Стабилитрон Д818Г параметры, цоколевка и аналоги

Технические характеристики

Вначале рассмотрим предельные эксплуатационные данные. Они являются основными при выборе и при подборе устройства для замены. При превышении данных параметров, даже в течение небольшого промежутка времени, изделие может выйти из строя. Приведём характеристики для КТ818Г:

• напряжение К – Б (постоянное) – 80 В;
• постоянное напряжение К – Э (R_бэ ≤ 100 Ом) – 90 В;
• постоянное напряжение Б – Э – 5 В;
• постоянный ток коллектора – 10 А;
• кратковременный ток коллектора – 15 А;
• постоянный ток базы – 3 А;
• импульсный ток базы – 5 А;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе:
  • с теплоотводом – 60 Вт;
  • без теплоотвода – 1,5 Вт;
• температура кристалла — +125ОС;
• диапазон рабочих температур – от -40 до +100 ОС;

Электрические параметры также содержат важную и интересную информацию о рассматриваемом изделии. От них зависят функциональные возможности КТ818Г:

• статический коэффициент передачи тока (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А) – 12;
• граничная частота коэффициента передачи тока (U_КБ = 5 В, I_Э = 0,5 А) – 3 МГц;
• граничное напряжение (I_Э = 0,1 А) – 80 В;
• напряжение К-Э (при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) – 2 В;
• напряжение К-Э (I_К = 20 А, I_Б = 5 А) – 0,7 В;
• напряжение Б-Э (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) – 3 В;
• напряжение Б-Э (I_К = 20 А, I_Б = 5 А) – 1,6 В;
• пробивная разность потенциалов Б-Э (I_Э = 5 мА) – 5 В;
• обратный ток коллектора (U_КБ = 40 В):
  • Т = от -40 до +25 ОС – 1 мА;
  • Т = +100 ОС – 10 мА;
• время включения (U_КБ = 5 В, I_К = 0,5 А) – 2,5 мкс;
• ёмкость коллекторного перехода (U_КБ = 5 В, f = 1 МГц) – 400 пФ;
• ёмкость эмиттерного перехода (U_БЭ = 0,5 В, f = 1 МГц) – 2000 пФ.

Стабилитрон Д814Г

Основные технические параметры Д814Г:

Стабилитроны Д814Г кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 10,0-12,0 В в диапазоне токов стабилизации 3. 29 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса стабилитрона не более 1 г.

Основные технические параметры стабилитрона Д814Г: • Разброс напряжения стабилизации: 10. 12 В при Iст 5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,095 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ± 1 %; • Постоянное прямое напряжение: 1 В при Iпр 50 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 15 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 29 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,34 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60. +125 °С

Стабилитрон Д818

Описание

Стабилитроны кремниевые, диффузионно-сплавные, малой мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9 В в диапазоне токов стабилизации 3…33 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне температур —60…+125 °С. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса стабилитрона не более 1 г.

Эксплуатация стабилитронов на прямой ветви вольт-амперной характеристики не допускается.

Изгиб выводов допускается ие ближе 2 мм от корпуса или расплющенной части катодного вывода с радиусом закругления не менее 1,5 мм. Растягивающая сила не должна превышать 19,6 Н для анодного вывода и 9,8 Н для катодного.

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.

Допускается параллельное или последовательное соединение любого числа стабилитронов.

Обозначение	Значение для:	Ед. изм.
Д818А	Д818Б	Д818В	Д818Г	Д818Д	Д818Е
Аналог	—	—	—	—	—	—	—
Uст	мин.	—	7.65	8.1	8.55	8.55	8.55	В
ном.	9	9	9	9	9	9
макс.	10.35	—	9.9	9.45	9.45	9.45
при Iст	10	10	10	10	10	10	мА
αUст	+0.020	-0.029	±0.01	±0.005	±0.002	±0.001	%/°C
δUст	±0.11	±0.13	±0.12	±0.12	±0.12	±0.12	%
Uпр (при Iпр, мА)	—	—	—	—	—	—	В
rст (при Iст, мА)	70 (3)	18 (10)	18 (10)	18 (10)	18 (10)	18 (10)	Ом
Iст	мин.	3	3	3	3	3	3	мА
макс.	33	33	33	33	33	33
Pпp	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	Вт
T	-60…+125	-60…+125	-60…+125	-60…+125	-60…+125	-60…+125	°C

• U_ст — Напряжение стабилизации.
• α_Uст — Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
• δ_Uст — Временная нестабильность напряжения стабилизации.
• U_пр — Постоянное прямое напряжение.
• I_пр — Постоянный прямой ток.
• r_ст — Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
• I_ст — Ток стабилизации.
• P_пp — Прямая рассеиваемая мощность.
• T — Температура окружающей среды.

Зависимости температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока

Зависимости температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока

Зависимости ухода напряжения стабилизации от тока

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Принцип действия

Стабилитрон был открыт американским физиком Кларенсом Мелвином Зенером, именем которого его и назвали. Электрический пробой p-n перехода может быть обусловлен туннельным пробоем (в этом случае пробой носит название Зенеровского), лавинным пробоем, пробоем в результате тепловой неустойчивости, который наступает из-за разрушительного саморазогрева токами утечки.

И инженеры конструируют эти элементы таким образом, чтобы возникновение туннельного и/или лавинного пробоя произошло задолго до того, как в них возникнет вероятность теплового пробоя.

Величина напряжения пробоя зависит от концентрации примесей и способа легирования p-n-перехода. Чем больше концентрация примесей и чем выше их градиент в переходе, тем ниже обратное напряжение, при котором образуется пробой.

Как было сказано ранее, при прямом подключении стабилитрон при прямом включении ведет себя так же, как и обычный диод, – он пропускает ток. Различия между ними возникают при обратном подключении.

Обычный диод при обратном подключении запирает ток, а стабилитрон при достижении обратным напряжением величины, которая называется напряжением стабилизации, начинает пропускать ток в обратном направлении. Это объясняется тем, что при подаче на стабилитрон напряжения, которое превышает U ном. устройства, в полупроводнике возникает процесс, называемый пробоем. Пробой может быть туннельным, лавинным, тепловым. В результате пробоя ток, протекающий через стабилитрон, возрастает до максимального значения, ограниченного резистором. После достижения напряжения пробоя ток остается примерно постоянным в широком диапазоне обратных напряжений. Точка, в которой напряжение запускает ток, может очень точно устанавливаться в процессе производства легированием. Поэтому каждому элементу присваивают определенное напряжение пробоя (стабилизации).

Стабилитрон используется только в режиме «обратного смещения», то есть его анод подключается к «-» источника питания. Способность стабилитрона запускать обратный ток при достижении напряжения пробоя применяется для регулирования и стабилизации напряжения при изменении напряжения питания или подключенной нагрузки. Использование стабилитрона позволяет обеспечить постоянное выходное напряжение для подключенного потребителя при перепадах напряжения ИП или меняющемся токе потребителя.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Диод Д814

Диод Д814 Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основан на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Диоды могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Принцип действия диода

Диод – это полупроводниковый прибор, с односторонней проводимостью электрического тока: он хорошо пропускает через себя ток в одном направлении и очень плохо — в другом. Это основное свойство диода используется, в частности, для преобразования переменного тока в постоянный ток.

Типы диодов

Выпрямительные диоды. Выпрямительные диоды – самые распространенные полупроводниковые диоды, применяемые в выпрямителях – устройствах, преобразующих переменный ток промышленной частоты в постоянный. В выпрямительных диодах используются переходы с большой площадью для пропускания больших токов. Стабилитроны. Предназначены для использования в схемах, обеспечивающих стабилизацию напряжений. Варикапы. Зависимость емкости n-p -перехода от обратного напряжения используется в полупроводниковых диодах, называемых варикапами. Для варикапов характерна малая инерционность процесса изменения емкости. Высокочастотные диоды. Переключающие диоды. В ряде электронных схем полупроводниковый диод должен работать в режиме переключения, т.е. в одни периоды времени он оказывается смещенным в прямом направлении, а в другие — в обратном. Диоды Шотки. В диодах этого типа используется контакт Шотки (контакт металл – полупроводник). Инжекция неосновных носителей в базу отсутствует, так как прямой ток образуется электронами, движущимися из кремния в металл. Накопление заряда в базе диода не происходит, и поэтому время переключения диода может быть существенно уменьшено (до значений порядка 100 пс). Фотодиод (ФД) представляет собой диод с открытым p-n-переходом. Световой поток, падающий на открытый p-n-переход приводит к появлению в одной из областей дополнительных не основных носителей зарядов, в результате чего увеличивается обратный ток. Светоизлучающие диоды (СИД) преобразуют электрическую энергию в световое излучение за счет рекомбинации электронов и дырок. В обычных диодах рекомбинация (объединение) электронов и дырок происходит с выделением тепла, т. е. без светового излучения.

Юный техник — для умелых рук 1985-10, страница 5

сатора выразить десятичной дробью, буквенное обозначение единицы емкости располагают перед числом: Н15 (0,15 нФ= 150 пФ), М47 (0,47 мкФ). Для выражения емкости конденсатора целым числом с десятичной дробью буквенное обозначение единицы ставят между целым числом и десятичной дробью, заменяя ею запятую, например: 1П6 (1,6 пФ), 5Н1 (5,1 нФ=5100 пФ), ЗМЗ (3,3 мкФ).

Научившись «читать» схемы и расшифровывать надписи на корпусах деталей, можно начинать подбирать детали для собираемой конструкции; но как быть, еслн, скажем, вы нигде не можете найти резистора сопротивлением 1,5 кОм? Не отчаивайтесь, выход есть. Во-первых, совсем необязательно брать резистор с указанным на схеме сопротивлением. В большинстве конструкций можно заменить его резистором, отличающимся по сопротивлению на 20%. Значит, вместо указанного подойдет резистор сопротивлением 1,2 кОм, 1,3 кОм, 1,6 кОм, 1,8 кОм. Аналогично поступают и с конденсаторами, емкость которых может отличаться даже на 50% от указанных на схеме (кроме, конечно, конденсаторов во входных цепях приемников — от них зависит рабочий диапазон приемника).

Во-вторых, требуемый номинал всегда можно составить из двух или нескольких последовательно или параллельно соединенных деталей. В этом случае придется сделать несложный расчет, чтобы определить нужный номинал в зависимости от уже имеющегося. Из школьных уроков физики вы знаете, что прн последовательном соединении резисторов нли параллельном соединении конденсаторов общий номинал будет равен сумме номиналов каждой детали. А вот при параллельном соединении резисторов илн последовательном соединении конденсаторов общпй номинал, скажем, резисторов определяют по формуле: R_5I = R_i-R₂/Ri+R2, где R_x — общее сопротивление, a R, и R₂ — сопротивления резисторов.

Используя эту формулу, нетрудно определить по имеющемуся резистору (например, Ri) и нужному сопротивлению (R_x) значение сопротивления подбираемого резистора (Rj).

Кроме того, полезно знать, детали каких номиналов выпускает промышленность. В этом поможет таблица 1, в которой приведены ряды номинальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов.

Ряду Е6 соответствуют сопротивления резисторов нли емкости конденсаторов с допускаемыми отклонениями +20%, ряду Е12 — с допускаемыми отклонениями +10 %, ряду Е24 — с допускаемыми отклонениями +5%. Номиналы деталей (резисторов или конденсаторов) получаются умножением чисел, приведенных в ‘аблице, на 0 01, 0,1, 10, 100 и т. д. Например 0,033 мкФ, 0,47 мкФ, 12 Ом, 120 Ом, 1200 пФ, 8200 пФ.

Таблица не касается номинальных емкостей электролитических конденсаторов, они соответствуют другому ряду: 0,5, 1, 2, 5, 10, 20, 30, 50, 100, 200, 300, 500, 1000, 2000, 5000 (иногда 4000 — например для конденсаторов К50 6).

Дноды различаются двумя основными параметрами — максимальным выпрямленным током (W макс), протекающим

через диод, и максимальным обратным напряжением (Uoflp- макс), то есть напряженней, приложенным к диоду в обратном направлении — плюс на катоде, минус на аноде. Эти параметры и приведены в таблице 2 для некоторых диодов, которые встретятся в вашей практике.

Пользуясь этой таблицей, вы легко сможете найти замену и подобрать диод с аналогичными или лучшими параметрами, например с большим выпрямленным током илн большим обратным напряжением. Но следует помнить, что дноды серий Д9, Д104 — Д106, Д220 предназначены для работы в высокочастотных цепях, а остальные используются для выпрямления пере-

х э Б к 3,

менного тока. Внешний вид диодов показан на рисунке. Маркировка диода нанесена либо на корпусе, либо на выводах в одном случае буквамч н цифрами, в другом — цветными метками.

Диоды Д9 маркируют цветным» точками в середине корпуса: Д9Б — красной, Д9В — оранжевой, ДЭГ — желтой, Д9Д — белой, Д9Е — голубой, Д9Ж — зеленой и голубой, Д9И —-двумя желтыми, Д9К -— дпумя белыми, Д9Л — двумя зелеными. Возле вывода анода на корпусе ставят красную точку.

Для днодов серии Д220 принята иная система. Все они маркируются желтой точкой, вывод анода отмечается красной точкой, а вывод катода по-

Схемы включения

На КТ818Г можно собрать несложный усилитель низкой частоты. Для него потребуются два транзистора КТ3102А или КТ3102Б можно также использовать КТ315В. На схеме они обозначены как VT1 и VT2. КТ814А обозначены на схеме как VT3 и VT5, КТ815А – это VT4, VT7 –КТ818Г, VT6 — КТ819Г.

Конденсаторы должны быть рассчитаны на 50 В. Резисторы R7  и R8 проволочные.

Настройка усилителя заключается в подборе номиналов сопротивлений R3 и R6. При этом R3 отвечает за режим работы входного каскада, а R6 за выходной (ток покоя не должен быть больше 60мА).

Наибольшей амплитуды выходного сигнала, без искажений, на нагрузке номиналом 4 Ом, можно добиться при входном напряжении  1 В. В этом случае пиковая мощность — 36 Вт.

На нагрузке 2 Ом максимальное напряжение уменьшается до 10 В, но ток увеличивается до 5 А. При этом мощность достигает значения 50 Вт.

Чтобы увеличить выходную мощность, нужно увеличить напряжение питания, после чего, для корректной работы, изменить сопротивления R3 и R6.

Зарождение нового мира

В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.

Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.

Технические характеристики

Немаловажную роль играют такие параметры, как максимально допустимые характеристики стабилитрона Д814А. Они являются основными при выборе, как перед проектированием, так и при подборе устройства для замены. При выходе параметров за диапазон данных значений, даже в течение небольшого промежутка времени, прибор может выйти из строя. Приведём их показатели для Д814А:

• наименьший ток, необходимый для обеспечения точности стабилизации – 3 мА;
• максимально возможный ток стабилизации при рабочей температуре воздуха:
  • +35ОС – 40 мА;
  • +100ОС – 24 мА;
  • +125ОС – 11,5 мА;
• наибольший возможный прямой ток, протекающий постоянно – 100 мА;
• предельно допустимая рассеиваемая на стабилитроне мощность при температуре:
  • меньше +35ОС – 340 мВт;
  • +100ОС – 200 мВт;
  • +125ОС – 100 мВт;
• диапазон рабочих температур от -60ОС до +125ОС.

Электрические характеристики также содержат важную и интересную информацию о рассматриваемом изделии. Все измерения проводились при температуре +25ОС. Остальные параметры, при которых тестировалось изделие, производители приводят по мере необходимости. Для стабилитрона Д814А они равны:

• напряжение стабилизации при протекающем через переход токе равном 5 мА и температуре окружающего воздуха:
  • +25ОС – от 7 до 8,5 В;
  • -60ОС – от 6 до 8,5 В;
  • +125ОС – от 7 до 9,5 В;
• температурный к-т напряжения стабилизации, измеренный при температуре воздуха от -60 до +125ОС и токе равном 5 мА не должен быть больше 0,070%/ОС;
• временный разброс значения напряжения стабилизации при токе 5 мА – ±1%;
• уход напряжения стабилизации:
  • через 5 сек после включения на протяжении следующих 10 сек не более 170 мВ;
  • через 15 сек после включения на протяжении следующих 20 сек не более 20 мВ;
• длительно действующее прямое напряжение при температуре от -60ОС до +25ОС и токе, протекающем через стабилитрон в прямом направлении 50 мА не более 1 В;
• постоянный ток, текущий через переход в обратном направлении не более 0,1 мкА;
• дифференциальное сопротивление, измеренное при:
  • Т = +25ОС и I_СТ = 5 мА не превышает 6 Ом;
  • Т = +25ОС и I_СТ = 1 мА не превышает 12 Ом;
  • Т =-60 ОС и +125ОС и I_СТ = 5 мА не превышает 15 Ом;

В технической документации производители приводят также меры безопасности, которые следует соблюдать при монтаже и эксплуатации прибора, чтобы он не вышел из строя. Там говорится, что пайка разрешена на расстоянии 5 мм от корпуса и больше. При изгибе ножки нужно отступить от корпуса на 2 мм и далее от оболочки. При пайке железная упаковка прибора не должна нагреваться до температур выше +125ОС.

Проверка мультиметром

Неисправный стабилитрон влияет на напряжение стабилизации источника питания, что сказывается на работоспособности аппаратуры

Поэтому специалисту важно знать, как проверить стабилитрон мультиметром на исправность

Проверка производится аналогично диоду. Если включить мультиметр в режим измерения сопротивления, то при подключении к стабилитрону в прямом направлении (красный щуп к аноду) прибор покажет минимальное сопротивление, а в обратном — бесконечность. Это говорит об исправности полупроводника.

Аналогично выполняется проверка стабилитрона мультиметром в режиме проверки диодов. В этом случае в прямом направлении на экране высветится падение напряжения в районе 400-600 мВ. В обратном либо I, левой части экрана либо .0L, либо какой-то другой знак который говорит о «бесконечности» в измерениях.

На рисунке снизу представлена методика проверки мультиметром.

Аналогичным образом можно проверить стабилитрон, не выпаивая из схемы. Но в этом случае прибор будет всегда показывать сопротивление параллельно подключенных ему элементов, что в некоторых случаях сделает проверку таким образом невозможной.

Однако такая проверка китайским тестером не является полноценной, потому что проверка производится только на пробой, или на обрыв перехода. Для полной проверки необходимо собирать небольшую схему. Пример такой схемы для проверки напряжения стабилитрона вы можете увидеть в видео ниже.

https://youtube.com/watch?v=Iex2WHP-vmg

Д814 параметры.

Напряжение стабилизации при Iст = 5 мА
При Т = +25°C	При Т = -60°C	При Т = +125°C
Д814А	7…8,5 В	6…8,5 В	7…9,5 В
Д814Б	8…9,5 В	7…9,5 В	8…10,5 В
Д814В	9…10,5 В	8…10,5 В	9…11,5 В
Д814Г	10…12 В	9…12 В	10…13,5 В
Д814Д	11,5…14 В	10…14 В	11,5…15,5 В

— Уход напряжения стабилизации, не более: Через 5 с после включения в течение последующих 10 с: Д814А 170 мВ Д814Б 190 мВ Д814В 210 мВ Д814Г 240 мВ Д814Д 280 мВ

Через 15 с после включения в течение последующих 20 с: 20 мВ

— Прямое напряжение (постоянное) при Iпр = 50 мА, Т = -60 и +25°С, не более 1 В

— Постоянный обратный ток при Uобр = 1 В, не более 0,1 мкА

Дифференциальное сопротивление, не более:
при Iст = 5 мА и Т = +25°C:	при Iст = 1 мА и Т = +25°C:	при Iст = 5 мА, Т = -60 и +125°C:
Д814А	6 Ом	12 Ом	11,5 мА
Д814Б	10 Ом	18 Ом	10,5 мА
Д814В	12 Ом	25 Ом	9,5 мА
Д814Г	15 Ом	17 мА	8,3 мА
Д814Д	18 Ом	14 мА	7,2 мА

↑ Возможная модернизация

1. Транзисторы типа КТ814, вставленные в панельки «смотрят» надписями от пользователя. Для устранения надо зеркально поменять справа налево рисунок печатной платы. 2. Если пробит переход К-Б, на стабилитрон TL431 поступит напряжение без ограничительного резистора. Поэтому сомнительные транзисторы надо предварительно проверять на замыкание омметром тестера. Для защиты TL431 можно вместо резистора 100 кОм (он предотвращает режим с оторванной базой, я поставил его для перестраховки) поставить резистор 100 Ом и включить его последовательно с миллиамперметром.

3. При длительной подаче повышенного напряжения питания, мощность на балластном резисторе TL431 превышает номинальную. Резистор надо умудриться сжечь, но если есть такие таланты, можно поставить его мощностью 0,5 Вт сопротивлением 200 Ом.

Я не стал вносить эти изменения — делать «защиту от дурака» для себя в схеме из одного стабилитрона и нескольких резисторов считаю ненужным. Плата просто приклеена к кусочку пенопласта с жесткой пленкой. Выглядит неэстетично, но работает, меня это устраивает, как говорится: «дёшево, надёжно и практично».

В процессе эксплуатации обнаружилось, что усиление транзисторов по току очень существенно зависит от тока и транзисторы «одинаковые» при большем токе чаще всего сильно отличаются при малом. Подобрать пары транзисторов с близкими параметрами в широком диапазоне токов оказалось нелегко.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE(sat) при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE(ON) при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.