Характеристики транзистора d718

Что такое транзистор B688?

Транзистор B688 обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума. Он может использоваться в различных типах устройств, таких как устройства звукоснимателей в аудиоусилителях, стабилизаторы напряжения, источники питания и другие.

Он характеризуется следующими ключевыми параметрами:

• Корпус: TO-126
• Пределы тока коллектора: 4 А
• Напряжение коллектора-эмиттер: 140 В
• Мощность коллектора: 100 Вт
• Усиление транзистора: от 45 до 80

Транзистор B688 может использоваться в различных схемах и проектах, но в случае его недоступности или необходимости замены, есть аналоги, которые могут использоваться вместо него.

Обратите внимание, что при замене транзистора B688 на аналоги, необходимо учитывать их параметры и подобрать наиболее подходящий аналог для конкретного проекта или схемы

Транзистор B688: как проверить его мультиметром?

Для начала важно убедиться, что мультиметр настроен на режим измерения транзисторов. Обычно на приборе есть специальный селектор, позволяющий выбирать данный режим

Кроме того, необходимо учесть, что транзисторы имеют пин-пиновую конфигурацию, поэтому важно знать, как правильно подключить его к мультиметру.

При проверке транзистора B688 с мультиметром обычно используется три вывода: база (B), коллектор (C) и эмиттер (E). Выводы транзистора могут быть обозначены буквами на корпусе самого транзистора или указаны в документации. Заменительно, вы можете использовать схему поиска производителя (datasheet), чтобы найти правильные выводы.

Чтобы проверить транзистор B688 с помощью мультиметра, следуйте этим простым шагам:

1. Установіте мультиметр в соответствующем режиме, указанном для измерения транзисторов.
2. Подключите соответствующие выводы транзистора к мультиметру. Обычно подключение производится следующим образом: база к базе, коллектор к коллектору и эмиттер к эмиттеру.
3. Преобразуйте мультиметр в режиме «диодного теста» (diode test mode) или «переходов» (transistor test mode).
4. Проверьте результат на дисплее мультиметра. Если транзистор работает должным образом, на дисплее появится вольтаж или другое значение, которое указывает на его работоспособность.

Помните, что результаты проверки могут различаться в зависимости от типа мультиметра и состояния самого B688. Если результаты измерений указывают на неисправность транзистора (например, низкий вольтаж или нулевая проводимость), вам может потребоваться заменить его на новый. Возможны и другие причины неисправности, поэтому рекомендуется обратиться к специалисту в случае возникновения проблем.

Транзистор A1013 — отличная замена

Транзистор A1013 обладает высоким коэффициентом усиления, что делает его отличным выбором для использования в усилительных схемах и других электронных устройствах. Кроме того, он обладает низким уровнем шума и малым количеством дрейфа, что позволяет использовать его даже в требовательных приложениях.

Данный транзистор также обладает высокой надежностью и долгим сроком службы, что делает его прекрасным выбором для промышленных и коммерческих приложений. Он легко доступен на рынке и имеет разумную цену, что делает его привлекательным для широкого круга разработчиков и электронных инженеров.

В заключение, транзистор A1013 является отличной заменой для транзистора B688. Он обладает схожими характеристиками, но при этом имеет ряд преимуществ, таких как высокий коэффициент усиления, низкий уровень шума и длительный срок службы. Разработчики и электронные инженеры могут быть уверены в качестве и надежности данного транзистора при его использовании в различных приложениях.

Возможно, вам также будет интересно

Часть 1. Часть 2. Часть 3. Часть 4. Основные характеристики конденсаторов Конденсатор представляет собой пассивный радиоэлемент, состоящий из двух и более металлических пластин (обкладок), разделенных диэлектриком, и способный накапливать электрические заряды на обкладках, если к ним приложена разность потенциалов. Простейший конденсатор — это двухполюсник, состоящий из двух пластин (обкладок), которые разделены диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами пластин. В цепи постоянного тока конденсатор

Введение Фазированная антенная решетка (ФАР) — это антенна, состоящая из нескольких отдельных излучающих элементов, каждый из которых возбуждается высокочастотным сигналом, контролируемым при помощи фазовращателей таким образом, чтобы радиоизлучение от отдельных антенн суммировалось и увеличивалось в выбранном направлении, а в нежелательных направлениях — подавлялось. По сравнению со всенаправленными антеннами, ФАР имеют такие преимущества, как более высокая направленность и скорость управления лучом (перемещение может быть осуществлено за несколько миллисекунд)

Для проектирования интегральных схем требуются специальные библиотеки компонентов и техпроцессов от производителя, но для реализации сложных проектов необходимые дополнительные модели. В статье на практическом примере рассматривается решение, которое позволило создать недостающие структуры в виде параметризованных ячеек PCell с помощью системы проектирования Analog Office. Все пассивные компоненты схемы моделировались как отдельные структуры с помощью ЭМ-симулятора AXIEM.

Аналоги транзистора B688

1. 2SD1047 — этот транзистор является одним из наиболее близких аналогов к транзистору B688. Он обладает аналогичными параметрами, такими как максимальное напряжение коллектора-эмиттера и максимальный коллекторный ток. Также он доступен в том же корпусе, что и транзистор B688, что облегчает его замену.

2. 2SB817 — этот транзистор также является хорошим аналогом для замены транзистора B688. Он имеет схожие параметры, такие как максимальное напряжение коллектора-эмиттера и максимальный коллекторный ток. Также он имеет похожий коэффициент усиления, что позволяет использовать его в аналогичных схемах.

3. 2SD882 — это еще один хороший аналог для транзистора B688. Он имеет аналогичные параметры и доступен в том же корпусе, что и транзистор B688. Этот транзистор хорошо подходит для замены в различных устройствах, таких как усилители и источники питания.

4. 2SD1267 — данный транзистор также является достойным аналогом для замены транзистора B688. Он имеет аналогичные параметры и обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне рабочих температур. Он также обладает низким уровнем шума и низкими потерями мощности, что делает его идеальным вариантом для замены.

Итак, при выборе аналога для замены транзистора B688, можно обратить внимание на такие транзисторы, как 2SD1047, 2SB817, 2SD882 и 2SD1267

Важно учитывать параметры и требования вашей схемы, чтобы выбрать наиболее подходящий аналог. Помните, что для идеальной замены транзистора B688 необходимо учитывать параметры и характеристики вашего устройства

Помните, что для идеальной замены транзистора B688 необходимо учитывать параметры и характеристики вашего устройства.

Нюансы при замене транзистора B688

При выборе заменителя для транзистора B688 необходимо учитывать несколько важных нюансов, которые помогут избежать проблем с функционированием электронного устройства.

Тип транзистора: Важно выбрать заменитель с таким же типом транзистора, как в случае с B688. Это могут быть NPN или PNP транзисторы, которые отличаются направлением тока.

Мощность: Транзисторы имеют ограничение по мощности, которую они могут выдерживать

При замене B688 важно выбрать заменитель, который имеет такую же или более высокую мощность.

Напряжение: Напряжение также является важным параметром при замене транзистора. Заменитель должен иметь аналогичное или выше напряжение схемы.

Ток утечки: Ток утечки — это ток, который проходит через транзистор, когда он находится в выключенном состоянии. При замене B688 необходимо выбрать заменитель с аналогичным или более низким током утечки.

Частота переключения: Если транзистор используется для переключения сигналов высокой частоты, то заменитель должен обладать аналогичной или выше частотой переключения.

Учитывая эти нюансы при выборе заменителя для транзистора B688, можно быть уверенным в правильной работе электронного устройства и предотвратить возможные проблемы.

Технические характеристики

Характеристики D882, приведённые в технической документации, могут встречаться с небольшими отличиями, в зависимости от того, у какого производителя взята информация. Поэтому далее приводим значения от компании Shenzhen Electronics, так как транзистор этой фирмы часто можно встретить в отечественных магазинах. Предельно допустимые значения, измеренные при температуре окружающего воздуха +25ОС:

• напряжение коллектор-база предельно допустимое V_CBO (U_{кб max}) = 40 В;
• напряжение коллектор-эмиттер максимальное V_CEO (U_{кэ max}) = 30 В;
• напряжение эмиттер-база предельно возможное V_EBO (U_{эб max}) = 6 В;
• наибольший постоянный ток через коллектор I_C (I_{к max}) = 3 А;
• предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 1,25 Вт;
• Диапазон температур хранения T_stg = -55 … 150 оС;
• Максимальная температура кристалла T_J = 150 оС;

Далее производитель Shenzhen Electronics приводит электрические характеристики.

Транзисторы D882 могут иметь различные коэффициенты передачи тока и по этому свойству классифицируются следующим образом: меньше всего коэффициент у приборов с буквой R – от 60 до 120, с буквой – О чуть больше (100 — 200),  если в наименовании Y, то значение 160 — 320 и устройства с обозначением GR  имеют усиление от 200 до 400.

Приведём график зависимости Pt (рассеиваемая мощность) от T (окружающая температура). Для проведения тестирования использовался радиатор из алюминия толщиной 10 мм. По горизонтальной оси здесь отложена мощность, а по вертикальной температура.

Из графика видно, что когда температура становится выше +25ОС, мощность  уменьшается и при +150ОС становиться равной 0. Кроме этого из рисунка понятно, что чем больше площадь радиатора, тем большую мощность можно рассеять.

При тепловых расчётах может также понадобиться зависимость температурного сопротивления от длительности импульса. Измерение проводилось при таких условиях: напряжении коллектор-эмиттер 10 вольт, ток коллектора 1 ампер. При этом погрешность не более 0,001. Горизонтальная шкала, на которую нанесена длительность импульса, представлена в логарифмическом масштабе.

Транзистор D882 — аналог с высокой эффективностью

Одним из главных преимуществ транзистора D882 является его высокая эффективность. Он обладает низким уровнем потребляемой мощности и отличается малым разбросом тока утечки. Благодаря этим характеристикам транзистор D882 способен обеспечивать стабильную работу при значительном снижении энергопотребления.

Транзистор D882 также отличается высокой надежностью и долговечностью. Он имеет широкий диапазон рабочих температур, что позволяет использовать его в различных условиях. Кроме того, транзистор D882 обладает высоким уровнем защиты от перегрузки и короткого замыкания, что обеспечивает его долгосрочную надежность.

Транзистор D882 является универсальным типом, который может быть использован для замены транзистора B688 во многих электрических схемах. Он совместим с различными приложениями, включая усилители звука, источники питания, импульсные блоки питания и другие. Благодаря своей высокой эффективности и надежности, транзистор D882 позволяет улучшить производительность и энергоэффективность электронных устройств.

Транзистор BD139 — лучший выбор аналога

Вот некоторые причины, почему транзистор BD139 является хорошим выбором:

• Совместимость: Транзистор BD139 имеет схожие электрические параметры с транзистором B688, что обеспечивает легкую замену без необходимости изменения схемы устройства.
• Надежность: BD139 имеет надежную конструкцию, что делает его стабильным и долговечным компонентов. Это позволяет использовать его в различных приложениях.
• Характеристики: BD139 обладает высоким коэффициентом усиления, высокой частотой переключения и низким уровнем шума, что делает его подходящим для многих схемных решений.
• Доступность: Транзистор BD139 широко доступен на электронном рынке и его можно легко купить у различных производителей.

Однако, прежде чем заменить транзистор B688 на BD139, всегда рекомендуется проверить схему устройства и убедиться, что замена будет подходящей для вашего конкретного приложения. Также рекомендуется обратиться к даташиту транзистора BD139 для получения более подробной информации и рекомендаций по применению.

Выбираем заменитель для транзистора B688

В случае, если транзистор B688 недоступен или его производство прекращено, можно использовать аналогичные транзисторы в качестве заменителей

Однако, при выборе заменителя необходимо обратить внимание на ряд параметров для обеспечения правильной работы и совместимости с существующей схемой

Первым параметром, на который следует обратить внимание, является тип транзистора. Транзистор B688 относится к типу PNP, то есть он имеет одну базу и два эмиттера

Также следует проверить значения остальных параметров транзистора B688, таких как максимальное рабочее напряжение коллектора, максимальный коллекторный ток, коэффициент усиления и мощность.

Подобрать заменитель можно с помощью таблицы аналоговых транзисторов или с помощью онлайн-сервисов, где можно ввести параметры транзистора B688 и получить список подходящих аналогов.

Тип транзистора	Максимальное рабочее напряжение коллектора	Максимальный коллекторный ток	Коэффициент усиления	Мощность
PNP	45В	8А	100-630	40Вт

Поиск подходящего заменителя можно провести, например, с использованием следующих параметров:

• Тип транзистора: PNP
• Максимальное рабочее напряжение коллектора: не менее 45В
• Максимальный коллекторный ток: не менее 8А
• Коэффициент усиления: от 100 до 630
• Мощность: не менее 40Вт

После получения списка подходящих заменителей рекомендуется также проверить их доступность и цену для определения наиболее подходящего варианта.

Транзистор 2N4403 — стабильный и надежный аналог

Транзистор 2N4403 обладает рядом хороших характеристик, которые делают его стабильным и надежным аналогом для замены. Вот некоторые из них:

• Максимальная рабочая температура: +150°C.
• Максимальная допустимая коллектор-эмиттерная обратная напряженность: 40 В.
• Максимальный ток коллектора: 600 мА.
• Максимальная мощность потери на переходе: 625 мВт.

2N4403 имеет отличное сочетание надежности и силы, что делает его идеальным для использования в различных схемах и приложениях. Он может успешно заменить транзисторы других марок, таких как B688, и обеспечить стабильную работу устройства.

Если вам необходимо найти замену для транзистора B688, обратите внимание на транзистор 2N4403. Его надежность и стабильность сделают ваше устройство работающим без сбоев и неполадок

Важность проверки транзистора B688 перед использованием

Важность проверки транзистора B688 связана с его основными функциями, которые выступают в качестве усилителя сигнала или стабилизатора напряжения. Неправильное функционирование транзистора может привести к искажению сигнала или отказу устройства в целом

Проверять транзистор B688 рекомендуется с помощью мультиметра, который позволяет измерить его основные параметры, такие как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектора. Сравнение полученных значений с характеристиками, указанными в технической документации, позволяет оценить работоспособность транзистора и его пригодность для использования в конкретном устройстве.

При проверке транзистора B688 также стоит обратить внимание на его внешний вид и целостность корпуса. Появление трещин, перегоревших элементов или видимых повреждений может служить признаком неисправности

В этом случае рекомендуется заменить транзистор, чтобы избежать возможных проблем в работе устройства.

В целом, проверка транзистора B688 перед его использованием является неотъемлемой частью процесса сборки и настройки электронных устройств. Она позволяет выявить возможные неисправности и обеспечить надежную работу всей системы. Правильно проведенная проверка транзистора способствует повышению качества устройств и увеличению их срока службы.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока от 15 и выше.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 60 в, импульсное – 160 в – у КТ805А, КТ805АМ. 135 в – у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Максимальный ток коллектора. – 5 А.

Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ – – не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – – не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 100 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). – 30 Вт.

Граничная частота передачи тока – 20 МГц.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина – черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла – источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста – он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости – КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент – намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 – 0,25 мм на диэлектрическое основание, например – пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен – может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу – это даст возможность наблюдать «стример» – коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы – стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 – 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 – 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор – чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно – выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина – 22см), а первичной – 6см (длина – 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения – 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего – от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе типа p-n-p

Рассмотрим движение носителей заряда через структуру транзистора, которые
протекают в выводах эмиттера, базы и коллектора, при условии, что на
ЭП подано прямое напряжение, а на КП — обратное (т.е. транзистор работает
в активном режиме).
Значение токов, протекающих через структуру транзистора, определяется
не только напряжениями, которые подаются на эмиттерный и коллекторный
переходы, но и взаимодействием этих переходов между собой. Взаимодействие
переходов, в свою очередь, зависит от расстояния между ними, т.е. от
ширины области базы — W.

На рисунке 3.3 показаны движение носителей заряда в структуре p-n-p
транзистора и токи, протекающие во внешних выводах.
Если ширина базы W меньше диффузионной длины пробега неосновных носителей
заряда в базе (рис.3.3
), то значение тока, протекающего через КП, определяется следующими
причинами:
1) т.к. в этом случае ширина базы гораздо меньше ширины области коллектора,
то и количество неосновных носителей заряда, возникающих при данной
температуре в области базы ( ),
будет гораздо меньше количества неосновных носителей заряда, возникающих
в области коллектора ( ),
и можно считать, что

, где J_ko
ток неосновных носителей заряда koп

2) дырки, которые диффузионно переходят из эмиттера в базу над снизившимся
потенциальным барьером эмиттерного перехода, в базе продолжают двигаться
диффузионно в основном в сторону коллекторного перехода. А т.к. ширина
базы меньше их диффузионной длины пробега, то они достигнут коллекторного
перехода в количестве тем больше, чем меньше ширина базы. Однако, вследствие
дисперсии, т.е. беспорядочного теплового движения носителей, какая-то
часть дырок не доходит до КП из-за процесса рекомбинации на поверхности,
у базового вывода или в толще базы, в следствии этого в цепи базы появляется
базовый ток .
Величина, характеризующая долю тока эмиттера, достигающую коллекторного
перехода. называется коэффициентом передачи постоянного тока эмиттера
и обозначается .

Тогда ток коллектора:

Таким образом, ток через КП для случая
(для p-n-p транзистора) является суммой двух составляющих — тока дырок,
инжектированных из эмиттера в базу, и нулевого коллекторного тока .
В толщине базы протекает
и рекомбинационный ток, но в силу того, что процесс рекомбинации в базе
резко уменьшается, рекомбинационная составляющая тока базы тоже мала
.
Соответственно во внешних выводах эмиттера, базы и коллектора будут
протекать токи:
вывод эмиттера ,
вывод коллектора ,
вывод базы

где — является
рекомбинационной составляющей тока базы, величина которой зависит от
величины прямого напряжения, приложенного к ЭП. — ток неосновных
носителей заряда, величина которого от приложенного напряжения почти
не зависит.
Если p-n-p транзистор, работающий как усилитель электрических колебаний,
включен в схему так, как это показано на рис.3.4, то включение последовательно
с источником
переменного напряжения
приведет к появлению переменных составляющих тока эмиттера ,
тока коллектора и
тока базы ,
которые будут накладываться на постоянные составляющие. Так же как и
постоянные токи, протекающие через p-n-p транзистор, переменные токи
являются функциями напряжения. Если на вход подается синусоидальное
напряжение, то оно вызовет синусоидальные изменения плотности дырок
в эмиттерном и коллекторном переходах, т.е. синусоидальные изменения
переменных токов эмиттера, коллектора и базы.

Переменный ток, протекающий через ЭП, равен сумме электронного и дырочного
токов, причем для p-n-p транзистора только дырочная составляющая проходит
последовательно ЭП, обладающий малым сопротивлением и КП, обладающий
большим сопротивлением, т.е. создает условия для усиления электрических
колебаний.
Поэтому на практике для характеристики усилительных свойств транзистора
пользуются коэффициентом передачи тока эмиттера или, как его иначе называют,
коэффициентом усиления по току a, который
является отношением общего коллекторного переменного тока к общему эмиттерному
переменному току в режиме короткого замыкания коллектора на базу по
переменному току.

Основные характеристики транзистора B688

Характеристика	Значение
Максимальное коллекторное напряжение (VCEO)	120 В
Непрерывный коллекторный ток (IC)	8 А
Максимальная мощность коллектор-эмиттер (PC)	125 Вт
Коэффициент усиления по току (hFE)	60-240
Максимальная рабочая частота (fT)	30 МГц
Температурный диапазон	-65°C до +150°C

Транзистор B688 является надежным и долговечным элементом, который может быть использован в различных электронных схемах, требующих высокой мощности и хорошего усиления

Важно при проверке транзистора B688 использовать мультиметр и следовать правильной последовательности действий, чтобы получить точные результаты

Транзистор 2SC1845 — надежный аналог для замены

2SC1845 имеет следующие параметры:

• Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение: 50 В
• Максимальный коллекторный ток: 0,1 А
• Максимальная мощность: 0,3 Вт
• Усиление тока: от 60 до 120
• Диапазон рабочих частот: от 30 МГц до 800 МГц

2SC1845 может быть использован в различных электронных схемах и приложениях. Он обладает высокой скоростью переключения и низким уровнем шума, что делает его идеальным выбором для использования в усилителях Высокой частоты. Кроме того, он обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его хорошим аналогом для замены транзистора B688.

При замене транзистора B688 на 2SC1845, необходимо обратить внимание на соответствие параметров и положительный и отрицательный выводы, чтобы обеспечить правильное подключение и работу устройства. 2SC1845 можно легко найти и приобрести у различных поставщиков электронных компонентов

Это популярный транзистор, который доступен по адекватной цене

2SC1845 можно легко найти и приобрести у различных поставщиков электронных компонентов. Это популярный транзистор, который доступен по адекватной цене.

В заключение, транзистор 2SC1845 является надежным аналогом для замены транзистора B688. Он обладает хорошими характеристиками и может быть успешно использован в различных электронных схемах и приложениях.

Как проверить транзистор Дарлингтона

Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:

• Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
• Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
• Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
• Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.

Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на , буду рад если вы найдете на моем еще что-нибудь полезное.

просмотров