Принцип работы стабилитрона
Рассмотрим принцип работы стабилитрона на примере схемы его включения и вольт-амперной характеристике. Для выполнения своей основной функции стабилитрон VD соединяется последовательно с резистором Rб и вместе они подключаются к источнику входного нестабилизированного напряжения Uвх. Уже стабилизированное выходное напряжение Uвых снимается только с выводов 2, 3 VD. Поэтому нагрузка Rн подключается к соответствующим точкам 2 и 3. Как видно из схемы, VD и Rб образуют делитель напряжения. Только сопротивление стабилитрон имеет не постоянно значение и называется динамическим, поскольку зависит от величины электрического тока, протекающего через полупроводниковый прибор.
Величина напряжения Uвх, подаваемого на стабилитрон с резисторов должна быть выше на минимум на пару вольт выходного напряжения Uвых, в противном случае полупроводниковый прибор VD не откроется и не сможет выполнять свою основную функцию.
Допустим, в какой-то произвольный момент времени на выходах 1 и 3 значение Uвх начало возрастать. В схеме начнут протекать следующие процессы. С ростом напряжения согласно закону Ома начнет возрастать ток, назовем его входным током Iвх. С увеличением ток возрастет падение напряжения на резисторе Rб, а на VD она останется неизменным (это будет пояснено далее на характеристике), поэтому и Uвых останется на прежнем уровне. Следовательно, прирост входного напряжения упадет или погасится на резисторе Rб. Поэтому Rб называют гасящим или балластным.
Теперь, допустим, изменилась нагрузка, например, снизилось сопротивление Rн, соответственно возрастет и ток Iн. В этом случае снизится ток, протекающий стабилитрон Iст, а Iвх останется практически без изменений.
BC109 Datasheet (PDF)
..1. bc107 bc108 bc109 4.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..2. bc107 bc108 bc109.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..3. bc107 bc108 bc109.pdf Size:120K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
..4. bc107 bc108 bc109 bc147 bc148 bc149.pdf Size:791K _aeg-telefunken
..5. bc107 bc108 bc109 a b c.pdf Size:142K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BC107/A/B/CBC108/A/B/CBC109/A/B/CTO-18Metal Can PackageLow Noise General Purpose Audio AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BC107 BC108 BC109 UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 25 V25VCBOCollector Base Voltage 50 30 V30VEBOEm
..6. bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf Size:228K _microelectronics
..7. bc109.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc General Purpose NPN Small Signal Transistor BC109DESCRIPTIONWith TO-18 package.High DC Current Gain-: h :200-800@ (V = 5V, I = 2mA)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned For Low Noise General Purpose Amplifiers,Driver Stages and Signal Processing ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
0.1. bc107-bc108-bc109.pdf Size:100K _st
BC107BC108-BC109LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BC107, BC108 and BC109 are silicon planarepitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.Theyare suitable for use in driver stages, low noise inputstages and signal processing circuits of televisionreceivers. The complementary PNP types are re-spectively the BC177, BC178 and BC179.TO-18INTERNAL SCHEMATI
0.2. bc109dcsm.pdf Size:155K _semelab
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR BC109DCSM Dual Silicon Planar NPN Transistors Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) Each Side Total Device VCBO Collector Base Vol
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
|---|---|---|---|---|---|
| Значение напряжения коллектор-эмиттер | Uкэ макс, В | 40 | 50 | 70 | 100 |
| Значение напряжения эмиттер-база | Uэб макс, В | 5 | |||
| Значение постоянного тока на коллекторе | Iк макс, А | 1.5 | |||
| Значение импульсного тока на коллекторе | Iки макс, А | 3 | |||
| Максимальный рабочий ток на базе | Iб макс, А | 0.5 | |||
| Значение рассеиваемой мощности на коллекторе | Pк макс, Вт | 10 | |||
| Максимальная рабочая температура на переходе | Tмакс, °C | 150 | |||
| Диапазон температуры окружающей среды | Tокр, °C |
Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.
КТ815 параметры сходные для всех модификаций
Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:
| Параметры | Обозначение | Значение |
| Напряжение эмиттер — база | Uэб max | 5 В |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | 1,5 А |
| Импульсный ток коллектора | Iк max | 3 А |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | 0,5 А |
| Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | 10 Вт |
| Температура перехода | Tпер | 150 °C |
Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С
| Паpаметpы | Обозначение | Режимы измеpения | Min | Maх | Ед.измеp |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) | 50 | мкА | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэо | Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) | 100 | мкА | |
| Статический коэффициент передачи тока | h21э | Uкб=2 В, Iэ=0,15 А | 40,30(Г) | 275 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | Iк=0,5 А, Iб=50 мА | 0,6 | В |
Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)
- КТ815А, КТ815А9 — 40 В
- КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
- КТ815В, КТ815В9 — 70 В
- КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В
Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)
- КТ815А, КТ815А9 — 30 В
- КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
- КТ815В, КТ815В9 — 65 В
- КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В
