Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
Модификации транзистора
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1015 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2SA1015-GR | 0.4 W | 50 V | 50 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 | |
| 2SA1015-O | 0.4 W | 50 V | 50 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 | |
| 2SA1015-Y | 0.4 W | 50 V | 50 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 | |
| 2SA1015K | 0.2 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 130 | 80 MHz | SOT23 | |
| 2SA1015L | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO92 |
| 2SA1015LG | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 175 °C | 7 pf | 0.15 A | 200 | 80 MHz | TO92 |
| 2SA1015LO | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 175 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2SA1015LT1 | 0.23 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 70 | SOT23 | ||
| 2SA1015LY | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 175 °C | 7 pf | 0.15 A | 120 | 80 MHz | TO-92 |
| 2SA1015M | 0.3 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | SOT23 |
| A1015 | 0.2 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 0.15 A | 130 | 80 MHz | SOT23 | |
| A1015LT1 | 0.2 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 130 | 80 MHz | SOT23 | |
| A1015S | 0.3 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 13 pf | 0.15 A | 70 | 150 MHz | TO-92S |
| BTA1015A3 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015 | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015GR | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 200 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015O | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015Y | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 120 | 80 MHz | TO-92 |
| FTA1015 | 0.6 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| HSA1015 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 7 pf | 0.15 A | 120 | 80 MHz | TO-92 |
| KSA1015 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
Маркировка
Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы. У MJE13001A — от 10 до 15. У MJE13001B — от 15 до 20. У MJE13001C — от 20 до 25. У MJE13001D — от 25 до 30. У MJE13001E — от 30 до 35. У MJE13001F — от 35 до 40. У MJE13001G — от 40 до 45. У MJE13001H — от 45 до 50. У MJE13001I — от 50 до 55. У MJE13001J — от 55 до 60. У MJE13001K — от 60 до 65. У MJE13001L — от 65 до 70.
Граничная частота передачи тока — 8МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.
Сфера использования
Сегодня IGBT транзисторы применяются в сетях с показателем напряжения до 6,5 кВт, обеспечивая при этом безопасную и надежную работу электрооборудования. Имеется возможность использования инвертора, частотно регулируемых приводов, сварочных аппаратов и импульсных регуляторов тока.
Сверхмощные разновидности IGBT используются в мощных приводах управления троллейбусов и электровозов. Их применение позволяет повысить КПД, обеспечив максимально возможную плавность хода техники, оперативно управляя выходом электродвигателей на их полную мощность. Силовые транзисторы применяются в цепях с высоким напряжением. Они используются в схемах бытовых кондиционеров, посудомоечных машин, блоков питания в телекоммуникационном оборудовании и в автомобильном зажигании.
ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ
Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.
На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…
Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.
Применение транзистора A1091
Одним из основных применений транзистора A1091 является его использование в усилителях звукового сигнала. Он обеспечивает передачу и усиление аудио сигналов с высокой точностью и качеством. Такие усилители широко применяются в аудио- и видеооборудовании, аудиосистемах и домашних кинотеатрах.
Также транзистор A1091 используется в блоках питания. Он обеспечивает стабильность и надежность в работе системы питания, защищая ее от перегрузок и короткого замыкания. Блоки питания с использованием транзистора A1091 применяются в различных устройствах, включая компьютеры, телевизоры, ноутбуки и другую электронику.
Еще одним важным применением транзистора A1091 являются схемы управления двигателем. Он используется для управления мощными двигателями в различных электротехнических устройствах. Такие схемы находят применение в промышленности, автомобилестроении, робототехнике и других областях.
Кроме того, транзистор A1091 может использоваться в различных схемах сигнализации и управления. Он обеспечивает быстрое и точное реагирование на сигналы, что делает его незаменимым элементом в современных системах безопасности и автоматизации.
A1091 Datasheet PDF — Toshiba Semiconductor
| Part Number | A1091 | |
| Description | PNP Transistor — 2SA1091 | |
| Manufacturers | Toshiba Semiconductor | |
| Logo | ||
|
There is a preview and A1091 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process) • High voltage: VCBO = −300 V, VCEO = −300 V • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) • Small collector output capacitance: Cob = 6 pF (typ.) • Complementary to 2SC2551. Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics VCBO −300 V VCEO −300 V VEBO −8 V Collector current IC −100 mA IB −20 mA PC 400 mW Tj 150 °C Tstg −55~150 °C Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics ICBO IEBO V (BR) CBO V (BR) CEO VCB = −300 V, IE = VEB = −8 V, IC = IC = −0.1 mA, IE = IC = −1 mA, IB = hFE (1) VCE = −10 V, IC = −20 mA (Note) hFE (2) VCE (sat) VBE (sat) fT Cob VCE = −10 V, IC = −1 mA IC = −20 mA, IB = −2 mA IC = −20 mA, IB = −2 mA VCE = −10 V, IC = −20 mA VCB = −20 V, IE = 0, f = 1 MHz Note: hFE (1) classification R: 30~90 O: 50~150 Min Typ. Max Unit ⎯ ⎯ −0.1 μA ⎯ ⎯ −0.1 μA −300 ⎯ ⎯ −300 ⎯ ⎯ 30 ⎯ 150 20 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ −0.5 V ⎯ ⎯ −1.2 V 40 60 ⎯ MHz ⎯6 8 pF |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for A1091 electronic component. |
| Information | Total 4 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Характеристики и аналоги 13001 S8D
Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):
| Параметр | Условное обозначение | Значение | Единица измерения |
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 600 | V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 400 | V |
| Напряжение Эмиттер-База | VEBO | 7 | V |
| Ток коллектора | Ic | 0.5 | A |
| Полная рассеиваемая мощность | Pc | 0.65 | W |
| Температура хранения | Tstg | -65 |
150
Также приведем электрические параметры:
| ℃ | |||
| Температура соединения | Tj | 150 | ℃ |
| Параметр | Условное обозначение | Условия испытаний | Min | Max | Единица измерения |
| Напряжение пробоя коллектор-база | BVCBO | Ic=0.5mA,Ie=0 | 600 | V | |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | BVCEO | Ic=10mA,Ib=0 | 400 | V | |
| Напряжение пробоя базы эмиттера | BVEBO | Ie=1mA,Ic=0 | 7 | V | |
| Ток отсечки коллекторной базы | ICBO | Vcb=600V,Ie=0 | 100 | μA | |
| Ток отключения коллектор-эмиттер | ICEO | Vce=400V,Ib=0 | 20 | μA | |
| Ток отсечки эмиттер-базы | IEBO | Veb=7V,Ic=0 | 100 | μA | |
| Усиление постоянного тока | hFE | Vce=20V,Ic=20mA | 10 | 40 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | Ic=200mA,Ib=100mA | 0.6 | V | |
| Напряжение насыщения базы-излучателя | VBE(sat) | Ic=200mA,Ib=100mA | 1.2 | V | |
| Время хранения | Ts | Ic=0.1mA, (UI9600) | 2 | μS | |
| Время падения | fT | VCE =20V,Ic=20mA f=1MHZ | 0.8 | μS |
Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.
Номер в каталоге : 13001S8D
функция : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Производитель : JTD Semi
цоколевка :
- 5
- 4
- 3
- 2
- 1
(0 голосов, среднее: 0 из 5)
S13005ED Datasheet (PDF)
1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi
R S13005ED 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2
4.1. ts13005 b07.pdf Size:364K _taiwansemi
TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ? High Voltage ? High Speed Switching Structure ? Silicon Triple Diffused Type ? NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS13005CZ
4.2. ts13005ci-cz.pdf Size:361K _taiwansemi
TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing
4.3. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi
R S13005A 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2
Другие транзисторы… 2SC4355 , 2SC4356 , 2SC4357 , 2SC4358 , 2SC4359 , 2SC436 , 2SC4360 , 2SC4361 , BD139 , 2SC4363 , 2SC4364 , 2SC4365 , 2SC4366 , 2SC4367 , 2SC4368 , 2SC4369 , 2SC437 .