Irf1407 power mosfet: pinout, datasheet and test circuit

Как проверить полевой транзистор мультиметром и специальным тестером

Автор С Косенко из Воронежа в журнале Радио №1 за 2005 год показал свою разработку прибора проверки полевых транзисторов. Его имя: ППТ-01. Он объяснил принципы его работы, сборки, наладки, эксплуатации доступным языком.

Новичкам это все должно быть интересно, советую читать такие журналы и больше экспериментировать. Вам нужен практический опыт.

Сейчас подобные приборы выпускаются промышленным способом. Они позволяют проверять транзисторы, тиристоры, симисторы и другие электронные компоненты, точно узнать каждый параметр.

Доступная цена и широкие возможности этих тестеров обеспечивают их популярность. Ведь вся проверка сводится к установке выводов полупроводника в контактные гнезда и нажатию кнопки: результат автоматически отображается на дисплее.

Однако все эти операции вполне можно выполнить обычным цифровым мультиметром или аналоговым стрелочным тестером. Для этого нам потребуется посмотреть заводскую маркировку и найти по ней технические характеристики, определиться с конструкцией (JFET или MOSFET) и проводимостью канала.

Затем нужно вспомнить устройство своего мультиметра или тестера, перевести его в режим прозвонки либо измерения сопротивлений (для аналоговых приборов).

На моем карманном MESTEK MT-102 плюс присутствует на красном щупе, а минус — на черном. У вас скорее всего аналогично, но проверьте. Знак дисплея 0L (или 1 на других моделях) означает величину сопротивления (∞), которая превышает предназначенный диапазон измерения.

Проверку выполняем двумя этапами, последовательно соблюдая очередь:

оцениваем исправность цепи сток-исток или, более точно, встроенного диода;
анализируем открытие и закрытие выходной цепи при подаче управляющего сигнала.

Режим проверки №1

Перед началом работы кратковременно зашунтируйте все выводы полевика. Этим действием убирается возможный потенциал на его электродах, который может помешать замеру.

Результаты измерений на табло показываю для исправного мосфета. У поврежденного переходы будут отличаться: пробиты или оборваны.

На картинке показываю два измерения для n-канального транзистора. Схему его собрата с p-каналом привел для образца в правом нижнем углу. Действия для него аналогичны, а результат зависит от проводимости.

При первом замере ставим красный щуп с потенциалом плюса на сток, а черный на исток. Если диод исправен, то показания на приборе будут порядка 400-600. Это величина падения напряжения в милливольтах. Таким способом мультиметр в режиме прозвонки оценивает состояние полупроводникового перехода p-n полярности.

Для второго замера меняем щупы местами. Диод закрыт, его огромное сопротивление показывается как 0L.

Очередность этих замеров можно произвольно изменять.

Проверка мосфета положительной проводимости проводится аналогично, а индикацию на табло вам подскажет направление встроенного диода на рисунке.

Режим проверки №2

Оставляем черный щуп на истоке, а красный переставляем на затвор. Этим действием мы подаем ему положительный потенциал с мультиметра. На табло будет отображаться 0L, но транзистор должен открыться.

Проверяем открытие перестановкой красного щупа на сток. Изменение показаний на табло (единицы или десятки) станет достоверной информацией об его открытии. В этом можно убедиться, поменяв щупы между стоком и истоком. Показания останутся примерно в тех же пределах.

Теперь потребуется закрыть мосфет. Смотрим на замер №3: красный щуп ставим на исток, черный — затвор. Показание 0L.

Логика проверки p-канального типа полевика аналогична. Только надо помнить, что он открывается подачей отрицательного напряжения на затвор относительно истока, то есть «прижимается к земле».

Убедившись в исправности встроенного диода, открытии и закрытии силового перехода сток-исток, можно сделать вывод об исправности МДП транзистора.

Однако описанный метод не во всех случаях может обеспечить достоверные результаты. И дело здесь кроется в конструкции вашего мультиметра. Его выходного напряжения может просто не хватить для подачи отпирающего или запирающего потенциала на затвор.

Поэтому более достоверную проверку выполняют двумя мультиметрами:

одним контролируют состояние перехода сток-исток;
вторым управляют потенциалом на затворе.

Естественно, что заменить один из мультиметров можно самодельным источником напряжения, например, двумя батарейками АА (3 вольта) или омметром с предварительно оцененными характеристиками.

Принцип таких измерений показывает в своем видеоролике Дмитрий Гильмутдинов. Рекомендую посмотреть.

Возможно, вам также будет интересно

Все статьи цикла. В настоящее время появляются новые приложения, для которых требуется применение ключей, способных работать при высоких коммутируемых напряжениях. Их использование приведет к снижению себестоимости и общей совокупности компонентов, необходимых, например, для преобразования выходной мощности модуля фотоэлектрических элементов в полезную электрическую энергию и повышения эффективности (здесь мы в большей степени имеем в виду КПД)

Введение Операционные усилители (ОУ) являются одними из наиболее распространенных электронных компонентов, широко используемых в современных схемах формирования и преобразования информационных сигналов различного назначения — как в аналоговой, так и в цифровой технике. На фоне этого изобилия разработчику сложно сделать оптимальный выбор микросхемы для конкретного приложения. Операционные усилители характеризуются большим числом параметров, значения которых варьируются в

На портале «Время электроники» опубликована база российских производителей электронных компонентов, модулей и конечных изделий с актуальной и проверенной информацией.
Как известно, в производстве электроники выделяют три технологических передела: производство электронных компонентов, производство электронных модулей и производство электронной аппаратуры.
Электронные компоненты — дискретные элементы электрической схемы или микросхемы.
Электронные модули — функционально законченные блоки, состоящие из отдельных электронных компонентов и/или их интегральных сборок и пригодные для последующей …

Сравнение IGBT с MOSFET

Структуры обоих транзисторов очень похожи друг на друга. Что касается протекания тока, важным отличием является добавление слоя подложки P-типа под слой подложки N-типа в структуре модуля IGBT. В этом дополнительном слое дырки вводятся в слой с высоким сопротивлением N-типа, создавая избыток носителей. Это увеличение проводимости в N-слое помогает уменьшить общее напряжение во включенном состоянии в IGBT-модуле. К сожалению, это также блокирует поток электроэнергии в обратном направлении. Поэтому в схему добавлен специальный диод, который расположен параллельно с IGBT чтобы проводить ток в противоположном направлении.

IRF740: характеристики, даташит и аналоги транзистора

IRF740 является n-канальным транзистором-полевиком MOSFET с высокой мощностью. Его основной производитель — фирма IR. Затвор прибора обособлен. Сегодня устройство выпускает и последователь IR, компания Vishay, под иным названием, которое прописано в даташит. Нагрузку прибора можно корректировать в пределах до 400 В. Они потребляют до 10 А, а порог напряжения затвора в тот момент составляет 10 В. Максимальная рассеивающаяся мощность составляет 125 Ватт.

Сопротивление, которое указано в инструкции производителя, невысокое, оно равно 0,55 Ом.

Так как задача данного транзистора — переключать силовые линии, прибор обладает довольно большим затворным напряжением, поэтому не всегда применяется с микроконтроллерным выходом. Последнее нужно делать с еще одной обвязкой.

Как проверить устройство с помощью мультиметра

Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.

Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.

Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.

Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.

Предельные режимы диодов в выпрямительном и инверторном режимах

Режим рекуперации энергии в сеть, как правило, обеспечивается с помощью 4-квадрантного (4Q) преобразователя, состоящего из двух идентичных конвертеров — сетевого LSC (Line Side Converter) и выходного MSC (Machine Side Converter). В зависимости от направления потока энергии диоды в схеме работают в выпрямительном или инверторном режиме и, соответственно, испытывают разную нагрузку при передаче одной и той же мощности.

Рис. 5. Базовая схема стойки инвертора с IGBT и оппозитными диодами, эпюры токов и напряжений

В инверторном режиме энергия из ЗПТ направляется в трехфазную АС-нагрузку, например электродвигатель. В выпрямительном режиме поток энергии из трехфазной питающей сети поступает в ЗПТ. В этом случае конвертер работает как импульсный выпрямитель, подключенный к сети переменного тока или генератору. Хотя средняя передаваемая мощность при этом одна и та же, потери силовых полупроводников будут разными, поскольку отличается фазовый сдвиг между током и напряжением основного сигнала. Сказанное поясняется с помощью базовой схемы, показанной на рис. 5, где возможны следующие состояния:

при положительном значении V_outи i_L > 0 ток идет через IGBT Т1;
при отрицательном значении V_outи i_L > 0 ток идет через диод D2;
при положительном значении V_outи i_L< 0 ток идет через диод D1;
при отрицательном значении V_outи i_L< 0 ток идет через IGBT Т2.

Статические потери IGBT и диода при определенном значении эффективного тока зависят от разницы фаз тока и напряжения (cos j) и коэффициента модуляции m, определяемого в свою очередь коэффициентом заполнения импульсов. В инверторном режиме справедливо соотношение 0 ≤ m × cos j ≤ 1, рассеяние мощности в полупроводниках достигает своего предела при m × cos j = 1. В этом случае максимальными оказываются потери проводимости и общие потери в IGBT, а у диодов они минимальны. Для выпрямительного режима 0 ≥ m × cos j ≥ 1, при m ×cos j = –1 в диодах рассеивается максимальная мощность, а потери IGBT, соответственно, минимальны. Применительно к кривым, показанным на рис. 5, эта ситуация соответствует режиму, когда импульсный выпрямитель преобразует чисто активную мощность сети (на частоте основной гармоники) и нейтраль соединена со средней точкой DC-шины. Все описанные выше соотношения графически проиллюстрированы на рис. 6.

Рис. 6. Статические и динамические потери IGBT и оппозитного диода в преобразователе частоты

При определенных значениях напряжения DC-шины и выходного тока потери переключения полупроводниковых приборов почти линейно зависят от частоты коммутации (рис. 6)

Для IGBT/MOSFET-модулей со встроенными диодами в инверторном режиме работы наиболее важно определить максимальную величину мощности, которая может быть рассеяна при номинальном токе (cos j = 0,6…1). Поскольку потери проводимости и их общий уровень у диодов меньше, чем у транзисторов, они разрабатываются с учетом соотношения PDIGBT: PDDiode≈ 2…3:1

Однако при использовании конвертера в режиме импульсного выпрямителя анализу мощности, рассеиваемой диодами, следует уделить особое внимание

IRF1407 Datasheet (PDF)

..1. Size:127K international rectifier irf1407.pdf

PD — 93907AUTOMOTIVE MOSFETIRF1407Typical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Integrated Starter AlternatorD 42 Volts Automotive Electrical SystemsVDSS = 75VBenefits Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.0078 Ultra Low On-ResistanceG Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID = 130AVS Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxDescri

..2. Size:266K international rectifier irf1407pbf.pdf

PD — 95485AIRF1407PbFTypical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Industrial Motor DriveDBenefitsVDSS = 75V Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 0.0078 Dynamic dv/dt RatingG 175C Operating Temperature Fast SwitchingID = 130AS Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxDescriptionThis Stripe Planar design of HEXFET Power MOSFETs

..3. Size:266K infineon irf1407pbf.pdf

..4. Size:245K inchange semiconductor irf1407.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1407IIRF1407FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 7.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

0.1. Size:159K international rectifier irf1407s.pdf

PD -94335IRF1407SIRF1407LBenefits Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 0.0078DescriptionGAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieve

0.2. Size:159K international rectifier irf1407l.pdf

0.3. Size:258K inchange semiconductor irf1407s.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1407SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

0.4. Size:287K inchange semiconductor irf1407l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1407LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 7.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

Рабочие режимы IRF740

Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.

В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.

Типы подключений

По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:

С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.

In Stock: 174571

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Когда стоит использовать полевые МОП-транзисторы?

Биполярные и униполярные транзисторы — очень важные элементы, но возникает вопрос: когда их использовать? Оба типа имеют свои преимущества и недостатки, поэтому в некоторых проектах, один имеет преимущество перед другим. Использование биполярных транзисторов, безусловно, заслуживает внимания, когда схема питается от низкого напряжения (например, 1,5 В или 3,3 В), поскольку для ее работы достаточно напряжения 0,7 В. Униполярный транзистор может быть еще не полностью открыт в этих условиях.

МОП-транзисторы рекомендуются для управления нагрузками, потребляющими токи в диапазоне ампер, поскольку управляющий элемент (например, Arduino) не должен подавать на них питание — этого достаточно, чтобы установить достаточно высокий потенциал. Чтобы полностью открыть транзистор, приложите напряжение, в несколько раз превышающее пороговое напряжение между затвором и истоком (это напряжение включения).

МОП-транзисторы практически не потребляют ток от цепи, которая контролирует их работу!

Использование униполярных транзисторов рекомендуется там, где важно потребление тока. В некоторых проектах, особенно в схемах с питанием от небольших батарей, даже несколько микроампер, потребляемых базой биполярного транзистора, могут значительно сократить время работы устройства. Между эмиттером и коллектором полностью включенного (насыщенного) биполярного транзистора создается постоянное напряжение — обычно 0,2 В, но это значение может быть выше для мощных транзисторов

У униполярных транзисторов есть только сопротивление открытого канала, поэтому падение напряжения на них зависит от протекающего тока

Между эмиттером и коллектором полностью включенного (насыщенного) биполярного транзистора создается постоянное напряжение — обычно 0,2 В, но это значение может быть выше для мощных транзисторов. У униполярных транзисторов есть только сопротивление открытого канала, поэтому падение напряжения на них зависит от протекающего тока.

Напоследок еще одно практическое замечание. Если нам нужно контролировать, например, 10 так называемых сверхярких светодиодов, каждый через отдельный транзистор, то следует использовать 10 биполярных транзисторов вместе с 10 резисторами, по одному на каждую базу. Между тем, использование полевых МОП-транзисторов устранит необходимость в дополнительных резисторах, что сэкономит место на плате.

Тепловые характеристики

Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.

Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.

Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5. Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”

Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда. А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы. Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.

У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.

Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.

Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.

Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )

IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.

Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.

Заключение

До недавнего времени области применения MOSFET и IGBT, где их преимущества проявляются наиболее ярко, были определены достаточно четко (табл. 5).

Таблица 5. Рекомендуемые значения рабочей частоты кремниевых MOSFET и IGBT
Режим коммутации	Тип ключа	Рабочее напряжение	Частота коммутации, кГц
HS	MOSFET	Низковольтные	до 250
Высоковольтные	до 100
IGBT	600 В	до 30
1200 В	до 20
1700 В	до 10
3300 В	до 3
SS	MOSFET	Низковольтные	до 500
Высоковольтные	до 250
IGBT		до 150

Несмотря на то, что существуют пограничные режимы, требующие более детального анализа, окончательный вывод всегда делается на основании расчета мощности потерь и температуры кристаллов в критических режимах работы. Подробно вопросы анализа импульсных характеристик и тепловых режимов освещены в .