4213311. Collector2. Emitter43. Base4. NC22SC3957Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current

Другие транзисторы… 2SC3944
, 2SC3944A
, 2SC3945
, 2SC3946
, 2SC3947
, 2SC3948
, 2SC3949
, 2SC395
, 2SC4793
, 2SC3951
, 2SC3952
, 2SC3953
, 2SC3953C
, 2SC3953D
, 2SC3954
, 2SC3955
, 2SC3956
.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Цоколевка транзистора 2SC945

Транзистор 2SC945 имеет стандартную цоколевку TO-92. Цоколевка состоит из трех выводов: коллектора (C), эмиттера (E) и базы (B).

Коллектор транзистора подключается к положительному напряжению и осуществляет сбор электронов, эмиттер сливает электроны и является входным выводом, а база управляет транзистором, регулируя ток коллектора.

Цоколевка транзистора 2SC945 представлена следующим образом:

Вывод 1 (C) — Коллектор

Вывод 2 (B) — База

Вывод 3 (E) — Эмиттер

В цоколевке TO-92 выводы обычно располагаются в следующем порядке: сначала коллектор (C), затем база (B) и, наконец, эмиттер (E).

Имея информацию о цоколевке транзистора 2SC945, вы сможете правильно подключить его в схеме или заменить на аналогичный транзистор, сохраняя правильную ориентацию выводов.

2SC945 transistor electrical specification description

The transistor 2SC945 is an AF amplifier high-frequency device, in this section we try to explain the electrical specs separately.

Voltage specs

The voltage specification of the 2SC945 transistor will be explained with terminal voltage specs, here we have collector to base voltage is 50V, collector to emitter voltage is 40V and emitter to base voltage is 5V, the voltage values state that 2SC945 transistor is a medium power device.

Dissipation specs

The power dissipation of this transistor will be 250Mw, it is the power capacity of the 2SC945 transistor, and we can also explain power dissipation as the heat capacity of the transistor.

Current gain specs

The current gain value is between 50 to 185hFE, it is an important value at amplifier and voltage regulation-related applications. 

Transition frequency/ Bandwidth frequency specs

The transition frequency value is explained with gain-bandwidth which is between 150 to 450MHz, this is an important spec for amplifier and switching-based applications.

Junction temperature

The junction temperature of -55 to 150℃, this is the most common temperature value for a medium power transistor device.

Транзистор 2SC945: варианты замены и аналоги

Существует несколько вариантов замены и аналогов для транзистора 2SC945:

1. КТ315 — данный транзистор можно использовать в качестве замены, так как он имеет схожие параметры и цоколевку с 2SC945.

2. BC547, BC549 — эти транзисторы также подходят для замены 2SC945. Они широко распространены и довольно доступны, а их характеристики близки к характеристикам 2SC945.

3. 2N3904, 2N3906 — это еще два аналога 2SC945, которые также могут быть использованы вместо него. Они обладают схожими характеристиками, поэтому позволяют сохранить функциональность схемы.

Важно помнить, что при замене транзисторов стоит проверить их электрические параметры и корректно подключить их к схеме. В некоторых случаях может понадобиться также провести дополнительные настройки

При выборе замены для транзистора 2SC945 следует учитывать его характеристики и требования к схеме, чтобы обеспечить оптимальное функционирование устройства.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:

Транзистор 2SC945: ключевые характеристики и особенности

Основные характеристики транзистора 2SC945:

• Тип корпуса: TO-92
• Ток коллектора (I_C): 50 мА
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 60 В
• Частота переключения (f_T): 150 МГц
• Усиление тока по входу (h₂₁): 70-400

Транзистор 2SC945 обладает высокой надежностью и устойчивостью, что делает его предпочтительным выбором для многих разработчиков электронных устройств. Он отличается хорошими рабочими параметрами и имеет небольшие габариты, что облегчает его интеграцию в схемы.

Однако, в случае, если транзистор 2SC945 отсутствует или недоступен, можно воспользоваться аналогами, такими как 2N3904, BC547, BC337 и другие. Хотя эти транзисторы имеют некоторые отличия в характеристиках и цоколевке, они могут успешно заменить 2SC945 в большинстве приложений.

2SC945 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  nec 2sc945.pdf

 ..2. Size:194K  utc 2sc945.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity * Complimentary to UTC 2SA733 ORDERING I

 ..3. Size:226K  no 2sc945.pdf

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

 ..4. Size:272K  shenzhen 2sc945.pdf

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi

 ..5. Size:1959K  blue-rocket-elect 2sc945.pdf

2SC945 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,h FE High voltage, excellent hFE linearity. / Applications AF amplifier and low speed switching applications. / Eq

 ..6. Size:781K  kexin 2sc945.pdf

SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

 ..7. Size:260K  galaxy 2sc945.pdf

Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC945 FEATURES Pb High voltage and high current. Lead-free Excellent h linearity. FE Low noise. APPLICATIONS Audio frequency amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SC945 CR SOT-23 : none is for Lead Free package; G is for Halogen Free package

 ..8. Size:189K  inchange semiconductor 2sc945.pdf

isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol

 0.1. Size:244K  mcc 2sc945-y.pdf

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

 0.2. Size:244K  mcc 2sc945-gr.pdf

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

 0.3. Size:1532K  blue-rocket-elect 2sc945m.pdf

2SC945M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.

 0.4. Size:145K  semtech 2sc945r 2sc945o 2sc945y 2sc945p 2sc945l.pdf

2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurations. T

 0.5. Size:634K  china 2sc945lt1.pdf

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V