Характеристики d2137 транзистора на русском языке

Преимущества использования транзистора D2137

Транзистор D2137 предлагает ряд преимуществ, которые делают его привлекательным для использования в различных электронных устройствах.

Высокая надежность: транзистор D2137 производится с использованием высококачественных материалов и технологий, что обеспечивает его долговечность и надежность работы.
Широкий диапазон применения: благодаря своей универсальности транзистор D2137 может использоваться в различных схемах и устройствах, включая усилители, стабилизаторы напряжения, импульсные источники питания и другие.
Высокая мощность: транзистор D2137 имеет высокую мощность, что позволяет использовать его в схемах с большими нагрузками и требованиями к току.
Низкое потребление энергии: благодаря низкому уровню потребления энергии транзистор D2137 помогает снизить энергозатраты и увеличить энергоэффективность электронных устройств.
Удобство монтажа: транзистор D2137 имеет стандартные габариты и ножки, что облегчает его монтаж в различных электронных схемах и устройствах.

В целом, транзистор D2137 является надежным, универсальным и энергоэффективным компонентом, который может быть широко использован в электронике для реализации различных функций.

Технические характеристики

На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия

Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.

Предельно допустимые

D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при Т_A =+25 ОС) :

Максимальное напряжение:

К-Б V_CBO (U_{кб max}) до 1500 В;
К-Э V_CEO (U_{кэ max}) до 600 В;
Э-Б V_EBO (U_{эб max}) до 5 В;

Ток коллектора:

I_C (I_{к max}) до 6 А;
I_CМ (I_{к пик}) до 12 А;
ток базы I_В (I_{Б max}) до 3 А;
рассеиваемая мощность (при Т_C= +25ОС) Р_С (Р_{к max}) до 50 Вт;
диапазон рабочих температур T_STG от -55 до 150ОС;
температура кристалла T_Jдо + 150ОС.

Электрические

После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (Т_A) до +25oС.

У отдельных производителей можно увидеть для максимальной температуры кристалла (Т_C).

Термические характеристики

Максимальная рабочая температура (Tj)

Максимальная рабочая температура (Tj) транзистора D2137 указывает на максимально допустимую температуру, при которой устройство может нормально функционировать. При превышении этого значения возникает риск повреждения транзистора.

Термическое сопротивление каркаса (RthJC)

Термическое сопротивление каркаса (RthJC) показывает, насколько эффективно транзистор отводит тепло от своего кристаллического элемента к окружающей среде. Чем ниже это значение, тем лучше охлаждается транзистор в условиях нагрузки.

Термическое сопротивление перехода от кристаллического элемента к каркасу (RthJH)

Термическое сопротивление перехода от кристаллического элемента к каркасу (RthJH) показывает, насколько эффективно тепло передается от кристаллического элемента к каркасу. Чем ниже значение RthJH, тем эффективнее транзистор охлаждается и предотвращается его перегрев.

Максимальная тепловая рассеиваемая мощность (Ptot)

Максимальная тепловая рассеиваемая мощность (Ptot) указывает на максимальный уровень мощности, которую транзистор может диссипировать в виде тепла без перегрева. Превышение этого значения может привести к повреждению устройства.

↑ Далее встал вопрос с фильтрами

Мне захотелось сделать такой вариант: купить для каждого канала выключатель на 3 положения. Первое положение (выключатель в крайнем левом положении), усилитель воспроизводит все до 100гц. Второе положение (выключатель в среднем положении), усилитель воспроизводит полностью весь сигнал. Третье положение (выключатель в крайнем правом положении), усилитель воспроизводит все от 200гц. Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Фильтр который обрезает все что ниже 200гц я сделал из одного конденсатора 0.047мкф (к73-15А) на каждый канал.

Ну и в конце осталось сделать корпус и функцию REM (управление).

ЗАЩИТА АС УМЗЧ

Изначально задумал использовать схему защиты от БРИГ, но затем читая отзывы о симисторной защите захотел попробовать ее. Блоки защиты были сделаны в самом конце, тогда было туго с финансами, а симисторы и прочие компоненты схемы у нас оказались довольно дороги, поэтому вернулся к релейной защите.

В итоге были собраны три блока защиты, один из них для сабвуферного усилителя, а два остальных для каналов ОМ.

В сети можно найти большое количество схем блоков защиты, но эта схема перепробована мной неоднократно. При наличии постоянного напряжения на выходе (выше допустимого) защита мгновенно срабатывает спасая динамическую головку. После подачи питания реле замыкается, а при срабатывания схемы оно должно размыкаться. Защита включает головку с небольшой задержкой — это тоже в свою очередь, является дополнительной страховкой и щелчок после включения, почти не слышен.

Компоненты блока защиты могут отклоняться от указанного, Основной транзистор можно заменить на наш КТ815Г, использовал высоковольтные транзисторы MJE13003 — их у меня навалом, кроме того, они довольно мощные и не перегреваются в ходе работы, поэтому в теплоотводе не нуждаются. Маломощные транзисторы можно заменить на S9014, 9018, 9012, даже на КТ315, оптимальный вариант — 2N5551. Реле на 7-10 Ампер, подобрать можно любое реле на 12 или 24 Вольта, в моем случае на 12 Вольт.

Блоки защиты для каналов ОМ установлены возле трансформатора второго инвертора, работает все это дело довольно четко, при максимальной громкости защита может сработать (ложно) крайне редко.

Характеристики D2137 транзистора

Основные характеристики D2137:

Тип: p-n-p
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 50 В
Максимальный ток коллектора (I_C): 1 А
Максимальная мощность потери: 1,2 Вт
HFE (коэффициент усиления тока): 60-180
Максимальная рабочая частота: 150 МГц

Транзистор D2137 активно используется в усилительных схемах, ключевых устройствах, блоках питания и других электронных устройствах. Он обладает хорошими усилительными свойствами, надежностью и стабильностью работы. Кроме того, его размеры и электрические характеристики позволяют использовать его в различных электронных схемах в качестве ключевого элемента.

Обратите внимание на то, что характеристики транзистора D2137 могут незначительно отличаться в зависимости от производителя и партии. Перед использованием рекомендуется ознакомиться с документацией производителя для получения точной информации

Подбор транзисторов в усилитель JLH

Выходные транзисторы

Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.

Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.

Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.

В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).

Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055

Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.

Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.

Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.

MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819

У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.

Драйверный транзистор

Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки

Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.

Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

сетевые адаптеры мобильных устройств;
электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
электронные трансформаторы;
другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

2SD2137 Datasheet PDF — Panasonic Semiconductor

Part Number	2SD2137
Description	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
Manufacturers	Panasonic Semiconductor
Logo
There is a preview and 2SD2137 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 3 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Power Transistors
2SD2137, 2SD2137A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
Complementary to 2SB1417 and 2SB1417A

s Features

q High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity

q Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

q Allowing supply with the radial taping

s Absolute Maximum Ratings (TC=25˚C)

Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to 2SD2137
base voltage 2SD2137A

VCBO

60
80
V
Collector to 2SD2137
emitter voltage 2SD2137A
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current

Collector power TC=25°C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature
Storage temperature

VCEO

VEBO

ICP

Tstg

60
80
6
5
3
15
2
150
–55 to +150
V
V
A
A
W
˚C
˚C

s Electrical Characteristics (TC=25˚C)

Parameter
Symbol
Conditions
Collector cutoff
2SD2137
current
2SD2137A
Collector cutoff
2SD2137
current
2SD2137A
Emitter cutoff current
Collector to emitter 2SD2137
voltage
2SD2137A
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time

ICES

ICEO

IEBO

VCEO

hFE1*

hFE2

VBE

VCE(sat)

ton

tstg

VCE = 60V, VBE = 0

VCE = 80V, VBE = 0

VCE = 30V, IB = 0

VCE = 60V, IB = 0

VEB = 6V, IC = 0

IC = 30mA, IB = 0

VCE = 4V, IC = 1A

VCE = 4V, IC = 3A

IC = 3A, IB = 0.375A

VCE = 5V, IC = 0.2A, f = 10MHz

IC = 1A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,

VCC = 50V

Unit: mm

10.0±0.2

5.0±0.1

1.0

90°

0.35±0.1

1.2±0.1

0.65±0.1

1.05±0.1

0.55±0.1

C1.0

2.25±0.2

0.55±0.1

C1.0 1 2 3

2.5±0.2

1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
min typ max Unit
100

µA

100
100

µA

100

100 µA

60
V
80
70 250
10
1.8 V
1.2 V
30 MHz

0.3 µs

2.5 µs

0.2 µs

*hFE1 Rank classification

Rank
Q
P

hFE1 70 to 150 120 to 250

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE = 70 to 250) in the rank classification.

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SD2137 electronic component.

Information	Total 3 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Применение транзистора D2137 в электронике

Благодаря высокой мощности и надежности, транзистор D2137 часто используется в схемах усиления сигналов. Он может быть использован в усилителях для звуковой системы, радиоприемниках, телевизорах и других аудио и видео устройствах. Также он может быть использован в устройствах передачи данных, таких как модемы, роутеры и коммуникационные системы.

Транзистор D2137 также широко применяется в источниках питания. Он может использоваться как ключевой элемент в понижающих или повышающих мощность преобразователях, а также в импульсных блоках питания. Благодаря своим характеристикам, транзистор D2137 обеспечивает стабильную и эффективную работу источников питания.

Кроме того, транзистор D2137 может быть использован в системах управления и контроля, таких как регулируемые источники света, системы автоматического управления, системы безопасности и других электронных устройствах, где требуется высокая надежность и точность управления.

Выводя из всего вышесказанного, можно сделать вывод, что транзистор D2137 является многоцелевым компонентом, который имеет широкое применение в различных областях электроники. Благодаря своей мощности и надежности, он может быть использован в различных устройствах, где требуется усиление сигналов, источники питания или системы управления и контроля.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Описание транзистора D2137

Транзистор D2137 имеет три вывода: исток (S), сток (D) и затвор (G). Он обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, что позволяет использовать его в радиочастотных усилителях и других подобных устройствах.

Транзистор D2137 характеризуется номинальными значениями максимального напряжения стока-истока (Vds), максимального тока стока (Ids) и максимальной мощности (Pd). Эти характеристики определяют его функциональные возможности и пределы эксплуатации в различных схемах.

Транзистор D2137 имеет высокий коэффициент усиления (hfe) и малое сопротивление открытого канала (Rds). Он может работать в широком диапазоне частот, что делает его идеальным для применения в аудио- и видеоусилителях, телевизионных и радиоприемниках.

Важно отметить, что использование транзистора D2137 требует соблюдения рекомендаций по монтажу и подключению, так как неправильное подключение или неправильное использование может повлечь за собой повреждения транзистора

Описание и область применения

Основные характеристики D2137 включают полупроводниковую структуру, которая позволяет эффективно усиливать сигналы и контролировать поток электронов. С его помощью можно выполнять операции коммутации, регулирования и усиления сигналов. Также транзистор имеет высокие технические показатели, такие как низкое сопротивление и небольшую потерю энергии.

Область применения D2137 транзистора включает:

Кроме того, D2137 может использоваться во многих других областях, которые требуют усиления и коммутации сигналов. Он отличается низкой ценой и удобством использования, что делает его популярным среди производителей электронной техники.

Технические характеристики транзистора D2137

Тип транзистора: D2137
Назначение: Универсальный транзистор для использования в различных электронных схемах и устройствах
Материал корпуса: Пластиковый
Полюсность: NPN
Максимальное значение тока коллектора (Ic): 5А
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Vce): 40В
Максимальное значение напряжения база-эмиттер (Vbe): 5В
Максимальная мощность (Pc): 30Вт
Максимальное значение температуры перехода (Tj): 150°C
Коэффициент усиления тока транзистора (hfe): 40-240
Скорость переключения (tf, tr): 0.2мкс
Температурный коэффициент тока коллектора: 1.33мА/°C

Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SA1012
Datasheet (PDF)

..1. Size:215K toshiba 2sa1012.pdf

..2. Size:343K utc 2sa1012.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-

..3. Size:116K mospec 2sa1012.pdf

AAA

..4. Size:1282K jiangsu 2sa1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base

..5. Size:119K jmnic 2sa1012.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip

..6. Size:318K lge 2sa1012.pdf

2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

..7. Size:226K lzg 2sa1012 3ca1012.pdf

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

..8. Size:242K inchange semiconductor 2sa1012.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

0.1. Size:742K jiangsu 2sa1012b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev

0.2. Size:583K semtech st2sa1012.pdf

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

0.3. Size:196K inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.