Транзистор КТ846В — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Описание и применение транзистора КТ846В

Транзистор КТ846В представляет собой полевой транзистор с типом корпуса TO-92. Он имеет низкий уровень шума и высокую усилительную способность, что делает его идеальным для использования в радиоэлектронных устройствах, где требуется низкий уровень помех и высокое качество звука.

Этот транзистор обладает следующими характеристиками:

• Максимальное напряжение коллектора (Vce): 30 В
• Максимальный ток коллектора (Ic): 500 мА
• Максимальная мощность потери (Ptot): 300 мВт
• Коэффициент усиления тока (hFE): 150-350
• Сопротивление эмиттера (Re): 8-60 Ом
• Температурный коэффициент смещения выходного сигнала (TCХ): 0,1 %/°C

Транзистор КТ846В применяется в различных устройствах, таких как радиоприёмники, телевизоры, усилители и другие схемы с усилителем низкой частоты. Благодаря своим характеристикам, он обеспечивает высокую точность и стабильность работы аудио-систем и других электронных устройств.

Схемы включения

Для корректного применения и подключения БТ нужно знать их классификацию и тип. Классификация биполярных транзисторов:

1. Материал изготовления: германий, кремний и арсенидогаллий.
2. Особенности изготовления.
3. Рассеиваемая мощность: маломощные (до 0,25 Вт), средние (0,25-1,6 Вт), мощные (выше 1,6 Вт).
4. Предельная частота: низкочастотные (до 2,7 МГц), среднечастотные (2,7-32 МГц), высокочастотные (32-310 МГц), сверхвысокочастотные (более 310 МГц).
5. Функциональное назначение.

Функциональное назначение БТ делится на следующие виды:

1. Усилительные низкочастотные с нормированным и ненормированным коэффициентом шума (НиННКШ).
2. Усилительные высокочастотные с НиННКШ.
3. Усилительные сверхвысокочастотные с НиННКШ.
4. Усилительные мощные высоковольтные.
5. Генераторные с высокими и сверхвысокими частотами.
6. Маломощные и мощные высоковольтные переключающие.
7. Импульсные мощные для работы с высокими значениями U.

Кроме того, существуют такие типы биполярных транзисторов:

1. Р-n-p.
2. N-p-n.

Смотрите это видео на YouTube

Существует 3 схемы включения биполярного транзистора, каждая из которых обладает своими достоинствами и недостатками:

1. Общая Б.
2. Общий Э.
3. Общий К.

Включение с общей базой (ОБ)

Схема применяется на высоких частотах, позволяя оптимально использовать частотную характеристику. При подключении одного БТ по схеме с ОЭ, а потом с ОБ его частота работы усилится. Эту схему подключения применяют в усилителях антенного типа. Уровень шумов на высоких частотах снижается.

Достоинства:

1. Оптимальные значения температуры и широкий диапазон частот (f).
2. Высокое значение Uк.

Недостатки:

1. Низкое усиление по I.
2. Низкое входное R.

Включение с общим эмиттером (ОЭ)

При подключении по этой схеме происходит усиление по U и I. Схему можно запитать от одного источника. Часто применяется в усилителях мощности (P).

Достоинства:

1. Высокие коэффициенты усиления по I, U, P.
2. Один источник питания.
3. Происходит инвертирование выходного переменного U относительно входного.

Обладает существенными недостатками: наименьшая температурная стабильность и частотные характеристики хуже, чем при подключении с ОБ.

Включение с общим коллектором (ОК)

Входное U полностью передается обратно на вход, и Кi аналогичен при подключении с ОЭ, но по U он низкий.

Этот тип включения применяют для согласования каскадов, выполненных на транзисторах, или при источнике входного сигнала, который имеет высокое выходное R (микрофон конденсаторного типа или звукосниматель). К достоинствам можно отнести следующие: большое значение входного и малого выходного R. Недостатком является низкий коэффициент усиления по U.

Принцип работы и особенности транзистора КТ846В

Основной принцип работы транзистора КТ846В основан на управлении током через базу. Приложенное к базе малое напряжение позволяет контролировать большой ток через коллектор-эмиттерный переход. Транзистор работает в трех режимах: активном, насыщения и отсечки.

В активном режиме транзистор КТ846В считается открытым, когда между базой и эмиттером приложено положительное напряжение. В этом режиме ток, проходящий через коллектор-эмиттерный переход, определяется током через базу. Таким образом, транзистор работает как усилитель или коммутатор.

В режиме насыщения, когда напряжение между базой и эмиттером превышает определенное значение, транзистор КТ846В считается закрытым. В этом режиме ток через коллектор-эмиттерный переход максимальный, и транзистор используется для усиления малых сигналов.

В режиме отсечки, когда между базой и эмиттером напряжение отрицательное или меньше определенного значения, транзистор КТ846В также считается закрытым. В этом режиме ток через коллектор-эмиттерный переход минимален и транзистор используется как выключатель или устройство защиты.

Транзистор КТ846В имеет высокую надежность, стабильные характеристики и широкий рабочий диапазон температур. Он широко применяется в различных электронных схемах и устройствах, включая усилители, источники питания, коммутационные схемы и другие.

Важно знать:

При подключении транзистора КТ846В необходимо учитывать его электрические параметры, такие как максимальный коллекторный ток, коэффициент усиления, обратное напряжение коллектор-эмиттер и т.д. Неправильное подключение транзистора может привести к его выходу из строя или неправильной работе электронной схемы.

Преимущества использования Кт846б

1.	Высокая мощность	Кт846б обладает высокой мощностью и способен работать с большими нагрузками.
2.	Низкое потребление энергии	Благодаря своим характеристикам, транзистор Кт846б потребляет минимальное количество энергии, что делает его экономичным в использовании.
3.	Широкий диапазон рабочих температур	Транзистор Кт846б способен работать в широком диапазоне рабочих температур от -50°C до +150°C, что позволяет использовать его в самых разных условиях.
4.	Высокая стабильность работы	Благодаря своей конструкции и особенностям материалов, Кт846б обеспечивает высокую стабильность работы в течение длительного времени без значительных изменений характеристик.
5.	Простота в установке и подключении	Кт846б имеет стандартные габариты и выводы, что делает его простым в установке и подключении.
6.	Широкий спектр применения	Универсальность и надежность Кт846б позволяют использовать его в различных сферах, включая промышленность, электронику, силовую технику и др.

Все эти преимущества делают транзистор Кт846б одним из наиболее востребованных компонентов электронной и электротехнической промышленности.

«Плохие» транзисторы.

П210, как и многие другие «советские» полупроводниковые приборы разрабатывался и создавался главным образом для нужд «оборонки». Готовые образцы тщательно проверялись, и при отклонениях(по нагреву, коэффиц. усиления и т. д.) превышающих установленную норму — нещадно отбраковывались. Отбракованные детали не утилизировались а наоборот, использовались — для нужд «народного хозяйства».

Транзисторы «второго сорта»(П210Б и П210В) применялись в выходных каскадах усилитей радиотрансляционных точек, различных стабилизаторах напряжения, устройствах для подзарядки автомобильных аккумуляторов и т. д. Однако, кроме «второго», имелся еще и «третий» сорт.

Такие П210 по сути, хотя и сохраняли работоспособность но имели весьма значительный разброс параметров. Именно они и попадали на прилавки магазинов, а через них — в руки советских радиолюбителей. Бывало, что устройства собранные на таких транзисторах вполне прилично работали. Бывало и наоборот, в общем — все как в лотерее.

С другой стороны, «военные» П210 вели себя совершенно иначе. Не открою гос. тайны, если скажу что большинство бортовых радиостанций советских танков, БМП, и т. д. в конце восьмидесятых годов 20-го века оставались ламповыми (выходной каскад на ГУ-50). Очень надежные, хотя и несколько громоздкие устройства. Для питания такой радиостанции от бортовых аккумуляторов, необходим специальный блок питания, включающий в себя преобразователь напряжения. За полтора года моей службы, не один из этих блоков (на П210) не вышел из строя.

А служить мне пришлось в военной части «постоянной готовности». Т.е. танки, БМП и БЭТРЫ не простаивали в боксах а активно эксплуатировались. Машины еженедельно учавствовали в учебных стрельбах, часто перемещались по пересеченной местности. Радиоаппаратура постоянно подвергалась воздействию сильной вибрации и толчков, перепадам напряжения в бортовой сети. Должна была ломаться, ведь «совковая» — наверное хреновая?! А вот поди-ж ты.

Мне кажется, что вместо пренебрежительного отношения П210 заслуживают скорее, взвешенного подхода. Едва ли кто-то будет пытаться сейчас собрать на них, например — высококлассный УЗЧ. Но такие вещи, как стабилизатор напряжения, зарядное устройство — почему бы и нет?

