Характеристики транзистора b772 (2sb772)

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
КТ538А	0,7	600	400	9	0,5	125	4	5	—	TO-92
2Т506А/Б	0,8	800/600	800/600	5	2	150	17	30	0,25 / 1,56 / 0,5	TO-39
КТ8270А	7	600	400	9	0,5	125	4	10	—	TO-126

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	600	400	9	0,5	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
3DD6012A1	0,8	900	500	9	1,5	150	5	5	1 / 2 /1,5	TO-92
BU103AH	0,8	900	600	9	1,6	150	5	15	1 / 3 / 0,8	TO-92
BU103DH	0,8	800	500	9	1,6	150	5	20	1 / 3,5 / 0,8	TO-92
BUJ100	2	700	700	—	1	150	—	14	0,88 / 1,2 / 0,3	TO-92
CS13002	9,9	700	480	9	1	150	—	8	—	TO-92
CS13003	0,9	700	480	9	1,5	150	—	8	—	TO-92
KSB13003H	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KSB13003HR	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KTC3003HV	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 3 / 0,7	TO-92
MJE13002AHT	1,2	850	500	9	1,5	150	—	20	—	TO-92(S)
MJE13003HT	1,3	850	500	9	2	150	—	20	—	TO-92
MJE13003J1	1	900	550	9	1,5	150	5	10	— / 6 / 1,2	TO-92
MJE13003J1G	1	900	550	9	1,5	150	5	10	—	TO-92
MJE13003L1	1	900	530	9	1,5	150	5	10	— / 5 / 1,2	TO-92
STD5915	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
STX616	2,8	980	500	12	1,5	150	—	25	0,2 / 5 / 0,65	TO-92

Примечания:

1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока

Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

Основные характеристики и применение транзистора B1203

• Тип полупроводника: PNP.
• Максимальное значение тока коллектора: 1 А.
• Максимальное значение обратного напряжения коллектора: 50 В.
• Максимальное значение тока базы: 100 мА.
• Коэффициент усиления по току коллектора: от 60 до 400.

Такие характеристики позволяют транзистору B1203 применяться в различных схемах усиления и коммутации. Он широко используется в радиоэлектронике, телекоммуникационных системах, силовой электронике и других областях.

Благодаря своей высокой надежности и эффективности, транзистор B1203 является популярным выбором для различных проектов. Он может быть использован в усилителях звука, стабилизаторах напряжения, источниках питания, электронных блоках управления и других устройствах.

Важно отметить, что при использовании транзистора B1203 необходимо соблюдать рекомендации производителя, касающиеся максимальных значений тока и напряжения, а также правила монтажа и эксплуатации. Это поможет обеспечить стабильную и надежную работу устройств, в которых применяется данный транзистор

Преимущества и недостатки

• Преимущества:
  • Высокая мощность и надежность работы транзистора B1203 позволяют использовать его в различных электронных устройствах.
  • Транзистор имеет высокую скорость переключения, что позволяет обеспечить эффективное управление электрическими сигналами.
  • Б1203 обладает компактным размером и низким энергопотреблением, что делает его идеальным для использования в портативных устройствах.
  • Транзистор способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в экстремальных условиях.
• Недостатки:
  • Один из основных недостатков транзистора B1203 — ограниченный максимальный ток, что ограничивает его использование в некоторых приложениях.
  • Транзистор B1203 имеет небольшую максимальную мощность, что может быть недостаточным для некоторых высокопроизводительных систем.
  • Для достижения максимального эффекта работы транзистора необходимо правильно выбрать схему включения и параметры подключения, что может требовать дополнительных знаний и навыков.

Основные характеристики и применение транзистора B1203

• Тип полупроводника: PNP.
• Максимальное значение тока коллектора: 1 А.
• Максимальное значение обратного напряжения коллектора: 50 В.
• Максимальное значение тока базы: 100 мА.
• Коэффициент усиления по току коллектора: от 60 до 400.

Такие характеристики позволяют транзистору B1203 применяться в различных схемах усиления и коммутации. Он широко используется в радиоэлектронике, телекоммуникационных системах, силовой электронике и других областях.

Благодаря своей высокой надежности и эффективности, транзистор B1203 является популярным выбором для различных проектов. Он может быть использован в усилителях звука, стабилизаторах напряжения, источниках питания, электронных блоках управления и других устройствах.

Важно отметить, что при использовании транзистора B1203 необходимо соблюдать рекомендации производителя, касающиеся максимальных значений тока и напряжения, а также правила монтажа и эксплуатации. Это поможет обеспечить стабильную и надежную работу устройств, в которых применяется данный транзистор

Устройство и принцип работы

Исток и сток изготовлены из N-типа полупроводникового материала, в то время как затвор изготовлен из P-типа полупроводникового материала. Такая структура позволяет току свободно протекать от истока к стоку или блокирует его.

Основным принципом работы транзистора B1203 является изменение напряжения на затворе, что влияет на электрическое поле в канале между истоком и стоком. Это поле контролирует количество электронов, которые могут свободно протекать от истока к стоку.

Когда напряжение на затворе равно нулю или близко к нему, канал полностью открыт, и ток может свободно протекать. Такое состояние называется «включенным» или «насыщенным». Когда напряжение на затворе положительное, поле затвора отталкивает электроны, что приводит к уменьшению тока. Такое состояние называется «выключенным» или «растекающимся».

Транзистор B1203 обладает высокой мощностью и широким диапазоном рабочих напряжений. Он широко применяется в устройствах радиосвязи, усилителях, преобразователях и других электронных устройствах, где требуется управление током.

Применение в электронике

Транзисторы B1203 широко применяются в различных устройствах электроники благодаря своим основным характеристикам.

Одним из основных применений транзисторов B1203 является использование их в усилителях сигналов. Благодаря высокому коэффициенту усиления, транзисторы этой серии могут значительно усилить электрический сигнал, позволяя передавать информацию на большие расстояния.

Транзисторы B1203 также широко используются в схемах управления электронными устройствами. Благодаря их способности усиливать и переключать электрический сигнал, они могут контролировать работу различных компонентов и устройств, таких как светодиоды, сенсоры и микроконтроллеры.

Еще одним важным применением транзисторов B1203 является использование их в схемах стабилизации напряжения

Транзисторы данной серии позволяют контролировать и поддерживать стабильное напряжение в электрических цепях, что особенно важно во многих электронных устройствах, таких как компьютеры и мобильные телефоны

Кроме того, транзисторы B1203 могут использоваться в силовых устройствах, таких как электронные системы питания. Благодаря высокой мощности и способности выдерживать большие токи, они могут эффективно контролировать энергию и обеспечивать безопасную и стабильную работу устройств.

В целом, транзисторы B1203 имеют широкий спектр применения в электронике благодаря своим уникальным характеристикам и возможностям усиления и контроля электрических сигналов.

Безопасная эксплуатация IRF3205

У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.

Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.

Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.

Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.

Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.

Применение в электронике

Транзисторы B1203 широко применяются в различных устройствах электроники благодаря своим основным характеристикам.

Одним из основных применений транзисторов B1203 является использование их в усилителях сигналов. Благодаря высокому коэффициенту усиления, транзисторы этой серии могут значительно усилить электрический сигнал, позволяя передавать информацию на большие расстояния.

Транзисторы B1203 также широко используются в схемах управления электронными устройствами. Благодаря их способности усиливать и переключать электрический сигнал, они могут контролировать работу различных компонентов и устройств, таких как светодиоды, сенсоры и микроконтроллеры.

Еще одним важным применением транзисторов B1203 является использование их в схемах стабилизации напряжения

Транзисторы данной серии позволяют контролировать и поддерживать стабильное напряжение в электрических цепях, что особенно важно во многих электронных устройствах, таких как компьютеры и мобильные телефоны

Кроме того, транзисторы B1203 могут использоваться в силовых устройствах, таких как электронные системы питания. Благодаря высокой мощности и способности выдерживать большие токи, они могут эффективно контролировать энергию и обеспечивать безопасную и стабильную работу устройств.

В целом, транзисторы B1203 имеют широкий спектр применения в электронике благодаря своим уникальным характеристикам и возможностям усиления и контроля электрических сигналов.

История создания

В результате инженеры смогли разработать транзистор B1203 с использованием специальной технологии микроэлектроники. Этот транзистор стал шагом вперед в развитии электроники и был востребован в различных областях, таких как радиосвязь, источники питания и датчики.

Со временем транзистор B1203 стал одним из наиболее популярных и широко используемых полевых транзисторов. Его применение распространилось и нашло применение во многих других областях, включая бытовую технику, автомобильную промышленность, медицинское оборудование и другие сферы.

Сегодня транзистор B1203 остается одним из важных элементов электроники и все еще активно применяется в различных устройствах, обеспечивая эффективную работу и надежную передачу сигналов.

Преимущества и недостатки

• Преимущества:
  • Высокая мощность и надежность работы транзистора B1203 позволяют использовать его в различных электронных устройствах.
  • Транзистор имеет высокую скорость переключения, что позволяет обеспечить эффективное управление электрическими сигналами.
  • Б1203 обладает компактным размером и низким энергопотреблением, что делает его идеальным для использования в портативных устройствах.
  • Транзистор способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в экстремальных условиях.
• Недостатки:
  • Один из основных недостатков транзистора B1203 — ограниченный максимальный ток, что ограничивает его использование в некоторых приложениях.
  • Транзистор B1203 имеет небольшую максимальную мощность, что может быть недостаточным для некоторых высокопроизводительных систем.
  • Для достижения максимального эффекта работы транзистора необходимо правильно выбрать схему включения и параметры подключения, что может требовать дополнительных знаний и навыков.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

• Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
• Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
• Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
  • IRF3704ZPBF
  • IRLB8743PBF
  • IRL2203NPBF
  • IRLB8748PBF
  • IRL8113PBF

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

История создания

В результате инженеры смогли разработать транзистор B1203 с использованием специальной технологии микроэлектроники. Этот транзистор стал шагом вперед в развитии электроники и был востребован в различных областях, таких как радиосвязь, источники питания и датчики.

Со временем транзистор B1203 стал одним из наиболее популярных и широко используемых полевых транзисторов. Его применение распространилось и нашло применение во многих других областях, включая бытовую технику, автомобильную промышленность, медицинское оборудование и другие сферы.

Сегодня транзистор B1203 остается одним из важных элементов электроники и все еще активно применяется в различных устройствах, обеспечивая эффективную работу и надежную передачу сигналов.

Устройство и принцип работы

Исток и сток изготовлены из N-типа полупроводникового материала, в то время как затвор изготовлен из P-типа полупроводникового материала. Такая структура позволяет току свободно протекать от истока к стоку или блокирует его.

Основным принципом работы транзистора B1203 является изменение напряжения на затворе, что влияет на электрическое поле в канале между истоком и стоком. Это поле контролирует количество электронов, которые могут свободно протекать от истока к стоку.

Когда напряжение на затворе равно нулю или близко к нему, канал полностью открыт, и ток может свободно протекать. Такое состояние называется «включенным» или «насыщенным». Когда напряжение на затворе положительное, поле затвора отталкивает электроны, что приводит к уменьшению тока. Такое состояние называется «выключенным» или «растекающимся».

Транзистор B1203 обладает высокой мощностью и широким диапазоном рабочих напряжений. Он широко применяется в устройствах радиосвязи, усилителях, преобразователях и других электронных устройствах, где требуется управление током.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.