Характеристики и цоколевка транзистора кт817г

Распиновка

КТ817Г выпускается в разных форматах корпуса – от этого и зависит расположение контактов. Выбор изделия зависит от предпочтительного способа установки:

• Для дырочного – подойдет модель в корпусе КТ-27 (ТО-126);
• Для поверхностного – КТ-89 (DPAK).

Оба корпуса собираются из пластмассы. Расположение контактов КТ817 (КТ-27) с разъемом для крепления теплоотвода:

1. Эмиттер (Э).
2. Коллектор (К).
3. База (Б).

В таком варианте задняя металлическая подложка подключена к коллекторному выводу. У КТ817Г (КТ-89) нет разъема для фиксации радиатора. Вывод коллектора также подключен к задней металлической основе. Если рассматривать устройства с передней стороны, то расположение контактов идет в следующем порядке:

• Внизу: 1 – база (Б), 2 – эмиттер (Э).
• Сверху: коллектор (К).

Часто этот транзистор маркируется как КТ817Г, что указывает на формат корпуса, предназначенный для поверхностного монтажа. Внешние буквенные обозначения на упаковку не наносятся.

Характеристики транзисторов КТ814, КТ815, КТ816, КТ817

Ниже представлены основные характеристики этих транзисторов:

Модель	Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Uкэ, В	Максимальный ток коллектора, Iкмакс, мА	Коэффициент усиления, h21e или hfe
КТ814	30	30	32…160
КТ815	30	50	16…160
КТ816	40	100	16…160
КТ817	60	100	16…160

Важно отметить, что указанные значения являются максимальными и могут отличаться в зависимости от производителя и конкретной модели транзистора

Также следует обратить внимание на температурный режим эксплуатации, так как он может влиять на работоспособность и надежность устройства, в котором используются эти транзисторы

Подключение и цоколевка КТ817Б

Транзистор КТ817Б имеет стандартную цоколевку для NPN транзисторов и требует корректного подключения для правильной работы. При подключении КТ817Б следует учитывать следующие особенности:

• База (B) — контакт, отвечающий за управление транзистором. Подключение сигнала к базе позволяет управлять током коллектора.
• Эмиттер (E) — контакт, через который выходит ток эмиттера. Это точка отсчета для остальных параметров транзистора.
• Коллектор (C) — контакт, ответственный за сбор тока коллектора. Он является основным контактом для подключения нагрузки.

Цоколевка транзистора КТ817Б следующая:

• Контакт 1 (B) — база
• Контакт 2 (E) — эмиттер
• Контакт 3 (C) — коллектор

При подключении транзистора КТ817Б важно соблюдать полярность его контактов. Подключение контактов в неправильном порядке может привести к неправильной работе или поломке транзистора

Важно помнить, что перед подачей напряжения на транзистор необходимо проверить его параметры и правильность подключения. Также следует учитывать требования схемы подключения и не превышать максимально допустимые значения для тока и напряжения

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.

Подключение

Для правильного подключения транзисторов КТ 815 и КТ 817 необходимо следовать определенной последовательности действий:

1. Определите положительные выводы — эмиттеры (Е) и базы (В) транзисторов, а также отрицательные выводы — коллекторы (К).
2. Подключите эмиттеры вместе и присоедините к источнику питания через резисторы.
3. Соедините коллекторы каждого транзистора с через свои нагрузочные резисторы к источнику питания.
4. Прикрепите выходные выводы к базам транзисторов.
5. Соедините базы, через резисторы, с источником сигнала управления.
6. Если требуется, присоедините дополнительные компоненты, такие как конденсаторы или диоды.

При подключении транзисторов КТ 815 и КТ 817 очень важно следить за правильностью соединений и величиной используемых резисторов, чтобы избежать повреждения компонентов и обеспечить стабильную работу. Рекомендуется обратиться к документации и схемам для конкретного применения транзисторов

Как выбрать аналог для транзистора КТ817

При выборе аналога для транзистора КТ817 следует учесть ряд важных параметров, таких как максимальное рабочее напряжение, максимальный коллекторный ток, коэффициент усиления и класс применения.

В первую очередь, необходимо определиться с максимальным рабочим напряжением и коллекторным током, которые удовлетворяют требованиям вашей схемы или устройства. Эти параметры указываются в документации к транзистору. Если возникают затруднения с подбором аналога, можно обратиться к спецификации детали и сверить параметры с предлагаемыми аналогами.

Следующий шаг — определение коэффициента усиления. Коэффициент усиления характеризует способность транзистора усиливать сигналы. Если требуется точное соответствие по коэффициенту усиления, можно воспользоваться графиком характеристик транзистора в документации и выбрать аналог с близкими значениями коэффициента.

Наконец, следует учесть класс применения транзистора. КТ817 относится к классу NPN, поэтому аналоги должны быть также NPN-транзисторами. Многие производители предлагают свои аналоги схожих параметров для транзистора КТ817, поэтому можно обратиться к их каталогам и выбрать подходящий.

Необходимо также учесть физические размеры и тип корпуса транзистора, чтобы он соответствовал требованиям монтажной платы или схемы.

Выбор аналога для транзистора КТ817 должен осуществляться с учетом всех этих параметров, чтобы обеспечить надежную и безопасную работу устройства или схемы.

Особенности монтажа и цоколевки транзистора КТ817Б

Транзистор КТ817Б относится к группе биполярных транзисторов и имеет широкое применение в различных электронных устройствах. При монтаже этого транзистора необходимо учитывать его особенности и корректно выполнить его цоколевку.

Перед монтажом транзистора КТ817Б необходимо провести визуальный осмотр, чтобы убедиться в его исправности и отсутствии внешних повреждений.

Для монтажа транзистора КТ817Б потребуется соответствующий цоколь, который будет обеспечивать надежное и правильное его подключение. Расположение выводов на корпусе транзистора следующее:

• 1 вывод – эмиттер
• 2 вывод – база
• 3 вывод – коллектор

Цоколевка транзистора КТ817Б может быть выполнена различными способами, в зависимости от требований и особенностей конкретной схемы. Чаще всего используются следующие типы цоколевки:

1. Цоколевка с применением паяльной маски и выполнение пайки на печатной плате.
2. Цоколевка с использованием монтажных сквозных отверстий и применение монтажных проводов для подключения транзистора.
3. Цоколевка на алюминиевой радиаторной пластине для улучшения охлаждения транзистора.

При монтаже транзистора КТ817Б следует обратить внимание на правильную полярность его подключения, чтобы избежать неисправности и повреждения устройства. Также рекомендуется провести проверку правильности цоколевки после монтажа

Транзистор КТ817Б – надежный и функциональный элемент электронных схем, его правильная монтаж и цоколевка позволит обеспечить работу устройства с высокой эффективностью и стабильностью.

Типовая схема подключения транзистора КТ817Б

Для подключения транзистора КТ817Б типовая схема включения включает следующие элементы:

1. Элемент, который служит источником электрического сигнала, например, генератор или усилитель.
2. Коллекторный резистор Rс, который ограничивает коллекторный ток транзистора.
3. Эмиттерный резистор Re, который контролирует ток эмиттера.
4. Базовый резистор Rb, который ограничивает базовый ток.
5. Подсоединение источника питания: обычно положительный источник питания подключается к коллектору транзистора, а отрицательный источник питания – к эмиттеру.

Такая схема подключения транзистора КТ817Б позволяет использовать его для усиления или коммутации сигналов. При подаче сигнала на базу транзистора, ток течет через базу и эмиттер, что позволяет управлять током через коллектор. Таким образом, транзистор может усилить сигнал или контролировать его прохождение через коллектор.

Спецификации и характеристики компонента

Основные характеристики транзистора КТ817Б включают следующие параметры:

Параметр	Значение
Тип корпуса	Металл-полупроводниковый
Максимальное напряжение коллектора	40 В
Максимальный ток коллектора	100 мА
Максимальная мощность диссипации	300 мВт
Коэффициент усиления	Диапазон значений от 50 до 100

КТ817Б обладает низкими потерями мощности и высокой надежностью работы. Его габариты и цоколевка соответствуют стандартным требованиям, что делает его удобным для монтажа на печатные платы. Транзистор имеет три вывода — коллектор (C), база (B) и эмиттер (E), и его цоколевка совместима с широким спектром разъемов и контактных гнезд.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения	Буквенное обозначение	Норма параметра	Температура, °С
		не менее	не более
Граничное напряжение (I C =10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C =20 мA, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (I C =70 мA, I B =3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер (I C =20 мА, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Обратный ток коллектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Обратный ток эмиттера (U EB =5 В) мкА КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315И КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE =10 кОм U CE =25 В), мА, KT3I5A (R BE =10 кОм U CE =20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА КТ315В (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Г (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА, КТ315Д (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005
Обратный ток коллектор-эмиттер (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, КТ315Ж (U CE =60 В), мА, КТ315И	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, KT3I5Ж (U CE =60 В), мА, KT3I5И	I CES	–	0,1 0,2	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U CB = 10 В, I E = 5 мА, f = 100 МГц)	|h 21E |	2,5	–	25
Емкость коллекторного перехода (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

Отсюда получается:

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

Применение

Транзисторы КТ 815 и КТ 817 применяются во множестве электронных устройств. Благодаря их характеристикам и универсальности, они широко используются в различных схемах и схемотехнических решениях.

Основные области применения транзисторов КТ 815 и КТ 817:

• Источники питания: транзисторы используются в стабилизаторах напряжения, ионисторах и других устройствах для обеспечения стабильного и надежного питания;
• Силовая электроника: транзисторы применяются в блоках питания, инверторах, преобразователях постоянного и переменного тока;
• Светотехника: транзисторы используются для управления светодиодами, лампами накаливания, галогеновыми лампами и другими источниками света;
• Аудиоусилители и звуковое оборудование: транзисторы применяются в усилителях мощности, предусилителях и других аудиоустройствах;
• Телекоммуникационное оборудование: транзисторы используются для создания и усиления сигналов в радиопередатчиках, рационаправляющих устройствах и других устройствах связи;
• Автомобильная электроника: транзисторы применяются в электронных системах автомобиля, таких как стартер, зажигание, система зарядки и т. д.

Таким образом, транзисторы КТ 815 и КТ 817 – надежные и универсальные элементы, широко используемые в различных областях электроники и электротехники.

Основные характеристики транзистора КТ817Б

• Тип полупроводника: NPN;
• Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 40 В;
• Максимальное пульсирующее напряжение коллектор-эмиттер (V_CEX): 60 В;
• Максимальный постоянный ток коллектора (I_C): 1.5 А;
• Максимальный пульсирующий ток коллектора (I_CP): 3 А;
• Максимальная мощность (P_C): 20 Вт;
• Коэффициент усиления в прямом токе (h_FE): 40-200;
• Частота перехода (f_T): 250 МГц;
• Максимальная рабочая температура: +150 °C.

Транзистор КТ817Б обладает высокой надежностью и стабильной работой в широком диапазоне рабочих условий. Он часто используется в схемах усилителей низкой частоты, ключевых схемах и автоматических регуляторах.

Особенности цоколевки и подключения

Транзистор KT817B имеет сдвоенную комбинированную цоколевку типа ТО-126.

Цоколевка транзистора KT817B имеет следующие выводы:

1. База (B) — обозначается символом «B», предназначена для подачи управляющего сигнала на транзистор.
2. Эмиттер (E) — обозначается символом «E», служит для отвода электронов.
3. Коллектор (C) — обозначается символом «C», приводит в движение поток электронов.

Выводы транзистора KT817B могут быть подключены к внешней схеме с помощью пайки или использования резиновых усиливающих колечек.

При подключении транзистора KT817B важно соблюдать полярность выводов: база (B) должна быть соединена с источником управляющего сигнала, эмиттер (E) — с нулевым потенциалом, а коллектор (C) — с нагрузкой или положительным источником питания

Как проверить кт117а мультиметром

Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах. КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:

КТ203АМ	тёмно-красный
КТ209БМ	жёлтый
КТ209ВМ	тёмно-зелёный

Транзистор КТ117 — эпитаксиально-планарный, однопереходный, кремниевый, с базой n-типа. Применяется в маломощных генераторах. Имеет металлический корпус. Выводы — гибкие. Надпись о типе элемента нанесена на корпусе. Весит не более 0.45 г.

КТ117 цоколевка Цоколевка КТ117 показана на рисунке.

Обозначение на корпусе	Тип транзистора	Аналог
15	MMBT3960	2N3960
1A	BC846A	BC546A
1B	BC846B	BC546B
1C	MMBTA20	MPSA20
1D	BC846	—
1E	BC847A	BC547A
1F	BC847B	BC547B
1G	BC847C	BC547C
1H	BC847	—
1J	BC848A	BC548A
1K	BC848B	BC548B
1L	BC848C	BC548C
1M	BC848	—
1P	FMMT2222A	2N2222A
1T	MMBT3960A	2N3960A
1X	MMBT930	—
1Y	MMBT3903	2N3903
2A	FMMT3906	2N3906
2B	BC849B	BC549B

Как проверить транзистор? (Или как прозвонить транзистор) Такой вопрос, к сожалению, рано или поздно возникает у всех. Транзистор может быть повреждён перегревом при пайке либо неправильной эксплуатацией. Если есть подозрение на неисправность, есть два лёгких способа проверить транзистор.

Проверка транзистора мультиметром Как проверить транзистор мультиметром (тестером) Проверка транзистора мультиметром (тестером) (прозвонка транзистора) производится следующим образом.

Составной транзистор , или как его ещё называют — транзистор Дарлингтона, — это два транзистора, соединённые таким образом, чтобы ток, усиленный первым транзистором, поступал на базу второго и усиливался им. Это, по сути, последовательное соединение транзисторов, при котором их коэффициенты усиления перемножаются. Таким образом, у составного транзистора получается очень высокий коэффициент усиления, например 10000.

Выводы транзистора должны быть подключены правильно. Будьте внимательны, при неправильном подключении выводов транзистора он может сгореть почти мгновенно при включении.

Бывает так, что ориентация корпуса и выводов транзистора понятна по рисунку на печатной плате. Если этого нет, то необходимо обращаться к справочникам, чтобы определить цоколёвку транзистора (расположение выводов транзистора, распиновку транзистора).

Описание транзисторов Описание транзисторов удобно начать с описания функции, которую они выполняют. Основная функция биполярного транзистора — усиливать ток и напряжение. Например, они могут усиливать слаботочные выходные сигналы интегральных микросхем таким образом, чтобы ими можно было управлять лампой, реле и т.д. Во многих схемах транзистор служит для преобразования изменяющегося тока в изменяющееся напряжение. Т.е. транзистор работает как усилитель напряжения.