C2073 транзистор: характеристики на русском языке

Полевые транзисторы

Так же очень распространенные на сегодняшний день компоненты. Их применяют даже чаще, чем биполярные. К примеру, инверторы теперь в основном только с полевыми, то есть биполярные приборы они уже стеснили. И если у вас возникает вопрос, можно ли заменить полевой транзистор биполярным, то ответ будет положительным. Однако в полевом плюсов намного больше, чем в биполярном.

Полевые усилители поглощают энергии намного меньше, чем биполярные, так как полевые управление фокусируют на напряжении и электрическим полем заряда, в то время когда биполярные же держатся на токе базы. Поэтому их предпочитают больше. Полевые транзисторы даже переключаются в разы быстрее, чем биполярные. К тому же они имеют хорошую термоустойчивость. И для того, чтобы переключить направления электрического тока, полевые транзисторы вправе соединяться параллельно и без резисторов, просто нужен драйвер, подходящий для этого.

Если же говорить о замене полевых триодов, то и здесь есть способ поиска их аналогов. В принципе в поиске с биполярными не сильно отличается, можно сказать даже, что будет практически таким же. Но разница небольшая есть: нет той проблемы с передачей тока, как у биполярного транзистора. Нельзя забывать о сток-исток, нужно помнить о запасе.

К тому же у полевого есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Вот от него легко определить, что будет с мощностью, и как она будет рассеиваться

Ну и, конечно же, очень важно рассчитывать это сопротивление открытого канала, так как можно потерять много энергии и напряжении при переходе не будет слишком высоким

Чем можно заменить полевые транзисторы?

Крутизна S также очень важна при поиске аналога. Данный параметр будет показывать состояние тока стока при напряжении затвора. Это позволит определить, сколько понадобится напряжения для коммутации.

Помните, что выбирать важно и исходя от порогового напряжения затвора, если напряжение будет в разы меньше порогового, то нормального функционирования от вашего аналога ждать не придется. Цепь при получении напряжения не получит нужного и вся мощность, точнее ее рассеивание останется на приборе, а для него этого нежелательно, ведь может случиться перегрев. В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса

Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться

В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса. Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться.

Емкость затвора так же очень важна в случае данного предмета

Очень важно, чтобы затвор не был крайне тяжелым, и необходимо помнить об этом при выборе. Будет очень хорошо, если он будет меньше в разы, так как это принесет удобство и легкость в использовании данного механизма. Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом

Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом.

К примеру, сейчас довольно часто меняют IRFP460 на более новую и современную 20N50, так как у него затвор крайне легкий. Опять-таки даташит скажет то же самое, указав на массу схожести, несмотря на преимущество второго.

Механические характеристики транзистора C2073

Транзистор C2073 относится к типу TO-220. Это означает, что корпус транзистора имеет форму прямоугольного параллелепипеда с металлической задней панелью, сверху которой расположены выводы для подключения.

Физические размеры транзистора C2073 составляют примерно 10 мм в ширину, 15 мм в длину и 4 мм в высоту. Выводы транзистора располагаются в форме треугольника, с двумя выводами с одной стороны и одним выводом с другой стороны.

Крепление транзистора C2073 осуществляется с помощью отверстий для винтов или радиатора. Максимальная мощность, которую можно отводить с помощью радиатора, составляет до 20 Вт.

Также транзистор C2073 имеет возможность монтажа на печатную плату. Для этого на задней панели корпуса имеются основные контакты для пайки, что позволяет быстро и просто устанавливать транзистор на печатную плату.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока от 15 и выше.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 60 в, импульсное – 160 в – у КТ805А, КТ805АМ. 135 в – у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Максимальный ток коллектора. – 5 А.

Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ – – не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – – не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 100 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). – 30 Вт.

