2sb834 pdf даташит

Параметры транзистора кт819, его цоколевка и аналоги

Характеристики транзистора b834: ключевые параметры

  • Тип транзистора: PNP;
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 60 В;
  • Максимальный ток коллектора (IC): 12 А;
  • Максимальная мощность транзистора (PC): 40 Вт;
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 20 — 60;
  • Максимальная частота переключения (fT): 50 МГц;
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C;
  • Корпус транзистора: TO-220AB.

Эти характеристики определяют возможности и ограничения транзистора b834. Например, высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) делает его подходящим для работы с высокими напряжениями, а максимальная частота переключения (fT) указывает на возможность использования транзистора в схемах высокочастотной коммутации.

При выборе транзистора b834 для конкретного применения, необходимо учитывать его характеристики и сравнивать их с требованиями к системе

Также рекомендуется обратить внимание на параметры, связанные с установкой транзистора, такие как его корпус и тепловые характеристики, чтобы обеспечить надежную работу и защиту от перегрева

Биполярный транзистор BC547B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

Преимущества использования

1. Высокая надежность. Транзистор b834 обладает высокой стабильностью и долговечностью. Он способен работать в широком диапазоне температур и условий окружающей среды.

2. Высокая скорость работы. Благодаря своей структуре и особенностям работы, данный транзистор обеспечивает быстрое и точное управление сигналом. Он способен обрабатывать большие объемы информации за минимальное время.

3. Низкое энергопотребление. Транзистор b834 потребляет мало энергии при выполнении своих функций. Это позволяет снизить затраты на электроэнергию и увеличить энергоэффективность системы.

4. Широкий спектр применения. Данный транзистор может использоваться во многих различных областях и приложениях, таких как телекоммуникации, автомобильная и электронная промышленность, медицинская техника и другие.

5. Простота в установке и подключении. Транзистор b834 имеет удобные разъемы для подключения к другим устройствам и системам. Он не требует сложной настройки и позволяет быстро начать работу.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Надежность и долговечность

Транзистор B834 отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его популярным выбором для широкого спектра электронных приборов. Благодаря использованию высококачественных материалов и тщательному контролю производства, этот транзистор проходит строгие испытания и соответствует высоким стандартам надежности.

Транзистор B834 имеет высокую степень защиты от внешних воздействий и механических повреждений. Он устойчив к перепадам напряжения, повышенной температуре, вибрации и электромагнитным помехам. Это позволяет ему успешно работать в самых экстремальных условиях и обеспечивает стабильную и надежную работу электронных устройств.

Благодаря своей долговечности и высокой надежности, транзистор B834 широко применяется в различных сферах, включая телекоммуникации, автомобильную промышленность, промышленную автоматизацию, медицинское оборудование, аудио- и видеотехнику, и многие другие. Этот транзистор обеспечивает стабильность и эффективность работы электронных систем, позволяя им функционировать без сбоев и задержек на протяжении длительного времени.

Особенности транзистора b834: что стоит учесть

1. Напряжение и ток коллектора-эмиттера: Транзистор b834 обладает высоким номинальным напряжением коллектора-эмиттера в 60 Вольт, что позволяет использовать его во множестве электронных устройств с разными требованиями к напряжению и току.

2. Коэффициент усиления: Транзистор b834 характеризуется высоким коэффициентом усиления тока, что делает его привлекательным для использования в усилительных схемах. Коэффициент усиления варьируется от 100 до 700, в зависимости от условий эксплуатации.

3. Мощность и тепловыделение: Благодаря рабочему тепловому сопротивлению, транзистор b834 способен выдерживать высокие температуры без значительной деградации производительности. Это делает его идеальным для применения в устройствах с высокими требованиями к мощности и надежности.

4. Скорость переключения: Транзистор b834 обладает высокой скоростью переключения, что позволяет ему работать в быстродействующих электронных схемах, таких как коммутационные устройства и инверторы.

5. Корпус: Транзистор b834 доступен в различных корпусах, таких как TO-92 и SOT-23, что обеспечивает удобство его монтажа и интеграции в различные устройства.

6. Надежность: Транзистор b834 характеризуется высокой надежностью и стабильностью работы в различных условиях эксплуатации, что позволяет использовать его в широком диапазоне приложений.

В целом, транзистор b834 является универсальным и надежным устройством, которое может быть использовано в различных электронных схемах и устройствах.

BC547B Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.

Применение и преимущества транзистора B834

Преимущества транзистора B834 включают:

  • Высокая скорость коммутации: транзистор B834 обладает быстрым временем переключения между состояниями включено/выключено, что делает его идеальным для приложений, требующих высокую скорость работы.
  • Высокая мощность: данный транзистор способен обрабатывать большие электрические мощности, что позволяет его использование в устройствах с высокими требованиями к производительности.
  • Низкое потребление энергии: B834 имеет эффективное управление потреблением энергии, что помогает продлить время автономной работы устройств.
  • Высокая надежность: транзистор B834 обладает долгим сроком службы и устойчив к воздействию внешних факторов, таких как вибрации, перепады напряжения и температурные изменения.
  • Широкий диапазон рабочих температур: B834 может работать в широком диапазоне температур, что делает его идеальным для экстремальных условий эксплуатации.

Благодаря своим преимуществам и широкому спектру применения, транзистор B834 часто используется в различных отраслях, включая радиосвязь, аудио- и видео-технику, промышленность и автомобильную электронику.

Преимущества транзистора b834: что его отличает

1. Высокая надежность и долговечность. Транзистор b834 изготавливается из качественных материалов с использованием передовых технологий, что обеспечивает ему высокую надежность и долгий срок службы.

2. Высокая мощность и эффективность. Благодаря своей конструкции и хорошо продуманному дизайну, транзистор b834 обладает высокой мощностью и эффективностью работы. Это позволяет ему эффективно управлять потоком электронов и выполнять свои функции на высоком уровне.

3. Широкий диапазон применения. Транзистор b834 может быть использован в самых разных сферах и ситуациях. Он может быть использован как в промышленности, так и в бытовых устройствах. Благодаря своей универсальности, этот транзистор находит применение во множестве различных электронных устройств.

4. Хорошие характеристики. Транзистор b834 обладает хорошими электрическими и механическими характеристиками. Он имеет низкое внутреннее сопротивление, высокую скорость переключения и высокий коэффициент усиления. Это позволяет ему эффективно выполнять свои функции и обеспечить стабильную работу устройства.

5. Легкость в установке и использовании. Транзистор b834 легко устанавливается и подключается к другим компонентам электрической схемы. Он имеет компактный размер и небольшой вес, что позволяет его эффективно использовать в различных типах устройств.

В целом, транзистор b834 является высококачественным и надежным электронным компонентом, который обладает рядом преимуществ перед другими транзисторами. Он является незаменимым элементом во многих электронных устройствах и играет важную роль в их работе.

В сфере электроники:

Одним из ключевых преимуществ B834 является его низкое потребление энергии, что делает его особенно полезным в портативных устройствах и устройствах с ограниченной энергией. Транзистор может работать с низким напряжением питания и имеет высокую надежность, что делает его устойчивым к перепадам напряжения и температурным изменениям.

Применение транзистора B834 можно найти в различных областях электроники, включая телекоммуникации, аудио и видео технику, медицинское оборудование, бытовую технику и др. Благодаря своей универсальности и надежности, транзистор B834 является популярным выбором для разработчиков и инженеров в сфере электроники.

Важно отметить, что успешное использование транзистора B834 зависит от правильного подключения и настройки в соответствии с требованиями конкретной схемы и устройства. В процессе проектирования и разработки электронных устройств, рекомендуется обращаться к документации и техническим спецификациям транзистора B834 для получения подробной информации о его особенностях и правильном использовании

История создания транзистора B834

Транзистор B834 был разработан в 1954 году в одной из ведущих американских лабораторий по электронике. Эта разработка стала одной из революционных моментов в истории электроники, полностью изменившей сферу технологий и принципы работы электронных устройств.

Первоначально транзистор был разработан как прибор, способный заменить лампы на электронных устройствах, таких как радиоприемники и телефонные аппараты. Концепция транзистора была предложена уже в 1947 году, но только в 1954 году на основе этой концепции удалось создать работающий прототип, который получил название B834.

Основной задачей разработчиков было создание малогабаритного и надежного прибора, способного обеспечивать усиление сигнала и переключение без использования больших электромеханических элементов. Транзистор B834 стал первым полупроводниковым прибором, основанным на эффекте транзистора.

Создание транзистора B834 стало важным прорывом в электронике и положило начало эпохе полупроводниковых приборов. Благодаря своим компактным размерам, низкому энергопотреблению и высокой надежности, транзистор B834 быстро нашел применение в различных областях, включая телекоммуникационные системы, медицинскую технику и современную электронику в целом.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

Использование изделия и его особенные черты

Чаще всего применяется транзистор для ключевой схемы или стабилизаторов напряжения, а также для усилителей звуковой частоты. В усилителях аудио увидеть транзистор можно в стабилизаторах питания. Компоненты могут неплохо взаимодействовать с такой парой, как bd140.

Также радиолюбители нередко используют транзистор для замены вышедшего из строя оборудования. Серия, как правило, применяется КТ815, которая не отличается от самого первого и надёжного bd139.

Транзистор со средней мощностью на сегодняшний день доступен в металлическом корпусе. Поэтому пользователи могут увидеть такой вариант и брать его спокойно. Особенность данного компонента в том, что он имеет пластиковый корпус, что резко снижает его цену и привлекает потребителей.

Хоть и транзистор от компании Phillips сейчас уже не найти, не стоит отчаиваться, ведь на помощь придёт продукция других производителей. На сегодняшний день каждый производитель старается создать надёжные компоненты для последующего применения, чтобы привлечь покупателей. При этом компании предлагают низкие цены на российские транзисторы, что больше привлекает потребителей.

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

BC547C Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

  1. Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
  2. Input Voltage (VCC) — питание.
  3. Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
  4. Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
  5. Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
  6. Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
  7. Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: