Характеристики транзистора ph68 bd435

Bd139 транзистор: характеристики и его российские аналоги

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно технические характеристики КТ817Г, которые разделяют на предельно допустимые и электрические. Предельно допустимые параметры, указывают на максимальные значения рабочих режимов эксплуатации. Их значения представлены в техническом описании для температуры перехода (ТП) не превышающей 25 оС:

  • постоянное напряжение между выводами: К-Э = 100 В (при RЭБ  ≤ 1 кОм); Э-Б до 5 В;
  • ток коллектора: постоянный до 3 А; импульсный до 6 А;
  • ток базы до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе (PК макс): до 25 Вт (c теплотводом);  до 1 Вт (без отвода тепла);
  • температура p-n-перехода до +150 оС;
  • диапазон рабочих температур вокруг корпуса от -60 до +150 °C.

Не рекомендуется допускать длительную эксплуатацию устройство в таких режимах. С большей долей вероятности оно просто выйдет из строя. При этом необходимо учитывать, что PК, при увеличении температуры корпуса (ТК) свыше 25 оС, уменьшается линейно на 0,002 Вт/°C с теплотоводом, и 0,0001 Вт/°C без него.

Электрические параметры

Основные электрические параметры для КТ817Г также представлены в даташит, с учетом ТПне более 25 оС. Приводятся минимальные и максимальные их значения, с учетом дополнительных условий и режимов измерения. Рассмотрим их ниже.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – зарубежный транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие импортные изделия, близкие по своим характеристикам к рассматриваемому: MJE31C, 2N5192, 2N6123, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SC1826, BD179, BD220, BD222, BD239B, BD441, BD619, BD937, TIP31C.

Ph68 bd435 транзистор

Основные характеристики транзистора:

  • Тип: NPN
  • Максимальное допустимое напряжение коллектора: 30 В
  • Максимальный ток коллектора: 500 мА
  • Максимальная мощность коллектора: 625 мВт
  • Коэффициент усиления по току: 100-800
  • Температурный диапазон эксплуатации: -55°C до +150°C

Транзистор Ph68 bd435 имеет три вывода: коллектор (C), базу (B) и эмиттер (E). Расположение выводов и пин-кодировка могут варьироваться в зависимости от производителя.

Ph68 bd435 может быть использован в различных схемах, включая усилительные схемы низкой частоты, высокочастотные усилители и схемы электронных коммутаторов.

Важно правильно подобрать режим работы транзистора и обеспечить его надлежащее охлаждение, чтобы гарантировать его надежное и стабильное функционирование

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора Маркировочная метка на срезе
боковой поверхности корпуса
Маркировочная метка
на торце корпуса
KT315A1 Треугольник зеленого цвета Точка красного цвета
KT315Б1 Треугольник зеленого цвета Точка желтого цвета
KT315В1 Треугольник зеленого цвета Точка зеленого цвета
KT315Г1 Треугольник зеленого цвета Точка голубого цвета
KT315Д1 Треугольник зеленого цвета Точка синего цвета
KT315Е1 Треугольник зеленого цвета Точка белого цвета
KT315Ж1 Треугольник зеленого цвета Две точки красного цвета
KT315И1 Треугольник зеленого цвета Две точка желтого цвета
KT315Н1 Треугольник зеленого цвета Две точки зеленого цвета
KT315Р1 Треугольник зеленого цвета Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов. 

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Модификации транзистора

Тип Pc Ucb Uce Ueb Tj Cc Ic hfe ft Корпус
C945 0.2 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3 pf 0.15 A 130 150 MHz SOT23
2SC945 0.25 W 50 V 40 V 5 V 125 °C 0.1 A 75 125 MHz TO-92
STC945 0.5 W 50 V 40 V 5 V 150 °C 2 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2PC945 0.5 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz SOT54, TO-92, SC43
2SC945-GR 0.4 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 0.15 A 200 150 MHz TO-92
2SC945-Y 0.4 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 0.15 A 120 150 MHz TO-92
2SC945L 0.25 W 50 V 40 V 5 V 125 °C 0.1 A 75 125 MHz TO-92
2SC945LT1 0.23 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2.2 pf 0.15 A 200 150 MHz SOT23
2SC945M 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 250 pf 0.15 A 90 3 MHz SOT23
2SC945O 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2.5 pf 0.15 A 70 300 MHz TO-92
2SC945P 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2.5 pf 0.15 A 200 300 MHz TO-92
2SC945R 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2.5 pf 0.15 A 40 300 MHz TO-92
2SC945T 0.25 W 50 V 40 V 5 V 125 °C 0.1 A 75 125 MHz TO-92
2SC945Y 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2.5 pf 0.15 A 120 300 MHz TO-92
BTC945A3 0.625 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 9 pf 0.2 A 135 150 MHz TO-92
C945LT1 0.2 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 0.15 A 40 150 MHz SOT23
C945T 0.4 W 60 V 50 V 5 V 125 °C 3 pf 0.15 A 70 200 MHz TO-92
CSC945 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 °C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945K 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 °C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945P 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 °C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945Q 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 °C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945R 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 °C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
FPC945 0.25 W 50 V 40 V 175 °C 5 pf 0.1 A 200 250 MHz TO-92
FTC945B 0.4 W 60 V 50 V 5 V 125 °C 3 pf 0.15 A 70 200 MHz TO-92
HSC945 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 4 pf 0.1 A 135 150 MHz TO-92
KSC945 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.15 A 40 300 MHz TO-92
KSC945G 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.15 A 200 300 MHz TO-92
KSC945L 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.15 A 350 300 MHz TO-92
KSC945O 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.15 A 70 300 MHz TO-92
KSC945R 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.15 A 40 300 MHz TO-92
KSC945Y 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.15 A 120 300 MHz TO-92
KTC945 0.625 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2 pf 0.15 A 90 300 MHz TO-92
KTC945B 0.625 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 2 pf 0.15 A 70 300 MHz TO-92

Возможности и особенности

Основные особенности и характеристики транзистора:

Тип Биполярный
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) 60 В
Максимальный ток коллектора (Ic) 3 А
Максимальная мощность потерь (Pc) 40 Вт
Тип корпуса TO-126
Температурный диапазон от -65°C до +150°C

Ph68 bd435 обеспечивает низкое входное сопротивление, что позволяет легко интегрировать его в схемы с другими компонентами. Он хорошо переключается, что делает его применимым для работы в различных режимах и частотных диапазонах.

Одна из ключевых особенностей данного транзистора — его высокая эффективность. Он обладает низкими потерями мощности и высоким коэффициентом усиления, что обеспечивает стабильную и точную работу устройств, в которых он используется.

Важно отметить, что Ph68 bd435 является энергоэффективным компонентом, что делает его идеальным для применения в современных электронных устройствах, где требуется минимизация потребления энергии. Интегрируемость и универсальность Ph68 bd435 делает его востребованным компонентом в различных сферах, включая радиоэлектронику, телекоммуникации, автомобильную электронику и многие другие

Интегрируемость и универсальность Ph68 bd435 делает его востребованным компонентом в различных сферах, включая радиоэлектронику, телекоммуникации, автомобильную электронику и многие другие.

В заключение, Ph68 bd435 — это мощный и надежный транзистор с широким спектром возможностей и высокой эффективностью. Благодаря его характеристикам и универсальности, он остается популярным выбором в мире электроники и приложений, где требуется точное и стабильное усиление сигнала.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Расчет

Конечно, приведенные формулы дают приблизительный результат, так как параметры транзисторов имеют конструктивный разброс и зависят от температуры. Но эти расчеты позволяют получить начальную точку, с которой осуществляется тонкий подбор.

[Ток отпирания, мА] = [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] / [Сопротивление R2, кОм] — [Ток управляющего электрода, мА]

Для аналога динистора ток управляющего электрода принимаем равным нулю.

[Отпирающее напряжение, В] = ([Ток отпирания, мА] + [Ток управляющего электрода, мА]) * [Сопротивление R2, кОм] + [Ток отпирания, мА] * ([Сопротивление R1, кОм] + [Сопротивление R3, кОм])

[Ток удержания, мА] = 2 * [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] / [Сопротивление R2, кОм] — [Ток управляющего электрода, мА]

[Напряжение запирания, В] = [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] + [Напряжение насыщения коллектор — эмиттер транзистора, В]

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: