Преимущества и особенности транзистора ГТ806:
Транзистор ГТ806 представляет собой полевой транзистор с усиливающим и свитчинговым действием. Он обладает рядом преимуществ и особенностей, которые делают его привлекательным для использования в различных электронных устройствах.
Одним из главных преимуществ транзистора ГТ806 является его высокая скорость переключения. Это позволяет использовать его в быстродействующих устройствах, таких как силовые транзисторы, модуляторы, частотные преобразователи и другие.
Еще одним преимуществом транзистора ГТ806 является его низкое сопротивление проводимости, что обеспечивает минимальные потери при передаче сигнала
Это особенно важно при работе транзистора в схемах с высоким током и высокой мощностью
Транзистор ГТ806 также обладает высоким значением напряжения пробоя. Это позволяет ему работать с большими электрическими нагрузками и защищает его от повреждений при возникновении перенапряжений.
Особенностью транзистора ГТ806 является его низкое тепловое сопротивление, что позволяет эффективно отводить тепло и обеспечивает стабильную работу устройств даже при высоких температурах.
Транзистор ГТ806 широко применяется в различных сферах, включая электронику, радиоэлектронику, силовую электронику, автомобильную промышленность и многие другие. Он может использоваться в схемах управления и переключения, а также для усиления сигналов в различных активных устройствах.
Благодаря своим преимуществам и особенностям, транзистор ГТ806 является незаменимым элементом в создании современных электронных устройств, обеспечивая им высокую производительность и надежность.
Особенности конструкции
- Сверхвысокая интеграция: благодаря использованию технологии SOI, транзистор обладает низкой емкостью переключения и способен работать на высоких частотах.
- Низкое сопротивление переключения: транзистор обеспечивает небольшую потерю энергии при переключении, что позволяет снизить энергопотребление и повысить эффективность работы устройства.
- Высокая надежность: транзистор имеет защиту от перенапряжения и короткого замыкания, что позволяет предотвратить его повреждение при непредвиденных ситуациях.
Благодаря своей уникальной конструкции, транзистор ГТ806 является надежным и эффективным компонентом для использования в различных устройствах, включая силовые и управляющие системы.
Несколько слов о деталях:
При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.
Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В;
Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.
Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2.
На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.
Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло).
После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.
Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки.
Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.
Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.
Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств.
Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.
