Принцип работы транзистора B861
Транзистор B861 относится к биполярным транзисторам и представляет собой полупроводниковое устройство, основанное на использовании эффекта транзисторного перехода. Принцип его работы заключается в управлении и усилении электрического сигнала.
Транзистор B861 состоит из трех слоев, которые называются эмиттером, базой и коллектором. Дважды перекрещивающиеся p-n-переходы между этими слоями образуют два p-n-перехода, которые называют эмиттерным и коллекторным.
Принцип работы транзистора B861 основан на том, что эмиттерный переход пропускает электрони и их дырки. Когда на базу подается управляющий сигнал, изменяется ширина обедненной зоны базы и, следовательно, изменяется прохождение электронного тока от эмиттера к коллектору. Таким образом, транзистор выполняет функции усиления и управления электрическим сигналом.
Особенностью транзистора B861 является его повышенная мощность и низкое сопротивление переходов, что позволяет эффективно управлять большими электрическими токами и реализовывать усилительные функции.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус | Примеча-ние |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 | |
| (2)КТ914А | 7 | 65 | 65 | 4 | 0,8 | 150 | 350 | 12 | — | — | |
| (2)КТ932А/Б/В | 20 | 80/60/40 | 4,5 | 2 | 150 | 100 | 300 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| (2)КТ933А/Б | 5 | 80/60 | 4,5 | 0,5 | 150 | 75 | 100 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| КТ973А/Б/В/Г | 8 | 60/45/60/60 | 5 | 2 | 150 | — | — | от 750 до 5000 | — | ||
| КТ974А/Б/В | 5 | 80/60/50 | 3 | 2 | 150 | 450 | 80 | от 10 до 120 | — | TC ≤ 50°C |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SA1359 (O, Y) | 10,0 (1,0) | 40 | 40 | 5 | 3 | 150 | 100 | 35 | 70 | TO-126 |
| 2SB843 | 10,0 (1,0) | 50 | 40 | 6 | 5 | 175 | — | — | 90 | TO-126 |
| BTB1424AD3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| BTB1424AT3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| H772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| HT772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| KSH772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2SB772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| 2SA1761 | (0,9) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 100 | — | 120 | TO-92 |
| 2SA3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| 2SB985 (R, S, T, U) | (1) | 60 | 60 | 6 | 3 | 165 | 150 | — | 280 | TO-92 |
| BR3CG3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| KTB985 | (1) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 150 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX949 | (1,2) | 50 | 30 | 6 | 4,5 | 200 | 120 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX951 | (1,2) | 100 | 60 | 6 | 4 | 200 | — | 100 | TO-92 | |
| ZTX953 | (1,2) | 140 | 100 | 6 | 3,5 | 200 | 125 | — | 100 | TO-92 |
| 2SA2039-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 5 | 150 | 360 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SA2126-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 390 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SAR573D | 10 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 300 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTA2039J3 | 15 | 60 | 50 | 6 | 5 | 150 | 150 | 42 | 200 | TO-252 |
| BTB1184J3 | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTB1184J3S | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 270 | TO-252 |
| BTB9435J3 | 10 | 40 | 32 | 6 | 3 | 150 | 180 | 20 | 180 | TO-252 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
Применение транзистора B861 в электронике
Основное преимущество транзистора B861 заключается в его высоком коэффициенте усиления, что позволяет использовать его в схемах усилителей. Он также обладает низким уровнем шума и низким уровнем искажений, что делает его идеальным для применения в звуковых устройствах и аудиосистемах.
Транзистор B861 может быть использован в схемах усиления постоянного и переменного тока, благодаря низкому сопротивлению открытого перехода. Он применяется в различных схемах стабилизации напряжения и тока, блокировки напряжения и генерации сигналов. Также его можно использовать в схемах переключения и модуляции.
Благодаря малым габаритам и низкому энергопотреблению, транзистор B861 также широко применяется в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты. Он может использоваться в схемах управления мощностью и усилителях для аудиосигналов, обеспечивая высокое качество звука и надежную работу устройства.
Технические характеристики транзистора B861
Основные технические характеристики транзистора B861:
- Тип транзистора: PNP;
- Максимальное коллекторное напряжение: 45 В;
- Максимальный коллекторный ток: 1.5 А;
- Максимальная мощность: 0.8 Вт;
- Максимальная рабочая частота: 20 МГц;
- Коэффициент усиления тока (hfe): 60-300;
- Корпус: TO-92;
- Температурный диапазон: от -55 до +150 °C;
- Производитель: различные компании.
Транзистор B861 обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его предпочтительным выбором для множества приложений. Он отлично подходит для работы в широком диапазоне температур и способен выдерживать значительные электрические нагрузки.
При выборе транзистора B861 для конкретного использования необходимо учитывать технические требования и параметры схемы, в которой он будет применяться. Рекомендуется ознакомиться с документацией и руководством по использованию данного транзистора для более подробной информации о его характеристиках и особенностях.
Распиновка
Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.
Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;
транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;
Энергоэффективность транзистора b861
Транзистор b861 отличается высокой энергоэффективностью, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств. Благодаря превосходным техническим характеристикам и особенностям работы, этот транзистор обеспечивает оптимальное сочетание производительности и энергосбережения.
Одной из основных причин, почему транзистор b861 обладает высокой энергоэффективностью, является его низкое энергопотребление во время работы. Благодаря этому, устройства, в которых используется этот транзистор, могут работать более длительное время без необходимости замены или подзарядки аккумуляторов.
Также стоит отметить, что транзистор b861 обладает высокой эффективностью переключения. Это означает, что он быстро переходит из одного состояния в другое, что позволяет сократить энергопотребление и увеличить эффективность работы устройства.
Благодаря высокой энергоэффективности, транзистор b861 находит широкое применение в различных сферах. Он используется в электронике, телекоммуникациях, промышленности и других отраслях, где энергосбережение является важным фактором.
Транзистор b861 является надежным и энергоэффективным компонентом, который может значительно повысить эффективность работы различных устройств и систем. Благодаря своим техническим характеристикам и особенностям, он является отличным выбором для проектов, где требуется высокая производительность и энергосбережение.
Описание транзистора 2N4403
Транзистор 2N4403 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE159, SK3466, BC327, BSS80C, PN200, THC4403, TMPT4403, 2N2907, 2N4143*, 2N4972*, 2N6001*, 2N6003*, 2N6005*, 2N6007*, 2N6011*, 2N6013*, 2N6015* A5T2907*, A5T4403*.
Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель
мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)
2N4403
40/40
600
350
100
150
10
200
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc
Advncd Semi
Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro
Central Semiconductor Corp
CentralSemi
Continental Device India Ltd
Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi
Diodes Inc
Diodes Inc
Elm State Electronics lnc
Elm State
Hi-Tron Semiconductor
Hi-Tron
Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
KSL Microdevices Ing
KSL Micro
Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs
Microsemi Corp
Microsemi
Mistral SPA
Mistral SpA
Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt
National Semiconductor Corp
Natl Semi
Rochester Electronics Inc
Rochester
Rohm Со Ltd
Rohm Со Ltd
Samsung Electronics Inc
Samsung
Semelab Plc
Semelab
Semiconductors Inc
Semi Inc
Semiconductor Technology Inc
SemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics
Solid State Inc
Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott
Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer
Transistor Со
Transistor
United-Page Inc, UPI Semiconductor Division
UPI Semi
Space Power Electronics Inc
Space Power
Цоколёвка
Тип
Номера выводов
1
2
3
3 вывода
E
B
C
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
Важно знать о надежности транзистора b861
Основная область применения транзистора b861 — это электронные схемы, требующие низкого уровня шума и низкого сопротивления. Он часто применяется в усилителях и других аудио- и видеоустройствах. Транзистор b861 обеспечивает стабильность и надежность в работе.
