Транзистор ksp13 в индикаторной отвертке

KSP92 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  fairchild semi ksp92 ksp93.pdf

KSP92/93High Voltage TransistorTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSP92 -300 V: KSP93 -200 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSP92 -300 V: KSP93 -200 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -500 mAPC Col

 ..2. Size:58K  samsung ksp92.pdf

KSP92/93 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE TRANSISTORTO-92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage : KSP92 VCBO -300 V: KSP93 -200 VCollector-Emitter Voltage : KSP92 VCEO -300 V: KSP93 -200 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation (TA=25 ) PC 625 mWmW/ Derate above 2

 ..3. Size:180K  onsemi ksp92 ksp93.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..4. Size:48K  kexin ksp92.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-channel enhancement modevertical D-MOS transistorKSP92SOT-223Unit: mm3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2FeaturesLow threshold voltage VGS(th)+0.20.90-0.23.00+0.1-0.1Direct interface to C-MOS, TTL,etc.7.00+0.3-0.3High-speed switching 4No secondary breakdown.1 gate1 2 30.70+0.1-0.12,4 drain2.94.63 sourceAbsolute Maxi

 0.1. Size:288K  feihonltd ksp92a.pdf

TRANSISTOR KSP92A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -500mA Epitaxial silicon VCEO -300V High switching speed PC 625mW KSP42A Complementary to KSP42A RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier

Предельно допустимые значения

При превышении любого из параметров, приведенных в таблице, не гарантируется не только соблюдение заявленных значений остальных (таблица 2) и типовых характеристик (приведены далее), но также и целостность самой детали. Знак «–» перед значением параметра символизирует о том, что токи в p-n-p транзисторах направлены в сторону, противоположную той, которую можно ожидать, исходя из названия.

Таблица 1. Предельные значения параметров S9015.

Обозначение	Параметр	Значение
VCBO (UCB max)	Напряжение коллектор-база, В	-50
VCEO(UCE max)	Напряжение коллектор-эмиттер, В	-45
VEBO (UEB max)	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	-5
IC (ICmax)	Ток коллектора, мА	-100
PC (PC max)	Рассеиваемая мощность, Вт	SOT-23	0,2
TO-92	0,4
Tj (tjmax)	Температура кристалла, °С	150
Tstg	Температура хранения, °С	-55…+150

Электрические характеристики

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Таблица 2. Электрические параметры S9015.

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Значение
			Мин.	Макс.
V(BR)CBO	Напряжение пробоя к-б, В	IC=100 µA, IE=0	-50
V(BR)CEO	Напряжение пробоя к-э, В	IC=100 µA, IB=0	-45
V(BR)EBO	Напряжение пробоя э-б, В	IE=100 µA, IC=0	-5
ICBO	Обратный ток коллектора, µA	VCB =50 В, IE=0		-0,05
IEBO	Обратный ток эмиттера, µA	VEB =5 В, IC=0		-0,05
hFE (h21)	Коэффициент усиления	VCE =-5В, IC =-1мА	60	1000
VCE(sat) (UCEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ	IC=-100 мA, IB =-10мA		-0,3
VBE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ	IC=-100 мA, IB =-10мA		-1
fT	Граничная частота, МГц	VCE =-5В, IC =-10мA, f=30 MГц	150

Примечание.

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25 °С. Предельно допустимые значения (таблица 1) указаны для тех же условий.
2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими компаниями: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Технические характеристики

При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя

Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:

• наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = -40 В;
• предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером V_CEO (U_{кэ max}) = -25 В;
• максимально возможное напряжение между эмиттером и базой V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• предельно возможный постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -500 мА;
• максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
• наибольшая возможная температура на кристалле T_С до +150ОС;
• диапазон рабочих температур T_stg = -55 … 150ОС;

Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер V_CEO (U_{кэ max}). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25ОС:

Классификация по h_fe

Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока h_fe1 измеренного, при V_CE (U_кэ) = 1В и I_C (I_к) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:

Категория	D	E	F	G	H	I
hfe1	64-91	78-112	96-135	112-166	144-202	190-300

Комплементарная пара

У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Аналоги

В таблице приведены пригодные для замены S9015 p-n-p транзисторы и их основные параметры.

Тип	VCEO, В	IC, мA	PC, мВт	hFE	fT, МГц	Корпус	Цоколевка (слева направо)
S9015	-45	-100	450 (200)	200-1000	150	ТО-92, SOT-23	эбк
Российское производство
КТ3107	20-45	100	300	70 – 800	250	ТО-92	кбэ
КТ6112	45	100	450	60 – 600	100	ТО-92	кбэ
Импорт
2N5401C	-150	-600	625	50 – 240	100 – 300	ТО-92	экб
BC320	-45	-150	310	70 – 800	180	ТО-92	эбк
HS733	-50	-150	250	70 –700	180	ТО-92	эбк
KTC9015	-50	-150	625	60 – 600	100	ТО-92	эбк
2SA1020	-50	-2000	900	70 – 240	100	TO-92MOD	экб
2SA1318	-50	-200	500	100 – 560	200	ТО-92	экб
KSP56	-80	500	625	от 50	50	ТО-92	эбк
KSA733	-50	-150	250	40 – 700	180	ТО-92	эбк

Примечание.

1. Значение V_CEO КТ3107 определяется буквой, следующей за последней цифрой.
2. Корпус TO-92MOD отличается от ТО-92 высотой (8 мм вместо 4 мм) и наличием на ножках расширений – в 2 мм от поверхности корпуса.
3. Источником данных для таблицы послужили даташиты компаний-производителей.

KSP92 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KSP92

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 240
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.18
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Выходная емкость (Cd): 20
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 18
Ohm

Тип корпуса:

KSP92
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  fairchild semi ksp92 ksp93.pdf

KSP92/93High Voltage TransistorTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSP92 -300 V: KSP93 -200 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSP92 -300 V: KSP93 -200 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -500 mAPC Col

 ..2. Size:58K  samsung ksp92.pdf

KSP92/93 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE TRANSISTORTO-92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage : KSP92 VCBO -300 V: KSP93 -200 VCollector-Emitter Voltage : KSP92 VCEO -300 V: KSP93 -200 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation (TA=25 ) PC 625 mWmW/ Derate above 2

 ..3. Size:180K  onsemi ksp92 ksp93.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..4. Size:48K  kexin ksp92.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-channel enhancement modevertical D-MOS transistorKSP92SOT-223Unit: mm3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2FeaturesLow threshold voltage VGS(th)+0.20.90-0.23.00+0.1-0.1Direct interface to C-MOS, TTL,etc.7.00+0.3-0.3High-speed switching 4No secondary breakdown.1 gate1 2 30.70+0.1-0.12,4 drain2.94.63 sourceAbsolute Maxi

 0.1. Size:288K  feihonltd ksp92a.pdf

TRANSISTOR KSP92A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC -500mA Epitaxial silicon VCEO -300V High switching speed PC 625mW KSP42A Complementary to KSP42A RoHS RoHS product APPLICATIONS High frequency switch power supply Commonly power amplifier

Другие MOSFET… KRFR6215
, KRFR9210
, KRFR9310
, KRLML0100
, KRLML2502
, KRLML6402
, KSO200P03S
, KSP230
, AON7506
, KSS138
, KSS84
, KTD2005
, KTD2017
, KTHC5513
, KTHD3100C
, KTK7132E
, KTS1C1S250
.