Основные технические характеристики 2n5551
При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
- материал корпуса – пластиковый корпус;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);
электрические:
- проводимость — обратной проводимости n-p-n;
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс. (Ic max) 600 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс (VCEmax) не более 160 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U КБ макс. (VCBmax) не более 180 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс. (VЕВ max) не более 6 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 300 МГц (MHz);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.05 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.05 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
- для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;
Классификация по hFE
коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).
Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.
Схема цоколевки транзистора КТ203А
База (B) — центральный вывод транзистора, отвечающий за управление потоком электронов через прибор. Обычно, база обозначается буквой B.
Эмиттер (E) — вывод, через который выходит заряд (электроны) во время работы транзистора. Обычно, эмиттер обозначается буквой E.
Коллектор (C) — вывод, через который входит заряд (электроны) во время работы транзистора. Обычно, коллектор обозначается буквой C.
Схема цоколевки транзистора КТ203А обычно представляет собой трехэлементный выводной прибор
Относительное расположение выводов может быть разным в разных случаях, поэтому рекомендуется всегда обращать внимание на маркировку самого транзистора или на его документацию
Правильное подключение транзистора в схему является важным шагом, который позволяет добиться правильной работы цепи или устройства. При подключении транзистора КТ203А необходимо следовать схеме цоколевки, чтобы избежать неправильного подключения и возникновения нестабильной работы прибора.
Схема цоколевки транзистора КТ203А может быть представлена в виде таблицы с указанием номеров выводов и их назначения. Ниже приведена примерная схема цоколевки биполярного транзистора КТ203А:
| № вывода | Назначение |
|---|---|
| 1 | Коллектор |
| 2 | База |
| 3 | Эмиттер |
При подключении транзистора КТ203А стоит обратить внимание на то, что база подается на управляющий сигнал, а эмиттер и коллектор подключены к рабочей цепи или нагрузке. Неправильное подключение выводов транзистора может привести к его выходу из строя или к неправильной работе всей цепи
Схема цоколевки транзистора КТ203А позволяет правильно подключить этот биполярный транзистор к нужной схеме и обеспечить его стабильную работу в пределах заданных характеристик.
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
BC109 Datasheet (PDF)
..1. bc107 bc108 bc109 4.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..2. bc107 bc108 bc109.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..3. bc107 bc108 bc109.pdf Size:120K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
..4. bc107 bc108 bc109 bc147 bc148 bc149.pdf Size:791K _aeg-telefunken
..5. bc107 bc108 bc109 a b c.pdf Size:142K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BC107/A/B/CBC108/A/B/CBC109/A/B/CTO-18Metal Can PackageLow Noise General Purpose Audio AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BC107 BC108 BC109 UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 25 V25VCBOCollector Base Voltage 50 30 V30VEBOEm
..6. bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf Size:228K _microelectronics
..7. bc109.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc General Purpose NPN Small Signal Transistor BC109DESCRIPTIONWith TO-18 package.High DC Current Gain-: h :200-800@ (V = 5V, I = 2mA)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned For Low Noise General Purpose Amplifiers,Driver Stages and Signal Processing ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
0.1. bc107-bc108-bc109.pdf Size:100K _st
BC107BC108-BC109LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BC107, BC108 and BC109 are silicon planarepitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.Theyare suitable for use in driver stages, low noise inputstages and signal processing circuits of televisionreceivers. The complementary PNP types are re-spectively the BC177, BC178 and BC179.TO-18INTERNAL SCHEMATI
0.2. bc109dcsm.pdf Size:155K _semelab
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR BC109DCSM Dual Silicon Planar NPN Transistors Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) Each Side Total Device VCBO Collector Base Vol
Маркировка биполярный SMD транзисторов
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Методы подбора замены
Если необходимо заменить транзистор типа КТ203А, можно использовать несколько методов подбора аналогичной замены:
- Анализ характеристик: сравните параметры и характеристики транзистора КТ203А с другими доступными моделями транзисторов. Убедитесь, что выбранный транзистор имеет схожие или близкие параметры, такие как максимальное значение напряжения, ток, коэффициент усиления и т.д.
- Консультация с производителем: обратитесь к производителю транзистора или другим специализированным поставщикам компонентов, чтобы получить рекомендации по замене транзистора. Этот метод наиболее надежный и даст вам наиболее точную информацию о замене.
- Использование электронных каталогов: воспользуйтесь электронными каталогами компонентов, которые содержат информацию о различных моделях транзисторов и их характеристиках. Выберите транзистор с параметрами, близкими к требуемым.
Не забывайте, что при замене транзистора, особенно в сложных электронных схемах, может потребоваться пересмотр и изменение других компонентов схемы. Всегда следуйте рекомендациям производителя и учитывайте техническую документацию и спецификации вашей схемы перед заменой транзистора.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com
Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:
- Bipolar Transistor Cross-Reference Search (для биполярных транзисторов);
- MOSFET Cross-Reference Search (для полевых транзисторов).
Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.
Информация по транзистору была найдена на сайте www.weisd.com, там указано что 458-056 NTE Equivalent NTE53 — это высоковольтный быстродействующий кремниевый транзистор NPN-структуры в корпусе TO3 (NTE Electronics Inc). Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие.
Даташит: 458-056 NTE Equivalent NTE53.
Максимальные параметры транзистора из даташита:
- Напряжение Коллектор-Эмиттер: 400В (максимум 800В);
- Напряжение Эмиттер-База: 9В;
- Продолжительный ток Коллектора: 15А;
- Пиковый ток Коллектора: 30А;
- Рассеиваемая транзистором мощность: 175Ватт.
Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:
После отправки формы было получено 15 результатов:
| Type | Struct | Uce | Ueb | Ic | Ft | Hfe | Caps |
| 2SC3224 | NPN | 30 | 120 | TO3 | |||
| 2SD1287 | NPN | 30 | 300 | TO3 | |||
| 2SD434 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD435 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD436 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD815 | NPN | 30 | 300 | TO3A1 | |||
| 2T7067A | NPN | 20 | TO3 | ||||
| 2T7067B | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET10015 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10016 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10020 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET10021 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET6060 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6061 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6062 | NPN | 20 | TO3 |
В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).
Подготовлено редакцией сайта RadioStorage.net .
Транзисторы в корпусе типа КТ-26
Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска. Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.
Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.
- КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
- КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
- К209 – ромб (серая точка).
- К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
- КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
- КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
- КТ342 – четверть круга (синяя точка).
- КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
- КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
- КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
- К366 – буква Т (цвета нет).
- КТ6127 – перевернутая буква П.
- КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
- КТ638 – без символа (оранжевая точка).
- КТ680 – буква Г.
- КТ681 – вертикальная палочка.
- КТ698 – буква П.
(КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д)
Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах.
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:
- КТ203АМ — тёмно-красный.
- КТ203БМ — жёлтый.
- КТ203ВМ — тёмно-зелёный.
Боковая поверхность всех транзисторов имеет метку красного цвета.
Масса транзистора КТ203 не более 0,5 г.
Рис. 1 — Внешний вид транзисторов КТ203А (слева) и КТ203АМ (справа)
Рис. 2 — Цоколевка и размеры транзистора КТ203
Таблица 1
| Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала) = 5 В, = 1 мА: | |
| Т = +25°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…90 |
| 2Т203В | 15…100 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…200 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…150 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…200 |
| Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…80 |
| 2Т203В | 15…200 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…400 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…230 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…400 |
| Т = -60°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 7 |
| 2Т203Б | 15…90 |
| КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ | 10…100 |
| 2Т203Г, не менее | 20 |
| 2Т203Д | 30…200 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 15…200 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ при = 5 В, = 1 мА, не менее: |
|
| КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ |
5 МГц |
| 2Т203Г, 2Т203Д | 10 МГц |
| Напряжение насыщения К-Э, не более: | |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ | 1 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Г | 0,5 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Д | 0,35 В |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ | 0,5 В |
| Ток коллектора (обратный), при = , не более: | |
| Т = +25°C | 1 мкА |
| Т = Тмакс | 15 мкА |
| Ток эмиттера (обратный), при = x, не более | 1 мкА |
|
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при = 1 мА, не более: |
|
| при = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А | 300 Ом |
| при = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 300 Ом |
| при = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В | 300 Ом |
| при = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д | 300 Ом |
| Ёмкость коллекторного перехода при = 5 В, f = 10 МГц, не более | 10 пФ |
Таблица 2
| Напряжение К-Б (постоянное): | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 2 КОм: | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение Э-Б (постоянное): | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Ток коллектора (постоянный) | 10 мА |
| Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10 | 50 мА |
| Рассеиваемая мощность коллектора1) (постоянная): | |
| T = -60…+75°C | 150 мВт |
| T = +125°C | 60 мВт |
| Температура p-n перехода | +150°C |
| Рабочая температура (окружающей среды) | -60…+125°C |
1) При T > +75°C уменьшается линейно.
Температурный дрейф
Температура влияет на характеристики транзисторов по постоянному и переменному току. Двумя аспектами этой проблемы являются изменение температуры окружающей среды и самонагревание. Некоторые приложения, например, военные и автомобильные, требуют работы в расширенном температурном диапазоне. В благоприятной же среде схемы подвергаются самонагреванию, в частности высоковольтные схемы.
Ток утечки IК0 и коэффициент β увеличиваются с ростом температуры. Коэффициент β по постоянному току hFE возрастает экспоненциально. Коэффициент β по переменному току hfe увеличивается, но не так быстро. При повышении температуры от -55°C до 85°C он удваивается. По мере увеличения температуры увеличение hfe даст больший выходной сигнал в схеме с общим эмиттером, который в крайних случаях будет ограничен (отсечен). Увеличение hFE сдвигает точку смещения, приводя к возможному отсечению пиков на одной из полуволн. В многокаскадных усилителях с прямой связью сдвиг точки смещения усиливается. Решением этой проблемы является использование отрицательной обратной связи для стабилизации точки смещения. Это также стабилизирует и коэффициент усиления по переменному току.
Повышение температуры на рисунке ниже (a) приведет к уменьшению VБЭ от номинальных 0,7 В для кремниевых транзисторов. Уменьшение VБЭ увеличивает ток коллектора в усилителе с общим эмиттером, что дополнительно приводит к сдвигу точки смещения. Лекарством от смещения VБЭ является использование пары транзисторов, собранных в схему дифференциального усилителя. Если оба транзистора на рисунке ниже (b) имеют одинаковую температуру, VБЭ будет отслеживать изменение температуры и компенсировать его.
(a) односторонний усилитель с общим эмиттером и (b) дифференциальный усилитель с компенсацией изменений VБЭ
Рекомендуемая максимальная температура перехода для кремниевых устройств часто составляет 125°C. Хотя для повышения надежности, работать необходимо при более низких температурах. Транзистор прекращает работать при температуре выше 150°C. Транзисторы из карбида кремния и алмазные транзисторы будут работать при значительно более высоких температурах.
Характеристики КТ 203 транзистора
Одной из главных характеристик КТ 203 транзистора является его максимальная рабочая частота. Данная характеристика показывает максимальную частоту, при которой транзистор сохраняет свою работоспособность. Для КТ 203 транзистора эта величина составляет несколько мегагерц, что позволяет использовать его в цепях низкой частоты и аудиоусилителях.
Еще одной важной характеристикой КТ 203 транзистора является его максимальное значение коллекторного тока. Эта величина определяет максимально допустимый ток, который можно пропускать через коллектор транзистора без нарушения его работоспособности
Для КТ 203 транзистора это значение составляет несколько сотен миллиампер, что позволяет использовать его в схемах с небольшими токами потребления.
Кроме того, КТ 203 транзистор обладает характеристикой, называемой коэффициентом усиления тока — hFE. Она определяет, во сколько раз ток коллектора будет увеличиваться при заданном токе базы. Для КТ 203 транзистора это значение составляет примерно от 100 до 300, что позволяет использовать его в усилительных цепях и различных схемах усиления сигнала.
Также стоит отметить, что КТ 203 транзистор обладает низким уровнем шума и низким уровнем искажений. Это делает его значимым компонентом в аудиоэлектронике и различных аудиоусилителях.
В заключение, КТ 203 транзистор обладает рядом характеристик, которые делают его универсальным и позволяют использовать его в различных электронных устройствах. Это низкочастотный биполярный транзистор с высокой рабочей частотой, максимальным значением коллекторного тока, высоким коэффициентом усиления тока, а также низким уровнем шума и искажений.