A1265 pdf даташит

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

W1P SMD транзистор PMBT2222A NPN

0
Корзина

(0
отзывы)

Расчетное время доставки: 10 дней

Цена:

80,00 рупий
/ПК

Цена со скидкой:

60,00 рупий /ПК

Количество:

(В наличии)

Общая стоимость:

Продано

Электрический ученик

2/kalibari Road, Pachim Ganki, Khowai, Tripura, 799202

(0
отзывы покупателей)

Самые продаваемые продукты

Описание
Загрузки
обзоры

1P SMD Transistor PMBT2222A NPN Переключающий транзистор.

W1P SMD Trnasistor Переключающий транзистор NPN в небольшом корпусе SOT23 (TO-236AB) Устройство для поверхностного монтажа (SMD) пластик
упаковка. пластиковая, накладная упаковка; 3 терминала; 1,9мм
подача; Корпус 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм

Особенности :

• Высокий ток (макс. 600 мА)
• Low voltage (max. 40 V)
• AEC-Q101 qualified 
• Type number : PMBT2222A
• Marking code : W1P
• Package : SOT23

Applications :

• Switching and linear amplification
• ИБП и инвертор

Предельные значения :

• ВКБО напряжение коллектор-база открытый эмиттер — 75 В
• ВКЭО напряжение коллектор-эмиттер открытая база — 40 В
• ВЭБО напряжение эмиттер-база открытый коллектор — 6 В ток — 800 мА
• IBM пиковый базовый ток — 200 мА
• Ptot полная рассеиваемая мощность Tamb ≤ 25 °C — 250 мВт
• Tj
• температура перехода — 150 °C
• Tamb1 температура окружающей среды -6 С
• Температура хранения Tstg -65 150 °C

Загрузить спецификацию 1P Transistor pdf .

Characteristics curves of 2SC2655 transistor

2SC2655 transistor characteristics

The figure shows the 2SC2655 transistor characteristics, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the current variations happen at the transistor with respect to the collector to emitter voltages.

current gain characteristics of the 2SC2655 transistor

The figure shows the current gain characteristics of the 2SC2655 transistor, the graph is plotted with dc current gain vs collector current.

At a fixed collector to emitter voltages, the gain variation is plotted at different temperature values.

Что такое симистор и как он выглядит — кратко

Словосочетание «симметричный триодный тиристор» на английский язык переводится как symmetrical triode thyristor. Его же именуют triode for alternationg current (триод для переменного тока). Или сокращенно — triac (триак).

Все эти названия общеприняты, они встречаются в технической литературе. Вы можете столкнуться с любым из них.

Показываю фотографиями наиболее типичные конструкции корпусов, с которыми выпускаются эти полупроводниковые приборы.

На фото любого из них хорошо видно три контактных вывода. Они совместно с устройством корпуса изготавливаются под мощность номинальной нагрузки, которую должны передавать и коммутировать в режиме ключа.

Что такое ключ в электронике и электрике — образное пояснение

Сравним его работу с устройством входной двери, закрытой на замок.

Человек без ключа не сможет через нее пройти: замок надежно закрыт. Владелец квартиры и его доверенные люди имеют ключ, открывают дверь, свободно проникают в помещение.

Точно так же работают ключи в электрике, пропуская нагрузку. Только они управляются по команде и бывают трех типов:

1. Механическими.
2. Электромеханическими.
3. Электронными.

Электрический ток совершает работу, например, освещает помещение. А ключ позволяет человеку управлять этим процессом за счет использования определенных технологий. Они разрешают коммутировать силовые контакты и даже выполнять дополнительные действия.

Таблица: как работает электрический ключ

Функции	Вид ключа
Механический	Электромеханический	Электронный
Как работает	Силовые контакты выключателя, переключателя, кнопки коммутируются кинематической схемой за счет манипуляций оператором	Силовые контакты переключает электромагнит под действием управляющего сигнала.	Силовые контакты коммутирует электронная схема под действием управляющего сигнала.
Управляющий сигнал	Ручное действие	Срабатывание электромагнита происходит под воздействием определенного электрического параметра нормируемой величины (уставки). Это может быть ток, напряжение, частота, мощность, фаза…	Биполярный транзистор коммутируется входным управляющим напряжением. Полевой транзистор — электрическим полем, посему он так и называется. Тиристор и симистор работают от тока, протекающего через управляющий электрод.
Основное преимущество	Относительная простота механизма	Возможность дистанционных коммутаций за счет изменения различных электрических сигналов	Кроме дистанционных переключений схемы есть регулировка выходного тока, что позволяет собирать различные регуляторы. Как пример, изменять мощность нагрузки, выставлять обороты вращения электродвигателя.

Основным недостатком механических и электромагнитных ключей является переключение силовых контактов, вынужденно разрывающих цепь нагрузки.

При этом возникает электрическая дуга, выжигающая поверхность контактирующих металлов.

Она же может стать причиной пожара или взрыва горючих сред.

На предприятиях энергетики введена обязательная процедура: ежегодный внутренний осмотр всех реле, контакторов и пускателей с чисткой поверхностей контактов и прожимом контактных соединений.

Электронные ключи работают без дуги. Они имеют уменьшенные габариты, удачно вписываются внутри корпусов электроприборов.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

2SA1265 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  toshiba 2sa1265.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 ..2. Size:220K  inchange semiconductor 2sa1265.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1265DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage app

 0.1. Size:201K  jmnic 2sa1265n.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1265N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC3182 2SA1265 with short pin APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SY

 0.2. Size:195K  cn sptech 2sa1265r 2sa1265o.pdf

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1265DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

 0.3. Size:222K  inchange semiconductor 2sa1265n.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1265NDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182NMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage a

ФНЧ И БЛОК СТАБИЛИЗАЦИИ

   Фильтр низкой частоты и сумматора построен на двух микросхемах. Он предназначен для плавной регулировки фазы, громкости и частоты. Сумматор предназначен для суммирования сигналов обеих каналов, для получения более мощного сигнала. В промышленных автоусилителях высокой мощности используется именно такой принцип фильтрации и суммирования сигнала, но сумматор можно при желании исключить из схемы и обойтись только фильтром низких частот. Фильтр срезает все частоты, оставляя только предел в пределах 35-150 Гц. 

   Регулировка фазы позволяет согласовать сабвуфер с акустическими системами, в некоторых случаях её тоже исключают. 

   Этот блок питается от стабилизированного источника двухполярного напряжения +/-15 Вольт. Питание можно организовать с помощью дополнительной вторичной обмотки или же использовать двухполярный стабилизатор напряжения для понижения напряжения от основной обмотки.

   Для этого собран двухполярный стабилизатор. Первоначально напряжение снижается диодами зенера, затем усиливается биполярными транзисторами и подается на линейные стабилизаторы напряжения типа 7815 и 7915. На выходе стабилизатора образуется стабильное двухполярное питание, которым и питается блок сумматора и ФНЧ. 

   Стабилизаторы и транзисторы могут греться, но это вполне нормально, при желании их можно укрепить на теплоотводы, но в моем случае имеется активное охлаждение кулером, поэтому теплоотводы не пригодились, к тому же тепловыделение в пределах нормы, поскольку сам блок ФНЧ потребляет очень мало.

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

1. sot23-3.
2. sot23-5.
3. sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

1. DC/DC.
2. AC/DC.
3. ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

Аналоги

Таблица содержит перечень элементов, предлагаемых для замены. Отбор производился по параметрам транзистора, – заголовкам столбцов таблицы. Исполнение – корпус ТО-92, структура – PNP.

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
КТА1266	50	0,15	0,625	70	80
Импортное производство
2SA1015	50	0,15	0,4	70	80
2SB560	80	0,7	0,75	60	50
KSA1015	50	0,15	0,4	70	80
KSA708C	60	0,7	0,8	40	30
KSA709C	150	0.7	0,8	70	50
KSA733C	50	0,15	0,25	50	40
KTA1267	50	0,15	0,4	70	80
KTA1279	300	0,5	0,625	40	50
2SA1137	80	0,1	0,3	100	90
2SA1136,	80	0,1	0,3	100	90
2SA970,	120	0,1	0,3	200	100

Примечание: характеристики параметров транзитора взяты из даташип производителя.

Производители

Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Аналоги транзистор C945

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2DC2412R	Si	NPN	0.3	50	0.15	180	180	SOT23
2SC1623RLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	180	SOT23
2SC1623SLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	270	SOT23
2SC2412-R	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412-S	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC2412KRLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412KSLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC945LT1	Si	NPN	0.23	60	50	5	0.15	150	150	2.2	200	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1	70	1	150	250	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60	60	5	1	150	250	SOT23
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60	50	5	0.5	150	500	2.8	300	SOT23
BRY61	Si	PNPN	0.25	70	70	70	0.175	150	1000	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
C945	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3	60	1	150	200	SOT23
DTD123	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50	0.5	150	200	250	SOT23
ECG2408	Si	NPN	0.2	60	65	0.3	150	300	300	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5	60	1	150	500	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5	50	1.25	180	300	SOT23
L2SC1623RLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	180	SOT23
L2SC1623SLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	270	SOT23
L2SC2412KRLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
L2SC2412KSLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
MMBT945-H	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	200	SOT23
MMBT945-L	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
NSS60201LT1G	Si	NPN	0.54	60	4	150	SOT23
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5	100	4.5	150	200	SOT23F
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25	50	4	200	240	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25	100	2.5	175	300	SOT23

УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ САБВУФЕРА ПО СХЕМЕ ЛАНЗАРА

   Ну что сказать про один из самых повторяемых схем усилителя мощности, – схема Ланзар была разработана еще в 70-х годах прошлого столетия. На современной высокоточной элементарной базе, ланзар стал звучать еще лучше. По идее, схема отлично подходит и для широкополосной акустики, искажения при половине громкости всего 0,04% – полноценный Hi-Fi.

   Выходной каскад усилителя построен на паре 2SA1943 и 2SC5200, все каскады собраны на максимально близких по параметрам комплиментарных парах, усилитель построен полностью по симметричной основе. Номинальная выходная мощность усилителя составляет 230-280 ватт, но можно снять гораздо больше, повышая входное напряжение питания. 

   Номиналы ограничительных резисторов дифференциальных каскадов подбирается исходя от входного напряжения. Ниже приведена таблица.

 Питание ±70 В – 3,3 кОм…3,9 кОм Питание ±60 В – 2,7 кОм…3,3 кОм Питание ±50 В – 2,2 кОм…2,7 кОм Питание ±40 В – 1,5 кОм…2,2 кОм Питание ±30 В – 1,0 кОм…1,5 кОм

   Эти резисторы подбираются с мощностью 1-2 ватт, в ходе работы на них может наблюдаться тепловыделение. 

   Регулирующий транзистор заменил на отечественный КТ815, на тот момент другого не было под рукой. Он предназначен для регулировки тока покоя выходных каскадов, в ходе работы не перегревается, но укреплен на общий теплоотвод с транзисторами выходного каскада. 

   Первый запуск схемы желательно сделать от сетевого блока питания, последовательно сетевой обмотке трансформатора подключите накальную лампу на 100-150 ватт, если будут проблемы, то спалите минимум деталей. А вообще, схема Ланзара не критична к монтажу и компонентам, я пробовал даже с широким разбросом используемых компонентов, с использованием отечественных радиодеталей – схема показывает высокие параметры даже в этом случая. Принципиальная схема Ланзара имеет две основные версии – на биполярных транзисторах и с применением полевых ключей в предпоследнем каскаде, в моем случае первая версия.

   Второй предвыходной каскад работает в чистом классе “А“, поэтому в ходе работы транзисторы перегреваются. Транзисторы этого каскада обязательно устанавливают на теплоотвод, желательно общий, не забудьте про изоляции – слюдяные пластины и изолирующие шайбы для шурупов. 

   Правильно собранная схема заводится без всяких проблем. Первый запуск делаем с ЗАКОРОЧЕННЫМ НА ЗЕМЛЮ ВХОДОМ, т.е. вход усилителя стыкуем с средней точкой с блока питания. Если после запуска ничего не взорвалось, то можно отсоединять вход от земли. Дальше подключаем нагрузку – динамик и включаем усилитель. Для того, чтобы убедиться в работоспособности усилителя, достаточно дотронуться до оголенного входного провода. Если в головке появляется своеобразный рев – то усилитель работает! Дальше можно укрепить все силовые части на теплоотводы и подать на вход усилителя звуковой сигнал. После 15-20 минут работы на 30-50% от максимальной громкости нужно настроить ток покоя. На фотографии все детально показано, в качестве индикатора напряжение желательно использовать цифровой мультиметр. 

Замер выходной мощности усилителя

Как выставить ток покоя

Как работает регулятор мощности на симисторе: самая простая схема из пяти доступных деталей и поясняющее видео

Сразу замечу, что новичка может ввести в заблуждение общепринятое слово «регулятор». Технически правильнее назвать сие изделие «ограничитель».

Симисторные и тиристорные модули работают за счет уменьшения величины номинальной мощности. Они не способны ее повышать, ибо банально срезают часть синусоиды.

Схем, работающих на этом принципе, разработано очень много. Они используются, как в промышленности, так и при самостоятельном изготовлении. Дальше предлагаю ознакомиться с одной из простейших.

Такую конструкцию можно собрать своими руками новичку для получения практических навыков, поместить ее в небольшую коробочку. Она при размещении на теплоотводящем радиаторе позволяет управлять нагрузкой до 5 киловатт.

В работе схемы участвует всего 5 деталей:

1. Симистор BTA-41600B (продается в Китае).
2. Динистор DB3 можно найти в энергосберегающих лампах или в интернет магазине.
3. Резистор 500 Ом с мощностью рассеивания тепла от 1 ватта.
4. Конденсатор 0,1 микрофарада с допустимым напряжением от 250 вольт.
5. Переменный резистор с сопротивлением от 200 до 500 килоом.

Конструктивно регулятор можно выполнить простым навесным монтажом или разместить на монтажной плате. Это не принципиально, деталей мало.

Эта конструкция позволяет регулировать:

• температуру паяльника, нагревателей резистивного типа;
• обороты вращения коллекторных электродвигателей (пылесосы, стиральные машины, дрели, болгарки, перфораторы, шлифовальные машинки, электролобзики;
• свет от лампочек накаливания;
• ток зарядки автомобильных аккумуляторов;
• силу тока на первичной стороне трансформатора, но при этом создается искаженный сигнал, который несколько ухудшит процесс трансформации — электромагнитных преобразований.

В принципе это обычный диммер. Подобные изделия продаются в магазинах для ламп накаливания. Только он отличается небольшими доработками, упрощениями, не подходит к светодиодным и энергосберегающим источникам. Возможно их мерцание.

Схема не обеспечивает сохранение мощности на валу двигателя: при увеличении нагрузки, например, усиленном вдавливании резца в обрабатываемую деталь, обороты ротора падают.

Она вполне рабочая, но упрощена до минимума деталей. В ней даже трудно выделить все 4 основных узла, присущих подобным регуляторам. А это:

1. частотно задающая RC цепочка;
2. формирователь импульсов для отпирания симметричного управляющего диода;
3. силовой элемент — сам симистор;
4. демпферная RC цепочка (защищает триак от помех, возникающих на индуктивной нагрузке — электродвигателе).

ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ

   Оплеуха микрухам – не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры. 

 Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В

 Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В

 Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В

   С мощностью все понятно, а что со стороны искажений? 

 THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%

 THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%

 THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%

   Детали, используемые в этом модуле – подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:

Создание устройства

Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.

Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.

Более современные варианты

Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

• был добавлен 5-контактный вариант;
• появилась бессвинцовая версия;
• был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.

Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.

Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39. com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
1КСМБ100А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ100КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ10А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ10КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ110А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ110КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфьюз
1КСМБ11А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ11КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ120А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ120КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе

2655 vs 2SC3328

In this table, we try to list the electrical specifications of three transistor devices such as C2073, 2SD401, and TIP41F, this listing is really helpful for a better understanding of the devices.

Characteristics	2SC2655	2SC3328
Collector to base voltage (VCB)	50V	80V
Collector to emitter voltage (VCE)	50V	80V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	5V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.5V	0.15 to 0.5V
Collector current (IC)	2A	2A
Power dissipation	900mW	900mW
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	100MHZ	100MHZ
Gain (hFE)	40 to 240hFE	40 to 240hFE
Turn ON time	0.1us	0.2us
Package	TO-92MOD, TO-92NL	TO-92MOD

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

25L8006E
MX25L8006E
MXIC
ПДФ

8050
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN
СЕМТЕХ
ПДФ

8050С
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN
СЕМТЕХ
ПДФ

8050D
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN
СЕМТЕХ
ПДФ

БИСС0001
Детектор движения Micro Power PIR IC
И Т. Д.
ПДФ

БИСС0001
ПИР-КОНТРОЛЛЕР
Сильван Чип
ПДФ

БЗС84К10
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К11
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К12
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К13
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К15
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К16
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К18
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К20
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

1. Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
2. Input Voltage (VCC) — питание.
3. Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
4. Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
5. Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
6. Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
7. Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях