Irl3705n транзистор: характеристики, особенности, описание на русском языке

Полевой транзистор с изолированным затвором. Практический пример.

Начинаем, конечно, с обозначения MOSFET транзисторов на принципиальных схемах. Наличие разных типов диктует, в свою очередь, необходимость в их отличающихся вариантах обозначения:

Что тут можно отметить отдельно, во-первых, само собой полевые транзисторы с индуцированным и встроенным каналом выглядят на схемах по-разному. Кроме того, вывод подложки может быть как замкнут внутри транзистора с истоком, так и выходить в мир в виде отдельного вывода. В результате этого внутреннего соединения между стоком и истоком образуется паразитный диод, который может и не обозначаться на схемах, но его присутствие всегда надо учитывать.

Не исключено, что этому я посвящу отдельный пост, а пока возвращаемся к базовому примеру, который призван подтвердить теоретические аспекты, рассмотренные нами ранее. В качестве экспериментального образца возьмем 2N7002. Такой выбор связан с тем, что 2N7002 — это бесспорный топ, если говорить о популярности и распространенности.

Из документации можно почерпнуть все необходимые данные — предельные значения напряжений и токов, характеристики и т. д., дублировать не буду. Эта статья именно про физические процессы внутри транзистора с изолированным затвором, в ближайшее время разберем пример, где подробнее углубимся в характеристики, расчеты, сопротивления, паразитные диоды и далее по списку.

В контексте данной статьи сразу отметим, что он относится к типу MOSFET с индуцированным каналом. Собираем схему из статьи, без изменений, для случая, когда U_{ЗИ} = 0, U_{СИ} поставим равным 3 В:

Какой ток мы ожидали увидеть? Именно такой, какой и увидели — нулевой, в точности так, как и должно было быть для полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.

Добавим источник напряжения между затвором и истоком и будем задавать разные значения. Что планируем получить? Четко по графику:

Начиная с некоторого значения U_{ЗИ} (из даташита — в районе 2 В) ток начнет увеличиваться. Проверяем:

Четко, надежно, стабильно Оставим U_{ЗИ} равным 2.1 В и увеличим U_{СИ}:

Очевидно, что транзистор находится в режиме насыщения, что также соответствует принципу его работы:

На этом на сегодня остановимся. Данный простенький пример подтвердил теорию, что и неудивительно. В следующей части уже рассмотрим расчеты для реальных задач и случаев, не пропустите

Тепловые характеристики транзистора IRL3705N

Транзистор IRL3705N обладает определенными тепловыми характеристиками, которые важно учитывать при его применении:

Максимальная температура перегрева (Tj): 175 °C — это максимально допустимая температура, при которой транзистор может работать, не выходя за рабочие характеристики. Превышение этой температуры может привести к повреждению или поломке транзистора.
Коэффициент теплового сопротивления корпуса (Rth): 1.6 °C/W — это показатель, характеризующий способность транзистора отводить тепло от его корпуса. Чем ниже этот показатель, тем эффективнее транзистор нейтрализует выделяющееся тепло во время работы.
Температурный коэффициент сопротивления (TCR): 0.055 %/°C — это показатель, показывающий, как изменяется сопротивление транзистора при изменении температуры. Чем ниже значение этого коэффициента, тем более стабильными будут его характеристики при изменении температуры.

Учитывая максимальную температуру перегрева, тепловое сопротивление корпуса и температурный коэффициент сопротивления, можно определить оптимальные условия использования транзистора IRL3705N и предотвратить его повреждение в результате перегрева.

IRL3705N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRL3705N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 89
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 98(max)
nC

Время нарастания (tr): 140
ns

Выходная емкость (Cd): 870
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01
Ohm

Тип корпуса:

IRL3705N
Datasheet (PDF)

..1. Size:106K international rectifier irl3705n.pdf

PD — 9.1370CIRL3705NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.01 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 89A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance pe

..2. Size:481K international rectifier irl3705npbf.pdf

PD — 94960IRL3705NPbF Lead-Freewww.irf.com 1 IRL3705NPbF2 www.irf.comIRL3705NPbFwww.irf.com 3IRL3705NPbF4 www.irf.comIRL3705NPbFwww.irf.com 5IRL3705NPbF6 www.irf.comIRL3705NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit *

..3. Size:481K infineon irl3705npbf.pdf

..4. Size:251K inchange semiconductor irl3705n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705N IIRL3705NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 10mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:297K international rectifier irl3705nspbf irl3705nlpbf.pdf

PD — 95381IRL3705NSPbFl Logic-Level Gate DriveIRL3705NLPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL3705NS) HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRL3705NL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.01l Lead-FreeGDescriptionFifth Generation HEXFETs from International RectifierID = 89AS

0.2. Size:186K international rectifier irl3705ns irl3705nl.pdf

PD — 91502CIRL3705NS/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRL3705NS) Low-profile through-hole (IRL3705NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.01 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 89A DescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniq

0.3. Size:1024K international rectifier auirl3705n.pdf

PD — 96352AUTOMOTIVE GRADEAUIRL3705NFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Planar TechnologyD Logic-Level Gate DriveV(BR)DSS55V Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.01 Fast SwitchingG Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID S 89A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DDescriptionSSp

0.4. Size:252K inchange semiconductor irl3705ns.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705NSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

0.5. Size:213K inchange semiconductor irl3705nl.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705NLFEATURESLow power lossHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor controlDC DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

Другие MOSFET… IRL3302S
, IRL3303
, IRL3303L
, IRL3303S
, IRL3402
, IRL3402S
, IRL3502
, IRL3502S
, IRFZ24N
, IRL3705NL
, IRL3705NS
, IRL3803
, IRL3803L
, IRL3803S
, IRL510
, IRL510A
, IRL511
.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

Принцип работы

Назначение выводов сток и исток у мосфетов аналогичны контактам коллектора и эмиттера биполярного транзистора. Эти выводы делаются из материала n-типа, а корпус устройства и подложка из материала p-типа. Добавление диоксида кремния SiO₂ на подложку образует тонкий слой диэлектрика, который отделяет клемму затвора от всего корпуса.

Получается однополярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов. Область между стоком и истоком образуют свободную от носителей заряда зону. Ее насыщение электронами управляется путем подачи положительного напряжения на клемму затвора.

Оно изменяет распределение заряда в полупроводнике, поэтому дырки под слоем диэлектрика, под действием электрического поля двигаются вниз, а свободные электроны притягиваются к области вверх, образуя таким образом n-переход. По этому переходу в последующем и течет электрический ток, сила которого зависит от величины приложенного на затвор напряжения. Возможная схема включения irf3205 показан на рисунке ниже.

Так же, в зависимости от величины управляющего сигнала МОП-транзистор закрываться (низкая проводимость) или в открываться (высокая проводимость).

Alternate Parts for IRL3705N

This table gives cross-reference parts and alternative options found for IRL3705N. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of IRL3705N, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.

Functional Equivalents (4)

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
AUIRL3705N	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	International Rectifier	IRL3705N vs AUIRL3705N
AUIRL3705N	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Infineon Technologies AG	IRL3705N vs AUIRL3705N
IRL3705N	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	Infineon Technologies AG	IRL3705N vs IRL3705N
IRL3705NPBF	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3	International Rectifier	IRL3705N vs IRL3705NPBF

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
AUIRL3705N	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Infineon Technologies AG	IRL3705N vs AUIRL3705N
IRL3705NPBF	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3	International Rectifier	IRL3705N vs IRL3705NPBF
AUIRL3705N	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	International Rectifier	IRL3705N vs AUIRL3705N
IRL3705N	Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	Infineon Technologies AG	IRL3705N vs IRL3705N

Основные параметры

Для определения возможности использования транзистора irf 3205 в своем проекте необходимо изучить его технические характеристики. Они указываются в техническом описании (даташит) от производителя. Основные параметры изготовители представляют в двух таблицах, с наименование: абсолютные максимальные рейтинги и электрические характеристики.

Абсолютные максимальные рейтинги

Абсолютные максимальные рейтинги определяют предельные значения напряжений, тока, рассеиваемой мощности и рабочей температуры, которые способен выдержать полупроводниковый прибор в различных условиях эксплуатации. Надо знать, что эти величины устройство способно выдержать, но это не значит, что возможна его эксплуатация при таких значениях. Использование устройства на максимальных параметрах однозначно приведет к выходу его из строя. У irf3205 следующие максимальные параметры:

Необходимо внимательней отнестись к этим значениям. Иногда производители хитрят и указывают не применимые на практике величины. Так, максимальный заявленный ток стока (I_D) у irf3205, указанный в первой строке таблицы, равен 110 A. Однако можно сказать, что это значение не более чем рекламный ход изготовителя, способствующий возможным продажам. Кристалл рассматриваемого прибора действительно может выдержать такой I_D, но не корпус ТО-220 в который он заключен, ограниченный током 75 А. Об этих ограничениях в применении производитель указывает только в конце таблицы.

Электрические характеристики

В таблица электрических характеристик все параметры проверены производителем с учетом условий измерений, указных в столбце с соответствующим названием. Они проверяются при температуре окружающей среды менее 25 градусов. У данного устройства они следующие при T_J = 25 °C:

Тепловые параметры

Рассмотрим тепловые параметры irf3205. Они представлены в виде тепловых сопротивлений корпус-кристалл (R_θJC=0.75°C /Вт)и кристалл-окружающая среда (R_θJA=62°C /Вт)_.Для большинства современных полевых МОП-транзисторов R_θJAопределяется в первую очередь размещением элементов на печатной плате, а не самим полевым МОП-транзистором. Поэтому R_θJAимеет меньшее значение для оценки тепловых характеристик, чем R_θJC.

Маркировка

Первые символы маркировки указывают на изготовителя — International Rectifier (IR). Однако, так как транзистор выпускается очень давно (примерно с 2000 г.), выпуск его копии наладили и другие компании. Обновленные, безсвинцовые версии, размещенные в другом корпусе, содержат в конце маркировки символ “Z”: irf3205z (TO-220AB), irf3205zs (D2Pak), irf3205zl (TO262). Встречающиеся иногда символы «PbF» в конце , так же указывают на наличие безсвинцовой технологии изготовления.

Замена и аналоги

Аналог irf3205 можно подобрать из: BUK7508-55 (Philips), BUZ111S (Infineon), HRF3205 (Fairchild), HUF75343P3 (Fairchild, Intersil), 2SK2985 (Toshiba), MTP75N05 (ON Semiconductor), 2SK2985 (Toshiba), STP80NE06 (STMicroelectronics), SUB75N06, IRFD120 (Vishay). Полным отечественным аналогом является КП783A.

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

IRL3705Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRL3705Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 86
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 40
nC

Время нарастания (tr): 240
ns

Выходная емкость (Cd): 420
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса:

IRL3705Z
Datasheet (PDF)

..1. Size:377K international rectifier irl3705zpbf irl3705zspbf irl3705zlpbf.pdf

PD — 95579AIRL3705ZPbFIRL3705ZSPbFFeaturesIRL3705ZLPbFl Logic LevelHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.0mGl Lead-FreeDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniqu

..2. Size:377K infineon irl3705zpbf irl3705zspbf irl3705zlpbf.pdf

..3. Size:246K inchange semiconductor irl3705z.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705ZIIRL3705ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:378K international rectifier auirl3705zstrl.pdf

PD — 96345AUTOMOTIVE GRADEAUIRL3705ZAUIRL3705ZSAUIRL3705ZLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Logic LevelV(BR)DSS 55VDl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.6.5ml 175C Operating Temperaturel Fast Switching max. 8.0mGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Silicon Limited)86A l Lead-Free, RoHS CompliantSl Automotiv

0.2. Size:759K infineon auirl3705z auirl3705zs auirl3705zl.pdf

AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705ZL HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Logic Level Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.5m Ultra Low On-Resistance max. 8.0m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 86A Fast Switching ID (Package Limited) 75A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Le

0.3. Size:258K inchange semiconductor irl3705zs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Другие MOSFET… IRFZ48ZL
, IRFZ48ZS
, IRL1404
, IRL1404L
, IRL1404S
, IRL1404Z
, IRL1404ZL
, IRL1404ZS
, 15N60
, IRL3705ZL
, IRL3705ZS
, IRL3713
, IRL3713S
, IRL3714Z
, IRL3714ZS
, IRL3715Z
, IRL3715ZL
.

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.