2sc2482-y Микрокоммерческие компоненты, 2sc2482-y Лист данных
Ревизия: 1
ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ
I
I
ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ
МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КЛАССИФИКАЦИЯ H
Характеристики
Электрические характеристики @ 25
Максимальные рейтинги
•
•
В
В
В
I
Генеральный директор
EBO
ч
В
В
f
Початок
Символ
CBO
т
Коммерческие микрокомпоненты
Символ
FE (1)
(BR) Генеральный директор
(BR) CBO
(BR) EBO
CE (сб)
BE
В
В
В
т
-P
M C C
т
СТГ
Генеральный директор
CBO
EBO
I
С
Высокое напряжение: Vceo = 300 В
Выходная емкость малого коллектора: Cob = 3.0 пФ (тип.)
С
Дж
Диапазон
Рейтинг
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность коллектора
Рабочая температура перехода
Температура хранения
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-база
Напряжение пробоя эмиттер-база
Ток отсечки коллектора
Ток отсечки коллектора
Ток отсечки эмиттера
Коэффициент усиления постоянного тока
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Частота транзистора
f = 30 МГц)
Напряжение насыщения база-эмиттер
Выходная емкость коллектора
В
(I
(I
(I
(В
(В
(В
(I
(I
(I
(I
CB
С
С
E
С
С
С
С
= 100 мкА постоянного тока, I
CB
CB
EB
= 3 мА постоянного тока, I
= 100 мкА постоянного тока, I
= 20 мА постоянного тока, В
= 10 мА постоянного тока, I
= 10 мА постоянного тока, I
= 20 мА постоянного тока, В
=
= 7 В постоянного тока, I
= 240 В постоянного тока, I
= 220 В постоянного тока, I
20В, я
FE (1)
E
= 0, f = 1 МГц
С
В
Параметр
= 0)
Рейтинг
= 0)
В
В
С
E
CE
CE
= 1 мА пост. Тока)
= 1 мА пост. Тока)
E
В
= 0)
= 0)
= 0)
= 0)
30-90
= 10 В постоянного тока)
= 10 В постоянного тока,
O
www.mccsemi.com
TM
O
C Если не указано иное
компоненты
20736 Марилла Стрит Чатсуорт
! »№
$
%! «#
-55 до +150
-55 до +150
300
300
7
30
мин.
50
Рейтинг
—
—
—
—
—
0,1
0.9
7,0
300
300
3
—
90–150
Макс
1,0
1,0
—
—
—
5,0
150
1,0
1,0
Я
1 из 4
Блок
пФ
В
МГц
Вт
O
O
А
В
Квартир
В
мкА постоянного тока
С
С
мкА постоянного тока
мкА постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
—
DIM
С
D
G
H
кв. м
N
А
В
E
F
Дж
К
л
I
Эпитаксиальный кремний
ДЮЙМОВ
МИН
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC2482
2SC2482-O
2SC2482-Y
Транзистор
С
F
А
В
D
.050
0,050
. 100
0,039
К-92МОД
123
МАКС
0,030
0,039
.031
0,024
.201
.087
0,024
. 323
. 413
. 161
H
E
НПН
РАЗМЕРЫ
G
МИН
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ММ
1.27
1,27
2,54
1,00
МАКС
10,50
1.
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
2SA1041 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
2SA1042 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
2SC2431 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзитсу | |
2SC2432 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
А1041 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
А1042 | ПНП-транзистор — 2SA1042 | Полупроводник Нью-Джерси | |
А1042 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
БД2222Г | 1-канальные ИС переключателя верхнего уровня с регулируемым ограничением тока | РОМ Полупроводник | |
БД2242Г | 1-канальные ИС переключателя верхнего уровня с регулируемым ограничением тока | РОМ Полупроводник | |
БД2243Г | 1-канальные ИС переключателя верхнего уровня с регулируемым ограничением тока | РОМ Полупроводник |
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Биполярный транзистор 2SC2500 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2500
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора:
2SC2500
Datasheet (PDF)
..1. Size:180K toshiba 2sc2500.pdf
..2. Size:210K lge 2sc2500 to-92l.pdf
2SC2500 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.70015.100Features7.8008.200 Strobe flash applications 0.6000.800 Medium power amplifier applications 0.3500.55013.80014.200Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 1.270 TYP2.4402.640Symbol Parameter Value Units0.000
..3. Size:244K lge 2sc2500 to-92mod.pdf
2SC2500 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD11. EMITTER 2 3 2. COLLECTOR 3. BASE 5.800Features 6.200 Strobe flash applications 8.4008.800 Medium power amplifier applications 0.9001.1000.4000.600 13.80014.2001.500 TYP2.900Dimensions in inches and (millimeters)3.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.000 1.600Symbol Parameter Va
8.1. Size:135K mospec 2sc2502.pdf
AAA
8.2. Size:287K no 2sc2504.pdf
8.3. Size:77K no 2sc2501.pdf
8.4. Size:223K inchange semiconductor 2sc2502.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2502DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Fast Switching SpeedCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.7V(Max.)@ I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed , powerswitching in in
8.5. Size:239K inchange semiconductor 2sc2507.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2507 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) Fast Switching Speed Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.7V(Max.)@ IC= 10A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed , power switching in inductive circuit , they are partic
8.6. Size:193K inchange semiconductor 2sc2501.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SC2501DESCRIPTIONWith TO-220 packagingReliable performance at higher powersAccurate reproduction of Input signalGreater dynamic rangeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RAT
Другие транзисторы… 2SC2496
, 2SC2496A
, 2SC2497
, 2SC2497A
, 2SC2498
, 2SC2499
, 2SC25
, 2SC250
, A970
, 2SC2500A
, 2SC2500B
, 2SC2500C
, 2SC2500D
, 2SC2502
, 2SC2503
, 2SC2504
, 2SC2505
.
2SC5250 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Перейти к содержимому
Корпус транзистора 2SC5250 и его обозначение на схеме |
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
- Встроенный демпферный диод.
Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттера-база | — | — | — | 6 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 8,0 | А |
Ip | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 16 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
V(br)ceo | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Ic = 10,0 мА, Rbe = ∞ | 800 | — | — | В |
V(br)ebo | Напряжение пробоя эмиттер-база | Ie = 600 мА, Ic = 0 | 6 | — | — | В |
Ices | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В | — | — | 500 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 4 | — | 7 | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А | — | — | 5 | В |
Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А | — | — | 1,5 | В |
Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | IF = 8 А | — | — | 2 | В |
Tf | Время спада импульса | Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц | — | 0,2 | 0,4 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter
Лучшие аналоги и альтернативы
При замене транзистора К2500 можно использовать следующие аналоги:
- КТ920А: имеет высокий коэффициент усиления, но низкое максимальное рабочее напряжение
- КТ815А: обладает высокой надежностью и стабильностью, но меньшим коэффициентом усиления
- КТ835Б: отличается высоким коэффициентом усиления и улучшенной температурной стабильностью
Кроме того, есть альтернативные транзисторы, которые могут заменить транзистор К2500 с некоторыми отличиями:
- 2N3055: имеет более высокую максимальную рабочую мощность и более низкий коэффициент усиления
- BD139: обладает низким уровнем шума и высокой помехозащищенностью, но более низким максимальным рабочим напряжением
- MPSA42: отличается высоким коэффициентом усиления и хорошей стабильностью, но меньшей мощностью
При подборе аналогов и альтернатив необходимо учитывать требования к конкретной схеме, такие как рабочее напряжение, максимальная мощность и коэффициент усиления.
Аналоги КТ315
У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.
Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Как заменить транзистор К2500
Для замены транзистора К2500 можно использовать следующие аналоги:
- 2N3055 — это наиболее популярный и доступный аналог К2500. Он обладает схожими характеристиками и может заменить транзистор К2500 в большинстве случаев.
- BD238 — это ещё один аналог К2500, который обеспечивает высокую надёжность и устойчивость к перегреву. Он имеет меньший размер и более низкую цену, чем К2500.
- MJ15003 — это аналог К2500 с повышенными характеристиками и уровнем мощности. Он обычно используется в усилителях мощности и других приложениях, требующих высокой эффективности и надёжности.
Выбор аналога К2500 зависит от конкретной ситуации и требований проекта. При замене транзистора необходимо учитывать электрические параметры, такие как максимальные ток и напряжение, а также совместимость с остальными компонентами схемы.
Важно обратить внимание на маркировку и расположение выводов аналогов транзистора К2500, чтобы избежать ошибок при установке. Для более точной замены рекомендуется обратиться к документации и схеме существующего устройства или проконсультироваться с специалистом
В целом, замена транзистора К2500 может быть решена выбором одного из предложенных аналогов или альтернативных моделей в зависимости от требований и потребностей конкретного проекта.
Проверка работоспособности КТ315
Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.
Проверка работоспособности КТ361
Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать
Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе
Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.