Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;
транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
Распиновка
Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.
Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: эмиттер, база, коллектор. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.
Необходимый минимум сведений
Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.
Виды транзисторов и принцип работы
Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.
Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет
Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Характеристика КТ315
Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.
Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:
- рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
- максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
- предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
- наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
- максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
- рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.
Электрическая характеристика
Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).
Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.
- Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
- Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
- Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
- Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
- Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
- Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.
Классификация
Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.
Маркировка
КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать
Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC546 — BC550 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.
Максимальное напряжение эмиттер — база — У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A — от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B — от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C — от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время — КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.
BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда — наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.
BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Где и как использовать ?
Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.
Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.
Как проверить транзистор мультиметром со встроенной функцией
Начнём с того, что есть мультиметры с функцией проверки работоспособности транзистора и определения коэффициента усиления. Их можно опознать по наличию характерного блока на лицевой панели. В ней есть гнездо под установку транзистора, круглая цветная пластиковая вставка с отверстиями под ножки полупроводникового прибора. Цвет вставки может быть любым, но обычно, он выделяется.
Первым делом переводим переключатель диапазонов (большую ручку) в соответствующее положение. Опознать режим можно по надписи — hFE. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, определяемся с типом NPN или PNP.
Мультиметр с функцией проверки транзисторов
Далее рассматриваем разъёмы, в которые надо вставлять электроды. Они подписаны латинскими буквами: E — эмиттер, B — база, C — коллектор. В соответствии с надписями, ставим выводы полупроводникового элемента в гнёзда. Через несколько мгновений на экране высвечивается результат измерений, это коэффициент усиления транзистора. Если прибор неисправен, показаний не будет, транзистор неисправен.
Как видите, проверить рабочий транзистор или нет мультиметром со встроенной функцией проверки просто. Вот только в гнёзда нормально вставляются далеко не все электроды. Удобно устанавливать транзисторы с тонкими выводами S9014, S8550, КТ3107, КТ3102. У больших, надо пинцетом или плоскогубцами менять форму выводов, ну а транзистор на плате так не проверишь. В некоторых случаях проще проверить переходы транзистора в режиме прозвонки и определить его исправность.
Модификации и группы транзистора B772
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 40 | 55 | 160 | TO-126 |
| BTB772ST3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 2 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| BTB772T3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| CSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| CSB772 (P, Q, R, E) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 200 | TO-126 |
| FTB772 | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KTB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| PMB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2S772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| TSB772CK | 10,0 (1,0) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| B772C | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126C |
| B772P | 15,0 (1,25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-126D |
| HSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126ML |
| 2SB772B | 25,0 (2,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-220 |
| 2SB772I | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| B772PC | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-251 |
| BTB772I3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-251 |
| WTP772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| 2SB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-252 |
| B772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| BTB772AJ3 | 15,0 (1,0) | 50 | 30 | 7 | 3 | 150 | 190 | 33 | 180 | TO-252 |
| BTB772J3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-252 |
| FTB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| GSTD772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-252 |
| ST2SB772R | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 100 | TO-252 |
| B772M | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252-2L |
| 2SB772A | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| 2SB772GP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-89 |
| 2SB772T | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| BTB772AM3 | (2) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 80 | 25 | 180 | SOT-89 |
| FTB772F | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| GSTM772 | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | SOT-89 |
| KXA1502 | (0.5) | 40 | 20 | 5 | 1.5 | 150 | 100 | 20 | 160 | SOT-89 |
| L2SB772 (P, Q) | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| ST2SB772U | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| ZX5T250 | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| 2SB772S | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-89 |
| ALJB772 | (1) | 40 | 30 | 6 | 1.5 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| B772S | (0.625) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-92 |
| BTB772SA3 | (0.75) | 50 | 50 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-92 |
| GSTS772 | (0.625) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| HB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| HSB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| TSB772SCT | (0.625) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| 2SB772L | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-92LM |
| 2SB772M | (0.35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| B772SS | 10,0 (0,35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| 2SB772N | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-223 |
| 2SB772ZGP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-223 |
Примечения:
- Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252 или DPAK, SOT-89 или TO-92.
- В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
- В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
- В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
- Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).
Цоколевка
У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять
Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится
Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка
То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.
Характеристики транзисторов BC547
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 10 µA:
- BC547A — 90
- BC547B — 150
- BC547C — 270
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 2 mA:
- BC547A — 180
- BC547B — 290
- BC547C — 500
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 100 mA:
- BC547A — 120
- BC547B — 200
- BC547C — 400
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:
BC547 — 80 mV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:
BC547 — 200 mV
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:
BC547 — 700 mV
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:
BC547 — 900 mV
Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V:
BC547 — 0.2 nA
Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V, Tj = 125 °C:
BC547 — 4 µA
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT):
BC547 — 300 MHz
Емкость коллектоpного перехода (CCBO) при VCB = 10 V, f = 1 MHz:
BC547 — 3.5 pF
Емкость эмиттеpного перехода (CEBO) при VEB = 0.5 V, f = 1 MHz:
BC547 — 9 pF
Коэффициент шума (F) при VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz, Δf = 200 Hz:
BC547 — 2 dB
Данный вид устройства часто используется радиолюбителями и учебными заведениями, так как характеристики биполярного NPN- транзистор BC547 транзистора позволяют ему быть задействованным в различных электронных устройствах. Поставляется преимущественно в упаковке TO-92 или усовершенствованной ТО-226. Максимальный выходной ток, который способен выдержать этот полупроводниковый прибор, составляет 100 мА.
Так же он имеет очень хорошее усиление (до 800 hFE) и низкий уровень шума (до 10 дБ), благодаря чему идеально подходит для первичных каскадов усиления сигнала. Возможность работы в полосе 300 МГц позволяет его называть высокочастотным. Типовое напряжение насыщения составляет всего 90 мВ, являющееся его несомненным преимуществом при использовании в схемах в качестве переключателя.
Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5551
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO92
Электрические характеристики
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVCBO | Напряжение пробоя коллектор-база | IC= -100 µA, IE=0 | -50 | V | ||
| BVCEO | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | IC= -10mA, IB=0 | -50 | V | ||
| BVEBO | Напряжение пробоя эмиттер-база | IE= -10 µA, IC=0 | -5 | V | ||
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB= -50V, IE=0 | -0.1 | µA | ||
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB= -5V, IC=0 | -0.1 | µA | ||
| hFE1 hFE2 | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE= -6V, IC= -2mA VCE= -6V, IC= -150mA | 70 25 | 400 | ||
| VCE (sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -0.1 | -0.3 | V | |
| VBE (sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -1.1 | V | ||
| fT | Частотная эффективность | VCE= -10V, IC=-1mA | 80 | MHz | ||
| Cob | Выходное сопротивление | VCB= -10V, IE=0, f=1MHz | 4 | 7 | pF | |
| NF | Уровень шумов | VCE= -6V, IC= -0.1mA f=100Hz, RG=10kΩ | 0.5 | 6 | dB |
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.
Принцип работы
Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.
Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).
Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы