Характеристики транзисторов 13007 и 13009

Стабилизированный регулируемый блок питания с защитой от перегрузок

Множество радиолюбительских блоков питания (БП) выполнено на микросхемах КР142ЕН12, КР142ЕН22А, КР142ЕН24 и т.п. Нижний предел регулировки этих микросхем составляет 1,2…1,3 В, но иногда необходимо напряжение 0,5…1 В. Автор предлагает несколько технических решений БП на базе данных микросхем.

Интегральная микросхема (ИМС) КР142ЕН12А (рис.1) представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения компенсационного типа в корпусе КТ-28-2, который позволяет питать устройства током до 1,5 А в диапазоне напряжений 1,2…37 В. Этот интегральный стабилизатор имеет термостабильную защиту по току и защиту выхода от короткого замыкания.

Рис.1. ИМС КР142ЕН12А

На основе ИМС КР142ЕН12А можно построить регулируемый блок питания, схема которого (без трансформатора и диодного моста) показана на рис.2. Выпрямленное входное напряжение подается с диодного моста на конденсатор С1. Транзистор VT2 и микросхема DA1 должны располагаться на радиаторе. Теплоотводящий фланец DA1 электрически соединен с выводом 2, поэтому если DA1 и транзистор VD2 расположены на одном радиаторе, то их нужно изолировать друг от друга. В авторском варианте DA1 установлена на отдельном небольшом радиаторе, который гальванически не связан с радиатором и транзистором VT2.

БЛОК ПИТАНИЯ ЛАМПОВОГО УСИЛИТЕЛЯ

Ничто так не выдаёт консерватизм, чем изготовление ламповых усилителей звука. А может это просто признак особого изысканного вкуса настоящих аудиофилов? В любом случае собрать такой УНЧ представляется прикольным и теоретически выгодным занятием. Как знать, сколько подобный шедевр будет стоить спустя 20 лет. Тут один только внешний вид лампового усилителя уже делает достойной установку его на самом видном месте кабинета. А звук.. Ну это каждый решит после прослушки для себя сам. В общем приступая к сборке самого усилителя, вначале продумайте сам блок питания. Это вам не 12В взятые из БП ATX. Здесь должны присутствовать минимум два напряжения разной величины и мощности. Напряжение накала берётся в пределах 5,5 — 6,5В и чаще всего подаётся на схемы переменным, сразу с обмоток трансформатора, а питание анодов достигает 300 и даже 500В. При уже постоянной форме тока.

Несмотря на то, что в последнее время наметилась стойкая тенденция к импульсным источникам питания всего и вся, рекомендую всё-же забыть на время про электронные трансформаторы и задействовать старый добрый ТС180 (ТС160) от любого чёрно-белого лампового телевизора. Тому есть две причины. Во-первых обычный трансформатор прощает невнимательность монтажа и не взорвётся, как электронный, при случайных боках и замыканиях, а во-вторых цена ЭТ может быть весьма и ввесьма, в отличии от обычных ТС, коих у многих хватает в закромах. Представляется правильным собрать один универсальный блок питания с анодным и накальным напряжением, и питать от него или один конкретный ламповый усилитель (спрятав сам БП подальше), или собирая другие ламповые схемы переключать его при необходимости на них. На каждый ламповый УНЧ блоков питания не напасёшся:)

Смотрим схему простого блока питания лампового усилителя:

По питанию 220В ставим модный пластмассовый тумблер 250В 5А с зелёной подсветкой. Не забываем про предохранители — один на пару ампер по сети, второй трёхамперник по накалу, и третий по высоковольтному напряжению анода. В отличии от электронных трансформаторов, где предохранители сгорают последними, здесь они выполнят свою миссию, так как даже и без них блок питания выдержит кратковременные замыкания выходов. За что я и уважаю трансы в железе. Диоды для двухполупериодных мостов или собираем из советских КД202 с нужной буквой, или берём готовый диодный мост на подходящее напряжение и ток. Если у вас усилитель на пару ламп типа 6П14П с небольшой мощностью выхода, диодный мост выпрямителя пойдёт и советский коричневый КЦ405 или КЦ402. Накал выпрямлять следует только для входных ламп первого одного — двух каскадов. Дальше влияние постоянного накала сводится к нулю и это будет только расход тепла на диодах.

Можно питать накал от моста с конденсатором 4700 — 10000мкФ, а можно и КРЕН5 поставить. и не стремитесь на входные лампы подавать строго 6,3В — лучше питать их немного заниженным напряжением вплоть до 5В. Так что обычная пятивольтовая КРЕНка и всё будет ОК. Обязательно советую поставить пару светодиодов — индикаторов напряжения анода и накала. Во-первых красиво, а во-вторых информативно, сразу видны возможные проблемы с питанием.

Корпус лучше делать делезный, точнее из листового алюминия — он обрабатывается очень удобно. Или просто взять готовый подходящих размеров, где просверлить гнёзда под кнопку сети, светодиоды и разъёмы. Сеть тоже вводите в корпус не просто через дырку, а подключив штеккером к специальному сетевому гнезду. Лично я делаю только так на всех конструкциях — это удобно.

Конденсаторы фильтров анода берём чем больше — тем лучше. Минимум два по 300 микрофарад. Напряжение на них должно быть на 100В выше, чем напряжение на выходе БП. Если у вас схема рассчитана на 250В, то берём конденсатор на 350. Конечно я это правило выполняю далеко не всегда, а бывает вообще ставлю один к одному, но вы так не делайте и в этом с меня пример не берите. Резистор на 47 Ом 5 ватт уточняем по конкретной схеме лампового усилителя. Для простого однотактного его хватит, а для мощного двухтактника надо вообще ставить дроссель. Выдиратся он из любого лампового телевизора и называется ДР-0,38. Трансформатор питания перед установкой в БП обязательно послушайте на предмт гудения и жужжания. А то купите, рассчитете и соберёте под него корпус, а он гудит громче вечернего Пинк Флойда. Будет большой облом. И напоследок порекомендую все диоды шунтировать конденсаторами на 0,01-0,1 мкФ с соответствующими напряжениеми.

Все вопросы — на форум по БП

Характеристики транзисторов 13007 13009

Вот основные характеристики и особенности этих транзисторов:

• Тип: оба транзистора относятся к типу NPN (негативно-позитивно-негативный) транзисторов.

• Максимальное напряжение коллектора: для транзистора 13007 это 400 В, для транзистора 13009 — 600 В. Это значит, что транзистор 13009 может выдерживать большее напряжение на коллекторе по сравнению с 13007.

• Максимальный коллекторный ток: для транзистора 13007 это 8 А, для транзистора 13009 — 12 А. Транзистор 13009 может выдерживать больший ток на коллекторе по сравнению с 13007.

• Максимальная мощность рассеяния: для обоих транзисторов это 50 Вт. Это значит, что мощность, которую можно рассеять на транзисторе без перегрева, не должна превышать это значение.

• Корпус: оба транзистора доступны в корпусе TO-220, который обеспечивает хорошую теплопроводность и удобство монтажа.

Помимо этих основных характеристик, транзисторы 13007 и 13009 также имеют множество других параметров, которые могут быть важны в конкретных приложениях. При выборе транзистора необходимо учитывать требования схемы и задачи, для которых он будет использоваться.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы У MJE13003A — от 8 до 12. У MJE13003B — от 12 до 18. У MJE13003C — от 18 до 27. У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO-126 — 1.4 ватт, TO-220 — 50 ватт(с радиатором), TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором), TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Применение транзисторов 13007 и 13009

Транзисторы 13007 и 13009 широко используются в различных электронных устройствах и схемах благодаря своим особенностям и характеристикам.

Одно из основных применений транзисторов 13007 и 13009 — это использование в схемах усиления сигнала. При подаче малого входного сигнала на базу транзистора, он усиливает его до большего значения на выходе. Это позволяет использовать транзисторы для усиления аудио-сигнала в радиоприемниках, усилителях звука и других устройствах.

Также транзисторы 13007 и 13009 могут использоваться в схемах переключения и управления. Благодаря возможности управления током и напряжением на базе, они могут служить для переключения других элементов схемы, таких как реле, светодиоды, моторы и прочие устройства.

Другим применением транзисторов 13007 и 13009 является использование их в импульсных источниках питания. Благодаря их высокой мощности и низкому сопротивлению, они могут обеспечивать стабильное и эффективное питание для различных схем и устройств.

Также транзисторы 13007 и 13009 могут использоваться в схемах светоизлучающих диодов (СИД) и источников света

Они способны управлять яркостью и цветом световых элементов, что позволяет использовать их в светодиодных лентах, светильниках, мониторах и других устройствах, где важно точное и эффективное управление светом

• Усиление сигнала в радиоприемниках и усилителях звука
• Схемы переключения и управления
• Импульсные источники питания
• Схемы светоизлучающих диодов и источников света

Таким образом, транзисторы 13007 и 13009 представляют собой универсальные электронные компоненты, которые находят широкое применение в различных сферах электроники и техники.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
КТ8126А1	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	120	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(TO220)
2Т856А	-/125	950	950	5	10/12	—	—	—	10…60	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(TO3)
Б	750	750
Г	850	850
КТ872А	-/100	700	700	6	8/15	150	7	—	6	≤ 1,0	-/6,7/0,8	КТ-43	(TO218)
КТ878А	2/100	900	900	6	25/30	150	≥ 10	500	12…50	≤ 1,5	-/3,0/-	КТ-9	(TO3)
КТ8107А	-/100	1500	700	5	5/7	150	≥ 7	≤ 75	≥ 2,25	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-43-2	(TO218)
В	1200
КТ8108А/Б/В	-/70	850	850	5	5/7	150	≥ 15	≤ 75	10…50	≤ 1,0	-/3,0/0,3	КТ-9	(TO3)
КТ8114А	-/125	1500	700	6	8/15	150	—	—	≥ 6	≤ 1,0	-/-/0,5	КТ-43-2	(TO218)
Б	1200
КТ8118А	-/50	900	750	5	3/-	150	≥ 15	—	10	—	—	—
КТ8121А	-/75	700	400	5	4/8	150	≥ 4	—	8…60	≤ 1,0	-/3,0/0,4	—
КТ8164А	-/75	700	400	9	4/8	150	≥ 4	110	8…60	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(TO220)

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	≥ 5	—	8…40	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
BLD137D	-/90	700	400	9	8/-	150	—	—	5…40	≤ 1,5	-/7,0/0,8	TO220/S
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
BUJ105A	-/80	700	400	—	8/16	150	—	—	10…36	≤ 1,0	1,0/2,5/0,5	TO220AB	٭
BUJ106A	-/80	700	400	—	10/20	150	—	—	10…33	≤ 1,0	0,75/3,3/0,75	TO220AB	٭
BUL67	-/100	700	400	9	10/18	150	—	—	10…50	≤ 1,5	-/3,2/0,18	TO220	٭٭
BUL87	-/110	700	400	9	12/24	150	—	—	8…40	≤ 1,5	-/3,4/0,165	TO220	٭٭
FJP3307D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	60	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,7	TO220
MJE13009X7	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
MJE13009X8	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
MJE13009ZJ	2/90	700	400	9	12/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBP5307DO	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	10…40	≤ 3,0	-/3,6-1,6	TO220
SGSF341	-/80	850	400	—	10/-	175	—	—	—	≤ 1,5	1,2/3,5/0,4	TO220	٭
TSC148D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	0,6/1,6/0,3	TO220 TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т

п.Внимание!

При близких(почти идеинтичных) общих параметрах уразных производителей транзисторы 13001 могутотличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Поиск подходящей замены для транзистора 13007

При поиске подходящей замены для транзистора 13007 необходимо обратить внимание на следующие характеристики:

1. Тип транзистора: Транзистор 13007 относится к типу NPN. При выборе аналога необходимо найти транзистор с таким же типом.

2. Максимальное напряжение переключения: Транзистор 13007 имеет максимальное напряжение переключения в районе 700 В

При выборе замены следует обратить внимание на аналогичную характеристику

3. Максимальный ток коллектора: Транзистор 13007 обычно имеет максимальный ток коллектора порядка 8 А. Если требуется замена, необходимо выбрать аналог с таким же или большим значением этой характеристики.

4. Другие характеристики: Помимо основных характеристик, таких как ток утечки, коэффициент усиления и частотные характеристики, также могут быть указаны важные для конкретной схемы параметры. При выборе замены необходимо учитывать все требуемые характеристики.

Поиск подходящей замены для транзистора 13007 может быть сложным процессом, особенно, если требуются определенные характеристики. Рекомендуется обратиться к производителям электронных компонентов или использовать специализированные онлайн-сервисы для поиска аналогов. Такие ресурсы могут предложить широкий выбор аналогов и дополнительные сведения о характеристиках каждого транзистора.

Важно помнить, что при замене транзистора 13007 необходимо проверить совместимость с остальными компонентами схемы и произвести необходимые корректировки, если таковые требуются

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

U_BE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода C_ob транзистора при обратном напряжении коллектор-база U_CB.

Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности P_C при увеличении температуры корпуса транзистора T_c.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

• по величине предельного тока коллектора IC ≤ 12 А, ICP ≤ 24 А;
• по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
• по общему перегреву п/п структуры;
• по вторичному пробою п/п структуры.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

Характеристика снимается для режима длительности импульса тока коллектора длительностью 10 мкс. Введением обратного смещения базы транзистора (IB2 = -IB1 = -1А) удается повысить устойчивость транзистора по коллекторному напряжению до UCE = 700 В.

Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.

Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Альтернативные транзисторы для замены 13007

Однако, если вам не удается найти транзистор 13007, или вы просто хотите рассмотреть альтернативные варианты, ниже представлены несколько вариантов транзисторов, которые могут быть использованы вместо 13007:

1. 2N3055 — это NPN транзистор, который обладает высокими характеристиками мощности. Он может использоваться в различных приложениях, включая усилители мощности и источники питания.
2. BD679 — NPN транзистор, который может использоваться для управления высокими токами. Он также может быть использован в различных приложениях, требующих высокой мощности.
3. TIP31 — NPN транзистор, который также обладает высокой мощностью. Он может использоваться в приложениях, требующих управления высокими токами, например, при управлении моторами или светодиодами.
4. 2SC5200 — это PNP транзистор, который может использоваться в качестве альтернативы для 13007. Он обладает высокой мощностью и может быть использован в приложениях, требующих высоких токов.
5. 2SA1943 — это PNP транзистор, который также может быть использован вместо 13007. Он обладает высоким значением максимального тока коллектора и может быть использован в усилителях мощности и других приложениях.

Перед заменой транзистора 13007 на альтернативный вариант, рекомендуется проверить совместимость параметров транзисторов и убедиться в правильности подключения.

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY