Отечественные и зарубежные аналоги
Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.
При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).
Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009.
Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.
В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.
Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:
Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.
Ток или поле, управление транзисторами
Большинству людей, так или иначе имеющими дело с электроникой, принципиальное устройство полевых и биполярных транзисторов должно быть известно. По крайней мере, из названия «полевой транзистор», очевидно, что управляется он полем, электрическим полем затвора, в то время как биполярный транзистор управляется током базы.
Ток и поле, различие здесь кардинальное. У биполярных транзисторов управление током коллектора осуществляется путем изменения управляющего тока базы, в то время как для управления током стока полевого транзистора, достаточно изменить приложенное между затвором и истоком напряжение, и не нужен уже никакой управляющий ток как таковой.
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение | Норма | Температура, °С | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Обратный ток коллектора (UКБ=10 В), мкА | ||||||||||||||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (IЭ=1 мА, UКБ=10 В) | ||||||||||||||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (RБЭ=10 кОм UКЭ=25 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=20 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=40 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=35 В), мА |
||||||||||||||||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 10 В, IЭ= 5 мА, f = 100 МГц) | ||||||||||||||||||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (IЭ= 5 мА, UКБ=10 В, f=5 МГц), пс |
В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:
где Jp – рабочий ток коллектора, мА;tн – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.
Транзистор c2026: характеристики, применение, особенности
Транзистор c2026 имеет следующие основные характеристики:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Tип транзистора | p-n-p |
| Максимальное коллекторное напряжение (Vceo) | 60 В |
| Максимальный коллекторный ток (Ic) | 500 мА |
| Максимальная мощность потери (Pd) | 400 мВт |
| Максимальная рабочая частота (f) | 100 МГц |
Транзистор c2026 обладает низким входным и выходным сопротивлением, что позволяет использовать его в различных усилительных схемах. Он также способен работать в широком диапазоне температур, что делает его идеальным для применения в условиях экстремальных температурных воздействий.
Этот транзистор используется во множестве устройств, включая радиостанции, сигнальные усилители, коммуникационные системы и другие аппаратные средства. Он применяется для усиления и коммутации сигналов, а также в цепях постоянного и переменного тока.
Одной из главных особенностей транзистора c2026 является его надежность и долговечность. Он имеет высокую степень защиты от перегрева и высокую стабильность параметров в течение длительного времени. Благодаря этим особенностям, транзистор c2026 может быть успешно использован в широком спектре электронных устройств и систем.
Транзистор c2026: характеристики, параметры, технические данные
Характеристики транзистора c2026:
- Напряжение коллектора (VCE): 50 В
- Ток коллектора (IC): 0.05 А
- Мощность (P): 0.3 Вт
- Температурный диапазон (Tj): -55°C до +150°C
Параметры транзистора c2026:
- Ток усиления по току (hFE): от 60 до 200
- Сопротивление база-эмиттер (RBE): 10 Ом
- Ток утечки (ICBO): 0.1 мкА
- Коэффициент усиления напряжения (hfe): от 60 до 300
- Емкость коллектор-база (Ccb): 2 пФ
Технические данные транзистора c2026:
- Тип корпуса: TO-92
- Тип конфигурации: однополярный
- Материал корпуса: пластик
- Монтажная поверхность: радиальный
- Производитель: неизвестно
Транзистор c2026 является надежным и доступным элементом, который широко применяется в электронных схемах. Он может использоваться во многих различных приложениях, где требуется усиление или коммутация сигналов. Благодаря своим характеристикам и параметрам, транзистор c2026 может быть полезным компонентом в разработке электронных устройств.
Транзистор c2026: функция, принцип действия, структура
Принцип действия транзистора c2026 основан на двухуровневой системе управления током: малый ток управления влияет на большой рабочий ток. Структура транзистора состоит из трех областей: базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C). База контролирует рабочий ток, пропуская или блокируя его поток через эмиттер и коллектор.
Эмиттер обеспечивает постоянное сопротивление для электронного тока, пропорциональное контролирующему напряжению, а коллектор собирает основной ток, протекающий через базу и эмиттер. Такое устройство обеспечивает усиление сигналов в схемах усилителей и позволяет коммутировать большие токи без потерь искажений сигнала.
Транзистор c2026 был разработан для использования во множестве электронных устройств, включая радиотехническое, телекоммуникационное и компьютерное оборудование. Он имеет довольно высокие характеристики, такие как низкое сопротивление базы, низкое напряжение насыщения и высокий рабочий ток.
В итоге, транзистор c2026 является важным элементом электронных схем и позволяет управлять током и напряжением для достижения нужных эффектов усиления или коммутации в электронных устройствах.
Fehler 404
Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote
Sprache
Верунг
Preise
нетто
брутто
брутто
Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:
Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе
или zurück zu:
Дом
Abonnieren Sie jetzt
В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
* Pflichtfeld
AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten
больше
Венигер
Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME
AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten
Daten werden verarbeitet
Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.
Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.
Логин
Пароль
Логин и пароль заранее.
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
BD241-S Транзисторы — биполярные — одиночные, TRANS NPN 45V 3A, Bourns Inc.
Назад
Гарантия на продукцию
Даем год гарантии на BD241-S. Транзисторы — биполярные — одиночные производства Bourns Inc. доступны для заказа в нашей компании.
Транзисторы — биполярные — одиночные BD241-S купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.
Похожие товары
TIP102
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
400 шт.
2259 шт.
от 49 ₽
Подробнее
TIP117 PBFREE
Central Semiconductor Corp
TRANS NPN 100V TO220
400 шт.
366 шт.
от 102 ₽
Подробнее
TIP29C
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
400 шт.
937 шт.
от 33 ₽
Подробнее
TIP3055
Central Semiconductor Corp
TRANS GENERAL PURPOSE TO-218
100 шт.
2868 шт.
от 90 ₽
Подробнее
TIP31C
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR
400 шт.
3448 шт.
от 46 ₽
Подробнее
TIP35C
Central Semiconductor Corp
TRANS GENERAL PURPOSE TO-218
100 шт.
1638 шт.
от 128 ₽
Подробнее
TIP42A
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
400 шт.
937 шт.
от 48 ₽
Подробнее
2N3906-G
Comchip Technology
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
10,000 шт.
21278 шт.
от 6.5 ₽
Подробнее
BC856B-HF
TRANS PNP 65V 100A SOT23
1 шт.
2882 шт.
от 6 ₽
Подробнее
BC857A-HF
Comchip Technology
TRANS PNP 45V 100MA SOT23
3,000 шт.
5689 шт.
от 7.3 ₽
Подробнее
BC857AW-G
Comchip Technology
TRANS PNP 45V 100MA SOT323
3,000 шт.
4757 шт.
от 6.1 ₽
Подробнее
BC857BW-G
Comchip Technology
TRANS PNP 45V 100MA SOT323
1 шт.
2559 шт.
от 5.4 ₽
Подробнее
Смотреть все
Предложите свои условия на «BD241-S»
Цена, ₽
Количество
Срок поставки (рабочих дней)
Ваша почта (сюда мы ответим)
Нажимая на кнопку «Сделать предложение», Вы
принимаете
условия пользовательского соглашения.
Маркировка
С 1981 г. начали использовать сокращённое цветовое обозначение (по ГОСТ 24709-81). На торце рассматриваемой серии, с помощью специальной эмали, наносились серая точка. Аналогичным образом, согласно цветовому ряду, в верхней части корпуса была метка, которая указывала на принадлежность к группе коэффициента усиления по току (от А до М). Год выпуска, при этом, можно было узнать только на вкладыше упаковки и на этикетке от завода-изготовителя.
В последующем требования к маркировке снова изменились. Примерно с 1986 г. на предприятиях стали использовать более продвинутые и наглядные цвето-буквенные коды. Примеры различной маркировки представлены на изображении ниже.
В настоящее время (начиная с 2000 г.) на корпусе современного транзистора наносится полное цифро-буквенное наименование (иногда без первых букв «КТ»).
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | ≥ 10 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| КТ834А | 100 | 500 | 400 | 8 | 15 | 150 | 150 | 1,5 | — / — / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 10 — 100 | 0,6 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840Б | 750 | 350 | ||||||||
| КТ840В | 860 | 375 | ||||||||
| КТ847 | 125 | 650 | 650 | 8 | 15 | 200 | 8 — 25 | 1,5 | — / 3,0 / 1,5 | ТО-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | — | 5 | 10 | — | 10 — 60 | 1,5 | — / — / 0,5 | — |
| 2Т856Б | 750 | |||||||||
| 2Т856В | 550 | |||||||||
| 2Т856Г | 850 | |||||||||
| КТ862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | — |
| КТ862Г | 400 | |||||||||
| 2Т862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | — |
| 2Т862Г | 400 | |||||||||
| КТ872А | 100 | — | 700 | 6 | 8 | 150 | 6 | 1 | — / 6,7 / 0,8 | ТО-218 |
| КТ872В | 600 | |||||||||
| КТ878А | 100 | — | 900 | 6 | 25 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | — / 3,0 / — | ТО-3 |
| КТ878В | 600 | |||||||||
| КТ890А/Б/В | 120 | 350 | 350 | 5 | 20 | 150 | 300 | 1,6 | — | ТО-218 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| 2SC2626 | 80 | 450 | 300 | 7 | 15 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,2 | 0,8 / 2,0 / 0,8 | TO-218 |
| 2SC3318 | 80 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 45 | 1,55 | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3320 | 80 | 500 | 400 | 7 | 15 | 150 | > 30 | — | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3847 | 85 | 1200 | 800 | 7 | 10 | 150 | > 100 | — | 1,5 | 0,5 / 3,5 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC4138 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 45 | — | 0,5 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4275 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 120 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4276 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 30 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4298 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 55 | — | 1,3 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4509 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4510 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 25 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4557 | 80 | 900 | 550 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 0,5 | 1,0 / 5,0 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 0,5 / 3,0 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC5352 | 80 | 600 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 20 | — | 1 | 0,5 / 2,0 / 0,3 | TO-3PN |
| 2SC5924 | 90 | 900 | 600 | — | 14 | > 10 | — | — | — / — / — | TO-3PF | |
| KSC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3P |
| MJE13009K/P | 80 | 700 | 400 | 9 | 12 | 150 | > 40 | 1,55 | 1,5 | 1,0 / 3,0 / 0,7 | TO-3P TO-220 |
| MJE13011 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 1,5 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-220/F TO-3P |
| T25 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | — | > 30 | — | — | — / — / — | TO-3PN |
| TT2148 | 80 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | > 20 | — | 0,8 | 0,5 / 2,5 / 0,3 | TO-3PB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
