Mmbt2222a(1p). параметры транзистора биполярного, высокочастотного, npn. справочник параметров транзисторов

Транзистор 2n2222: распиновка, упаковка, спецификация, эквивалент и техническое описание

Byadharsh
Обновлено 18 августа 2021 г.

2n2222

2n2222 распиновка транзистора

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток протекает через эмиттер
2	База	Управляет смещением транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор

2n2222 упаковка

Для этого транзистора 2n2222 металлическая банка TO-18 упаковка
Транзисторный корпус ТО-18 имел более высокую термостойкость.

2n2222 спецификация

NPN Транзистор BJT
Диапазон коэффициента усиления постоянного тока от 30 до 300 ч _FE
Ток коллектора (I _C ) 800 мА
Напряжение между эмиттером и базой ( В _BE) составляет 5 В
Напряжение между коллектором и эмиттером ( В _CE) составляет 30 В
Напряжение между коллектором и базой ( В _CB) составляет 60 В
Базовый ток ( I _B) не более 200 мА
Частота перехода ( F _T) составляет 250 МГц

2n2222 Описание

Транзистор 2n2222 представляет собой биполярный NPN-транзистор, максимальный коэффициент усиления по току для транзистора 2n2222 составляет 300 ч _FE, а значение коэффициента усиления по току будет определять коэффициент усиления для транзистора.
Максимальный ток коллектора на транзисторе 2n2222 800мА, именно это значение тока и является максимальным током на данном устройстве.
Максимальный ток смещения на транзисторе 2n2222 составляет 200 мА, максимально допустимое напряжение смещения на триггерном выводе.
Частота перехода транзистора 2n2222 250МГц, это максимальная частота на этой частоте.

Тинхшиновой таблицы 2N2222 Transistor

, если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, щелкните по этой ссылке

2N22222222222202222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 Equivent

.
Каждый из перечисленных здесь транзисторов, эквивалентных 2n2222, является биполярным NPN, и большинство из них являются идентичными транзисторами.

2n2222 по сравнению с BC547 по сравнению с 2n3904 по сравнению с 2n2222A

	2n2222	BC547	2n3904	2н2222А
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	2н222260в	БК54750в	2н3 в	2н2222А75в
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	2n222230	BC54735	2n3	2н2222А40
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	2н22225в	БК5476в	2н39046в	2н2222А6в
Ток коллектора (IC)	2n2222800мА	BC547100мА	2n30мА	2n2222A800мА
Рассеиваемая мощность	2n2222500МВт	BC547500 МВт	2n35МВт	2н2222А500МВт
Температура перехода (ТДж)	2n2222200°C	BC547150°C	2n30°С	2n2222A200°C
Частота перехода (FT)	2n2222250MHZ	БК547300МХЗ	2n30MHZ	2n2222A300MHZ
Шум (Н)	2n22224дб	BC5475db	2n3дб	2н2222А4дб
Коэффициент усиления (hFE)	2n222230 – 300 фЭ	BC547110 – 800 фЭ	2n3 – 300 фЭ	2н2222А35 – 300 фЭ
Пакет	2н2222ТО-18	БК547ТО-92	2н3904ТО-92	2н2222АТО-92 ТО18 ТО39

2n2222 Применение

Это самый популярный тип транзисторов общего назначения, используемых в электронике.
Приложения с низким энергопотреблением
Предусилитель
Цепи драйвера двигателя
Цепи инвертора
Цепи усилителя
Цепи переключения
Цепи датчиков

Транзистор 2n2222 в качестве переключателя

Схема показывает транзистор 2n2222 в качестве переключателя, поскольку мы можем видеть входной резистор, используемый для управления транзистором, и другой резистор для управления светодиодом.
Когда переключатель замыкается, транзистор начинает работать, а интервал включения и выключения светодиода регулируется номиналом резистора.

Транзистор 2n2222 в качестве усилителя

На рисунке показана схема усилителя на транзисторе 2n2222.
Общий эмиттер — это конфигурация транзистора, это лучшая схема усилителя напряжения с использованием транзистора NPN 2n2222
Этот конкретный образец имел более высокий коэффициент усиления из-за конфигурации транзистора.

Почтовые теги:
#транзистор

Транзистор 2SC5171: аналог, цоколевка, спецификация, корпус, даташит

Бьядхарш 21 апреля 2022 г.

Транзистор 2SC5171 Спецификация транзистора 2SC5171 2SC5171 — усилитель мощности NPN-транзистор Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 180 В Напряжение между коллектором и базой составляет 180 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Коллектор…

Подробнее Транзистор 2SC5171: эквивалент, распиновка, спецификация, корпус, техническое описаниеПродолжить

BC817: цоколевка, аналог, спецификация, даташит

Бьядхарш 10 октября 2022 г.

Транзистор BC817 Спецификация BC817 BC817 представляет собой SMD-транзистор общего назначения NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 45 В Напряжение между коллектором и базой составляет 50 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Коллектор…

Подробнее Транзистор BC817: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

полевые;
биполярные;
комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).


Оба транзистора непроводящие	Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:


Заряд, накопленный после отключения тока	Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

снятие с насыщения и засорения Т1,
ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.