Замена и эквиваленты
Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.
Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.
Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.
Характеристики C3063 транзистора
Типичные характеристики транзистора C3063 представлены в таблице:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Максимальная коллектор-эмиттерная напряжение (VCEO) | 50 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 0,5 А |
| Максимальная мощность потерь (PD) | 0,625 Вт |
| Максимальная температура перехода (Tj) | 150 °C |
| Коэффициент усиления тока (hFE) | 40-800 |
| Типичное значение насыщения напряжения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 0,2 В |
| Максимальная частота переключения (fT) | 150 МГц |
Транзистор C3063 является PNP-транзистором с максимальным коллектор-эмиттерным напряжением 50 В и максимальным коллекторным током 0,5 А. Он имеет максимальную мощность потерь 0,625 Вт и максимальную рабочую температуру 150 °C.
Коэффициент усиления тока (hFE) данного транзистора может варьироваться в диапазоне от 40 до 800.
Типичное значение насыщения напряжения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) составляет 0,2 В.
Максимальная частота переключения (fT) C3063 транзистора составляет 150 МГц.
Типы C3063 транзисторов
Существует несколько типов транзисторов C3063, которые отличаются некоторыми характеристиками, включая максимальное значение тока коллектора (IC), максимальное значение напряжения коллектора-эмиттера (VCE), максимальную мощность (P) и другие параметры. Ниже приведена таблица с некоторыми из наиболее распространенных типов C3063 транзисторов:
| Название | IC, макс (А) | VCE, макс (В) | P, макс (Вт) |
|---|---|---|---|
| C3063 | 0.5 | 40 | 0.6 |
| C3063-B | 1 | 40 | 1 |
| C3063-C | 2 | 60 | 1.7 |
| C3063-D | 3 | 80 | 2 |
Это лишь некоторые из доступных типов C3063 транзисторов. При выборе определенного типа следует учитывать требования и спецификации конкретной схемы или приложения, чтобы обеспечить правильную работу и совместимость транзистора.
2SC3306 Datasheet (PDF)
..1. Size:227K toshiba 2sc3306.pdf
..2. Size:162K mospec 2sc3306.pdf
AAA
..3. Size:211K inchange semiconductor 2sc3306.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC3306DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switchingapplications.High speed DC-DC converter applicat
8.1. Size:1637K toshiba 2sc3302.pdf
8.2. Size:133K toshiba 2sc3309.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
8.3. Size:167K toshiba 2sc3303.pdf
2SC3303 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC3303 Industrial Applications High Current Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A) High speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCol
8.4. Size:218K toshiba 2sc3307.pdf
8.5. Size:509K jiangsu 2sc3303.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC3303 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching Time2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltag
8.6. Size:173K cn sptech 2sc3300.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3300DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max)@ I = 5ACE(sat) CAPPLICATIONSDesigned for DC-DC converter, emergency lightinginverter and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
8.7. Size:196K inchange semiconductor 2sc3309.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3309DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
8.8. Size:197K inchange semiconductor 2sc3300.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3300DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for DC-DC converter, emergency lightinginverter and general purpose applicationsABSOLUTE
8.9. Size:218K inchange semiconductor 2sc3303.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3303DESCRIPTIONHigh switching speed timeLow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base
8.10. Size:217K inchange semiconductor 2sc3307.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3307DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed and high voltage switching applications.Switching regulator applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE M
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | ≥ 10 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| КТ834А | 100 | 500 | 400 | 8 | 15 | 150 | 150 | 1,5 | — / — / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 10 — 100 | 0,6 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840Б | 750 | 350 | ||||||||
| КТ840В | 860 | 375 | ||||||||
| КТ847 | 125 | 650 | 650 | 8 | 15 | 200 | 8 — 25 | 1,5 | — / 3,0 / 1,5 | ТО-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | — | 5 | 10 | — | 10 — 60 | 1,5 | — / — / 0,5 | — |
| 2Т856Б | 750 | |||||||||
| 2Т856В | 550 | |||||||||
| 2Т856Г | 850 | |||||||||
| КТ862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | — |
| КТ862Г | 400 | |||||||||
| 2Т862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | — |
| 2Т862Г | 400 | |||||||||
| КТ872А | 100 | — | 700 | 6 | 8 | 150 | 6 | 1 | — / 6,7 / 0,8 | ТО-218 |
| КТ872В | 600 | |||||||||
| КТ878А | 100 | — | 900 | 6 | 25 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | — / 3,0 / — | ТО-3 |
| КТ878В | 600 | |||||||||
| КТ890А/Б/В | 120 | 350 | 350 | 5 | 20 | 150 | 300 | 1,6 | — | ТО-218 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| 2SC2626 | 80 | 450 | 300 | 7 | 15 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,2 | 0,8 / 2,0 / 0,8 | TO-218 |
| 2SC3318 | 80 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 45 | 1,55 | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3320 | 80 | 500 | 400 | 7 | 15 | 150 | > 30 | — | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3847 | 85 | 1200 | 800 | 7 | 10 | 150 | > 100 | — | 1,5 | 0,5 / 3,5 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC4138 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 45 | — | 0,5 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4275 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 120 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4276 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 30 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4298 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 55 | — | 1,3 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4509 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4510 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 25 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4557 | 80 | 900 | 550 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 0,5 | 1,0 / 5,0 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 0,5 / 3,0 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC5352 | 80 | 600 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 20 | — | 1 | 0,5 / 2,0 / 0,3 | TO-3PN |
| 2SC5924 | 90 | 900 | 600 | — | 14 | > 10 | — | — | — / — / — | TO-3PF | |
| KSC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3P |
| MJE13009K/P | 80 | 700 | 400 | 9 | 12 | 150 | > 40 | 1,55 | 1,5 | 1,0 / 3,0 / 0,7 | TO-3P TO-220 |
| MJE13011 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 1,5 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-220/F TO-3P |
| T25 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | — | > 30 | — | — | — / — / — | TO-3PN |
| TT2148 | 80 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | > 20 | — | 0,8 | 0,5 / 2,5 / 0,3 | TO-3PB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Три схемы включения биполярного транзистора
Различают схему включения с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором. Схемы для p-n-p транзистора показаны на рисунках а, б, в:
В схеме с общей базой (рис. а) электрод база является общим для входной и выходной цепи, в схеме с общим эмиттером (рис. б) общим является эмиттер, в схеме с общим коллектором (рис. в) общим является коллектор.
На рисунке показаны: Е1 – питание входной цепи, Е2 – питание выходной цепи, Uвх – источник усиливаемого сигнала.
В качестве основной принята схема включения, в которой общим электродом для входной и выходной цепи является эмиттер (схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером). Для такой схемы входной контур проходит через переход база-эмиттер и в нем возникает ток базы:
Малое значение тока базы во входном контуре обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером.
Представление транзистора в малосигнальном режиме работы четырехполюсником
В малосигнальном режиме работы транзистор может быть представлен четырехполюсником. Когда напряжения u1, u2 и токи i1, i2 изменяются по синусоидальному закону, связь между напряжениями и токами устанавливается при помощи Z, Y, h параметров.
Потенциалы 1′, 2′, 3 одинаковы. Транзистор удобно описывать, используя h-параметры.
Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя величинами: Iб, Uбэ, Iк и Uкэ. Две из этих величин можно считать независимыми, а две другие могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбирать величины Iб и Uкэ. Тогда Uбэ = f1(Iб, Uкэ) и Iк = f2(Iб, Uкэ).
В усилительных устройствах входными сигналами являются приращения входных напряжений и токов. В пределах линейной части характеристик для приращений Uбэ и Iк справедливы равенства:
Физический смысл параметров:
- – входное сопротивление при коротком замыкании полюсов 2-2′;
- – коэффициент передачи по напряжению в режиме хх со стороны полюсов 1-1′;
- – коэффициент передачи по току при коротком замыкании полюсов 2-2′
- – выходная проводимость при холостом ходе на входе, полюсы 1-1′ разомкнуты.
Для схемы с ОЭ коэффициенты записываются с индексом Э: h11э, h12э, h21э, h22э.
В паспортных данных указывают h21э = β , h21б = α. Эти параметры характеризуют качество транзистора. Для увеличения значения h21 нужно либо уменьшить ширину базы W, либо увеличить диффузионную длину, что достаточно трудно.
Схема подключения C3063 транзистора
Для подключения транзистора C3063 в схеме необходимо следовать определенной последовательности действий:
Подготовьте плату для монтажа схемы, основываясь на требованиях вашей конкретной задачи.
Определите три вывода C3063 транзистора: эмиттер (E), базу (B) и коллектор (C).
Очистите выводы транзистора от изоляционного слоя, при необходимости.
Припаяйте выводы транзистора:Эмиттер (E) транзистора должен быть подключен к выводу минусового источника питания.
Базу (B) транзистора следует припаять к выводу управляющего сигнала или резистору.
Коллектор (C) транзистора должен быть соединен с нагрузкой или схемой, в зависимости от конкретной задачи.
Проверьте все соединения на наличие короткого замыкания или неправильного соединения.
Подключите питание согласно требованиям схемы, обращая внимание на полярность и напряжение.
При необходимости, проведите дополнительную настройку или настройку схемы с учетом параметров C3063 транзистора.
После завершения проверьте работоспособность схемы с транзистором C3063.
Следуя указанной схеме подключения, вы сможете успешно интегрировать C3063 транзистор в свое устройство или схему.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Схемы использования C3063
Основные схемы использования C3063:
- Усилитель сигнала: C3063 часто используется в схемах усилителей сигналов. Он может быть использован для усиления аналоговых и цифровых сигналов в различных приложениях, включая радиоприемники, телевизоры, аудиоусилители и телекоммуникационное оборудование.
- Источник тока: C3063 может быть использован в схемах источника тока. Он обладает хорошими параметрами стабилизации и может работать в широком диапазоне температур. Источники тока, построенные на основе C3063, используются в системах питания, стабилизаторах напряжения и других электронных устройствах.
- Переключатель: C3063 может быть использован в схемах переключателей, особенно в коммутационных схемах электронных устройств. Он обладает высокой скоростью переключения и низкими потерями мощности, что делает его подходящим для использования в таких приложениях.
- Стабилизатор напряжения: C3063 может быть использован в схемах стабилизаторов напряжения, которые обеспечивают постоянное напряжение независимо от изменений входного напряжения или нагрузки. Он обладает низкими показателями дрейфа и шума, что делает его идеальным для использования в стабилизаторах напряжения.
Схемы использования C3063 могут варьироваться в зависимости от конкретного приложения и требований, но в любом случае, C3063 является надежным и универсальным транзистором средней мощности.
Биполярный транзистор 2SC3306 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3306
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора:
2SC3306
Datasheet (PDF)
..1. Size:227K toshiba 2sc3306.pdf
..2. Size:162K mospec 2sc3306.pdf
AAA
..3. Size:211K inchange semiconductor 2sc3306.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC3306DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switchingapplications.High speed DC-DC converter applicat
8.1. Size:1637K toshiba 2sc3302.pdf
8.2. Size:133K toshiba 2sc3309.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
8.3. Size:167K toshiba 2sc3303.pdf
2SC3303 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC3303 Industrial Applications High Current Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A) High speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCol
8.4. Size:218K toshiba 2sc3307.pdf
8.5. Size:509K jiangsu 2sc3303.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC3303 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching Time2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltag
8.6. Size:173K cn sptech 2sc3300.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3300DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max)@ I = 5ACE(sat) CAPPLICATIONSDesigned for DC-DC converter, emergency lightinginverter and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
8.7. Size:196K inchange semiconductor 2sc3309.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3309DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
8.8. Size:197K inchange semiconductor 2sc3300.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3300DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for DC-DC converter, emergency lightinginverter and general purpose applicationsABSOLUTE
8.9. Size:218K inchange semiconductor 2sc3303.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3303DESCRIPTIONHigh switching speed timeLow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base
8.10. Size:217K inchange semiconductor 2sc3307.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3307DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed and high voltage switching applications.Switching regulator applications.High speed DC-DC converter applications.ABSOLUTE M
Другие транзисторы… 2SC3300
, 2SC3301
, 2SC3302
, 2SC3303
, 2SC3303O
, 2SC3303Y
, 2SC3304
, 2SC3305
, TIP31
, 2SC3307
, 2SC3308
, 2SC3309
, 2SC331
, 2SC3310
, 2SC3311
, 2SC3312
, 2SC3313
.
Транзисторные пары в усилительных каскадах
Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.
Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.
Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.
Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.
Устройство и принцип работы тиристора (тринистора)
Тринистор является управляемым прибором. Он содержит управляющий электрод (УЭ), подключаемый к полупроводнику р-типа или полупроводнику n-типа среднего перехода 2.
Структура, УГО и ВАХ тринистора (обычно называют тиристором) приведены на рисунке:
Напряжение Uвыкл, при котором начинается лавинообразное нарастание тока, может быть снижено введением неосновных носителей заряда в любой из слоев, прилегающих к переходу 2. В какой мере снижается Uвкл показано на ВАХ. Важным параметром является отпирающий ток управления Iу.от, который обеспечивает переключение тиристора в открытое состояние при напряжениях, меньших напряжения Uвкл. На рисунке показаны три значения напряжение включения UIвкл < Unвкл < Umвкл соответствует трем значениям управляющего тока UIу.от > Unу.от > Umу.от.
Рассмотрим простейшую схему с тиристором, нагруженным на резисторную нагрузку Rн
Iа – ток анода (силовой ток в цепи анод-катод тиристора ); Uак – напряжение между анодом и катодом; Iу – ток управляющего электрода ( в реальных схемах используют импульсы тока ); Uук – напряжение между управляющим электродом и катодом; Uпит – напряжение питания.
Для перевода тиристора в открытое состояние не управляющий электрод подается от схемы формирования импульсов кратковременный (порядка нескольких микросекунд) управляющий импульс.
Характерной особенностью рассматриваемого незапираемого тиристора, который очень широко используется на практике, является то, что его нельзя выключить с помощью тока управления.
Для выключения тиристора на практике на него подают обратное напряжение Uак < 0 и поддерживают это напряжение в течении времени, большего так называемого времени выключения tвыкл. Оно обычно составляет единицы или десятки микросекунд.
Сфера использования транзистора c33740
Транзистор c33740, как и bc337 40, широко используется в различных электронных устройствах, включая усилители мощности, преобразователи напряжения и тока, стабилизаторы напряжения, источники питания и т.д. Он может применяться как ключевой элемент в цепях управления моторами, светодиодами и другими электронными устройствами:
- в усилителях сигнала используется для усиления малых сигналов до достаточно больших значений для дальнейшей обработки или передачи по проводным или беспроводным каналам связи;
- в преобразователях напряжения и тока применяется для изменения уровня напряжения или тока для соответствия требуемым спецификациям устройства;
- стабилизаторы напряжения используют транзистор для регулировки напряжения в цепях, где требуется постоянный уровень;
- в источниках питания применяется для регулировки выходного напряжения или тока в зависимости от потребностей электронного устройства.
Кроме того, транзистор c33740 может использоваться в системах управления и автоматизации, включая устройства контроля доступа, системы безопасности, умные дома, медицинские устройства и другие приложения.
Примеры применения в электронике
Транзистор C3063 широко используется в электронике благодаря своим хорошим характеристикам. Вот несколько примеров его применения:
- В усилителях звука. Благодаря своей малой емкости коллектора-базы и высокому усилению тока, транзистор C3063 может быть использован в усилителях звука для усиления маленьких сигналов.
- В источниках питания. Транзистор C3063 обладает высоким напряжением пробивки в обратном направлении, что позволяет его использовать в источниках питания для защиты от перенапряжений.
- В переключателях. Благодаря своей высокой коммутационной способности, транзистор C3063 может быть использован в переключателях для управления различными устройствами.
- В фотокамерах. Транзистор C3063 может быть использован в фотокамерах для управления работой вспышки и других электронных компонентов.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы IC/IB = 5.
Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки IC в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора TC.
Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.
Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.
Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды Ta = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.
Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:
- горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
- участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
- участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
- вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.
Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (ton). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.
В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (tstg + tf), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.
Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.
Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии Tc ≤ 100°C.
Увеличение UCEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.
Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:
- непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
- токи и напряжения на интервале включения (ton) не превышают ограничений ОБР;
- токи и напряжения на интервале выключения (tstg + tf) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы