Характеристики транзистора кт825г

Устройство и принцип действия

Рис.2: Планарный биполярный n-p-n транзистор в поперечном разрезе

Самые первые модели биполярных транзисторов выполнялись с применением металлического германия (полупроводниковый материал). На данный момент для этих целей используется монокристаллический кремний и монокристаллический арсенид галлия.

Рис.3: Монокристаллы кремния и арсенида галлия

Наиболее быстродействующими устройствами являются те, в которых задействован арсенид галлия. По этой причине их наиболее часто применяют как элементы сверхбыстродействующих логических схем и схем сверхвысокочастотных усилителей.

Как уже говорилось выше, структура биполярного транзистора складывается из эмиттерного, базового и коллекторного слоёв с различным уровнем легированности, и каждый слой соединён со своим электродом, представленный омическим (невыпрямляющим) контактом.

Слаболегированный базовый слой транзистора отличается большим уровнем омического сопротивления.

При соотнесении контактов эмиттер-база и коллектор-база можно отметить, что первый уступает по размерам второму.

Подобная конструкция обусловлена следующими моментами:

• Большой коллекторно-базовый переход позволяет увеличить количество передаваемых от базы к коллектору неосновных носителей заряда (ННЗ);
• На момент активной работы К-Б-переход функционирует в условиях обратного смещения, что вызывает сильное тепловыделение в зоне коллекторного перехода, поэтому, чтобы улучшить его теплоотводность приходится увеличивать площадь.

Таким образом «идеальный» симметричный биполярный транзистор фигурирует только в теоретических выкладках, а перенос теорию на практическую базу демонстрирует, что наибольшим КПД обладают именно те модели, которые не обладают симметрией.

В режиме активного усиления в транзисторе происходит прямое смещение Э-перехода (он становится открытым), и обратное смещение К-перехода (он становится закрытым). В противоположной ситуации, при закрытии Э-перехода и открытии К-перехода происходит инверсное включение биполярного транзистора.

Если подробнее рассматривать процесс функционирования транзисторов n-p-n типа, то в первую очередь наблюдается переход основных НЗ (носителей заряда) из эмиттерного слоя по Э-Б-переходу в базовый слой. Часть НЗ, представленных электронами взаимодействует с дырками базы, что приводит к нейтрализации обоих зарядов и сопутствующему выделению энергии. Тем не менее, базовый слой достаточно тонок и легирован достаточно слабо, это увеличивает общее время процесса взаимодействия, поэтому гораздо большее количество эмиттерных НЗ успевает проникнуть в коллекторный слой. Кроме того, сказывается действие силы электрического поля, образуемого смещённым коллекторным переходом. Благодаря этой силе значительно увеличивается количество перетягиваемых из базового слоя электронов.

В  результате, значение коллекторного тока практически равняется эмиттерному за вычетом потерь в базовом слое, которыми и исчисляется ток самой базы. Для вычисления значения коллекторного тока используется формула:

Iк = αIэ,

где Iк – коллекторный ток, Iэ – эмиттеный ток, α– коэффициент передачи тока эмиттера.

Спектр значений коэффициента α варьируется от 0,9 до 0,99. Большие значения позволяют производить более эффективную трансляцию тока транзистором. Величина α при этом не определяется тем, какое напряжение демонстрируют К-Б и Б-Э переходы. Как результат, в условиях множества вариантов рабочего напряжения сохраняется пропорциональное соотношение между Iк и Iб. Для нахождения коэффициента данной пропорциональности применяется формула:

β = α/(1 − α).

Значения β  могут находиться в диапазоне 10-100. Отсюда можно сделать вывод о том, что для регуляции работы большого коллекторного тока, вполне можно обходиться током малой силы на базе.

Транзистор КТ835Г: особенности и характеристики

Одной из особенностей транзистора КТ835Г является его низкое потребление энергии, что позволяет использовать его в схемах с малым напряжением питания. Благодаря этому, данный транзистор находит свое применение в многих устройствах, требующих низкого энергопотребления, таких как датчики, пульты управления и прочие низкомощные устройства.

КТ835Г обладает хорошими ключевыми характеристиками, такими как низкий сопротивление при открытом состоянии (R_DS) и высокая токовая нагрузка (I_D). Благодаря этому, данный транзистор может быть использован в устройствах с высокой производительностью, таких как усилители мощности, импульсные источники питания и т.д.

Транзистор КТ835Г также обладает низким откликом на электромагнитные помехи, что позволяет использовать его в устройствах, работающих в шумных окружениях. Кроме того, данный транзистор имеет низкую чувствительность к температурным изменениям, что делает его стабильным и надежным в различных условиях эксплуатации.

Основные характеристики транзистора КТ835Г:

• Тип: биполярный полевой транзистор;
• Максимальное напряжение прямого смещения коллектор-эмиттер (U_CEO): 30 В;
• Максимальный коллекторный ток (I_C): 100 мА;
• Максимальная температура перераспределения тока (T_jmax): 150°C;
• Сопротивление при открытом состоянии (R_DS): 5 Ом;
• Максимальная мощность (P_D): 350 мВт.

Транзистор КТ835Г является интересным и перспективным компонентом для различных электронных устройств. Его высокие характеристики, надежность и стабильность придадут устройству производительность и долговечность.

Основные параметры

Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h_21Э  от 10 до 150).

Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (Т_К) у них не должен превышать  +100 oС, а перехода (Т_П) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h_21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h_21Э (он же H_FE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h_21Э по даташит составляет 150_,  а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E»,  «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э  и напряжением насыщения

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (U_КЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (I_КБO до 0,15 мА)  и высоким  h_21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».

Аналоги

Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:

• КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
• КТ837Б — BD302, KT818Б;
• КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
• КТ837Д — 2N6111;
• КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
• КТ837Е — BD277;
• КТ837К — TIP127, КТ8115А;
• КТ837Н — 2N6107, BD223;
• КТ837Ф — 2N6106, BD224;
• КТ837Х — NTE197.

Характеристики

Максимальные характеристики КТ825Г:

• Uбэоmax — напряжение пробоя база-эмиттер =5 В;
• Iкmax — постоянный максимальный ток коллектора =20 А;
• Iкиmax — импульсный максимальный ток коллектора =40 А;
• Rэкнас — сопротивление насыщения эмиттер-коллектор не более =0,4 Ома
• Uкэmax длительное (при R_БЭ = 1000 Ом и U_ЭБ = 1,5 В) =90 В;
• Iбmax длительно возможный протекающий ток базы =500 mА.

Электрические характеристики

При работе на предельной температуре коэффициент передачи тока максимальный. Предел частоты работы ограничен собственной емкостью pn перехода составного транзистора.

Значения параметров при температуре pn перехода Тп=25°С
UэКнас (напряжение насыщения между эмиттером и коллектором транзистора)	В	<2
h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А	Тк=25°С	750÷18000;
h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А	Т=Тк макс	600÷25000
h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А	Тк=-60°С	150÷18000
f гp — граничная частота коэффициента передачи тока	МГц	<4
СК — емкость коллекторного перехода UКБ=10В	пФ	min 350 пФ max 600 пФ
СЭ — емкость эмиттерного перехода UЭБ=5В	пФ	min 450 пФ max 350 пФ
Время включения	мкс	1
Время выключения	мкс	4,5
Напряжение насыщения Uкэ	Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА	2 3
Напряжение насыщения Uбэ	Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА	3 4

Тепловые и другие параметры

Металлостеклянный корпус КТ825Г обеспечивает рассеяние тепловыделения в работе до 3 Вт без радиатора и до 125 Вт с радиатором охлаждения.

РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.	Вт	3
РК т max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.	Вт	125
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.	°С	-40 ÷+100
TП max максимально допустимая температура перехода	°С	150
fгр граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	МГц	4
Масса транзистора в металле не более	грамм	20

Комплементарной парой (транзистором сходным по абсолютным значениям параметров, но имеющим другой тип проводимости) для КТ825Г является КТ827Г с npn структурой.

Как выбрать Кт853а транзистор

При выборе Кт853а транзистора необходимо обратить внимание на ряд технических параметров, которые будут определять его характеристики и применение. Вот некоторые важные критерии для выбора:

Тип транзистора: Кт853а является пассивным элементом электроники и относится к биполярным транзисторам

При выборе необходимо убедиться, что этот тип транзистора соответствует требованиям вашей цепи.
Номинальные характеристики: Важно учесть номинальные значения напряжения, тока и мощности, которыми должен оперировать Кт853а транзистор
Эти параметры указываются в технической документации и должны соответствовать требованиям вашего проекта.
Производительность: При выборе транзистора также следует обратить внимание на его производительность. Это может включать параметры, такие как скорость коммутации, частотные характеристики и температурный диапазон работы
Важно выбрать такой транзистор, который удовлетворяет требованиям вашего приложения.
Надежность и доступность: Также стоит обратить внимание на надежность и доступность выбранного транзистора

Проверьте, что он производится известным и надежным производителем, и что его можно легко приобрести.

Учитывая эти критерии, вы сможете выбрать Кт853а транзистор, который лучше всего подойдет для вашего проекта

Важно быть внимательным к техническим характеристикам и требованиям вашей цепи, чтобы избежать непредвиденных проблем и обеспечить успешное функционирование вашего устройства

Особенности транзистора Кт853а

• Высокая рабочая частота — большой коэффициент усиления и малый переключающий обдавленный коэффициент, что позволяет использовать его в быстродействующих устройствах.
• Низкое уровень шума — малый уровень шума при работе на высоких частотах, что делает его предпочтительным выбором для усилителей сигнала в радиоэлектронике.
• Стабильность работы — транзистор Кт853а имеет высокую стабильность параметров работы при различных температурах и нагрузках, что обеспечивает надежность его функционирования.
• Малые габариты — компактный размер и небольшой вес позволяют установить транзистор Кт853а в ограниченных пространствах и сделать его мобильным устройством.
• Высокая мощность — способность выдерживать большие токи и напряжения позволяет использовать транзистор Кт853а в высокомощных электронных схемах.
• Долгий срок службы — высокая надежность и долговечность работы позволяют использовать транзистор Кт853а в условиях, требующих длительной эксплуатации.

Все эти особенности делают транзистор Кт853а привлекательным выбором для использования в различных радиоэлектронных устройствах.

Габариты транзистора КТ315

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1). Транзисторы КТ315 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315

Технические параметры Кт853а транзистора

Основные технические параметры Кт853а:

• Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (U_кэ): 55 В
• Максимальное значение коллекторного тока (I_к): 5 А
• Максимальная мощность потери в покое (P_к): 30 Вт
• Среднее прямое коллекторно-эмиттерное напряжение (U_кэ): 10 В
• Ток базы (I_б): 1 А
• Коэффициент усиления по току (h_21е): 35-200
• Тепловое сопротивление от перехода к корпусу (R_пк-к): 3 К/Вт
• Температурный диапазон эксплуатации: от -60°С до +150°С

Кт853а транзистор является надежным и широко применяемым элементом в радиоэлектронике. Он может использоваться для усиления сигналов малой мощности, управления мощными нагрузками и других функций в различных устройствах.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Кт853а транзистор: особенности и характеристики

Особенности транзистора Кт853а:

• Тип: NPN;
• Максимальное напряжение коллектора: 400 В;
• Максимальный ток коллектора: 3 А;
• Максимальная мощность потерь: 1 Вт;
• Граничная рабочая частота: до 90 МГц;
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C;
• Усиление: от 40 до 80;
• Корпус: TO-39 (металл-стеклокерамический);

Транзистор Кт853а характеризуется высокой надежностью, долгой эксплуатационной жизнью и устойчивостью к воздействиям окружающей среды. Он обладает низким уровнем шума и достаточно высокими электрическими параметрами, что делает его привлекательным для различных применений.

Он имеет одинаковое название как в Зарубежной так и Внутригосударственной номенклатуре: БТВ68-50(КТ853А)

КТ315

КТ315А	КТ315Б	КТ315В	КТ315Г	КТ315Д	КТ315Е

КТ315Ж	КТ315И	КТ315Л	КТ315М	КТ315Н	КТ315Р

Первые выпуски были только до буквы Г.
Отставить «до буквы Г», нашелся и
ранний КТ315Ж! это тем страньше, что в старых
справочниках и паспортах такой буквы еще нету…

А были среди ранних и вообще без буквы, с одной лишь точкой:

В новом веке выпуск этих транзисторов продолжается.
Более того — у белорусов появился новый вариант КТ315_1, в корпусе ТО-92;
заводские паспорта от них, версия 1, версия 2
и версия 3.

Вот очень интересные образчики, из 70-х годов.
Надо полагать, буква Э обозначает экспортное назначение транзистора,
а Т — тропическое исполнение:

Интересный момент, их рассматривали и для военного применения:

Особенности маркировки — на корпусе указывается либо полное название транзистора, либо только буква (при этом она сдвинута к левому краю корпуса). Товарный знак завода может отсутствовать. Дата выпуска ставится в цифровом, либо в кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки является отличительным знаком транзисторов, предназначенных для цветного телевидения.

Но! старые транзисторы маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а в 1971 году (примерно) перешли на привычную двухстрочную: впрочем, возможны разночтения, поскольку одной большой буквой посередине маркировали и …

Данные из отраслевого каталога
на них.

Поговорим о различиях. Ну, разбраковка по буквам в зависимости от
максимально допустимого напряжения и коэффициента усиления — это понятно. Но помимо этого:
— КТ315Ж отбирается по времени рассасывания
— КТ315И первоначально предназначались для работы в цепях коммутации сегментов
вакуумных люминесцентных индикаторов
— КТ315Н предназначены для применения только в цветном телевидении;
при этом «транзистор КТ315Н по высшей
категории качества не аттестован»
— КТ315Р проходят электротермотренировку и предназначены для применения только
в видеомагнитофонах «Электроника-ВМ».

Update 30.08.2008 А вот и паспорт от них подоспел. Качество, конечно, удручает, но
это копия с копии…

Копить так копить… Вот еще, варианты от Кварцита
раз,
два
и три,
Нальчикского ЗПП раз и
два;
Электронприбора и
квазаровские,
постарше и
посвежее
(при этом в старом приведены почему-то только два типа — КТ315Д и КТ315Е).

История создания

Цитата из переписки:

Серийное производство транзисторов было осуществлено на
Фрязинском заводе. К выполнению этой комплексной работы был привлечён ряд
предприятий отрасли, разработка собственно транзистора проводилась в
НИИ «Пульсар» под руководством Абрама Иосифовича Гольдшера
(доктор технических наук, ныне, увы, покойный).

В 1973 году эта работа была удостоена Государственной премии СССР
«за разработку технологии, конструкции, материалов,
высокопроизводительного сборочного оборудования, организацию массового
производства высокочастотных транзисторов в пластмассовом корпусе для
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения».»

Кстати — это была первая открытая (не засекреченная) премия по линии МЭП…

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.