Транзистор кт361: характеристики и цоколевка

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Транзисторные ключи

В основе большинства схем, используемых в вычислительных машинах, устройствах телеуправления, системах автоматического управления и т.п., лежат транзисторные ключи.

Схемах ключа на биполярном транзисторе и ВАХ показаны на рисунке:

Первое состояние «выключено» (транзистор закрыт) определяется точкой А1 на выходных характеристиках транзистора; его называют режимом отсечки. В режиме отсечки ток базы Iб = 0, коллекторный ток Iк1 равен начальному коллекторному току, а коллекторное напряжение Uк = Uк1 ≈ Ек. Режим отсечки реализуется при Uвх = 0 или при отрицательных потенциалах базы. В этом состоянии сопротивление ключа достигает максимального значения: Rmax = , где RT — сопротивление транзистора в закрытом состоянии, более 1 МОм.

Второе состояние «включено» (транзистор открыт) определяется точкой А2 на ВАХ и называется режимом насыщения. Из режима отсечки (А1) в режиме насыщения (А2) транзистор переводится положительным входным напряжением Uвх. При этом напряжение Uвых принимает минимальное значение Uк2 = Uк.э.нас порядка 0,2-1,0 B, ток коллектора Iк2 = Iк.нас ≈ Ек/Rк. Ток базы в режиме насыщения определяется из условия: Iб > Iб.нас = Iк.нас / h21.

Входное напряжение, необходимое для перевода транзистора в открытое состояние, определяется из условия: Uвх > Iб.нас · Rб + Uк.э.нас

Хорошая помехозащищенность и малая мощность, рассеиваемая в транзисторе, объясняется тем, что транзистор большую часть времени либо насыщен (А2), либо закрыт (А1), а время перехода из одного состояния в другое составляет малую часть от длительности этих состояний. Время переключения ключей на биполярных транзисторах определяется барьерными емкостями р-n-переходов и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе.

Для повышения быстродействия и входного сопротивления применяются ключи на полевых транзисторах.

Схемы ключей на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и с индуцированным каналом с общим истоком и общим стоком показаны на рисунке:

Для любого ключа на полевом транзисторе Rн > 10-100 кОм.

Управляющий сигнал Uвх на затворе порядка 10-15 В. Сопротивление полевого транзистора в закрытом состоянии велико, порядка 108-109 Ом.

Сопротивление полевого транзистора в открытом состоянии может составлять 7-30 Ом. Сопротивление полевого транзистора по цепи управления может составлять 108-109 Ом. (схемы «а» и «б») и 1012-1014 Ом (схемы «в» и «г»).

КТ315

КТ315А	КТ315Б	КТ315В	КТ315Г	КТ315Д	КТ315Е

КТ315Ж	КТ315И	КТ315Л	КТ315М	КТ315Н	КТ315Р

Первые выпуски были только до буквы Г.
Отставить «до буквы Г», нашелся и
ранний КТ315Ж! это тем страньше, что в старых
справочниках и паспортах такой буквы еще нету…

А были среди ранних и вообще без буквы, с одной лишь точкой:

В новом веке выпуск этих транзисторов продолжается.
Более того — у белорусов появился новый вариант КТ315_1, в корпусе ТО-92;
заводские паспорта от них, версия 1, версия 2
и версия 3.

Вот очень интересные образчики, из 70-х годов.
Надо полагать, буква Э обозначает экспортное назначение транзистора,
а Т — тропическое исполнение:

Интересный момент, их рассматривали и для военного применения:

Особенности маркировки — на корпусе указывается либо полное название транзистора, либо только буква (при этом она сдвинута к левому краю корпуса). Товарный знак завода может отсутствовать. Дата выпуска ставится в цифровом, либо в кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки является отличительным знаком транзисторов, предназначенных для цветного телевидения.

Но! старые транзисторы маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а в 1971 году (примерно) перешли на привычную двухстрочную: впрочем, возможны разночтения, поскольку одной большой буквой посередине маркировали и …

Данные из отраслевого каталога
на них.

Поговорим о различиях. Ну, разбраковка по буквам в зависимости от
максимально допустимого напряжения и коэффициента усиления — это понятно. Но помимо этого:
— КТ315Ж отбирается по времени рассасывания
— КТ315И первоначально предназначались для работы в цепях коммутации сегментов
вакуумных люминесцентных индикаторов
— КТ315Н предназначены для применения только в цветном телевидении;
при этом «транзистор КТ315Н по высшей
категории качества не аттестован»
— КТ315Р проходят электротермотренировку и предназначены для применения только
в видеомагнитофонах «Электроника-ВМ».

Update 30.08.2008 А вот и паспорт от них подоспел. Качество, конечно, удручает, но
это копия с копии…

Копить так копить… Вот еще, варианты от Кварцита
раз,
два
и три,
Нальчикского ЗПП раз и
два;
Электронприбора и
квазаровские,
постарше и
посвежее
(при этом в старом приведены почему-то только два типа — КТ315Д и КТ315Е).

История создания

Цитата из переписки:

Серийное производство транзисторов было осуществлено на
Фрязинском заводе. К выполнению этой комплексной работы был привлечён ряд
предприятий отрасли, разработка собственно транзистора проводилась в
НИИ «Пульсар» под руководством Абрама Иосифовича Гольдшера
(доктор технических наук, ныне, увы, покойный).

В 1973 году эта работа была удостоена Государственной премии СССР
«за разработку технологии, конструкции, материалов,
высокопроизводительного сборочного оборудования, организацию массового
производства высокочастотных транзисторов в пластмассовом корпусе для
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения».»

Кстати — это была первая открытая (не засекреченная) премия по линии МЭП…

Проверка мультиметром

Транзистор кт3107

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Как проверить мультиметром

Для проверки КТ361 на работоспособность можно воспользоваться мультиметром. Для этого надо диагностировать его одностороннюю проводимость p-n-переходов. Включаем прибор измерений в режим прозвонки диодов. Затем, при подключении черного щупа «-» к базе, а красного «+» к эмиттеру, на экране тестера должно отобразиться прямое падение напряжения — в районе 790…830 мВ. Примерно такое же значение получится при подсоединении плюса на эмиттер.

При подключении щупов в обратном порядке, т.е. черного щупа на эмиттер и красного на базу, на экране тестера должна отображаться цифра «1». Она указывает на бесконечное падение напряжения на переходе транзистора. В этом случае можно сказать, что транзистор работоспособен. Если мультиметр при таком подключении показывает, какие либо другие величины – изделие не исправно.

Аналогичным способом можно проверить любой биполярник, в том числе КТ315. При этом не забывайте о его n-p-n-структуре. Поэтому полярность подключения щупов мультиметра будет другая.

КТ315

КТ315А	КТ315Б	КТ315В	КТ315Г	КТ315Д	КТ315Е

КТ315Ж	КТ315И	КТ315Л	КТ315М	КТ315Н	КТ315Р

Первые выпуски были только до буквы Г.
Отставить «до буквы Г», нашелся и
ранний КТ315Ж! это тем страньше, что в старых
справочниках и паспортах такой буквы еще нету…

А были среди ранних и вообще без буквы, с одной лишь точкой:

В новом веке выпуск этих транзисторов продолжается.
Более того — у белорусов появился новый вариант КТ315_1, в корпусе ТО-92;
заводские паспорта от них, версия 1, версия 2
и версия 3.

Вот очень интересные образчики, из 70-х годов.
Надо полагать, буква Э обозначает экспортное назначение транзистора,
а Т — тропическое исполнение:

Интересный момент, их рассматривали и для военного применения:

Особенности маркировки — на корпусе указывается либо полное название транзистора, либо только буква (при этом она сдвинута к левому краю корпуса). Товарный знак завода может отсутствовать. Дата выпуска ставится в цифровом, либо в кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки является отличительным знаком транзисторов, предназначенных для цветного телевидения.

Но! старые транзисторы маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а в 1971 году (примерно) перешли на привычную двухстрочную: впрочем, возможны разночтения, поскольку одной большой буквой посередине маркировали и …

Данные из отраслевого каталога
на них.

Поговорим о различиях. Ну, разбраковка по буквам в зависимости от
максимально допустимого напряжения и коэффициента усиления — это понятно. Но помимо этого:
— КТ315Ж отбирается по времени рассасывания
— КТ315И первоначально предназначались для работы в цепях коммутации сегментов
вакуумных люминесцентных индикаторов
— КТ315Н предназначены для применения только в цветном телевидении;
при этом «транзистор КТ315Н по высшей
категории качества не аттестован»
— КТ315Р проходят электротермотренировку и предназначены для применения только
в видеомагнитофонах «Электроника-ВМ».

Update 30.08.2008 А вот и паспорт от них подоспел. Качество, конечно, удручает, но
это копия с копии…

Копить так копить… Вот еще, варианты от Кварцита
раз,
два
и три,
Нальчикского ЗПП раз и
два;
Электронприбора и
квазаровские,
постарше и
посвежее
(при этом в старом приведены почему-то только два типа — КТ315Д и КТ315Е).

История создания

Цитата из переписки:

Серийное производство транзисторов было осуществлено на
Фрязинском заводе. К выполнению этой комплексной работы был привлечён ряд
предприятий отрасли, разработка собственно транзистора проводилась в
НИИ «Пульсар» под руководством Абрама Иосифовича Гольдшера
(доктор технических наук, ныне, увы, покойный).

В 1973 году эта работа была удостоена Государственной премии СССР
«за разработку технологии, конструкции, материалов,
высокопроизводительного сборочного оборудования, организацию массового
производства высокочастотных транзисторов в пластмассовом корпусе для
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения».»

Кстати — это была первая открытая (не засекреченная) премия по линии МЭП…

Related Posts

Вынул из телевизоров динамики 3ГДШ-1, чтоб не лежали без дела решил сделать колонки, но так как внешний усилитель с сабвуфером у меня есть, значит, буду собирать сателлиты.

Всем привет, уважаемые радиолюбители и аудиоманы! Сегодня я расскажу как доработать высокочастотный динамик 3ГД-31 (-1300) он же 5ГДВ-1. Применялись они в таких акустических системах, как 10МАС-1 и 1М, 15МАС, 25АС-109…….

Здравствуйте уважаемые читатели. Да уж, давненько я не писал посты для блога, но со всей ответственностью хочу заявить, что теперь буду стараться не отставать, и буду писать обзоры и статьи…….

Здравствуйте уважаемый посетитель. Я знаю зачем вы читаете эту статью. Да да знаю. Нет что вы? Я не телепат, просто я знаю почему вы попали именно на эту страничку. Наверняка…….

И снова мой знакомый Вячеслав (SAXON_1996) Хочет поделится своей наработкой по колонкам. Слово Вячеславу Досталась как — то мне одна колонка 10МАС с фильтром и высокочастотным динамиком. Я долго не…….

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор Аналог КТ209 MPS404 КТ368А9 BF599 КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ BC547A BC547B BC548B BC549C КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C КТ3117А КТ3117Б 2N2221 2N2222A КТ3126А BF506 КТ3127А 2N4411 КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9 BC857A BC858A BC858B КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9 BCW71 BCW72 BCW31 КТ3142А 2N2369 КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9 BC847A BC847B BC847C КТ635Б 2N3725 КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10 КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A КТ645А КТ645Б 2N4400 2N4400 КТ646А КТ646Б 2SC495 2SC496 КТ660А КТ660Б BC337 BC338

Транзистор Аналог КТ668А КТ668Б КТ668В BC556 BC557 BC558 КТ940А BF458 КТ940Б КТ940В BF457 BF459 КТ961А КТ961Б КТ961В BD139 BD137 BD135 КТ969А BF469 КТ972А КТ972Б BD877 BD875 КТ684А КТ684Б КТ684В BC636 BC638 BC640 КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40 КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D КТ6112А КТ6112Б КТ6112В SS9015A SS9015B SS9015C КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I

Транзистор Аналог КТ6114А КТ6114Б КТ6114В SS8050B SS8050C SS8050D КТ6115А КТ6115Б КТ6115В SS8550B SS8550C SS8550D КТ6116А КТ6116Б 2N5401 2N5400 КТ6117А КТ6117Б 2N5551 2N5550 КТ6128А КТ6128Б SS9016D SS9016E КТ973А КТ973Б BD878 BD876 KT9116A KT9116Б TPV-394 TPV-375 KT9133A TPV-376 KT9142A 2SC3218 KT9150 TPV-595 KT9151A 2SC3812 KT9152A 2SC3660 КТ6136А 2N3906 КТ728А КТ729А MJ3055 2N3055 КТ808АМ КТ808БМ 2SC1619A 2SC1618 КТ814Б КТ814В КТ814Г BD136 BD138 BD140 КТ815Б КТ815В КТ815Г BD135 BD137 BD139 КТ817Б КТ817В КТ817Г BD233 BD235 BD237 КТ818Б TIP42 КТ819Б TIP41 КТ840А КТ840Б BU326A BU126

Транзистор Аналог КТ856А КТ856Б BUX48A BUX48 КТ867А BUY21 КТ872А КТ872Б КТ872Г BU508A BU508 BU508D КТ878А КТ878Б КТ878В BUX98 2N6546 BUX98A КТ879А КТ879Б 2N6279 2N6278 КТ892А КТ892Б КТ892В TIP661 BU932Z TIP662 КТ899А 2N6388 КТ8107А BU508A КТ8109А TIP151 КТ8110А 2SC4242 КТ8121А MJE13005 КТ8126А КТ8126Б MJE13007 MJE13006 КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 КТ8176А КТ8176Б КТ8176В TIP31A TIP31B TIP31C КТ8177А КТ8177Б КТ8177В TIP32A TIP32B TIP32C КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I КТ6137А 2N3904 КТ928А 2N2218 КТ928Б КТ928В 2N2219 2N2219A

.

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

• напряжение между выводами Б-Э до 4В;
• ток коллектора до 50мА;
• мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
• температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
• статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

• граничная частота по H_21Э (если U_KЭ=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
• обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_KЭ) до 1 мкА; коллектора (при U_KБ=10В) до 1 мкА;
• возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
• статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

• большой разброс значений H_21Э;
• в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
• внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Как проверить мультиметром

Для проверки КТ361 на работоспособность можно воспользоваться мультиметром. Для этого надо диагностировать его одностороннюю проводимость p-n-переходов. Включаем прибор измерений в режим прозвонки диодов. Затем, при подключении черного щупа «-» к базе, а красного «+» к эмиттеру, на экране тестера должно отобразиться прямое падение напряжения — в районе 790…830 мВ. Примерно такое же значение получится при подсоединении плюса на эмиттер.

При подключении щупов в обратном порядке, т.е. черного щупа на эмиттер и красного на базу, на экране тестера должна отображаться цифра «1». Она указывает на бесконечное падение напряжения на переходе транзистора. В этом случае можно сказать, что транзистор работоспособен. Если мультиметр при таком подключении показывает, какие либо другие величины – изделие не исправно.

Аналогичным способом можно проверить любой биполярник, в том числе КТ315. При этом не забывайте о его n-p-n-структуре. Поэтому полярность подключения щупов мультиметра будет другая.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3

Тип	Структура	PК max, мВт	fгр, МГц	UКЭmax, В	IК max, мА	h21Э	CК, пФ	rКЭ нас, Ом	rб, Ом	3D мод. 1	3D мод. 2	3D мод. 3	Библиотека Altium Designer
КТ361А	р-n-р	150	250	25	50	20-90	≤9	≤20	≤40				КТ361
КТ361А1	р-n-р	150	150	25	100	20-90	≤9	≤20	≤40
КТ361Б	р-n-р	150	250	20	50	50-350	≤9	≤20	≤40
КТ361В	р-n-р	150	250	40	50	40-160	≤7	≤20	≤40
КТ361Г	р-n-р	150	250	35	50	50-350	≤7	≤20	≤40
КТ361Г1	р-n-р	150	250	35	100	100-350	≤7	≤20	≤40
КТ361Д	р-n-р	150	250	40	50	20-90	≤7	≤50	–
КТ361Д1	р-n-р	150	150	40	50	20-90	≤7	≤50	–
КТ361Е	р-n-р	150	250	35	50	50-350	≤7	≤50	–
КТ361Ж	р-n-р	150	250	10	50	50-350	≤9	≤50	–
КТ361И	р-n-р	150	250	15	50	≥250	≤9	≤50	–
КТ361К	р-n-р	150	250	60	50	50-350	≤7	≤50	–
КТ361Л	р-n-р	150	250	20	100	50-350	≤9	–	–
КТ361М	р-n-р	150	250	40	100	70-160	≤7	–	–
КТ361Н	р-n-р	150	150	45	50	20-90	≤7	–	–
КТ361П	р-n-р	150	300	50	50	100-350	≤7	–	–
КТ361А2	р-n-р	150	250	25	100	20-90	≤9	≤20	≤40
КТ361А3	р-n-р	150	150	25	100	20-90	≤9	≤20	≤40
КТ361Б2	р-n-р	150	250	20	50	50-350	≤9	≤20	≤40
КТ361В2	р-n-р	150	250	40	50	40-160	≤7	≤20	≤40
КТ361Г2	р-n-р	150	250	35	50	50-350	≤7	≤20	≤40
КТ361Г3	р-n-р	150	250	35	50	100-350	≤9	≤20	≤40
КТ361Д2	р-n-р	150	250	40	50	20-90	≤7	≤50	–
КТ361Д3	р-n-р	150	150	40	50	20-90	≤9	≤50	–
КТ361Е2	р-n-р	150	250	35	50	50-350	≤7	≤50	–
КТ361Ж2	р-n-р	150	250	10	50	50-350	≤9	≤50	–
КТ361И2	р-n-р	150	250	15	50	≥250	≤9	≤20	–
KT361K2	р-n-р	150	250	60	50	50-350	≤7	≤20	–
КТ361Л2	р-n-р	150	250	20	100	50-350	≤9	–	–
KT361M2	р-n-р	150	250	40	100	70-160	≤7	–	–
КТ361Н2	р-n-р	150	150	45	50	20-90	≤7	–	–
КТ361П2	р-n-р	150	300	50	50	100-350	≤7	–	–

Примечание:
1. I_{К max} – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
2. U_{КЭ max} – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
3. P_{К max} – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
4. r_б – сопротивление базы;
5. r_{КЭ нас} – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
6. C_К – емкость коллекторного перехода , измеренная при U_К = 10 В;
7. f_гp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
8. h_2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.

Принцип работы полевого транзистора

Говоря простыми словами о том, как работает полевой транзистор для чайников с управляющими p-n переходами, стоит отметить: радиодетали состоят из двух участков: p-переходов и n-переходов. По участку n проходит электроток. Участок р является перекрывающей зоной, неким вентилем. Если оказывать определенное давление на нее, то она будет перекрывать участок и препятствовать прохождению тока. Либо, же наоборот, при снижении давления количество проходящего тока возрастет. В результате такого давления осуществляется увеличение напряжения на контактах затворов, находящихся на участке р.

Приборы с управляющими p-n канальными переходами — это полупроводниковые пластины, имеющие электропроводность с одним из данных типов. К торцевым сторонам пластин выполняется подсоединение контактов: стока и истока, в середину — контакты затвора. Принцип работы прибора основан на изменении пространственных толщин p-n переходов. Так как в запирающих областях практически отсутствуют подвижные носители заряда, их проводимость равняется нулю. В полупроводниковых пластинах, на участках которых не воздействует запирающий слой, создаются проводящие ток каналы. Если подается отрицательное напряжение в отношении истока, на затворе образуется поток, через который протекают носителя заряда.

Для изолированных затворов, характерно расположение на них тонкого слоя диэлектрика. Такое устройство работает по принципу электрических полей. Для его разрушения понадобится всего лишь небольшое электричество. В связи с этим, чтобы предотвратить статическое напряжение, которое может превышать 1000 В, необходимо создание специальных корпусов для приборов, которые минимизируют эффект от воздействия вирусных типов электричества.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Основные параметры

• Коэффициент передачи по току.
• Входное сопротивление.
• Выходная проводимость.
• Обратный ток коллектор-эмиттер.
• Время включения.
• Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
• Обратный ток коллектора.
• Максимально допустимый ток.
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;
• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
  • r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  • r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  • r_б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.

Электрические параметры КТ316

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 0, Iэ = 10 мА:
T = +25°C:
КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А	20 ÷ 60
КТ316Б, КТ316В КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В	40 ÷ 120
КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г	20 ÷ 100
КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д	60 ÷ 300
T = −60°C:
2Т316А	10 ÷ 60
2Т316Б, 2Т216В	20 ÷ 120
2Т316Г	10 ÷ 100
2Т316Д	30 ÷ 300
T = +125°C:
2Т316А	20 ÷ 120
2Т316Б, 2Т216В	40 ÷ 240
2Т316Г	20 ÷ 200
2Т316Д	60 ÷ 600
• Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА:
КТ316А, КТ316Г, КТ316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г, не менее	600 МГц
КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, не менее	800 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 10 мА, Uкб = 5 В, f = 10 МГц, для КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д, не более	150 пс
• Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rб2 = 1 мА, Rк = 75 Ом:
КТ316А, КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ, 2Т316А, 2Т316Б, не более	10 нс
КТ316В, КТ316ВМ, 2Т316В, не более	15 нс
• Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее	5 В
• Напряжение насыщения К-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более	0.4 В
• Напряжение насыщения Б-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более	1.1 В
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более:
T = +25°C	0.5 мкА
T = +125°C 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д	5 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при T = +25°C, Uэб = 4 В, не более	1 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более	3 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более	2.5 пФ
• Конструктивная ёмкость между выводами эмиттера и коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д	0.5 пФ
• Индуктивность выводов базы и эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д при l = 3 мм	6 нГн

Таблица 2 – Зарубежные аналоги транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ361А	BC520A	нет	Fairchild	США
2SA778	нет	Hitachi	Япония
BF706
КТ361А1	2SA555
КТ361Б	BC250B
КТ361В	BCW58
BF441
КТ361Г	BC157	нет	Unitra CEMI	Польша
2N3905	есть ~ 0,4$	Diotec semiconductor	Германия
YTS4125	нет	Toshiba	Япония
КТ361Г1	BCW58
КТ361Д	BC557	есть ~ 0,23$	Philips	Нидерланды
BF441
КТ361Д1	BC157	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ361Е	2SA566
YTS4125	нет	Toshiba	Япония
КТ361Ж	BC157	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ361И	BC157	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ361К	BCW62A
КТ361Л	2N3964	есть ~ 2,6$	Fairchild	США
КТ361М	BC157	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ361Н	2SA556
КТ361П	–
КТ361А2	2N4126	есть ~ 0,4$	Philips	Нидерланды
2SA610
КТ361А3	2N4125	есть ~ 0,3$	Fairchild	США
КТ361Б2	BC250B
КТ361В2	2N3905	есть ~ 0,4$	Diotec semiconductor	Германия
КТ361Г2	2N3906	есть ~ 0,28$	Diotec semiconductor	Германия
КТ361Г3	BSW20
КТ361Д2	–
КТ361Д3	–
КТ361Е2	2SA555
КТ361Ж2	–
КТ361И2	–
KT361K2	–
КТ361Л2	–
KT361M2	–
КТ361Н2	–
КТ361П2	–