Биполярный транзистор 2SC200 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
2SC200
Datasheet (PDF)
0.1. Size:45K nec 2sc2000.pdf
0.2. Size:159K nec 2sc2003.pdf
0.3. Size:154K nec 2sc2002.pdf
0.4. Size:154K nec 2sc2001.pdf
0.5. Size:212K mcc 2sc2001-l.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.6. Size:212K mcc 2sc2001-m.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.7. Size:212K mcc 2sc2001-k.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.8. Size:1147K no 2sc2001.pdf
0.9. Size:473K secos 2sc2001.pdf
2SC2001 0.7 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High hFE and low VCE(sat) G HhFE(IC=100mA)200(Typ) VCE(sat)(700mA)0.2V(Typ) EmitterJCollectorBase A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter BREF.Product-Rank 2SC2001-M 2S
0.10. Size:797K jiangsu 2sc2001.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High hFE and Low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) 1. EMITTER VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2001=Device code Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal dev
0.11. Size:226K lge 2sc2001.pdf
2SC2001(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High hFE and low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base V
Другие транзисторы… 2SC1993
, 2SC1994
, 2SC1995
, 2SC1996
, 2SC1997
, 2SC1998
, 2SC1999
, 2SC20
, 2SD669
, 2SC2000
, 2SC2001
, 2SC2002
, 2SC2003
, 2SC2008
, 2SC2009
, 2SC201
, 2SC2010
.
Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание
Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF
12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 1,0 мА, IE = 0 | ≥ 450 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 10,0 мА, IB = 0 | ≥ 400 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 0,1 мА, IC = 0 | ≥ 7,0 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 450 В, IE = 0 | ≤ 1,0 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 7,0 В, IC = 0 | ≤ 100,0 |
| Характеристики включенного состояния ٭ | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 800 мА | ≤ 1,2 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 800 мА | ≤ 1,5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | ≥ 10 |
| Временные характеристики работы транзистора | |||
| Время нарастания импульса, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 5,0 А,IB1 = IB2 = 1,0 А, RL = 30 Ом | ≤ 1,0 |
| Время сохранения импульса, мкс | ts (tstg) | ≤ 2,5 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 1,0 |
٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%
Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9014
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
- Корпус транзистора: SOT23
Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014
Схема одноканального усилителя мощностью 200 Вт на 2SC5200 2SA1943
Силовые транзисторы схемы усилителя на 200 Вт не требуют классической настройки тока покоя выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943. Одноканальный усилитель может выдавать среднеквадратичную мощность 100 Вт с сопротивлением динамика 8 Ом и 200 Вт с нагрузкой 4 Ом.
Рабочее постоянное напряжение одноканального усилителя должно быть 2X50V и ток 6A (можно использовать готовые трансформаторы 2X33VAC или 2X36VAC), конденсаторы фильтра в цепи питания нужно устанавливать от 4700uf до 10.000uf. В качестве диодных мостов можно использовать готовую сборку KBU10M на 1000v/10A или четыре выпрямительных диода P600J, с максимальным постоянным обратным напряжением 600v и максимальным постоянным прямым током 6А.
Керамический конденсатор 330pF защищает усилитель от высокочастотных колебаний. Если вы не можете найти 330pF, тогда вместо него можете установить емкость на 270pF.
Что касается транзисторов 2SA1015, установленных в дифференциальном каскаде, то автор заявляет, что продавцов сбывающих поддельные транзисторы на рынке очень много. Поэтому, нужно быть внимательнее при покупке. Чтобы понять, что транзисторы оригинальные, необходимо измерить коэффициент усиления транзистора по току (hFE) цифровым мультиметром.
Транзистор 2SA1015 должен показать параметр 180 или чуть меньше при измерении hFE. Вместо 2SA1015 можно использовать 2N5401, но соединения выводов будут несколько другие, поэтому будьте осторожны. При сборке печатной платы следует менять ножки базы и коллектора (я экспериментировал с транзисторами 2SA733, которые у меня есть)
Транзисторы 2SC5200 и 2SA1943 должны быть установлены на радиаторы через изоляционные прокладки, хорошо пропускающие тепло, например, керамические или слюдяные.
Кроме этого, для эффективного охлаждения транзисторов TIP41-TIP42 можно использовать кулер, я пока оставил отверстие для его установки, посмотрю как все будет работать, потом видимо установлю и вентилятор.
Катушка на выходе усилителя имеет параметр 5 мкГн и намотана медным проводом диаметром 1мм в количестве 11 витков на резисторе 10 Ом, рассчитанным на мощность 1 Вт.
Тестирование усилителя 200 Вт и измерения напряжения
Представленная здесь схема заслуживает доверия, так как источник проекта довольно надежен, и, поскольку схема была сделана нашими читателями раньше, то у меня получилось быстро собрать аппарат и сразу приступил к тесту. В моем распоряжении были готовый трансформатор 2X30V и басовый громкоговоритель на 50 Вт, а также среднечастотный динамик 30 Вт. Я не мог увеличить громкость более чем на 50%, так как было уже слишком громко, качество звука при этом было отличным. Резистор 27 Ом 1 Вт я не использовал, вместо него я применил 2 параллельно соединенных резюка 56 Ом.
Размеры печатной платы составляют 100X49 мм, а чертеж однослойной печатной платы был выполнен с помощью программы Sprint Layout PCB.
Максимальное напряжение питания при использовании выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943 (2SD1047 (NPN) 2SB817 (PNP)), может быть 2X62v постоянного тока, в этом случае напряжение используемых конденсаторов должно быть более 63v и вместо TIP41 следует установить TIP42 2SCC2073 (NPN) 2SA940 (PNP) или 2SA1837 (PNP) 2SC4793 (NPN). Я думаю, 2X50V или 2x30v будет достаточно, даже если вы захотите громкого звука.
Перечень компонентов одноканального усилителя 200 Вт:
Транзисторы
2X 2SC5200
2X 2SA1943
3X A1015
2X TIP41C
2X TIP42C
Резисторы
2 резистора 6,8 Ом — 1 Вт; (синий, серый, золотой)
2X 100-Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, коричневый)
2X 10 Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, черный)
270 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, коричневый)
56 Ом — 1 Вт; (зеленый, синий, черный)
27 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, черный)
4X0,47 Ом — 5Вт или 0,33 Ом — 5Вт; керамический резистор
820 Ом — 1/4 Вт; (серый, красный, коричневый)
10 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, черный, оранжевый)
330 Ом — 1/4 Вт; (оранжевый, оранжевый, коричневый)
18 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, серый, оранжевый)
1 кОм — 1/4 Вт; (черно-коричневый, красный)
Конденсаторы
100НФ (104) 100В
47 мкФ 63 В
2,2 мкФ 63 В
330 пФ (331) (керамический или многослойный)
Диоды
5X 1N4004
Скачать: Макет печатной платы
Предыдущая запись Что такое низкоуровневое форматирование SD-карты
Следующая запись Стерео усилитель на TDA1554Q
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.
Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.
Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.
Справочный листок по транзисторам КТ203А…В, 2Т203А…Д, КТ203АМ…ВМ:
Электрические
параметры:
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА: |
||
| при Т = +25 С | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ | 9 |
| 2Т203Б | 30…90 | |
| 2Т203В | 15…100 | |
| 2Т203Г, не менее | 40 | |
| 2Т203Д | 60…200 | |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…150 | |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…200 | |
| при Т = +125 С | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…180 | |
| 2Т203В | 15…200 | |
| 2Т203Г, не менее | 40 | |
| 2Т203Д | 60…400 | |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…230 | |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…400 | |
| при Т = -60 С | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее | 7 |
| 2Т203Б | 15…90 | |
| 2Т203В, КТ103В, КТ203БМ | 10…100 | |
| 2Т203Г, не менее | 20 | |
| 2Т203Д | 30…200 | |
| КТ203В, КТ203ВМ | 15…200 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, не менее: |
||
| 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ |
5 МГц | |
| 2Т203Г, 2Т203Д | 10 МГц | |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: |
||
| при IК = 20 мА, IБ = 4 мА |
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 1 В |
| при IК = 10 мА, IБ = 1 мА |
2Т203Г | 0,5 В |
| при IК = 10 мА, IБ = 1 мА |
2Т203Д | 0,35 В |
| при IК = 20 мА, IБ = 1 мА |
КТ203В, КТ203ВМ | 0,5 В |
| Обратный ток коллектора при UКБ = UКБ, макс, не более: |
||
| при Т = +25 С | 1 мкА | |
| при Т = Тмакс | 15 мкА | |
| Обратный ток эмиттера при UКБ = UКБ, макс, не более: |
||
| 1 мкА | ||
| Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сигнала при IЭ = 1 мА, не более: |
||
| UКБ = 50 В | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ | 300 Ом |
| UКБ = 30 В | 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 300 Ом |
| UКБ = 15 В | 2Т203В, КТ203В, КТ203ВМ | 300 Ом |
| UКБ = 5 В | 2Т203Г, 2Т203Д | 300 Ом |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 5 В, f = 10 МГц, не более: |
||
| 10 пФ |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| при Т = -60…+75С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 60 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 30 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 15 В | |
| при Т = +125С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 30 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 15 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 10 В | |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 2 кОм: |
||
| при Т = -60…+75С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 60 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 30 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 15 В | |
| при Т = +125С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 30 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 15 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 10 В | |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 10 мА | ||
| Импульсный ток коллектора при tимп. <= 10 мкс., Q => 10: |
||
| 50 мА | ||
| Постоянный ток эмиттера |
||
| 10 мА | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: |
||
| при Т = -60…+75С | * при Т > +75С, PК,макс. уменьшается по линейному закону. |
150 мВт |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| Температура p-n перехода |
||
| + 150 С | ||
| Температура окружающей среды |
||
| -60…+125С |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Электрические параметры
Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.
У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.
КТ203 , 2Т203 (кремниевый транзистор, p-n-p)
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в
усилителях и импульсных
устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном
(2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А,
КТ203Б, КТ203В)
и пластмассовом (КТ203АМ, КТ203БМ,
КТ203ВМ) корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора в металлостеклянном
корпусе указывается на корпусе.
Транзисторы в пластмассовом
корпусе маркируются цветным кодом:
боковая поверхность у всех
транзисторов окрашивается
темно-красным;
торцы КТ203АМ — темно-красным, КТ203БМ
— желтым, КТ203ВМ — темно-зеленым.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Краткая
справочная таблица:
| Прибор | Предельные параметры |
Параметры при T = 25°C |
RТ п-с, °C/Вт | ||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| IК, max мА | IК и. max мА | UКЭR max, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, мВт | T, °C | Tп max, °C | Tmax, °C | h21э | UКБ, В | IЭ, мА | UКЭ нас, В | IКБ0, мкА | fгр, МГц | CК, пФ | CЭ, пФ | tрас, мкс | ||
| КТ203 А | 10 | 50 | 60 | 60 | 30 | 150 | 75 | 150 | 125 | 9 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| КТ203 Б | 10 | 50 | 30 | 30 | 15 | 150 | 75 | 150 | 125 | 30…150 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| КТ203 В | 10 | 50 | 15 | 15 | 10 | 150 | 75 | 150 | 125 | 30…200 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| 2Т203 А | 10 | 50 | 60 | 60 | 30 | 150 | 75 | 150 | 125 | 9 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| 2Т203 Б | 10 | 50 | 30 | 30 | 15 | 150 | 75 | 150 | 125 | 30…90 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| 2Т203 В | 10 | 50 | 15 | 15 | 10 | 150 | 75 | 150 | 125 | 15…100 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| 2Т203 Г | 10 | 50 | 60 | 60 | 30 | 150 | 75 | 150 | 125 | 40 | 5 | 1 | 10 | 10 | |||||
| 2Т203 Д | 10 | 50 | 15 | 15 | 10 | 150 | 75 | 150 | 125 | 60…200 | 5 | 1 | 10 | 10 | |||||
| КТ203 АМ | 10 | 50 | 60 | 60 | 30 | 150 | 75 | 150 | 125 | 9 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| КТ203 БМ | 10 | 50 | 30 | 30 | 15 | 150 | 75 | 150 | 125 | 30…150 | 5 | 1 | 5 | 10 | |||||
| КТ203 ВМ | 10 | 50 | 15 | 15 | 10 | 150 | 75 | 150 | 125 | 30…200 | 5 | 1 | 5 | 10 |
2SC200 Datasheet (PDF)
0.1. Size:45K nec 2sc2000.pdf
0.2. Size:159K nec 2sc2003.pdf
0.3. Size:154K nec 2sc2002.pdf
0.4. Size:154K nec 2sc2001.pdf
0.5. Size:212K mcc 2sc2001-l.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.6. Size:212K mcc 2sc2001-m.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.7. Size:212K mcc 2sc2001-k.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.8. Size:1147K no 2sc2001.pdf
0.9. Size:473K secos 2sc2001.pdf
2SC2001 0.7 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High hFE and low VCE(sat) G HhFE(IC=100mA)200(Typ) VCE(sat)(700mA)0.2V(Typ) EmitterJCollectorBase A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter BREF.Product-Rank 2SC2001-M 2S
0.10. Size:797K jiangsu 2sc2001.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High hFE and Low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) 1. EMITTER VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2001=Device code Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal dev
0.11. Size:226K lge 2sc2001.pdf
2SC2001(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High hFE and low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base V
Транзистор КТ375 — DataSheet
Перейти к содержимому
Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ375А | BCW88A, 2N3903, 2N560 *1, 2N2520 *1, BCY65EDP *1, BCY65EPDL *1, BCY65EPDM *1 | |||
| КТ375Б | BSX80, 2N3904, PET8006 *1, PET8005 *1, 2SC460A, MPS9624 *2, CX917 *2, KTC9016 *2, PE108 *2, MPS8001 *2, BF254, BSX66 *3, 2N5223 *2, BFY37 *3 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ375А | — | 200(400**) | мВт |
| КТ375Б | — | 200(400**) | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ375А | — | ≥250 | МГц |
| КТ375Б | — | ≥250 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ375А | — | 60 | В |
| КТ375Б | — | 30 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ375А | — | 5 | В |
| КТ375Б | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ375А | — | 100(200*) | мА |
| КТ375Б | — | 100(200*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ375А | 60 В | ≤1 | мкА |
| КТ375Б | 30 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ375А | 2 В; 20 мА | 10…100* | |
| КТ375Б | 2 В; 20 мА | 50…280* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ375А | 10 В | ≤5 | пФ |
| КТ375Б | 10 В | ≤5 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ375А | — | ≤40 | Ом, дБ |
| КТ375Б | — | ≤40 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ375А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ375Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ375А | — | ≤300 | пс |
| КТ375Б | — | ≤300 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: 2SC1623-L6
- Маркировка: L6
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
- Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: 2SC1623-L7
- Маркировка: L7
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
- Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: 2SC1623SLT1
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
- Корпус транзистора: SOT-23
Наименование производителя: 2SC2412-S
- Маркировка: BS
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
- Корпус транзистора: SOT23
Наименование производителя: 2SC2412KSLT1
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
- Корпус транзистора: SOT-23
Search Stock
Renesas Electronics Corporation
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2SC2001-A |
Bulk | 4 Weeks | 1,628 |
|
Buy Now |
|||||
Renesas Electronics Corporation
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2SC2001-T-A |
Reel | 4 Weeks | 1,628 |
|
Buy Now |
|||||
MITSUBISHI ELECTRIC
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Quest Components |
2SC2001 |
254 |
|
Buy Now |
|||||||
|
Bristol Electronics |
2SC2001 |
318 |
|
Get Quote |
|||||||
NEC Electronics Group
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Quest Components |
2SC2001-T |
1,613 |
|
Buy Now |
|||||||
NEC Electronics Group
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Quest Components |
2SC2002 |
32 |
|
Buy Now |