Граничная частота передачи тока – 20 МГц.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина – черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла – источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста – он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости – КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент – намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 – 0,25 мм на диэлектрическое основание, например – пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен – может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу – это даст возможность наблюдать «стример» – коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы – стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 – 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 – 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор – чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно – выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина – 22см), а первичной – 6см (длина – 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения – 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего – от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

Схема подключения и цоколевка

Транзистор С2073 имеет следующую цоколевку:

Номер контакта	Обозначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	База

Для правильного подключения транзистора С2073 рекомендуется следовать следующей схеме:

1. Подключите эмиттер транзистора к общей земле или минусовому питанию.
2. Подключите коллектор к источнику питания, обычно плюсовому положительному напряжению.
3. Подключите базу транзистора к управляющему сигналу или сигналу управления.
4. Убедитесь, что токи и напряжения не превышают максимально допустимые значения, указанные в документации на транзистор.

При правильном подключении и использовании транзистора С2073 он способен выполнять заданные функции в схеме и обеспечивать нужное усиление или коммутацию сигналов.

Функции и применение транзистора C2073

Основная функция транзистора C2073 заключается в усилении и коммутации электрических сигналов. Он может быть использован для усиления слабого сигнала посредством контроля большего тока через коллектор-эмиттерный переход. Также транзистор C2073 может использоваться в качестве коммутационного элемента для переключения сигналов или управления различными устройствами.

Применение транзистора C2073 включает множество областей. Он широко используется в аудиоусилителях, радиоприемниках, телевизорах, компьютерах, силовых блоках, схемах питания и других электронных устройствах. Также транзистор C2073 может использоваться в электронных ключах, преобразователях постоянного тока, стабилизаторах напряжения и других устройствах, где требуется усиление или коммутация сигнала.

Важно отметить, что функции и применение транзистора C2073 могут зависеть от конкретной электрической схемы и требований к устройству. При использовании транзистора C2073 необходимо соблюдать соответствующие допустимые параметры и рекомендации производителя

2SC2073 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  jiangsu 2sc2073.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2073 TRANSISTOR (NPN) TO-220-3L1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Wide safe Operating Area. 3. EMITTER Complementary to 2SA940 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Paramenter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150

 ..2. Size:218K  lge 2sc2073.pdf

2SC2073(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Wide safe Operating Area. Complementary to 2SA940 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Paramenter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC C

 ..3. Size:215K  foshan 2sc2073 3da2073.pdf

2SC2073(3DA2073) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. :, 2SA940(3CA940) Features: Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940(3CA940). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..4. Size:1725K  jsmsemi 2sc2073.pdf

2SC2073NPN / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features PIN1Base , 2SA940 1 PIN 2Collector 2 3 Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940. PIN 3Emitter / Applications

 ..5. Size:421K  cn sptech 2sc2073.pdf

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC2073DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SA940APPLICATIONSPower amplifier applications.Vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 150 VCBO

 ..6. Size:192K  inchange semiconductor 2sc2073.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2073DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SA940Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

 0.1. Size:154K  toshiba 2sc2073a.pdf

 0.2. Size:632K  semtech st2sc2073u.pdf

ST 2SC2073U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor General purpose amplifier and high voltage application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 160 V Collector Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 1 APeak Collector Current (Single pulse, tp = 300 s) ICP 2 A0.5 Ptot W To

 0.3. Size:221K  foshan 2sc2073a 3da2073a.pdf

2SC2073A(3DA2073A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. :, 2SA940A(3CA940A) Features: Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940A(3CA940A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 0.4. Size:1293K  cn sps 2sc2073t1tl.pdf

2SC2073T1TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SA940APPLICATIONSPower amplifier applications.Vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 150 VCBOV Collector-Emitter Voltage 150

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

 ..2. Size:49K  philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

 ..3. Size:100K  fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

 ..4. Size:60K  central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 ..5. Size:1285K  sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

 0.1. Size:300K  motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

 0.2. Size:155K  onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.3. Size:156K  onsemi 2n5087g.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.4. Size:156K  onsemi 2n5087rlrag.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.5. Size:49K  hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Применение транзистора C2073

Транзистор C2073 широко используется в различных электронных устройствах. Благодаря его высокой надежности и хорошим техническим характеристикам, он нашел применение в множестве сфер.

Одной из основных областей применения транзистора C2073 является усиление аудиосигнала. Благодаря его высокой мощности и распространенному типу корпуса TO-3P, транзистор C2073 подходит для создания усилителей звука различной мощности. Он может быть использован в автомобильных аудиосистемах, акустических системах, радиоприемниках и других устройствах, где требуется усиление звука.

Транзистор C2073 также находит применение в схемах управления. Он может быть использован для управления электромоторами, светодиодами, катодными лампами и другими устройствами, которые требуют быстрого и эффективного управления.

В электронной технике транзистор C2073 может быть использован в качестве ключевого элемента для управления другими активными компонентами, такими как реле и триаки. Благодаря его высокой коммутационной способности и быстрому переключению, он может быть применен для управления большими токами и напряжениями.

Транзистор C2073 также может быть использован в схемах стабилизации напряжения и тока. Он обладает низким показателем сопротивления при больших токах, что делает его подходящим для создания стабильного и надежного источника питания.

В целом, транзистор C2073 является универсальным активным компонентом, который может быть использован в широком спектре приложений. Благодаря его высокой мощности, надежности и эффективности, он широко применяется как в профессиональной, так и в бытовой электронике.

Основные параметры транзистора C2073

Основные параметры транзистора C2073:

• Максимальное коллекторное напряжение (V_CBO): 200 В
• Максимальное коллекторное напряжение при обратном эмиттерном токе (V_CEO): 160 В
• Максимальное эмиттерное напряжение (V_EBO): 5 В
• Максимальный коллекторный ток (I_C): 5 А
• Максимальный базовый ток (I_B): 1 А
• Максимальная мощность потери (P_d): 20 Вт
• Температура перехода и окружающей среды (Tj, Ta): от -55°C до 150°C

Транзистор C2073 имеет три вывода: коллектор (С), базу (В) и эмиттер (Е). Он является дискретным элементом, который обеспечивает усиление и управление электрическими сигналами в электронных устройствах.

Электрические характеристики транзистора C2073

Основные электрические характеристики транзистора C2073 включают:

1. Максимальное значение коллекторного тока (I_Cmax): данная характеристика определяет максимально допустимое значение тока, который может протекать через коллектор транзистора. Для транзистора C2073 это значение составляет обычно около 12А.
2. Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (V_CEO): это параметр указывает на максимальное допустимое значение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора при закрытом базовом контакте. Обычно для C2073 это значение составляет около 140В.
3. Коэффициент усиления по току (h_FE): эта характеристика показывает, насколько раз усиливается входной ток при наличии базового тока. В случае C2073 это значение составляет обычно от 15 до 60.
4. Максимальное значение мощности (P_Cmax): данная характеристика определяет максимальную мощность, которую можно передать через транзистор без его повреждения. Для C2073 это значение обычно составляет около 100Вт.
5. Частота переключения (f_T): это характеристика указывает на максимальную частоту, при которой усиление по току падает до значения коэффициента усиления по напряжению. Для транзистора C2073 это значение составляет обычно около 15МГц.

Изучение электрических характеристик транзистора C2073 позволяет определить его возможности итс важное при разработке и проектировании электронных устройств и схем

Функции и применение C2073 транзистора

Транзистор C2073 относится к группе низкочастотных плоскостных NPN-транзисторов и широко используется в различных электронных устройствах и схемах.

Основными функциями C2073 транзистора являются:

• Усиление сигналов. C2073 может использоваться в качестве усилителя для усиления слабых электрических сигналов, например, в радиоприемниках или звуковых системах.
• Коммутация. C2073 транзистор позволяет переключать высокочастотные или мощные сигналы в электронных схемах или цепях.
• Регулирование. C2073 может использоваться для регулирования или контроля электрического тока или напряжения в схеме.
• Инвертирование сигналов. C2073 транзистор может инвертировать или изменить фазу входного сигнала, что позволяет его использовать в инверторах или генераторах синусоидальных сигналов.

Благодаря своим характеристикам и надежности, C2073 транзистор нашел применение в широком спектре электронных устройств:

• Аудиоусилители и магнитофоны. C2073 может использоваться для усиления аудио сигналов в звуковых устройствах, таких как радиоприемники, магнитофоны или усилители.
• Импульсные блоки питания. C2073 позволяет коммутировать и регулировать высокочастотные сигналы в источниках питания.
• Светотехника. C2073 транзистор может использоваться для управления яркостью светодиодов или других световых приборов.
• Телекоммуникационное оборудование. C2073 транзистор может применяться в телефонных станциях, роутерах и других устройствах связи.
• Электронные ключи и реле. C2073 может использоваться для коммутации мощных сигналов в ключах и реле.

Обратите внимание, что конкретное применение C2073 транзистора зависит от конкретной схемы и требований электронного устройства

В связи с этим, важно ознакомиться с техническими характеристиками и рекомендациями производителя перед использованием этого транзистора в своих проектах

Описание и применение

Транзистор С2073 широко применяется в электронике для построения усилительных схем и логических элементов. Он позволяет усилить слабые сигналы, передаваемые по цепям, что позволяет получить более сильный и стабильный сигнал на выходе. Это делает его особенно полезным в радиоэлектронике, телекоммуникациях, аудиоусилителях и других электронных устройствах, где требуется передача сигнала с минимальными искажениями.

На практике транзистор С2073 может использоваться в различных схемах и приложениях. Например, он может быть частью усилительной схемы аудиоплеера, радиоприемника или телевизора, где он усиливает слабые радиочастотные или аудио сигналы. Также, транзистор С2073 может быть использован в цифровых логических схемах для коммутации и усиления цифровых сигналов.

Важно отметить, что при использовании транзистора С2073 необходимо соблюдать определенные условия эксплуатации и предоставленные производителем технические характеристики. Это поможет увеличить надежность и долговечность устройства, а также получить максимальную эффективность в работе

Описание и принцип работы

Трехслойный структура транзистора состоит из эмиттера, базы и коллектора. Основной принцип работы транзистора с2073 заключается в контроле тока, протекающего через устройство, путем изменения тока базы.

При подаче положительного напряжения на базу, электроны, выбиваемые из базы, начинают двигаться в сторону коллектора. Таким образом, устройство позволяет контролировать большие токи, протекающие через коллектор, при помощи небольшого тока базы.

Транзистор с2073 также обладает высокой частотой переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих устройствах, таких как усилители мощности или блоки питания.

Основные характеристики C2073 транзистора

1. Тип транзистора: NPN

2. Максимальное значение коллекторного тока (IC): 3А

3. Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (Vce): 150В

4. Максимальное значение базового тока (IB): 0.6А

5. Максимальная мощность потери на тепло (PD): 20Вт

6. Максимальная рабочая частота (fT): 30МГц

7. Коэффициент усиления тока (hfe): 30-100

8. Затухание в полосе частот (hfe): 3дБ

9. Температурный диапазон (Tj): -65°C до +150°C

Транзистор C2073 широко используется в электронных устройствах для переключения и усиления сигнала. Его высокая мощность потери на тепло и рабочая частота делают его идеальным для использования в схемах усилителей звука, постоянного искажения и переключения.

Преимущества использования транзистора C2073

Транзистор C2073 предоставляет несколько важных преимуществ, которые делают его привлекательным для различных электронных приложений:

Преимущество
Описание
Высокая мощность
Транзистор C2073 способен выдерживать высокие уровни мощности, что делает его идеальным для использования в схемах мощных усилителей и электронных устройств, требующих большой выходной мощности.
Высокие рабочие частоты
Транзистор C2073 обладает отличными характеристиками в рабочих частотных диапазонах, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях, включая телекоммуникационные системы и радиопередатчики.
Низкое сопротивление
Транзистор C2073 имеет низкое внутреннее сопротивление, что обеспечивает эффективность и надежность работы устройств, использующих этот транзистор. Благодаря этому он также обладает высокой точностью и стабильностью сигнала.
Хорошая теплопроводность
Транзистор C2073 эффективно отводит тепло, что позволяет ему работать при повышенных температурах без перегрева

Это особенно важно для приложений, требующих длительной работы или высокой нагрузки.
Широкий диапазон рабочих напряжений
Транзистор C2073 может работать в широком диапазоне напряжений, что делает его универсальным и применимым во многих различных схемах и устройствах.

Все эти преимущества делают транзистор C2073 очень полезным и востребованным компонентом в электронике.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE ٭	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы