Part details for mj4035 by stmicroelectronics

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Биполярный транзистор MJ4035 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJ4035

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000

Корпус транзистора:

MJ4035
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  st mj4032 mj4035.pdf

MJ4032MJ4035COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS 1 GENERAL PURPOSE SWITCHING 2 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS DESCRIPTION TO-3The MJ4035 is silicon epitaxial-base NPN powertransistor in mon

 0.1. Size:215K  comset mj4030-mj4031-mj4032-mj4033-mj4034-mj4035.pdf

MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TRANSISTORS For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. High DC current Gain hFE=3500 (Typ) @ IC=10 Adc Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor The MJ4030/31/32 ares the transistors NPN The complementary PNP types are t

 9.1. Size:116K  inchange semiconductor mj4033 4034 4035.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJ4033/4034/4035 DESCRIPTION With TO-3 package Respectively complement to type MJ4030/4031/4032 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 si

 9.2. Size:199K  inchange semiconductor mj4030.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor MJ4030 DESCRIPTION With TO-3 package Respectively complement to type MJ4035 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONSFor use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO

 9.3. Size:199K  inchange semiconductor mj4031.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor MJ4031 DESCRIPTION With TO-3 package Respectively complement to type MJ4034 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONSFor use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO

 9.4. Size:199K  inchange semiconductor mj4032.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor MJ4032 DESCRIPTION With TO-3 package Respectively complement to type MJ4035 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONSFor use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO

Другие транзисторы… MJ4001
, MJ4010
, MJ4011
, MJ4030
, MJ4031
, MJ4032
, MJ4033
, MJ4034
, TIP41
, MJ410
, MJ4101
, MJ411
, MJ413
, MJ420
, MJ4200
, MJ4201
, MJ420S
.

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
MJ2955	Complementary Power Transistors	Multicomp
MJ2955	PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)	Wing Shing Computer Components
MJ2955	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	ST Microelectronics
MJ2955	15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS	Motorola Semiconductors

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск

Зарубежные прототипы

• КТ815Б — BD135
• КТ815В — BD137
• КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные
низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях
низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи
тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А.

Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без
теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при
напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при
напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при
напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при
напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на
частоте 1МГц — не более

— 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в

— 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Почему мы используем транзистор Дарлингтона?

Как известно, для перевода транзистора в режим проводимости требуется небольшой базовый ток в схеме с общим эмиттером. Иногда этого малого тока базы (коэффициент усиления по току) может быть недостаточно, чтобы перевести транзистор в состояние проводимости.

Коэффициент усиления по току или бета транзистора — это отношение тока коллектора к току базы.

Блок питания 0…30 В / 3A
Набор для сборки регулируемого блока питания…

Подробнее

Коэффициент усиления транзистора или коэффициент усиления по току (β) = ток нагрузки или коллектора / входной или базовый ток.

Ток нагрузки = коэффициент усиления по току (β) × базовый ток

Для обычного транзистора значение β составляет примерно 100. Приведенное выше соотношение говорит о том, что ток нагрузки превышает в 100 раз базовый ток транзистора.

Рассмотрим схематичный рисунок, приведенный ниже. Здесь транзистор с переменным резистором, подключенным между источником питания и базой транзистора, используется для изменения яркости лампы.

В этой схеме базовый ток является единственным фактором, который определяет ток, протекающий через коллектор — эмиттер. Таким образом, изменяя сопротивление переменного резистора, можно добиться изменения яркости свечения лампы.

Если значение сопротивления переменного резистора больше, то базовый ток уменьшается — транзистор выключается. Когда сопротивление слишком мало, достаточное количество тока будет протекать через базу, что приведет к увеличению тока коллектор-эмиттер, соответственно лампа будет светить ярче. Это усиление тока в транзисторе.

В приведенном выше примере мы видели управление нагрузкой (лампой) с использованием одного транзистора. Но в некоторых схемах входной базовый ток от источника может быть недостаточным для управления нагрузкой. Мы знаем, что величина тока, протекающего через коллектор-эмиттер, является произведением тока базы и коэффициента усиления транзистора.

Поскольку увеличение тока от источника невозможно, единственный способ увеличить ток нагрузки — это увеличить коэффициент усиления транзистора. Но для каждого транзистора это постоянный коэффициент. Однако мы можем увеличить усиление, используя комбинацию из двух транзисторов. Эта конфигурация называется конфигурацией Дарлингтона.

Транзистор Дарлингтона представляет собой соединение двух транзисторов определенным образом. Пара биполярных транзисторов обеспечивает очень высокое усиление тока по сравнению с одним стандартным транзистором, как упомянуто выше.

Пара этих транзисторов может быть PNP или NP. На рисунке ниже показана конфигурация пары Дарлингтона с NPN, а также с транзисторами PNP.

In Stock : 40

Please send RFQ , we will respond immediately.

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

• Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
• Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
• Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
  • IRF3704ZPBF
  • IRLB8743PBF
  • IRL2203NPBF
  • IRLB8748PBF
  • IRL8113PBF

Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы транзистора ГТ308А.

Обозначение
H21э	Uкб=-1 В; Iэ=10 мА; f=50 Гц   qокр=25 °С qокр=70 °С qокр= -60 °С	20…75       20…200 ³ 15
H21э	Uкб=-5 В;  Iэ=5 мА; f=20 МГц	³ 4.5
Ikб0,    МкА	-60 °С £qокр £ 25 °С Uкб= -5 В; Uкб= -15 В; qокр=70 °С; Uкб= — 10 В;	£ 2 £ 5 £ 90
Iэб0, МкА	Uбэ= -2 В Uбэ= -3 В Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=20 МГц;	£ 50 £1000 ³4.5
Кш,дБ	Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=1.6 МГц;	—
Uкэ0.н,    В	Iк=50 мА; Iб= 3 мА	— 1.5
Uбэ.н,В	Iк=10 мА; Iб=1 мА;	— 0.5
Uкб0. Max,В	qокр £ 45 °С	-20
Ск,пФ	Uкб= -5 В; f=5 МГц;	£ 8
Сэ,пФ	Uэб= -1 В; f=5 МГц;	£ 25
tрас.мкc	Iк=50 мА; Iб=4 мА; tи= 5 мкс; f=1..10 МГц;	£ 1
tк, пс	Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=5 МГц;	400

*KURSOVOY PROEKT PO OKPRTU*

* SHPAK  gr.940103*

R1 2 3 22K

R2 2 0 22K

R3 3 4 3K

R4 5 0 2K

R5 5 7 2K

R6 3 6 510

R7 8 10 1K

R8 9 0 270

R9 3 10 62K

R10 10 0 20K

R11 3 11 310

R12 12 0 170

R13 13 0 22K

.param k=1

.step param k list
0.8 2 5

C1 1 2 5.0UF

C2 6 0 10UF

C3 7 8 5.0UF

C4 8 9 {K*160PF}

C5 9 10 {K*160PF}

*C6 3 O 10UF

C7 11 13 10UF  

Q1 4 2 5 KT315a

Q2 7 4 6 KT361a

Q3 11 10 12 KT315a

.model KT315a NPN

.model KT361a PNP

VS 3 0 DC 12V

VIN 1 0 AC 0.01

.AC DEC 50 1khz
500MEGHZ

.DC VS 0.5 20.5 5

.Tran 0.5us 4us

.Four 84KHZ v(13)

.PROBE

.PRINT AC V(13)

.END

BJT MODEL
PARAMETERS

KT315a          KT361a         

NPN             PNP            

IS  
100.000000E-18  100.000000E-18

BF  
100             100           

NF     1              
1           

BR    
1               1           

NR    
1               1           

SMALL SIGNAL
BIAS SOLUTION       TEMPERATURE =   27.000 DEG C  

NODE  
VOLTAGE                                                           NODE  
VOLTAGE

(1)         
0.0000

(2)         
5.9318

(3)       12.0000

(4)      
10.1990     

(5)         
5.1700

(6)       
10.9910

(7)         
9.0879

(8)         
1.9415     

(9)         
0.0000

(10)       
1.9415

(11)        9.9800

(12)       
1.1188     

(13 )       
0.0000

HARMONIC  
FREQUENCY    FOURIER    NORMALIZED    PHASE        NORMALIZED

NO        
(HZ)     COMPONENT    COMPONENT    (DEG)       PHASE (DEG)

1    
8.400E+04    9.788E-10    1.000E+00   -1.522E+02    0.000E+00

2    
1.680E+05    5.114E-10    5.225E-01    1.452E+02    2.974E+02

3    
2.520E+05    3.349E-11    3.422E-02    7.207E+01    2.243E+02

4    
3.360E+05    2.251E-10    2.300E-01   -1.576E+02   -5.391E+00

5     4.200E+05   
2.044E-10    2.088E-01    1.381E+02    2.903E+02

6    
5.040E+05    3.083E-11    3.150E-02    5.564E+01    2.079E+02

7    
5.880E+05    1.164E-10    1.190E-01   -1.604E+02   -8.126E+00

8    
6.720E+05    1.236E-10    1.263E-01    1.320E+02    2.842E+02

9    
7.560E+05    2.746E-11    2.805E-02    4.143E+01    1.937E+02

HARMONIC  
FREQUENCY    FOURIER    NORMALIZED    PHASE        NORMALIZED

NO        
(HZ)     COMPONENT    COMPONENT    (DEG)       PHASE (DEG)

1    
8.400E+04    9.539E-10    1.000E+00   -1.545E+02    0.000E+00

2    
1.680E+05    5.184E-10    5.435E-01    1.395E+02    2.939E+02

3    
2.520E+05    7.710E-11    8.082E-02    4.980E+01    2.043E+02

4    
3.360E+05    1.862E-10    1.952E-01   -1.568E+02   -2.275E+00

5    
4.200E+05    1.839E-10    1.928E-01    1.294E+02    2.839E+02

6    
5.040E+05    5.561E-11    5.830E-02    2.306E+01    1.775E+02

7    
5.880E+05    9.593E-11    1.006E-01   -1.493E+02    5.203E+00

8     6.720E+05   
1.003E-10    1.052E-01    1.266E+02    2.811E+02

9    
7.560E+05    4.096E-11    4.295E-02    5.142E+00    1.596E+02

HARMONIC  
FREQUENCY    FOURIER    NORMALIZED    PHASE        NORMALIZED

NO        
(HZ)     COMPONENT    COMPONENT    (DEG)       PHASE (DEG)

1    
8.400E+04    8.378E-10    1.000E+00   -1.573E+02    0.000E+00

2    
1.680E+05    4.557E-10    5.439E-01    1.307E+02    2.880E+02

3    
2.520E+05    1.170E-10    1.396E-01    1.536E+01    1.727E+02

4    
3.360E+05    1.705E-10    2.035E-01   -1.402E+02    1.710E+01

5    
4.200E+05    1.384E-10    1.652E-01    1.326E+02    2.899E+02

6    
5.040E+05    6.087E-11    7.265E-02   -1.418E+01    1.431E+02

7    
5.880E+05    1.138E-10    1.359E-01   -1.355E+02    2.186E+01

8    
6.720E+05    8.210E-11    9.799E-02    1.407E+02    2.981E+02

9     7.560E+05    3.747E-11   
4.472E-02   -3.237E+01    1.249E+02

1. ОПИСАНИЕ СХЕМЫ:

Принципиальная схема проектируемого устройства
предстваляет собой трехкаскадный  усилитель выполненный на кремниевых
высокочастотных транзисторах малой мощности.  2 каскада на транзисторах типа
КТ315А, а один на транзисторе типа КТ361А, которые включены по каскадной схеме.