STD13007F Datasheet (PDF)
0.1. std13007f.pdf Size:265K _auk
STD13007FNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007F STD13007 TO-220F-3LAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol R
0.2. std13007fc.pdf Size:265K _auk
STD13007FCNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching High Collector Voltage : VCBO = 700V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E STD13007FC STD13007 TO-220F-3SLEAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Sym
6.1. std13007.pdf Size:293K _auk
STD13007NPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007 STD13007 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratin
6.2. std13007p.pdf Size:264K _auk
STD13007PNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007P STD13007 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Rat
Аналоги
Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производство
| Тип | PC Ta=25°C//Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус | Примечания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 | |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | — | ≤ 0,6 | 0,2/3,5/0,6 | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ840Б | 750 | 350 | ≥ 10 | — | |||||||||
| КТ840В | 800 | 375 | 10…100 | ||||||||||
| КТ841А, В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 300 | ≤ 1,6 | 0,08/1,0/0,5 | — | — |
| КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 102 | ≤ 2,0 | — | КТ-28-2 | (ТО220АВ) |
| КТ856А | 50 | 800 | 800 | 5 | 10/12 | 150 | 10…60 | ≥ 10 | ≤ 100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ856Б | 600 | 600 | — | ||||||||||
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10/12 | — | ≤ 60 | — | — | ≤ 1,5 | -/-/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
| 2Т856Б | 750 | 750 | — | — | — | ||||||||
| 2Т856В | 550 | 550 | — | — | — | ||||||||
| 2Т856Г | 850 | 850 | — | — | — | ||||||||
| КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | ≤100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ868Б | 750 | 375 | 10…100 | — | |||||||||
| КТ8107А | 100 | 1500 | — | 5 | 8/15 | — | ≥ 2,25 | ≥ 7 | — | ≤ 1,0 | -/3,5/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ8107Б | 125 | 1500 | — | 5 | 5/7,5 | — | ≥ 2,25 | — | ≤ 3,0 | ||||
| КТ8107В | 50 | 1500 | — | 5 | 5/8 | — | 8…12 | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8107Г | 100 | 1500 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 3,0 | ||||
| КТ8107Д | 100 | 1200 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8107Е | 100 | 1000 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8118А | 50 | 900 | 800 | — | 3/10 | — | 10…40 | ≥ 15 | — | ≤ 2,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8121А | 75 | 700 | 400 | — | 4/8 | — | 8…60 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8121Б | 600 | 300 | — | — | — | — | |||||||
| КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8/16 | — | 5…40 | — | 120 | ≤ 3,0 | 1,6/3,0/0,7 | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8126Б1 | 600 | 300 | — | — | |||||||||
| КТ8145В | 100 | 500 | 500 | 8 | 15/- | 150 | ≥ 10 | 10 | — | — | — | КТ-27 | (SOT32) |
| КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4/8 | 150 | 10…60 | ≥ 4 | ≤110 | ≤ 1,0 | 0,8/4,0/0,9 | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8164Б | 600 | 300 | 8…40 | — |
Зарубежное производство
| Тип | PC Ta=25°C/Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 |
| 2SC2335 | 1,5/40 | 500 | 400 | 7 | 7/15 | 150 | 10…80 | — | — | ≤ 1,0 | 1,0/2,5/1,0 | TO220AB |
| 2SC2898 | -/50 | 500 | 400 | 7 | 8/16 | 150 | ≥ 7 | — | — | ≤ 1,0 | 0,8/2,0/0,8 | TO220C |
| 2SC5057 | -/100 | 900 | — | — | 20/- | 150 | 38 | — | — | — | — | TO3PL |
| 2SD2625Z9 | 2/120 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO3P |
| 3DD209L | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO3PN(B) |
| 3DD3320AN | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 15…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/3,0/0,35 | TO3P(N) |
| 3DD13012A8 | 2/100 | 750 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 20…35 | ≥ 5 | — | ≤ 1,0 | 1,0/5,0/0,5 | TO220AB |
| BUL743 | -/100 | 1200 | 500 | — | 12/24 | 150 | 24…80 | — | — | ≤ 1,5 | -/3,8/0,5 | TO220 |
| BU941 | -/150 | 500 | 400 | 5 | 15/30 | 175 | ≥ 300 | — | — | ≤ 1,8 | -/15,0/0,5 | TO220AB |
| D4515 | -/120 | 700 | 400 | 9 | 15-/ | 150 | 8…50 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/3,0/0,7 | TO3PN |
| ECG379 | -/100 | 700 | 400 | — | 12/- | 175 | 20 | ≥ 4 | — | — | — | TO220 |
| MJE13007/A | -/80 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 5…45 | — | — | ≤ 3,0 | — | TO220 |
| MJE340 | -/20,8 | 300 | 300 | 3 | 0,5/- | 150 | 50…240 | — | — | — | — | SOT32* |
| P1488 | 3/150 | 750 | 450 | 9 | 15/- | 150 | 8…40 | ≥ 5 | — | ≤ 0,8 | 0,6/5,0/0,4 | TO3PB |
* — (TO126)
Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.
MJE13007A Datasheet (PDF)
0.1. mje13007a.pdf Size:63K _st
MJE13007A SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY APPLICATIONS SWITCHING REGULATORS MOTOR CONTROL DESCRIPTION 3The MJE13007A is silicon multiepitaxial mesa 21NPN power transistor mounted in Jedec TO-220plastic package.TO-220They are inteded for use in motor control,switching regulators etc.INTER
0.2. hmje13007a.pdf Size:50K _hsmc
Spec. No. : HE200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.06.01 Revised Date : 2007.03.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13007A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-220 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (
0.3. mje13007a.pdf Size:256K _sisemi
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13007ANPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13007ANPN MJE
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Модификации и группы
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Группы по hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13001-0 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,4 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 1,8 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-2 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,0 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-A | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,6 | TO-92T |
| 3DD13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…26 | Группы A/B | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 0,8 / 1 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P1 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| ALJ13001 | 1 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 10 групп без обозначения | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CD13001 | 0,9 | 500 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | — | — | 6 групп A/B/C/…/F | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CS13001 | 0,75 | 700 | 480 | 9 | 0,2 | 150 | — | 8…30 | 4 группы без обозначения | — | TO-92 |
| HMJE13001 | 1 | 600 | 400 | 6 | 0,3 | 150 | — | 8…36 | — | — | TO-92 |
| MJ13001A | 0,625 | 500 | 400 | 8 | 0,5 | 150 | ˃10 | 8…40 | — | — | TO-92 |
| MJE13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…70 | 12 групп A/B/C…/L | — | TO-92, SOT-89 |
| MJE13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92 |
| MJE13001A2 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92L |
| MJE13001AH | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,3 | 150 | — | 5…30 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92(S) |
| MJE13001B1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92L |
| MJE13001DE1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,8 | TO-92 |
| MJE13001E1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001E2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — / 3 / 0,6 | TO-92L | |
| MJE13001H | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,18 | 150 | — | 5…30 | — | — | TO-92(S) |
| MJE13001P | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…70 | 12 групп A/B/C…/L | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| SBN13001 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0.5 | 150 | — | 10…40 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92 |
| SXW13001 | 9 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| SXW13001 | 10 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 10…40 | — | — | TO-126 |
| XW13001 | 7 | 600 | 400 | — | 0,25 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| Исполнение SMD | |||||||||||
| MJD13001 | 0,3 | 700 | 400 | 8 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 6 групп A/B/C/…/F | — / 2,4 / 0,9 | SOT-23 |
| MJE13001A0 | 0,5 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-23 |
| MJE13001AT | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-89 |
| MJE13001C0 | 0,65 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-23 |
| MJE13001CT | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-89 |
Примечание. Маркировка:
- MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
- MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
13007DL Datasheet (PDF)
0.1. 13007dl.pdf Size:115K _jdsemi
R13007DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.1. st13007d.pdf Size:213K _st
ST13007DHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION:- LOWER LEAKAGE CURRENT- TIGHTER GAIN RANGE- DC CURRENT GAIN PRESELECTION- TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR32RELIABLE OPERATION1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACT
8.2. stb13007dt4.pdf Size:235K _st
STB13007DT4High voltage fast-switching NPN power transistorGeneral features Improved specification: Lower leakage current, Tighter gain range, DC current gain preselection, Tighter storage time range High voltage capability Integrated free-wheeling diode3 Low spread of dynamic parameters 1 Minimum lot-to-lot spread for reliable operationD2PAK Very high
8.3. st13007dfp.pdf Size:160K _st
ST13007DFPHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION:- LOWER LEAKAGE CURRENT- TIGHTER GAIN RANGE- DC CURRENT GAIN PRESELECTION- TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR32RELIABLE OPERATION1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARA
8.4. mje13007d.pdf Size:368K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13007D NPN SILICON TRANSISTOR NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC MJE13007D is designed for high-voltage,high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220 V switch mode applications. FEATURES * VCEO(SUS) 400V * 70
8.5. cdl13007ddl.pdf Size:218K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORCDL13007DTO-220Plastic PackageBuilt in DiodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 700 VVCEOCollector Emitter Voltage 400 VVEBOEmitter Base Voltage 9 VICCollector Current Continuous 7 ACollector Power Diss
8.6. sbp13007d.pdf Size:315K _winsemi
SBP13007DSBP13007DSBP13007DSBP13007DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-in fr
8.7. mje13007dv7.pdf Size:240K _foshan
MJE13007DV7 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V V 400 CEO V 9.0 V EBO I 7 A C I 16 A CP I 4.0
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;
транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;
Установка и подключение транзисторов J13007 2
Транзистор J13007 2 часто используется в электронных схемах и может быть установлен на различные печатные платы. Процесс установки и подключения транзистора J13007 2 довольно прост и может быть выполнен даже без специальных навыков.
Перед установкой транзистора рекомендуется проверить его наличие и целостность. Если транзистор окажется поврежденным или неисправным, необходимо заменить его на новый экземпляр.
Для установки транзистора J13007 2 на печатную плату необходимо выполнить следующие шаги:
Очистите контактные площадки на печатной плате и на самом транзисторе от возможных загрязнений и окислов. Это обеспечит надежный контакт между элементами.
Определите положение транзистора на печатной плате согласно схеме подключения. Удостоверьтесь, что контакты транзистора выходят на нужные места на плате.
Аккуратно поставьте транзистор на печатную плату в нужное место, выровняв контакты соответствующим образом.
Припаяйте контакты транзистора к контактным площадкам печатной платы, используя паяльную станцию или паяльник
Обратите внимание на правильность подачи пайки и периодически проверяйте ее качество с помощью визуального осмотра.
После пайки проведите визуальную проверку с целью убедиться, что транзистор установлен правильно и контакты надежно паяны. При необходимости выполняйте дополнительные корректировки.
После установки транзистора J13007 2 на печатную плату, его можно подключить к остальным элементам схемы. Для этого необходимо правильно подключить контакты транзистора к соответствующим контактам других элементов и проводов. Рекомендуется использовать схему подключения и специальные схематические символы для облегчения процесса подключения.
Важно помнить о правильной полярности подключения транзистора J13007 2. Неправильное подключение может привести к его повреждению
Поэтому перед подключением рекомендуется тщательно изучить схему и проверить правильность подключения.
После установки и подключения транзистора J13007 2 можно приступать к дальнейшей настройке и тестированию электронной схемы.
Биполярный транзистор FJP13007H2TU-F080 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJP13007H2TU-F080
Маркировка: J13007-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора:
FJP13007H2TU-F080
Datasheet (PDF)
0.1. Size:246K onsemi fjp13007tu fjp13007h1tu fjp13007h1tu-f080 fjp13007h2tu fjp13007h2tu-f080.pdf
ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
6.1. Size:540K fairchild semi fjp13007.pdf
July 2008FJP13007High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage High Speed Power Switch Application High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base
7.1. Size:181K fairchild semi fjp13009.pdf
March 2007FJP13009High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter
7.2. Size:283K onsemi fjp13009tu fjp13009h2tu.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
7.3. Size:232K inchange semiconductor fjp13009.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor FJP13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p
Другие транзисторы… PDTC124XK
, PDTC124XS
, PDTC143TEF
, PDTC143TK
, PDTC143TS
, PDTC144TEF
, PDTC144TK
, PDTC144TS
, MPSA42
, PDTC144VS
, PDTC144WEF
, PDTC144WK
, PDTC144WS
, PDTD113EK
, PDTD113ES
, PDTD123EK
, PDTD123ES
.
Устройство и принцип работы
Внутреннее устройство IGBT транзистора состоит из двух каскадных электронных ключей, которые управляют конечным выходом. В каждом конкретном случае, в зависимости от мощности и других показателей, конструкция прибора может различаться, включая дополнительные затворы и иные элементы, которые улучшают показатели мощности и допустимого напряжения, обеспечивая возможность работы при температурах свыше 100 градусов.
Полупроводники IGBT типа имеют стандартизированную комбинированную структуру и следующие обозначения:
- К — коллектор.
- Э — эмиттер.
- З — затвор.
Принцип работы транзистора чрезвычайно прост. Как только на него подается напряжение положительного потенциала, в затворе и истоке полевого транзистора открывается n-канал, в результате чего происходит движение заряженных электронов. Это возбуждает действие биполярного транзистора, после чего от эмиттера напрямую к коллектору начинает протекать электрический ток.
Привязкой к установленному показателю напряжения. Драйвер затвора должен иметь постоянные параметры, что достигается за счёт добавления в схему устройства диода Шоттки. Тем самым обеспечивается уменьшение индуктивности в цепи питания и затвора.
Показатели напряжения ограничиваются за счёт наличия стабилитрона в схеме эмиттера и затвора. Отличная эффективность таких IGBT транзисторов достигается за счёт установки к клеммам модуля дополнительных диодов. Используемые компоненты должны иметь высокую температурную независимость и малый разброс.
Правильный выбор типа транзистора позволит обеспечить стабильность работы блоков питания и других электроприборов. Только в таком случае можно гарантировать полностью безопасную работу электроустановок при коротких замыканиях и в аварийных режимах эксплуатации техники.
Аналоги транзистора 13007 и их выбор
Если вам необходимо найти аналоги данного транзистора для замены или использования в своем проекте, следует обратить внимание на следующие модели:
| Номер модели | Производитель | Комментарий |
|---|---|---|
| 2N3055 | ST Microelectronics | Популярный промышленный транзистор с высокой надежностью и широким диапазоном рабочих напряжений. |
| MJ15003 | ON Semiconductor | Транзистор, специально разработанный для работы с высокими токами и высокими частотами. |
| TIP3055 | ST Microelectronics | Мощный монолитный транзистор, подходящий для использования в схемах усилителей мощности. |
| 2SC5200 | Toshiba | Мощный транзистор, предназначенный для работы в сложных схемах усилителей мощности. |
Каждая из указанных моделей имеет свои преимущества и недостатки, поэтому при выборе аналога необходимо учитывать требования к вашему проекту, включая работу с высокими частотами, силой тока и теплоотводом
Также стоит обратить внимание на характеристики и цену аналогов
Важно помнить, что замена транзистора 13007 аналогом требует корректировки электрической схемы и подбора соответствующих компонентов. Рекомендуется обратиться к документации производителя и проконсультироваться с опытными специалистами перед сменой компонентов
Биполярный транзистор MJE13007A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE13007A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: ISO220
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A;
транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335;