MOSFET Transistors
The MOSFET is a type of transistor that works as either an amplifier or switch in electronic circuits. It has three terminals and works by adjusting the width of the semiconductor material channel between two doped areas. The voltage applied to the third terminal, known as the gate, is what regulates the channel’s width.
MOSFET transistors are divided into two types based on their channel composition: n-channel MOSFET (NMOS) and p-channel MOSFET (PMOS). The channel of an NMOS transistor is made up of mainly electrons, while that of a PMOS transistor is made up of mainly holes. These transistors function based on the electric field produced by the gate voltage and charge carriers in the channel.
MOSFET transistors are great for high-frequency applications due to their high input impedance. This means they don’t drain much current from the input signal, which reduces the impact on the signal source. Additionally, they have a low output impedance, which lowers power dissipation and enables them to efficiently drive high loads.
MOSFET transistors are great for quick switching between on and off states, making them a top choice for applications that require rapid switchings like motor control circuits, power supplies, and audio amplifiers. They’re also perfect for integrated circuits due to their small size and compatibility with CMOS technology, hence they’re widely used.
To summarize, MOSFET transistors are commonly used components in electronic circuits due to their versatility. Their properties include high input impedance, fast switching speeds, and low output impedance. Moreover, MOSFET transistors work by utilizing the electric field generated by the gate voltage and charge carriers in the channel. They are used in motor control circuits, power supplies, audio amplifiers, and integrated circuits.
Схема включения
Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.
Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.
В каких режимах функционирует полевой транзистор
Режим отсечки
Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.
Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:
Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?
Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.
Режим активной работы irfz44n
Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).
Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.
В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.
Режим насыщения irfz44n
Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.
Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.
Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.
What is IRFZ44N?
The IRFZ44N is a MOSFET power transistor made by Infineon Technologies. It’s known for its capacity to switch high voltage and current levels. MOSFET means Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, a transistor type that has low resistance to output and high resistance to input. The IRFZ44N can handle a maximum voltage of 55 volts and a maximum current of 49 amperes.
The IRFZ44N transistor is suitable for situations that demand high voltage and current switchings like power supply and motor control circuits. Due to its low on-state resistance, it can manage high currents effectively with minimal energy usage. It is widely recognized for its reliability and robustness, which makes it a popular choice in the electronics industry.
The IRFZ44N transistor is a great choice for low-power circuits that require control over large loads using a weak signal. Furthermore, it has a low gate charge, which makes it easy to manage with a weak external signal. In addition, it works well for high-frequency applications up to 1MHz and can withstand a wide temperature range (-55°C to +175°C).
The IRFZ44N is a reliable electronic component that is capable of handling high currents and voltages in circuits. It has a low output impedance, high input impedance, and low on-state resistance which makes it versatile and suitable for a variety of applications. It is commonly used in power supplies and audio amplifiers, making it an ideal choice for both professional engineers and amateurs.
Как правильно выбрать замену для транзистора IRFZ44N: рекомендации экспертов
Выбор замены для транзистора IRFZ44N может быть сложной задачей, особенно для непрофессиональных пользователей. Однако, с соблюдением нескольких рекомендаций от экспертов, можно правильно подобрать аналог, который будет отлично работать в предложенной схеме.
1. Сверьте параметры транзистора: перед выбором аналога, убедитесь, что его параметры соответствуют параметрам IRFZ44N
Основные характеристики, на которые необходимо обратить внимание, включают номинальное напряжение, максимальный ток и сопротивление включения/выключения
2. Проконсультируйтесь с производителем: если у вас есть возможность, обратитесь к производителю и уточните, какой аналог транзистора они рекомендуют для замены IRFZ44N. Производитель может дать наиболее точные рекомендации, учитывая применение и требования вашей схемы.
3. Исследуйте базу данных аналогов: множество онлайн баз данных предлагают широкий выбор аналогов для различных электронных компонентов, включая транзисторы. Вы можете воспользоваться этими базами данных, чтобы найти альтернативные варианты для IRFZ44N. Однако, убедитесь, что выбранный вариант имеет подходящие параметры и рейтинговые отзывы.
4
Обратите внимание на совместимость с окружающими элементами: при выборе аналога, обратите внимание на его совместимость с другими элементами в схеме. Убедитесь, что замена не приведет к неправильной работе или поломке других компонентов
5. Проведите дополнительные тесты и эксперименты: когда вы выбрали аналог, проведите тесты, чтобы убедиться, что он работает стабильно и безотказно в вашей схеме. Измерьте основные параметры, такие как входное и выходное напряжение, максимальный ток и температурный режим работы.
