Аналоги
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF630 | 100 W | 200 V | 20 V | 4 V | 10 A | 150 °C | 40 nC | 1500 pf | 0,4 Ohm | TO220 | |
| STP30NF20 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 30 A | 150 °C | 38 nC | 15,7 ns | 320 pf | 0,075 Ohm | TO220 |
| STP19NM50N | 110 W | 500 V | 25 V | 4 V | 14 A | 150 °C | 34 nC | 16 ns | 72 pf | 0,25 Ohm | TO220 |
| STP13N60M2 | 110 W | 600 V | 25 V | 4 V | 11 A | 150 °C | 17 nC | 10 ns | 32 pf | 0,38 Ohm | TO‑220 |
| NCE65T130 | 260 W | 650 V | 30 V | 4 V | 28 A | 150 °C | 37,5 nC | 12 ns | 120 pf | 0,13 Ohm | TO220 |
| IRFP640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 51 ns | 430 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
| IRFB5620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
| IRFB4620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
| IRFB4020 | 100 W | 200 V | 20 V | 18 A | 18 nC | 0,1 Ohm | TO220AB | ||||
| IRF644A | 139 W | 250 V | 14 A | 150 °C | 1230 pf | 0,28 Ohm | TO220 | ||||
| IRF640A | 139 W | 200 V | 18 A | 150 °C | 1160 pf | 0,18 Ohm | TO220 | ||||
| IPP60R199CP | 139 W | 600 V | 20 V | 3,5 V | 16 A | 150 °C | 32 nC | 5 ns | 72 pf | 0,199 Ohm | TO220 |
| IPP600N25N3G | 136 W | 250 V | 20 V | 4 V | 25 A | 175 °C | 22 nC | 10 ns | 112 pf | 0,06 Ohm | TO220 |
| IPP50R190CE | 127 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 18,5 A | 150 °C | 8,5 ns | 68 pf | 0,19 Ohm | TO‑220 | |
| IPP410N30N | 300 W | 300 V | 20 V | 4 V | 44 A | 175 °C | 9 ns | 374 pf | 0,041 Ohm | TO‑220 | |
| IPP320N20N3 | 136 W | 200 V | 20 V | 4 V | 34 A | 175 °C | 22 nC | 9 ns | 135 pf | 0,032 Ohm | TO‑220 |
| IPP220N25NFD | 300 W | 250 V | 20 V | 4 V | 61 A | 175 °C | 10 ns | 398 pf | 0,022 Ohm | TO‑220 | |
| IPA50R199CP | 139 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 17 A | 150 °C | 34 nC | 14 ns | 80 pf | 0,199 Ohm | TO220FP |
| FCP13N60N | 116 W | 600 V | 30 V | 4 V | 13 A | 150 °C | 30,4 nC | 0,258 Ohm | TO220 | ||
| BUZ61 | 150 W | 400 V | 20 V | 12,5 A | 150 °C | 0,4 Ohm | TO‑220AB | ||||
| BUZ30A | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 21 A | 150 °C | 70 ns | 280 pf | 0,13 Ohm | TO‑220 | |
| AOT42S60L | 417 W | 600 V | 30 V | 3,8 V | 39 A | 150 °C | 53 ns | 135 pf | 0,099 Ohm | TO220 | |
| AOT11S60 | 178 W | 600 V | 30 V | 11 A | 150 °C | 20 ns | 37,3 pf | 0,399 Ohm | TO‑220 | ||
| 18N20 | 110 W | 200 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 21,1 ns | 81,2 pf | 0,16 Ohm | TO251 TO252 TO220 | ||
| 18N40 | 360 W | 400 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 22 ns | 280 pf | 0,18 Ohm | TO‑247 TO‑220 TO‑220F1 | ||
| 18N50 | 277 W | 500 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 165 ns | 330 pf | 0,24 Ohm | TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2 | ||
| 15N40 | 170 W | 400 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 55 ns | 210 pf | 0,26 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 | ||
| 15N50 | 170 W | 500 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 150 ns | 250 pf | 0,26 Ohm | TO‑220F2 | ||
| 12N40 | 192 W | 400 V | 30 V | 12 A | 150 °C | 105 ns | 900 pf | 0,34 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 |
В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Важные технические характеристики
Транзистор IRF610 имеет ряд важных технических характеристик, которые определяют его возможности и области применения. Ниже приведены некоторые из наиболее значимых характеристик данного транзистора:
Напряжение стока-истока (Vds): IRF610 может выдерживать напряжение стока-истока до 200 вольт. Это означает, что он подходит для работы в схемах с высоким напряжением.
Ток стока (Id): Максимальный ток стока для IRF610 составляет 3.3 ампера. Это позволяет использовать транзистор в схемах с высоким током, например, в силовых усилителях или источниках питания.
Сопротивление канала (Rds(on)): У IRF610 сопротивление канала составляет приблизительно 40 миллиом. Это означает, что он обладает низким сопротивлением и может быть использован для эффективного управления током.
Мощность (Pd): IRF610 располагает мощностью потерь до 75 ватт. Это определяет способность транзистора справляться с большими мощностными нагрузками.
Скорость переключения (Ciss, Coss, Crss): IRF610 имеет низкую емкость входа (Ciss), выхода (Coss) и обратной связи (Crss), что позволяет достичь высокой скорости переключения транзистора.
Температурный диапазон: IRF610 способен работать в температурном диапазоне от -55 до +175 градусов по Цельсию. Это делает его подходящим для применения в разных условиях эксплуатации.
Это лишь некоторые из важных технических характеристик транзистора IRF610. Знание этих характеристик поможет вам определить, подходит ли данный транзистор для вашей конкретной задачи.
Маркировка IRF3205
В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.
Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.
А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).
TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.
Характеристики транзистора IRF610
Транзистор IRF610 относится к группе полевых транзисторов с эффектом поля. Он может быть использован в различных электронных устройствах, например, в усилителях мощности, схемах питания и коммутационных устройствах. Вот основные характеристики IRF610:
- Тип: N-канальный
- Максимальное напряжение стока-истока (VDS): 200 В
- Максимальное напряжение сток-исток в открытом состоянии (VGS): ± 20 В
- Максимальная непрерывная сила тока стока (ID): 3,3 А
- Максимальная мощность в режиме охлаждения свободным воздухом (PD): 40 Вт
- Сопротивление стока-истока в закрытом состоянии (RDS(on)): 0,55 Ом
- Температурный диапазон эксплуатации (TJ): от -55°C до +175°C
- Корпус: TO-220
Транзистор IRF610 обладает высокими электрическими характеристиками, что делает его идеальным для использования в приложениях, требующих надежной и эффективной коммутации мощности.
DIY Class-A Headphone Amplifier
Not thrilled with how a computer soundcard drove my 32 ohm Grado SR80 headphones, I decided to build myself a desktop headphone amplifier for the office. In this instance I had plenty of voltage gain, but the sound card just runs out of gas with good headphones. This amplifier will only be suitable in setups where the input signal does not require voltage amplification (such as the output of a preamplifier, mp3 player or computer). This amplifier will delivery plenty of current to drive more demainding headphone types.
This is a simple do-it-yourself (DIY) headphone amplifier project that is fashioned primarily after the Class-A MOSFET Headphone Driver project by Greg Szekeres and to some extent Mark’s DIY Class-A 2SK1058 MOSFET Amplifier Project. The amplifier concept is simple and follows a typical single-ended class-A circuit utilizing an active constant current source (CCS) in place of a passive resistor. A CCS doubles the efficiency of the circuit over that where a passive load resistor is used, bringing it to a maximum of 25%.
Figure 1: Basic Class-A Amplifier Schematic
There are a couple of items to note. A FET follower circuit will be able to supply high current, but the voltage gain will be less than one. This amplifier will only be suitable in applications where the input signal does not require voltage amplification (such as the output of an mp3 player or computer). Also, a simple single-ended circuit like this will have no power supply ripple rejection and thus any noise in the power supply is going to go right through amplifier. For that reason, you will need to use a regulated power supply. Suitable inexpensive regulated (wall wart) power supplies can be purchased from Radio Shack. 10-20VDC and 750mA should be fine.
The schematic for this headphone amplifier project is shown below in Figure 2. An IRF610 MOSFET is used in this example, but a wide variety of FET devices can be used in its place. I’ve had success with IRF510, IRF610, IRF611, IRF612 and IRF710, all of which worked well. You will want to stay away from IRF530 or IRF540 types (commonly found in power supplies) as there will be terrible roll-off of the highs. Using a simple application of a common LM317 voltage regulator it is configured as a very accurate CCS set to draw 250mA.
Схемы с использованием TL431
Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.
Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)
Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:
Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)
Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.
Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.
Лабораторный блок питания на TL431 с защитой
Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.
Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.
Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)
Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.
Индикатор напряжения
Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.
Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.
Таймер задержки на TL431
Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).
Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.
Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317
Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).
Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.
Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.
IRF610 Datasheet (PDF)
..1. Size:107K 1 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf
..2. Size:174K international rectifier irf610.pdf
..3. Size:202K international rectifier irf610pbf.pdf
IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD
..4. Size:148K fairchild semi irf610.pdf
..5. Size:202K vishay irf610 sihf610.pdf
IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD
0.1. Size:178K international rectifier irf610s.pdf
0.2. Size:173K international rectifier irf610l irf610lpbf.pdf
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt ratingAvailableQg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche ratedQgs (nC) 1.8 Fast switchingAvailableQgd (nC) 4.5 Ease of parallelingConfiguration Sing
0.3. Size:636K international rectifier irf6100.pdf
PD — 93930FIRF6100HEXFET Power MOSFETl Ultra Low RDS(on) per Footprint AreaVDSS RDS(on) max IDl Low Thermal Resistance-20V 0.065@VGS = -4.5V -5.1Al P-Channel MOSFET0.095@VGS = -2.5V -4.1Al One-third Footprint of SOT-23l Super Low Profile (
0.4. Size:199K international rectifier irf610spbf.pdf
IRF610S, SiHF610SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 200 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Simple Drive R
0.5. Size:618K international rectifier irf6100pbf.pdf
PD — 96012BIRF6100PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low RDS(on) per Footprint AreaVDSS RDS(on) max IDl Low Thermal Resistance-20V 0.065@VGS = -4.5V -5.1Al P-Channel MOSFET0.095@VGS = -2.5V -4.1Al One-third Footprint of SOT-23l Super Low Profile (
0.6. Size:866K fairchild semi irf610b.pdf
IRF610B/IRFS610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switch
0.7. Size:930K samsung irf610a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 1.169 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu
0.8. Size:175K vishay irf610s sihf610s irf610l sihf610l.pdf
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt ratingAvailableQg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche ratedQgs (nC) 1.8 Fast switchingAvailableQgd (nC) 4.5 Ease of parallelingConfiguration Sing
0.9. Size:2973K cn vbsemi irf610p.pdf
IRF610Pwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) 200 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 175 C Junction TemperatureQg (Max.) (nC) 13 PWM Optimized 100 % Rg TestedQgs (nC) 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 7.9Configuration SingleAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220AB DGG
Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.
Практическое применение транзистора
Транзистор IRF610 имеет широкий спектр применений в различных электронных схемах и устройствах. Его основные особенности и характеристики делают его незаменимым компонентом многих проектов.
Одним из основных применений транзистора IRF610 является использование его в схемах усилителей. Благодаря высокому значению коэффициента усиления и низкому уровню шума, этот транзистор часто применяется в аудиоусилителях, радиотехнических устройствах и других подобных системах. Он позволяет усилить сигнал до нужного уровня без искажений и потери качества.
Также транзистор IRF610 может использоваться в схемах коммутации и управления. Благодаря высокой мощности и низкому сопротивлению, он подходит для работы с большими токами. Это делает его идеальным компонентом для создания электронных ключей и регуляторов мощности. Этот транзистор может использоваться для управления различными нагрузками, включая светодиоды, моторы, реле и другие электромеханические устройства.
Транзистор IRF610 также можно применять в системах стабилизации и защиты. Благодаря высокому напряжению пробоя, он может использоваться в схемах защиты от перенапряжений, кратковременных импульсов и других электрических помех. Он также может быть использован в схемах стабилизации напряжения или тока для поддержания постоянных параметров.
В целом, транзистор IRF610 является полезным компонентом для многих различных проектов и электронных устройств. Его высокая мощность, низкое сопротивление и хорошие характеристики делают его незаменимым элементом во многих электронных схемах.
Описание транзистора IRF610
IRF610 имеет твердотельный корпус TO-220, который позволяет установить его на радиатор для отвода тепла. Транзистор имеет три вывода: исток (S), сток (D) и затвор (G).
Этот транзистор специально разработан для использования в различных приложениях, например, в усилителях мощности, источниках питания, импульсных цепях, переключателях и т.д.
IRF610 обладает следующими особенностями:
- Низкое сопротивление канала (он составляет всего несколько Ом), что обеспечивает высокую эффективность работы и низкий уровень падения напряжения.
- Высокая надежность и долговечность благодаря использованию полупроводниковых материалов и технологий.
- Высокая температурная стабильность, позволяющая использовать транзистор в экстремальных условиях.
Транзистор IRF610 можно успешно применять в различных схемах усиления или коммутации мощных сигналов. Он имеет малый размер и низкий собственный шум, что делает его идеальным для использования в радиоэлектронике и других областях.
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
- Изолированный корпус.
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 3,0/5,0 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 25 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,15 А | 15 | — | — | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А | — | — | 1,0 | В |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,0 | А |
| Tr/Tf | Время нарастания/спада | — | — | 0,5 | 0,7/0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать. Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 25000 | 900 | 800 | 7 | 3000 | +150 | 200000 | 15 |
Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода
Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC5353
| Общий вид транзистора 2SC5353. | Цоколевка транзистора 2SC5353. |
Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5353
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220NIS
2SC5353 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:
«>
Second Build — Class-A Mosfet Headphone Amplifier
UPDATE — Dec 2013. The photos below show the second of these amplifiers that I built. This version of the Class-A Mosfet Headphone Amplifier features a very high quality PCB that was made by a forum member and sent to me as a gift.
Photograph 9: PCB for Class-A MOSFET Headphone Amplifier
For the power supply I am using is a 20VDC power supply from an older laptop. The 20VDC is regulated to 16VDC using a basic LM317 variable power supply circuit. This makes for a ultra quiet power supply which is necessary for this amplifier circuit.
Photograph 10: Class-A Mosfet Headphone Amp with LM317 Regulated Power Supply
The headphone amplifier was built into the enclosure from some sort of old Dolby processor (1990s) that I had to modify slightly. Plain RCA jacks are used for input source. For the headphone output I am using a Neutrik Locking 1/4″ phone jack. This is a very good quality 1/4″ locking jack and I use these all the time in my builds.
