Интернет-справочник основных параметров транзисторов. параметры транзистора s8050a

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Технические характеристики лучших аналогов для транзистора s8050

При замене транзистора s8050 в электронной схеме важно выбрать аналог с аналогичными техническими характеристиками. Вот несколько лучших аналогов, которые могут быть подходящими заменами:

• Транзистор BC547: Этот NPN транзистор имеет максимальный ток коллектора 100 мА и максимальное напряжение коллектора 45 В. Он может использоваться в широком спектре приложений и является популярным выбором в электронике.
• Транзистор 2N3904: Это тоже NPN транзистор с максимальным током коллектора 200 мА и максимальным напряжением коллектора 40 В. Он также широко используется во многих аналоговых и цифровых устройствах.
• Транзистор 2N2222: Еще один популярный NPN транзистор с максимальным током коллектора 800 мА и максимальным напряжением коллектора 40 В. Он также подходит для многих электронных схем и может быть хорошей заменой для s8050.
• Транзистор MPSA13: Этот PNP транзистор обладает максимальным током коллектора 1А и максимальным напряжением коллектора 30 В. Он применяется, в основном, в усилителях и схемах с высокими токами.

Однако, перед заменой транзистора s8050, рекомендуется проверить технические характеристики вашей конкретной электронной схемы и выбрать аналог с максимально близкими параметрами. Это поможет избежать перегрузки или несовместимости компонентов и обеспечит правильную работу схемы.

Транзистор S8050.Полное обозначение и замена.

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

• Маркировку
• Тип корпуса
• Логотип производителя
• Используемый узел
• Схему включения

Какая маркировка электронных компонентов ?

Marking (маркировка) — это обозначение на корпусе электронного компонента (радиодетали).

Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

Всю информацию по маркировке производители указывают в даташитах (DataSheet), которые размещены на их сайтах. На форуме накоплен большой опыт в распознавании импортных радиодеталей использующихся в современной аппаратуре. Некоторая документация закачана разделы — микросхемы, транзисторы, диоды и стабилитроны.

Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

Logo (логотип) — символика производителя на корпусе компонента. Как правило, это небольшие рисунки или символы, если позволяет место для размещения. Распознав производителя уже намного понятнее в каком направлении копать дальше.

Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

Какие типы корпусов электронных компонентов?

Package (корпус) — вид корпуса электронного элемента. На сайте сущеструет каталог с чертежами часто встречающихся типов корпусов (размеры, спецификация, чертеж)

Корпус	Краткое описание
DIP	(Dual In Package) – корпус с двухрядным расположением контактов для монтажа в отверстия
SOT-89	Пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOT-23	Миниатюрный пластиковый корпус для поверхностного монтажа
SOP	(SOIC, SO, TSSOP) — миниатюрные корпуса для поверхностного монтажа
TO-220	Корпус для монтажа (пайки) в отверстия
TSOP	(Thin Small Outline Package) – тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
BGA	(Ball Grid Array) — корпус для монтажа выводов на шарики из припоя

Где скачать справочник ?

Большинство справочных данных — распиновка, характеристики и параметры расположены в темах и файловом разделе. Некоторые ссылки:

Характеристики C8050 транзистора

Он имеет следующие характеристики:

• Тип: NPN
• Максимальное напряжение коллектора: 40 В
• Максимальный ток коллектора: 500 мА
• Максимальная мощность: 625 мВт
• КОЭ силы тока усиления: 120-300
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-92

Транзистор C8050 обладает высоким быстродействием и отлично справляется с усилением слабых сигналов. Он часто используется для усиления звука в различных аудиоустройствах, таких как радиоприемники, усилители и стереосистемы.

Также C8050 транзистор может использоваться в электронных ключах, преобразователях постоянного тока, аналоговых и цифровых схемах, блокировках старта и других электронных устройствах.

Благодаря своим характеристикам, C8050 транзистор является надежным и универсальным компонентом, широко применяемым в современных электронных устройствах.

Предельно допустимые значения

В случае превышения приведенного в таблице 1 значения любого из параметров, производитель не гарантирует как соблюдения заявленных остальных значений (таблица 2) и типовых характеристик (приведены далее), так исправности самой детали.

Таблица 1. Предельные значения параметров на транзистор S9014

Обозначение	Параметр	Значение
VCBO (UCB max)	Напряжение коллектор-база, В	50
VCEO (UCE max)	Напряжение коллектор-эмиттер, В	45
VEBO (UEB max)	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	5
IC (ICmax)	Ток коллектора, мА	100
PC (PC max)	Рассеиваемая мощность, Вт	SOT-23	0,2
TO-92	0,45
Tj (tjmax)	Температура кристалла, °С	150
Tstg	Температура хранения, °С	-55…+150

Схема подключения транзистора

Для правильного подключения транзистора S8050 следует следовать определенной схеме подключения. Вот основные шаги:

1. Подготовьте транзистор S8050 и убедитесь, что его ноги не повреждены или искривлены.
2. Определите положительные и отрицательные выводы устройства.
3. Соедините эмиттер транзистора с отрицательным полюсом источника питания.
4. Подключите базу транзистора к управляющему сигналу или устройству.
5. Подключите коллектор к нагрузке или другому устройству, с которым вы хотите управлять.

Важно помнить, что схема подключения может варьироваться в зависимости от конкретной задачи и требований к использованию транзистора S8050. Проверьте дополнительные материалы и рекомендации, прежде чем начать работу с этим транзистором

Аналог транзистора S8050

Сдается, что не о том ключе речь, или не о том транзисторе.

Если уж нужен близкий «наш» аналог именно для 8050, то я бы выбирал из кт3117 или кт645 (они уж во всяком случае хоть что-то будут усиливать при токе 0,2-0,3 А, в отличие от кт502, кт503, и уж тем более от кт602 и кт604), а то и кт815/817, если разный корпус не проблема (полный аналог был заявлен среди каких-то из кт61хх, однако живьем мне так никогда и не попадался), хотя не знаю как у вас, а у нас и сам буржуйский оригинал уже дешевле всех этих аналогов стоит.

Только вот зачем такой транзистор в проводном телефоне, где напряжения в линии от 60 В и выше (при поступлении вызова), а токи всего несколько десятков миллиампер?

Несколько слов о деталях:

При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.

Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В; Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.

Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2. На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.

Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло). После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.

Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки. Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.

Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.

Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств. Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.

Силовые полевые транзисторы

В настоящее время полевой транзистор является одним из наиболее перспективных силовых приборов. Наиболее широко используются транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Для уменьшения сопротивления канала уменьшают его длину. Для увеличения тока стока в транзисторе выполняют сотни и тысячи каналов, причем каналы соединяют параллельно. Вероятность саморазогрева полевого транзистора мала, т.к. сопротивление канала увеличивается при увеличении температуры.

Силовые полевые транзисторы имеют вертикальную структуру. Каналы могут располагаться как вертикально, так и горизонтально.

Устройство и принцип работы симистора

Широко используется так называемые симметричные тиристоры (симисторы, триаки). Каждый симистор подобен паре рассмотренных тиристоров, включенных встречно-параллельно. Симметричные тринисторы являются управляемым прибором с симметричной вольт-амперной характеристикой. Для получения симметричной характеристики используются двухсторонние полупроводниковые структуры типа p-n-p-n-p.

Структура симистора, его УГО и ВАХ приведены на рисунке:

Симистор (триак) содержит два тиристора p1-n1-p2-n2 и p2-n2-p1-n4, включенных встречно-параллельно. Симистор содержит 5 переходов П1-П2-П3-П4-П5. При отсутствии управляющего электрона УЭ симистор называется диаком.

При положительной полярности на электроде Э1 осуществляется тиристорный эффект в p1-n1-p2-n2, а при противоположной полярности в p2-n1-p1-n4.

При подачи управляющего напряжения на УЭ в зависимости от его полярности и величины изменяется напряжение переключателя Uвкл

Тиристоры (динисторы, тринисторы, симисторы) являются основными элементами в силовых устройствах электроники. Существует тиристоры, для которых напряжение переключения больше, чем 1 кВ, а максимально допустимый ток больше, чем 1 кА

Усилитель на транзисторах 13002

Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.

Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Технические характеристики транзистора ss8050

Некоторые из важных технических характеристик транзистора ss8050:

1. Тип транзистора: PNP

2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 25 В

3. Максимальное напряжение коллектор-база (Vcbo): 30 В

4. Максимальный ток коллектора (Ic): 1.5 А

5. Максимальная мощность (Pc): 0.625 Вт

6. Максимальное значение коэффициента усиления тока (hFE): 100-400

7. Максимальная температура хранения (Tstg): -55°C до +150°C

Важно отметить, что это только некоторые из основных технических характеристик транзистора ss8050. При выборе замены или использовании этого транзистора, рекомендуется обратиться к документации и спецификациям конкретного производителя для получения более подробной информации о его характеристиках и ограничениях

Аналоги транзистора ss8050

1. 2SA1015
2. 2N3906
3. BC557
4. BC557B
5. BC560

Эти транзисторы имеют схожую структуру и параметры с транзистором ss8050, поэтому они могут успешно заменить его в большинстве схем. Однако, перед заменой транзистора следует проверить его характеристики и убедиться, что замена не потребует дополнительных изменений в схеме.

Выбор аналогов для транзистора ss8050 может быть ограничен доступностью компонентов на рынке или требованиями конкретной схемы. Поэтому, при замене транзистора всегда стоит обратиться к документации и проконсультироваться со специалистами, чтобы выбрать наиболее подходящий аналог для конкретных условий.

Принцип работы C8050 транзистора

Когда ток проходит через базу, создается электрическое поле в области перехода между базой и эмиттером. Это поле позволяет электронам свободно перемещаться с эмиттера в базу.

Если в базу подается достаточное напряжение, электроны начинают свободно перемещаться через переход и включать (пропускать) ток через коллектор-эмиттерную цепь.

Таким образом, принцип работы C8050 транзистора заключается в контроле тока через базу для управления током, проходящим через коллектор-эмиттерную цепь.

Этот транзистор часто используется в электронных схемах для усиления сигнала, коммутации сигналов, создания осцилляторов и других приложений, где необходимо управление током.