Простое зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов.

Ниже приведена схема очень простого зарядного устройства с ручным регулированием тока зарядки.

Ток заряда выставляется с помощью переменного резистора, регулирующего сопротивление перехода коллектор-эмиттер транзистора VT1(П210). Коэффициент передачи тока транзистора П210 невысок, поэтому здесь добавлен дополнительный транзистор VT2. Коэффициент усиления полученного составного транзистора уже достаточно высок — поэтому ток протекающий через резистор относительно невелик.

В качестве VT2 можно применить, как германиевые транзисторы П213 — П217, так и кремниевые — КТ814 или КТ816. Для отвода тепла необходимо установить транзисторы на радиатор, площадью не мене 300 кв.см. Переменный резистор с мощностью рассеивания 0,5 ватт. Его номинал подбирается опытным путем и зависит от коэффициентов усиления используемых транзисторов.

Трансформатор мощностью минимум 250 ватт, лучше — 500, с напряжением вторичной обмотки 15 — 17 вольт. В диодном мосте используются любые выпрямительные диоды на максимальный рабочий ток не менее 5 ампер. Ток предохранителя Пр1 — 1 ампер, Пр2 — 5 ампер. Лампы Hl1 и Hl2 — индикаторы. В качестве их можно использовать любую сигнальную арматуру, в т. ч. и светодиодную, на напряжение 24 вольта.

Описание транзистора КТ846В

Транзистор КТ846В имеет цоколевку типа TO-18 и состоит из трех слоев: базы, коллектора и эмиттера. База соединена с эмиттером с помощью pn-перехода, а коллектор соединен с базой с помощью pn-перехода. Такая структура позволяет контролировать ток усиления посредством подачи тока в базу.

Основные характеристики транзистора КТ846В:

• Максимальная рабочая температура: 150°C
• Максимальный коллекторный ток: 100 мА
• Максимальное коллекторное напряжение: 50 В
• Максимальная мощность связи: 300 мВт

Транзистор КТ846В широко применяется в усилителях, переключателях, генераторах и других высокочастотных устройствах. Он отличается надежностью и долговечностью, что делает его популярным выбором среди радиолюбителей и профессионалов в области электроники.

3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе типа p-n-p

Рассмотрим движение носителей заряда через структуру транзистора, которые
протекают в выводах эмиттера, базы и коллектора, при условии, что на
ЭП подано прямое напряжение, а на КП — обратное (т.е. транзистор работает
в активном режиме).
Значение токов, протекающих через структуру транзистора, определяется
не только напряжениями, которые подаются на эмиттерный и коллекторный
переходы, но и взаимодействием этих переходов между собой. Взаимодействие
переходов, в свою очередь, зависит от расстояния между ними, т.е. от
ширины области базы — W.

На рисунке 3.3 показаны движение носителей заряда в структуре p-n-p
транзистора и токи, протекающие во внешних выводах.
Если ширина базы W меньше диффузионной длины пробега неосновных носителей
заряда в базе (рис.3.3
), то значение тока, протекающего через КП, определяется следующими
причинами:
1) т.к. в этом случае ширина базы гораздо меньше ширины области коллектора,
то и количество неосновных носителей заряда, возникающих при данной
температуре в области базы ( ),
будет гораздо меньше количества неосновных носителей заряда, возникающих
в области коллектора ( ),
и можно считать, что

, где J_ko
ток неосновных носителей заряда koп

2) дырки, которые диффузионно переходят из эмиттера в базу над снизившимся
потенциальным барьером эмиттерного перехода, в базе продолжают двигаться
диффузионно в основном в сторону коллекторного перехода. А т.к. ширина
базы меньше их диффузионной длины пробега, то они достигнут коллекторного
перехода в количестве тем больше, чем меньше ширина базы. Однако, вследствие
дисперсии, т.е. беспорядочного теплового движения носителей, какая-то
часть дырок не доходит до КП из-за процесса рекомбинации на поверхности,
у базового вывода или в толще базы, в следствии этого в цепи базы появляется
базовый ток .
Величина, характеризующая долю тока эмиттера, достигающую коллекторного
перехода. называется коэффициентом передачи постоянного тока эмиттера
и обозначается .

Тогда ток коллектора:

Таким образом, ток через КП для случая
(для p-n-p транзистора) является суммой двух составляющих — тока дырок,
инжектированных из эмиттера в базу, и нулевого коллекторного тока .
В толщине базы протекает
и рекомбинационный ток, но в силу того, что процесс рекомбинации в базе
резко уменьшается, рекомбинационная составляющая тока базы тоже мала
.
Соответственно во внешних выводах эмиттера, базы и коллектора будут
протекать токи:
вывод эмиттера ,
вывод коллектора ,
вывод базы

где — является
рекомбинационной составляющей тока базы, величина которой зависит от
величины прямого напряжения, приложенного к ЭП. — ток неосновных
носителей заряда, величина которого от приложенного напряжения почти
не зависит.
Если p-n-p транзистор, работающий как усилитель электрических колебаний,
включен в схему так, как это показано на рис.3.4, то включение последовательно
с источником
переменного напряжения
приведет к появлению переменных составляющих тока эмиттера ,
тока коллектора и
тока базы ,
которые будут накладываться на постоянные составляющие. Так же как и
постоянные токи, протекающие через p-n-p транзистор, переменные токи
являются функциями напряжения. Если на вход подается синусоидальное
напряжение, то оно вызовет синусоидальные изменения плотности дырок
в эмиттерном и коллекторном переходах, т.е. синусоидальные изменения
переменных токов эмиттера, коллектора и базы.

Переменный ток, протекающий через ЭП, равен сумме электронного и дырочного
токов, причем для p-n-p транзистора только дырочная составляющая проходит
последовательно ЭП, обладающий малым сопротивлением и КП, обладающий
большим сопротивлением, т.е. создает условия для усиления электрических
колебаний.
Поэтому на практике для характеристики усилительных свойств транзистора
пользуются коэффициентом передачи тока эмиттера или, как его иначе называют,
коэффициентом усиления по току a, который
является отношением общего коллекторного переменного тока к общему эмиттерному
переменному току в режиме короткого замыкания коллектора на базу по
переменному току.

Цоколевка и схема подключения транзистора КТ846В

Для правильного подключения транзистора КТ846В рекомендуется следовать следующей схеме подключения:

Коллектор (К) транзистора КТ846В должен быть подключен к положительному напряжению питания, а база (Б) должна быть подключена к источнику управляющего сигнала.

Эмиттер (Э) транзистора КТ846В должен быть подключен к нагрузке или земле. Таким образом, транзистор КТ846В работает в режиме npn, где электроны переносятся из эмиттера в базу, а затем из базы в коллектор.

При подключении транзистора КТ846В рекомендуется использовать различные защитные элементы, такие как предохранитель и резисторы, чтобы защитить транзистор от повреждений и установить необходимые рабочие параметры.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Параметры полевых транзисторов n-канальных. Параметры полевых транзисторов p-канальных. Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp. Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке. Поиск биполярного транзистора по основным параметрам. Поиск полевого транзистора по основным параметрам. Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов. Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Преимущества и недостатки транзистора КТ846В

Преимущества транзистора КТ846В:

1.	Низкое сопротивление перехода база-эмиттер позволяет обеспечить высокую скорость работы.
2.	Малые габариты и низкая масса делают транзистор удобным для использования в компактных устройствах.
3.	Высокий коэффициент усиления по току (β) обеспечивает эффективность работы усилительных цепей.

Недостатки транзистора КТ846В:

1.	Относительно низкое значение напряжения коллектор-эмиттер, ограничивает его применение в некоторых схемах.
2.	Ограниченная мощность переключения может привести к перегреву и выходу из строя транзистора.
3.	Температурный коэффициент смещения может вызвать изменение параметров устройства при нагреве или охлаждении.

Необходимо учитывать все преимущества и недостатки транзистора КТ846В при его использовании в конкретных конструкциях и схемах для достижения наибольшей эффективности и надежности работы.

Что такое транзистор КТ846В и его назначение

Транзистор КТ846В используется в различных электронных устройствах, где требуется усилительное действие. Он может быть применен в схемах усилителей мощности, генераторах сигналов, переключателях и других устройствах, где необходим контроль тока.

Основными особенностями транзистора КТ846В являются его высокая мощность, низкое входное сопротивление и высокая скорость переключения. Он обладает малой ёмкостью включения и выключения, что позволяет использовать его в высокочастотных схемах.

Транзистор КТ846В имеет следующую цоколевку: эмиттер – контакт E, коллектор – контакт C, база – контакт B. Для правильного подключения транзистора необходимо соблюдать указанную цоколевку и учесть его положительность (p-n-p).