В конечном итоге, правильный выбор замены для транзистора IRFZ44N включает не только сравнение параметров, но и учет контекста применения и совместимости с окружающими элементами. Если вы не уверены в своих навыках, лучше проконсультироваться с опытными специалистами или обратиться к производителю для получения наиболее точной рекомендации.
Критерии подбора
При выборе замены для транзистора IRFZ44N необходимо учитывать следующие критерии:
| Критерий | Описание |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds) | Выбранная замена должна иметь рабочее напряжение сток-исток, соответствующее требованиям схемы. |
| Максимальный ток стока (Id) | Ток стока должен быть не меньше требуемого значения, чтобы обеспечить надежную работу устройства. |
| Максимальная мощность (Pd) | Замена должна иметь мощность, достаточную для работы в конкретной схеме без перегрева. |
| Сопротивление включения (Rds) | Меньшее значение сопротивления включения обеспечит более эффективную работу транзистора в схеме. |
| Тип корпуса | Подбор замены следует осуществлять с учетом совместимости типа корпуса для обеспечения успешного монтажа. |
| Дополнительные параметры | При необходимости, можно учитывать и другие параметры, такие как рабочая температура, быстродействие и т.д. |
Учитывая эти критерии, можно подобрать подходящий аналог для транзистора IRFZ44N и обеспечить нормальную работу схемы.
Схема подключения
В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.
Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.
От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.
Графические данные характеристик
Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.
Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.
Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.
Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.
Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.
Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.
Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.
Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов
Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин
В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.
Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.
In Stock: 31576
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Модификации транзистора
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44N | 83 W | 55 V | 10 V | 4 V | 175 °C | 41 A | 62 nC | 0.024 Ohm | TO-220AB | |
| AUIRFZ44N | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-220AB | |
| AUIRFZ44NL | 94 W | 55 V | 20 V | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-262 | |||
| AUIRFZ44NS | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | D2PAK | |
| IRFZ44NL | 110 W | 55 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 49 A | 42 nC | 0.022 Ohm | TO-262 | |
| IRFZ44NLPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-262 |
| IRFZ44NPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-220AB |
| IRFZ44NS | 110 W | 55 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 49 A | 42 nC | 0.022 Ohm | D2PAK | |
| IRFZ44NSPBF | 94 W | 55 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 63 nC | 0.0175 Ohm | TO-263 |
| LIRFZ44N | 94 W | 55 V | 20 V | 175 °C | 360 pf | 49 A | 0.0175 Ohm | TO-220 |
Примечания:
- Pd — Максимальная рассеиваемая мощность.
- Uds — Предельно допустимое напряжение сток-исток.
- Ugs — Предельно допустимое напряжение затвор-исток.
- Ugs(th) — Пороговое напряжение включения.
- Tj — Максимальная температура канала.
- Cd — Выходная емкость.
- Id — Максимально допустимый постоянный ток стока.
- Qg — Общий заряд затвора.
- Rds — Сопротивление сток-исток открытого транзистора.
IRLZ44N POWER MOSFET electrical specification explanation
In this section we try to explain the electrical specifications of IRLZ44N power MOSFET, important specs explanation help us for a better understanding of this device.
Voltage specs
The voltage specs of IRLZ44N MOSFET are a drain to source voltage is 55V, the gate to source voltage is 16V, and the gate to source threshold voltage is 1V to 2V.
The voltage specification of IRLZ44N power MOSFET shows that it had a higher voltage so we can use it in power supply applications.
Current specs
The drain current value of IRLZ44N MOSFET is 47A and the pulsed drain current value is 160A, the current specifications indicate it is a high current device which having higher load capacity applications.
Dissipation specs
The power dissipation of IRLZ44N MOSFET is 110W, the dissipation capacity of the semiconductor indicates the ability to withstand energy.
Как правильно выбрать замену для транзистора IRFZ44N: рекомендации экспертов
Выбор замены для транзистора IRFZ44N может быть сложной задачей, особенно для непрофессиональных пользователей. Однако, с соблюдением нескольких рекомендаций от экспертов, можно правильно подобрать аналог, который будет отлично работать в предложенной схеме.
1. Сверьте параметры транзистора: перед выбором аналога, убедитесь, что его параметры соответствуют параметрам IRFZ44N
Основные характеристики, на которые необходимо обратить внимание, включают номинальное напряжение, максимальный ток и сопротивление включения/выключения
2. Проконсультируйтесь с производителем: если у вас есть возможность, обратитесь к производителю и уточните, какой аналог транзистора они рекомендуют для замены IRFZ44N. Производитель может дать наиболее точные рекомендации, учитывая применение и требования вашей схемы.
3. Исследуйте базу данных аналогов: множество онлайн баз данных предлагают широкий выбор аналогов для различных электронных компонентов, включая транзисторы. Вы можете воспользоваться этими базами данных, чтобы найти альтернативные варианты для IRFZ44N. Однако, убедитесь, что выбранный вариант имеет подходящие параметры и рейтинговые отзывы.
4
Обратите внимание на совместимость с окружающими элементами: при выборе аналога, обратите внимание на его совместимость с другими элементами в схеме. Убедитесь, что замена не приведет к неправильной работе или поломке других компонентов
5. Проведите дополнительные тесты и эксперименты: когда вы выбрали аналог, проведите тесты, чтобы убедиться, что он работает стабильно и безотказно в вашей схеме. Измерьте основные параметры, такие как входное и выходное напряжение, максимальный ток и температурный режим работы.
В конечном итоге, правильный выбор замены для транзистора IRFZ44N включает не только сравнение параметров, но и учет контекста применения и совместимости с окружающими элементами. Если вы не уверены в своих навыках, лучше проконсультироваться с опытными специалистами или обратиться к производителю для получения наиболее точной рекомендации.
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Circuit Designing
To design a circuit using an IRFZ44N power MOSFET transistor, it is important to follow a few key steps carefully. Here is a general guideline on how to do it:
- Determine the circuit requirements: In order to design the circuit, you need to collect information. Such as the load characteristics, input voltage, and output current. This information will be helpful in selecting the right components that meet the circuit requirements.
- Choose the components: To complete the circuit, please choose the required components. By including resistors, capacitors, diodes, and other necessary components.
- Select the IRFZ44N MOSFET: When selecting the IRFZ44N MOSFET transistor, make sure to check the maximum current and voltage ratings of the component against the specifications of the load.
- Determine the gate voltage: Calculate the gate voltage needed to turn on and off the IRFZ44N by referring to the datasheet.
- Design the gate driver circuit: Please create a gate driver circuit that can supply enough voltage and current to switch the IRFZ44N on and off. Thereafter use an external driver IC or a transistor circuit to design this circuit.
- Connect the circuit: Please follow the circuit diagram to connect the components and the IRFZ44N MOSFET transistor. Make sure that the connections are accurate and meet the necessary requirements.
- Test the circuit: To verify proper functionality, conduct a circuit test. Use a multimeter or oscilloscope to track voltage and current levels.
- Optimize the circuit: To improve the performance and efficiency of the circuit, adjust the values of the components, gate voltage, and other relevant parameters.
To design a circuit that utilizes the IRFZ44N power MOSFET transistor, it is important to carefully assess the circuit needs, select appropriate components, calculate gate voltage, design the gate driver circuit, and conduct thorough testing and optimization.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение сток-исток | V(BR)DSS | 55 В |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя | ∆V(BR)DSS/∆TJ | 0.058 В/°C |
| Сопротивление между стоком и истоком при открытом канале | RDS(on) | 17.5 mΩ |
| Минимальное напряжение необходимое для включения транзистора | VGS(th) | От 2 до 4 В |
| Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затворе | gfs | 19 А/В |
| Ток утечки стока | IDSS | От 25 до 250 мкА |
| Ток утечки затвора | IGSS | От -100 до 100 нА |
| Заряд для затвора необходимый для открытия транзистора | Qg | 63 нКл |
| Заряд емкости затвор-исток | Qgs | 14 нКл |
| Емкость Миллера | Qgd | 23 нКл |
| Время необходимое для открытия транзистора | td(on) | 12 нс |
| Время нарастания импульса для открытия (передний фронт) | tr | 60 нс |
| Время необходимое для закрытия транзистора | td(off) | 44 нс |
| Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт) | tf | 45 нс |
| Значение индуктивности стока | LD | 4.5 нГн |
| Значение индуктивности истока | LS | 7.5 нГн |
| Входная емкость | Ciss | 1470 пФ |
| Выходная емкость | Coss | 360 пФ |
| Емкость затвор-сток | Crss | 88 пФ |
| Максимальная энергия одного импульса на стоке | EAS | 150 мДж |
IRLZ44N Datasheet (PDF)
..1. Size:102K international rectifier irlz44n.pdf
PD — 9.1346BIRLZ44NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan
..2. Size:223K international rectifier irlz44npbf.pdf
PD — 94831IRLZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest
..3. Size:223K infineon irlz44npbf.pdf
PD — 94831IRLZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest
..4. Size:245K inchange semiconductor irlz44n.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ44N IIRLZ44NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 22mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R
0.1. Size:178K international rectifier irlz44ns irlz44nl.pdf
PD — 91347DIRLZ44NS/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRLZ44NS) Low-profile through-hole (IRLZ44NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 47ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques
0.2. Size:340K international rectifier irlz44nlpbf irlz44nspbf.pdf
IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription
0.3. Size:340K infineon irlz44ns irlz44nl.pdf
IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription
Транзисторы с аналогичными характеристиками
Если вам нужно заменить транзистор IRFZ44N на другую модель, с аналогичными характеристиками, можете обратить внимание на следующие варианты:
1. IRFB4110
Этот транзистор имеет высокое напряжение затвор-исток (Vgs) до 100В, большой ток стока (Id) до 180A и малое сопротивление затвор-исток (Rds(on)) до 33мОм. Он также обладает защитой от электростатического разряда (ESD).
2. IRFB4115
Данный транзистор имеет аналогичные характеристики, как и IRFB4110, но его максимальное значение тока стока (Id) составляет до 150A.
3. IRFB4227
Этот транзистор также обладает высоким напряжением затвор-исток (Vgs) до 100В, большим током стока (Id) до 190A и малым сопротивлением затвор-исток (Rds(on)) до 30мОм.
4. IRFB4229
IRFB4229 имеет схожие характеристики с IRFB4227, но его максимальное значение тока стока (Id) составляет до 230A.
5. IRFB4610
Этот транзистор также обладает высоким напряжением затвор-исток (Vgs) до 100В, большим током стока (Id) до 200A и малым сопротивлением затвор-исток (Rds(on)) до 18мОм.
Обратите внимание, что эти транзисторы имеют схожие характеристики с IRFZ44N и могут быть подходящей заменой в вашем проекте. Однако перед заменой рекомендуется убедиться в их полной совместимости с вашей схемой и требованиями проекта
Logic Level Triggering IRLZ44N in Power Systems
In addition to the temperature rating and high electrical ratings for VDS and drain current, the major advantage of the IRLZ44N is its low gate voltage threshold. The gate threshold is low enough that an IRLZ44N can be driven reasonably far into the ON state with a GPIO pin on an MCU. Anything from 5 V logic families to LVCMOS logic can output sufficient voltage to drive the IRLZ44N with relatively low on-state resistance, as can be seen from the transfer characteristics (see the graph below for a summary).
Drain current vs. VGS, taken from the IRLZ44N datasheet.
Using PWM Driving
For switching converters, the IRLZ44N would need to be switched with a PWM driver (for lower power systems). This can be controlled with a high voltage comparator or current sense amplifier and an MCU, which would allow the PWM duty cycle to be adjusted to ensure stable output voltage. For something like an LLC resonant converter, a more specialized LLC controller should be used, as the PWM driving frequency needs to be adjusted to ensure the LC stage acquires sufficient gain to maintain the desired output voltage and current. In any case, the peak voltage can be rather low and fast edge rates are not required to fully drive an IRLZ44N.
Getting to Higher Current
When higher currents are needed, multiple IRLZ44N transistors can be arranged in parallel, although be careful with this arrangement. When this arrangement is driven between OFF and ON states, a strong oscillation can result due to parasitic capacitance and inductance in the terminals and the circuit arrangement. This is normally solved by placing a small resistor (~10 Ohms) in series with the gate terminal, which will enforce damping on the transient response. You won’t find this type of information in an IRLZ44N datasheet, so be mindful of these types of power integrity problems when designing power systems.
There are other alternative MOSFETs from Infineon that provide logic-level driving with high voltage and current ratings. Whether you need an IRLZ44N datasheet, alternative MOSFETs with different ratings, or other components to support a power system, you can find component models for your parts with the electronics search engine features in Ultra Librarian. You’ll have access to verified CAD models that can be imported into popular ECAD applications and you can view sourcing information from worldwide distributors.
IRLZ44N and IRFZ44N MOSFET Differences
Although sometimes used in place of the other, the IRLZ44N and IRFZ44N are different.
The IRLZ44N, on the one hand, is a logic-level MOSFET. This version uses a gate threshold voltage as low as 5V. In other words, it takes little effort to trigger this MOSFET. Therefore you don’t need a driver IC for this purpose.
Not for the IRFZ44N, though. Instead, this MOSFET IC needs to work with a gate driver and a microcontroller such as Arduino Uno. That way, you trigger the MOSFET entirely. Otherwise, you only get a partial ON time via the I/O Pin when applying a direct 5V power supply. There will be limitations to the output drain current, though.
Source: Wikimedia
( The IRLZ44N and IRFZ44N have few differences)
