Irfz44v pdf ( даташит ) - power mosfet ( transistor )

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

IRFZ44N Datasheet (PDF)

1.1. irfz44n.pdf Size:100K _update

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES ·Drain Current – >1.2. irfz44npbf.pdf Size:226K _update

PD — 94787B IRFZ44NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 17.5mΩ l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free >

IRFZ44NSPbF l IRFZ44NLPbF l l l D DSS l l l DS(on) Ω Description G D

1.4. irfz44n 1.pdf Size:52K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44N TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V �trench� technology. The device ID Drain current (DC) 49 A features very low on-state re

1.5. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44NS TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a surface mounting VDS Drain-source voltage 55 V plastic envelope using �trench� ID Drain current (DC) 49 A technology. The device features ve

1.6. irfz44n.pdf Size:100K _international_rectifier

PD — 94053 IRFZ44N HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175�C Operating Temperature RDS(on) = 17.5m? G Fast Switching Fully Avalanche Rated >1.7. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94153 IRFZ44NS IRFZ44NL Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ44NS) HEXFET� Power MOSFET Low-profile through-hole (IRFZ44NL) D 175�C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.0175? Description G Advanced HEXFET� Power MOSFETs from International >1.8. irfz44n 1.pdf Size:52K _international_rectifier

1.9. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

1.10. irfz44n.pdf Size:145K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES ·Drain Current – >1.11. lirfz44n.pdf Size:252K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 55V N-Channel Mode MOSFET VDS=55V LIRFZ44N RDS(ON), Vgs@10V, >

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

IRFZ44Z Datasheet (PDF)

0.1. auirfz44zstrl.pdf Size:327K _international_rectifier

PD — 97543AUIRFZ44ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ44ZSFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.13.9mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID51AS Automotive Qualified *DDescriptionDSpecifically

0.2. irfz44zlpbf irfz44zpbf irfz44zspbf.pdf Size:382K _international_rectifier

PD — 95379AIRFZ44ZPbFIRFZ44ZSPbFFeatures Advanced Process TechnologyIRFZ44ZLPbF Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureD Fast SwitchingVDSS = 55V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 13.9mGDescriptionID = 51ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniqu

0.3. auirfz44z auirfz44zs.pdf Size:713K _infineon

AUIRFZ44Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFZ44ZS HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature RDS(on) max. 13.9m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 51A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description S Specifically designed

0.4. irfz44zpbf irfz44zspbf irfz44zlpbf.pdf Size:382K _infineon

0.5. irfz44z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ZIIRFZ44ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 13.9mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.6. irfz44zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

длительный ток стока
при температуре +25°С Ic max = 49 А;
при температуре +100°С Ic max = 35 А.
кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
мощность Рс max = 94 Вт;
линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
лавинный ток Iл = 25 А;
пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
температура кристалла Тj = 175°С;
рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

*Электрические (при Т = +25* оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	Тип.	max	Ед. изм
Напряжение пробоя С — И	Ic = 250мкА, Uзи = 0	Uси(проб.)	55			В
Температурный к-т напряжения пробоя	Δ Uси(проб.) /ΔTj	Ic=1мА		0,058		В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистора	Ic = 25А, Uзи = 10В	Rси(вкл)			17,5	мОм
Пороговое напряжение затвора	Ic = 250мкА, Uси= Uзи	Uзи(пор.)	2		4	В
Проводимость в прямом направлении	Ic = 25А, Uси = 25В	Gпр.	19			S
Ток утечки сток-исток	Uси = 55В	Ic ут.			25	мкА
Uси = 55В, TJ = 150°C			250	нА
Ток утечки затвор-исток	Uзи=20В	Iз ут.			100	нА
Ток утечки затвор-исток обратный	Uзи=-20В	Iз ут.			-100	нА
Заряд затвора	Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В				63	нКл
Заряд затвор-исток				14	нКл
Заряд затвор-сток				23	нКл
Время задержки выключения	Uс=28В, Ic=25А, Rз=12ом, Uзи=10В			12		нс
Время нарастания			60		нс
Время задержки выключения			44		нс
Время спада			47		нс
Индуктивность cтока		Lc		4,5		нГн
Индуктивность иcтока		Lи		7,5		нГн
Ёмкость входа	Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц	Свх.		1470		пФ
Ёмкость выхода	Свых.		360
Обратная ёмкость	Сос		88
Энергия лавины моноимпульса	I AS =25А, L=0.47мГн	E AS		530	150	мДж
*Исток-сток:*
Непрерывный ток истока (диод)		Iи			49	А
Импульсный ток истока (диод)		Iи им			160	А
Прямое напряжение диода	IC = 25 A, Uзи = 0 В, TJ = 25°C	Uид			1,3	В
Время восстановления при переключении в обратном направлении	Iд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мкс	tвост.			95	нс
Заряд обратного восстановления	Qобр.вост.		170	260	нКл

IRFZ44EPBF Datasheet (PDF)

0.1. irfz44epbf.pdf Size:150K _international_rectifier

PD — 94822IRFZ44EPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

7.1. irfz44e.pdf Size:96K _international_rectifier

PD — 91671BIRFZ44EHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023G Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi

7.2. irfz44espbf.pdf Size:234K _international_rectifier

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

7.3. irfz44es.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1714IRFZ44ES/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve

7.4. irfz44espbf irfz44elpbf.pdf Size:234K _infineon

7.5. irfz44e.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44E IIRFZ44EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 23mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

7.6. irfz44es.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ESFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D 2 PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.