Технические характеристики транзистора b861 также играют важную роль в его надежности. Он обладает высоким коэффициентом усиления и способен работать при высоких температурах. Транзистор b861 имеет низкую емкость коллектора и эмиттера, что позволяет ему эффективно контролировать ток.
Особенности транзистора b861 также влияют на его надежность. Он обладает низким уровнем шума, что делает его идеальным выбором для приложений, где требуется высокое качество звука. Также, транзистор b861 обладает высокой стойкостью к электромагнитным помехам, что обеспечивает его надежную работу в различных условиях.
В целом, для тех, кто работает с электроникой и в частности с транзисторами, важно знать о надежности транзистора b861. Он обладает низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и способностью работать при высоких температурах
Он также обладает низкой емкостью и стойкостью к электромагнитным помехам. Транзистор b861 — надежное решение для различных электронных схем и устройств.
Характеристика КТ315
Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.
Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:
- рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
- максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
- предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
- наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
- максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
- рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.
Электрическая характеристика
Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).
Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.
- Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
- Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
- Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
- Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
- Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
- Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.
Классификация
Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.
Маркировка
КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать
Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса
Мнение специалистов о транзисторе b861
Специалисты отмечают высокую надежность работы транзистора b861 в различных условиях. Он отлично справляется с большими нагрузками и обеспечивает стабильную работу электронных схем.
Одним из основных преимуществ транзистора b861 является его низкое потребление энергии. Благодаря этому он эффективно экономит заряд аккумуляторов и продлевает время работы электронных устройств.
Транзистор b861 отлично подходит для работы в различных устройствах, таких как источники питания, преобразователи напряжения, усилители звука, импульсные блоки питания и другие. Это делает его незаменимым элементом для многих инженеров и разработчиков.
Компактный размер и низкая стоимость делают транзистор b861 доступным для широкого круга потребителей. Благодаря этому, он активно используется в производстве массовых электронных устройств, таких как смартфоны, ноутбуки, планшеты и другие.
Основываясь на отзывах специалистов, можно сделать вывод, что транзистор b861 имеет высокую надежность, низкое потребление энергии, широкий спектр применения и доступную стоимость. Он является отличным выбором для различных электронных устройств и пользуется большим спросом на рынке.
Рекомендации по выбору транзистора B861 и его использованию
Ознакомьтесь с техническими характеристиками транзистора B861
Обратите внимание на максимально допустимые значения напряжения и тока, а также на коэффициент усиления.
Используйте специализированные ресурсы и каталоги для поиска информации о транзисторе B861
Важно узнать допустимые значения параметров и условия эксплуатации, чтобы быть уверенным в том, что данный транзистор подходит для вашей схемы.
Учитывайте условия окружающей среды и требования к рабочей температуре
Транзистор B861 имеет определенные ограничения по рабочей температуре, поэтому важно выбирать подходящую теплоотводящую конструкцию и обеспечивать достаточную вентиляцию.
Проверьте соответствие транзистора B861 активным и пассивным элементам вашей схемы. Обратите внимание на значения напряжения и тока, чтобы обеспечить их совместимость.
Внимательно изучите информацию о схеме подключения транзистора B861
Обратите внимание на правильность разводки выводов и соединение с другими компонентами.
При монтаже транзистора B861 следуйте рекомендациям производителя, чтобы избежать повреждения или неправильного функционирования. Особое внимание уделите правильной установке и качественной пайке контактов.
Следуя нашим рекомендациям, вы сможете безопасно выбрать и использовать транзистор B861 в своих электронных схемах. Удачи вам!
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Основные особенности транзистора B861
- Тип: B861 относится к типу NPN и представляет собой триполярный транзистор. Это означает, что его состоит из трех слоев: эмиттера, базы и коллектора, в которых носители заряда перемещаются при работе прибора.
- Напряжение и ток: Транзистор B861 обладает высоким напряжением сток-эмиттер (Vceo) и коллектор-эмиттер (Vces), что позволяет использовать его в различных электронных цепях. Максимальный коллекторный ток (Ic) для B861 составляет определенные значения.
- Мощность: Устройство обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в схемах с высокими энергетическими требованиями.
- Температурный диапазон: B861 может работать в широком температурном диапазоне, что делает его устойчивым к различным климатическим условиям. Это одна из ключевых особенностей транзистора, позволяющая применять его в различных областях.
Таким образом, транзистор B861 обладает рядом уникальных характеристик, которые делают его идеальным компонентом для использования в различных электронных схемах и устройствах.
Пользуйтесь преимуществами транзистора b861
Во-первых, транзистор b861 отличается высокой надежностью и долговечностью. Он способен работать в широком диапазоне температур и в условиях повышенной влажности, что делает его идеальным для использования в различных климатических условиях.
Во-вторых, б861 обладает высокой мощностью и эффективностью работы. Он способен обрабатывать большие энергетические потоки и обеспечивает высокую эффективность работы системы, в которой он применяется.
Кроме того, транзистор b861 имеет малые габариты и легко интегрируется в электронные схемы. Благодаря своим компактным размерам, он занимает минимальное пространство на плате и позволяет создать более компактные и эффективные устройства.
Одним из ключевых преимуществ транзистора b861 является его высокая скорость коммутации
Он способен обеспечивать быстрое переключение между состояниями, что особенно важно в приложениях, требующих быстрых и точных реакций
Неотъемлемой особенностью транзистора b861 является его низкое потребление энергии. Он работает с минимальными энергетическими затратами, что способствует увеличению энергоэффективности всей системы.
В итоге, транзистор b861 является надежным, мощным, эффективным и компактным элементом электронной техники. Он находит применение во множестве устройств, от электронных схем и компьютеров до телекоммуникационного оборудования и электроэнергетических систем.
Модификации и группы транзистора B772
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 40 | 55 | 160 | TO-126 |
| BTB772ST3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 2 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| BTB772T3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| CSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| CSB772 (P, Q, R, E) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 200 | TO-126 |
| FTB772 | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KTB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| PMB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2S772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| TSB772CK | 10,0 (1,0) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| B772C | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126C |
| B772P | 15,0 (1,25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-126D |
| HSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126ML |
| 2SB772B | 25,0 (2,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-220 |
| 2SB772I | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| B772PC | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-251 |
| BTB772I3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-251 |
| WTP772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| 2SB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-252 |
| B772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| BTB772AJ3 | 15,0 (1,0) | 50 | 30 | 7 | 3 | 150 | 190 | 33 | 180 | TO-252 |
| BTB772J3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-252 |
| FTB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| GSTD772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-252 |
| ST2SB772R | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 100 | TO-252 |
| B772M | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252-2L |
| 2SB772A | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| 2SB772GP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-89 |
| 2SB772T | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| BTB772AM3 | (2) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 80 | 25 | 180 | SOT-89 |
| FTB772F | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| GSTM772 | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | SOT-89 |
| KXA1502 | (0.5) | 40 | 20 | 5 | 1.5 | 150 | 100 | 20 | 160 | SOT-89 |
| L2SB772 (P, Q) | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| ST2SB772U | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| ZX5T250 | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| 2SB772S | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-89 |
| ALJB772 | (1) | 40 | 30 | 6 | 1.5 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| B772S | (0.625) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-92 |
| BTB772SA3 | (0.75) | 50 | 50 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-92 |
| GSTS772 | (0.625) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| HB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| HSB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| TSB772SCT | (0.625) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| 2SB772L | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-92LM |
| 2SB772M | (0.35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| B772SS | 10,0 (0,35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| 2SB772N | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-223 |
| 2SB772ZGP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-223 |
Примечения:
- Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252 или DPAK, SOT-89 или TO-92.
- В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
- В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
- В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
- Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).