Характеристики КТ 203 транзистора
Одной из главных характеристик КТ 203 транзистора является его максимальная рабочая частота. Данная характеристика показывает максимальную частоту, при которой транзистор сохраняет свою работоспособность. Для КТ 203 транзистора эта величина составляет несколько мегагерц, что позволяет использовать его в цепях низкой частоты и аудиоусилителях.
Еще одной важной характеристикой КТ 203 транзистора является его максимальное значение коллекторного тока. Эта величина определяет максимально допустимый ток, который можно пропускать через коллектор транзистора без нарушения его работоспособности
Для КТ 203 транзистора это значение составляет несколько сотен миллиампер, что позволяет использовать его в схемах с небольшими токами потребления.
Кроме того, КТ 203 транзистор обладает характеристикой, называемой коэффициентом усиления тока — hFE. Она определяет, во сколько раз ток коллектора будет увеличиваться при заданном токе базы. Для КТ 203 транзистора это значение составляет примерно от 100 до 300, что позволяет использовать его в усилительных цепях и различных схемах усиления сигнала.
Также стоит отметить, что КТ 203 транзистор обладает низким уровнем шума и низким уровнем искажений. Это делает его значимым компонентом в аудиоэлектронике и различных аудиоусилителях.
В заключение, КТ 203 транзистор обладает рядом характеристик, которые делают его универсальным и позволяют использовать его в различных электронных устройствах. Это низкочастотный биполярный транзистор с высокой рабочей частотой, максимальным значением коллекторного тока, высоким коэффициентом усиления тока, а также низким уровнем шума и искажений.
Описание и назначение элемента
Цоколевка транзистора КТ 809 представляет собой расположение выводов на его корпусе. За счет правильной расстановки выводов транзистор может быть подключен к другим элементам электрической схемы. В случае транзистора КТ 809 он имеет трехводовую цоколевку.
Назначение цоколевки транзистора КТ 809:
- Эмиттер (E) – вывод, через который транзистор выдает выходной сигнал.
- База (B) – вывод, через который управляется транзистор.
- Коллектор (C) – вывод, через который проходит ток коллектора.
Корректное подключение транзистора КТ 809 к другим элементам электрической схемы позволяет использовать его для различных целей, таких как усиление сигналов, коммутация, создание логических элементов и др.
Описание транзистора КТ809А
Транзистор КТ809А принадлежит к классу биполярных транзисторов и широко используется в различных электронных устройствах.
Особенность транзистора КТ809А заключается в его низком уровне шума и высокой усилительной способности, что делает его предпочтительным выбором для использования в усилительных схемах.
Транзистор КТ809А имеет три вывода, которые обычно обозначаются как база (Б), эмиттер (Э) и коллектор (К). Он может работать с постоянным или переменным током и имеет широкий диапазон рабочих напряжений.
КТ809А имеет следующие технические характеристики:
- Ток коллектора (Iк): до 800 мА
- Ток эмиттера (Iэ): до 500 мА
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20 В
- Максимальная мощность потери (Pт): 500 мВт
- Коэффициент усиления по току транзистора (hfe): от 70 до 700
Транзистор КТ809А отличается надежностью и долговечностью. Он может быть использован в широком спектре приложений, включая усилители мощности, схемы автоматики и иные электронные устройства.
Благодаря своим хорошим рабочим характеристикам, транзистор КТ809А является популярным выбором для инженеров и электронных производителей по всему миру.
Применение транзистора КТ809А в современной электронике
Основное преимущество транзистора КТ809А заключается в его высокой надежности и стабильности работы, что позволяет использовать его в самых разнообразных устройствах, где требуется точная и эффективная работа. КТ809А обладает высоким значением максимального рабочего тока и обратного напряжения, что делает его идеальным для использования во многих устройствах с различными уровнями энергопотребления.
Транзистор КТ809А часто применяется в силовых усилителях и источниках питания. Благодаря своей высокой мощности, он способен обеспечить стабильное и эффективное питание для таких устройств, как аудиоусилители, светодиодные лампы, блоки питания и другие силовые устройства.
КТ809А также широко используется в системах автоматизации и управления, где требуется высокая надежность и точность работы. Этот транзистор может быть использован в различных электронных схемах, которые контролируют работу электромеханических устройств или осуществляют управление различными процессами.
Транзистор КТ809А также имеет применение в сфере связи и передачи данных. Он может быть использован в схемах усилителей сигнала, коммутационных устройствах, позволяя обеспечить стабильную передачу и усиление сигнала на большие расстояния.
В целом, транзистор КТ809А является незаменимым компонентом в современной электронике. Он обладает высокой надежностью и эффективностью работы, что делает его идеальным выбором для различных сфер применения, от силовых устройств и систем управления до связи и передачи данных. Благодаря своим техническим характеристикам, этот транзистор остается одним из наиболее популярных и востребованных компонентов на рынке электроники.
Описание и структура транзистора КТ809А
Структура транзистора КТ809А состоит из трех слоев полупроводникового материала — двух n-типа и одного p-типа. Слои н-типа называют эмиттером и коллектором, а слой p-типа — базой. Между базой и коллектором образуется p-n-переход, а между базой и эмиттером — n-p-переход. Эти переходы обеспечивают управление током и усиление сигналов.
Транзистор КТ809А можно описать следующим образом:
- Тип корпуса: TO-92 (пластмассовый)
- Максимальная мощность: 0,5 Вт
- Максимальный ток коллектора: 1 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Коэффициент усиления: не менее 100
- Максимальная рабочая частота: 100 МГц
- Температурный диапазон: -55…+150 °C
Транзистор КТ809А отличается хорошей линейностью и низким уровнем шума, что позволяет использовать его во многих аудио- и радиоустройствах. Он имеет небольшой размер и низкую стоимость, что делает его популярным выбором для массового производства.
Устройство и принцип действия
Транзистор — электронный полупроводник, состоящий из 3 электродов, одним из которых является управляющий. Транзистор биполярного типа отличается от полярного наличием 2 типов носителей заряда (отрицательного и положительного).
Отрицательные заряды представляют собой электроны, которые высвобождаются из внешней оболочки кристаллической решетки. Положительный тип заряда, или дырки, образуются на месте высвобожденного электрона.
Устройство биполярного транзистора (БТ) достаточно простое, несмотря на его универсальность. Он состоит из 3 слоев проводникового типа: эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К).
Эмиттер (от латинского «выпускать») — тип полупроводникового перехода, основной функцией которого является инжекция зарядов в базу. Коллектор (от латинского «собиратель») служит для получения зарядов эмиттера. База является управляющим электродом.
Слои эмиттерный и коллекторный почти одинаковые, однако отличаются степенью добавления примесей для улучшения характеристик ПП. Добавление примесей называется легированием. Для коллекторного слоя (КС) легирование выражено слабо для повышения коллекторного напряжения (Uк). Эмиттерный полупроводниковый слой легируется сильно для того, чтобы повысить обратное допустимое U пробоя и улучшить инжекцию носителей в базовый слой (увеличивается коэффициент передачи по току — Kт). Слой базы легируется слабо для обеспечения большего сопротивления (R).
Переход между базой и эмиттером меньший по площади, чем К-Б. Благодаря разнице в площадях и происходит улучшение Кт. При работе ПП переход К-Б включается со смещением обратного типа для выделения основной доли количества теплоты Q, которое рассеивается и обеспечивает лучшее охлаждение кристалла.
Быстродействие БТ зависит от толщины базового слоя (БС). Эта зависимость является величиной, изменяющейся по обратно пропорциональному соотношению. При меньшей толщине — большее быстродействие. Эта зависимость связана с временем пролета носителей заряда. Однако при этом снижается Uк.
Между эмиттером и К протекает сильный ток, называемый током К (Iк). Между Э и Б протекает ток маленькой величины — ток Б (Iб), который используется для управления. При изменении Iб произойдет изменение Iк.
У транзистора два p-n перехода: Э-Б и К-Б. При активном режиме Э-Б подключается со смещением прямого типа, а подключение К-Б происходит с обратным смещением. Так как переход Э-Б находится в открытом состоянии, то отрицательные заряды (электроны) перетекают в Б. После этого происходит их частичная рекомбинация с дырками. Однако большая часть электронов достигает К-Б из-за малой легитивности и толщины Б.
В БС электроны являются неосновными носителями заряда, и электромагнитное поле помогает им преодолеть переход К-Б. При увеличении Iб произойдет расширение открытия Э-Б и между Э и К пробежит больше электронов. При этом произойдет существенное усиление сигнала низкой амплитуды, т. к. Iк больше, чем Iб.
Watch this video on YouTube
Для того чтобы проще понять физический смысл работы транзистора биполярного типа, нужно ассоциировать его с наглядным примером. Нужно предположить, что насос для закачки воды является источником питания, водопроводный кран — транзистором, вода — Iк, степень поворота ручки крана — Iб. Для увеличения напора нужно немного повернуть кран — совершить управляющее действие. Исходя из примера можно сделать вывод о простом принципе работы ПП.
Однако при существенном увеличении U на переходе К-Б может произойти ударная ионизация, следствием которой является лавинное размножение заряда. При комбинации с тоннельным эффектом этот процесс дает электрический, а с увеличением времени и тепловой пробой, что выводит ПП из строя. Иногда тепловой пробой наступает без электрического в результате существенного увеличения тока через выход коллектора.
Кроме того, при изменении U на К-Б и Э-Б меняется толщина этих слоев, если Б тонкая, то происходит эффект смыкания (его еще называют проколом Б), при котором происходит соединение переходов К-Б и Э-Б. В результате этого явления ПП перестает выполнять свои функции.
История и назначение транзистора КТ809А
Транзистор КТ809А относится к категории биполярных транзисторов и имеет пластиковый корпус. Он может работать с постоянным током до 1,5 Ампер и обладает низким уровнем шума. Структура транзистора представляет собой трёхслойную p-n-p-структуру.
Основное назначение транзистора КТ809А — усиление электрических сигналов. Он может использоваться в радиокоммуникационных устройствах, радиоприемниках, усилителях звука и других электронных устройствах, где требуется усилительный каскад. КТ809А обеспечивает надежное и стабильное усиление с низким уровнем искажений и улучшенной проходимостью.
| Технические характеристики: | |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектора, В | 45 |
| Максимальный ток коллектора, А | 1,5 |
| Максимальная мощность коллектора, Вт | 0,8 |
| Максимальная рабочая частота, МГц | 130 |
Технические характеристики транзистора КТ809А
Основные технические характеристики транзистора КТ809А представлены в таблице ниже:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | Полупроводниковый транзистор PNP |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | −100 В |
| Максимальный ток коллектора (Ic) | −1 А |
| Максимальная мощность потерь (Pc) | −25 Вт |
| Граничная частота (fT) | −2 МГц |
| Коэффициент усиления тока (hfe) | 30-300 |
Транзистор КТ809А обладает высокой надежностью и стабильностью работы в широком диапазоне рабочих температур. Его компактный размер и маленький вес позволяют эффективно использовать его в различных электронных устройствах.
Одно из главных применений транзистора КТ809А — усиление и коммутация сигналов в схемах усилителей, источниках тока, генераторах частоты и других электронных устройствах. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является незаменимым компонентом при проектировании и создании радиотехнических устройств и схем.
Схема соединений транзистора КТ 809
Схема соединений транзистора КТ 809 состоит из трех основных выводов: эмиттера (E), базы (B) и коллектора (C). Каждый из этих выводов выполняет свою функцию в работе транзистора.
Вывод эмиттера (E) соединяется с источником тока, через который в транзистор поступает положительное напряжение. Вывод базы (B) связан с управляющим сигналом, который регулирует проводимость транзистора. Вывод коллектора (C) соединяется с нагрузкой, к которой подключается выходной сигнал.
Схема соединений транзистора КТ 809 может быть представлена в виде электрической схемы, на которой показаны все соединения между выводами и элементами, к которым подключается транзистор. Такая схема помогает понять принцип работы транзистора и его взаимодействие с другими элементами схемы.
Важно отметить, что схема соединений транзистора КТ 809 может варьироваться в зависимости от конкретной задачи, в которой применяется транзистор. Для правильного подключения транзистора необходимо обратиться к документации или схеме, предоставленной производителем
В заключение следует отметить, что схема соединений транзистора КТ 809 является важным компонентом для успешного функционирования электронных устройств. Правильное подключение транзистора и его соединение с другими элементами схемы гарантирует стабильную работу устройства.
Схемы подключения транзистора КТ809: от простых до сложных
Простая однокаскадная схема усилителя
Наиболее простой и распространенной схемой подключения транзистора КТ809 является однокаскадная схема усилителя. В этой схеме транзистор осуществляет усиление входного сигнала и передает его на нагрузку. Схема подключения представлена в таблице ниже:
| Элементы | Значения |
|---|---|
| База | Подключается к источнику сигнала |
| Эмиттер | Подключается к общей шине (земле) |
| Коллектор | Подключается к нагрузке |
Схема включения транзистора КТ809 в режиме ключа
Транзистор КТ809 также может быть использован в качестве ключа в различных схемах. При подключении транзистора в режиме ключа, он переключает высокочастотный или постоянный ток в зависимости от поданного на базу сигнала. Схема подключения транзистора КТ809 в режиме ключа представлена в таблице ниже:
| Элементы | Значения |
|---|---|
| База | Подключается к источнику сигнала |
| Эмиттер | Подключается к общей шине (земле) |
| Коллектор | Подключается к нагрузке |
| База-эмиттерное напряжение | 0.7 Вольт |
Схема транзистора КТ809 в каскаде усилителей
Схема каскадного усилителя является более сложной конструкцией, в которой используется несколько транзисторов для достижения более высокого уровня усиления. Такая схема подключения может использоваться в радиоприемниках, рации и других устройствах связи. Схема подключения транзистора КТ809 в каскаде усилителей представлена в таблице ниже:
| Элементы | Значения |
|---|---|
| Предыдущий транзистор | Подключается к источнику сигнала |
| База | Подключается к предыдущему транзистору |
| Эмиттер | Подключается к общей шине (земле) |
| Коллектор | Подключается к нагрузке |
Это только некоторые примеры схем подключения транзистора КТ809. В зависимости от изначальной задачи и требований, существует множество других схем, в которых можно использовать данный транзистор
Важно учитывать особенности работы транзистора и следовать рекомендациям производителя для достижения наилучших результатов
Применение транзистора КТ809А
Транзистор КТ809А широко применяется в различных электронных устройствах и схемах благодаря своим техническим характеристикам и особенностям работы.
Одно из основных преимуществ использования транзистора КТ809А заключается в его высокой коммутационной способности. Благодаря этой характеристике, транзистор может эффективно управлять большими токами, что позволяет его применение в мощных схемах электроники.
Транзистор КТ809А также характеризуется низким уровнем шума и низкими потерями мощности, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах, где требуется передача сигнала с минимальными искажениями.
Кроме того, транзистор обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет получить значительный выходной сигнал при небольшом входном сигнале. Это делает его востребованным при создании устройств, работающих с низкими уровнями сигнала.
Транзистор КТ809А также используется в электронике для создания различных переключающих и управляющих устройств. Благодаря своей надежности и стабильности работы, он может быть применен в различных типах схем, включая источники питания, стабилизаторы напряжения и другие устройства, где важна точность и стабильность работы.
В целом, транзистор КТ809А представляет собой универсальный прибор, который может быть использован во многих сферах электроники. Благодаря комбинации своих технических характеристик и преимуществ, он является незаменимым элементом при создании различных электронных устройств и схем.
Подробное разъяснение и принцип работы
Основная функция транзистора – усиление сигнала. Работа транзистора основана на управлении током, протекающим между коллектором и эмиттером, с помощью тока, протекающего через базу. В зависимости от значения базового тока, транзистор может находиться в открытом или закрытом состоянии, что позволяет управлять током через его коллектор-эмиттерный переход.
Внешние элементы подключаются к выводам транзистора таким образом, чтобы базовый ток управлял коллекторным током. Входной сигнал подается на базу, а выходной сигнал берется с коллектора или эмиттера. Транзистор считается находящимся в открытом состоянии, когда на его базу подается некоторое положительное напряжение, достаточное для протекания базового тока. В этом случае можно контролировать и усиливать ток, протекающий через транзистор.
Главная особенность транзистора КТ 809 – его высокая коммутационная способность. Он способен работать с большими токами и напряжениями, что позволяет использовать его в схемах с высокой мощностью. Кроме того, транзистор КТ 809 обладает стабильными характеристиками и может использоваться в широком диапазоне рабочих температур и частот.
КТ809А: описание и принцип работы
Основным принципом работы транзистора КТ809А является управление протеканием тока через его трое выводов: эмиттер, база и коллектор. В цепи эмиттера и коллектора протекает постоянный ток, называемый коллекторным током, который определяется входным сигналом и сопротивлением нагрузки.
Управление током осуществляется через базу транзистора, где малый ток от контролирующего устройства приводит к пропорциональному увеличению коллекторного тока. Это позволяет использовать транзистор для усиления сигнала.
Преимущества транзистора КТ809А:
- Высокая мощность переключения и усиления;
- Низкий уровень шума и искажений;
- Стабильная работа при высоких температурах;
- Широкая рабочая температурная область;
- Надежность и долговечность в эксплуатации.
Транзистор КТ809А – надежное и эффективное устройство, которое находит применение в различных электронных системах, где требуется высокая мощность и стабильность работы. Благодаря своим преимуществам, он является популярным компонентом в сфере звукового оборудования и электроники в целом.
Сравнение транзистора КТ809А с аналогами на рынке
1. Высокое качество и надежность: Транзистор КТ809А производится из качественных материалов и проходит строгий контроль качества на всех этапах производства. Это гарантирует его надежность и долговечность.
2. Высокая эффективность: КТ809А обладает высоким коэффициентом усиления тока, что позволяет использовать его во многих электронных схемах с высокой эффективностью.
3. Широкий диапазон рабочих температур: Транзистор КТ809А способен работать в широком диапазоне температур, что делает его подходящим для использования в различных климатических условиях.
4. Удобство монтажа: КТ809А имеет удобные габариты и форму, что облегчает его монтаж на печатные платы и в электронные устройства.
5. Доступная стоимость: Транзистор КТ809А имеет относительно низкую стоимость по сравнению с аналогами на рынке, что делает его привлекательным для широкого круга потребителей.
В целом, транзистор КТ809А является надежным, эффективным и доступным элементом электроники. Он с успехом применяется во множестве устройств, от простых радиоприемников до сложных электронных систем. Высокое качество и удобство использования делают его непременным выбором для многих специалистов и электронщиков.
Преимущества транзистора КТ809А
| 1. | Высокая надежность. Транзистор КТ809А прошел все необходимые тесты и сертификации, что подтверждает его высокую степень надежности и долговечности. Он способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации. |
| 2. | Высокая производительность. Транзистор КТ809А обладает высокой мощностью и быстрым коммутационным временем, что позволяет эффективно использовать его в схемах усиления и ключевых устройствах. |
| 3. | Низкое потребление энергии. Благодаря своей эффективной конструкции, транзистор КТ809А потребляет мало энергии, что снижает нагрузку на источник питания и повышает энергетическую эффективность всей системы. |
| 4. | Малые габариты. Транзистор КТ809А имеет малые размеры, что позволяет его использовать в малогабаритных устройствах и платформах, где требуется высокая плотность компонентов. |
| 5. | Простота монтажа. Транзистор КТ809А обладает удобным корпусом, который обеспечивает простоту монтажа и установки на печатную плату. |
Все эти преимущества делают транзистор КТ809А привлекательным выбором для многих разработчиков и инженеров, и позволяют ему успешно применяться в различных сферах электроники.
КТ209 (кремниевый транзистор, p-n-p)
КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В,
КТ209В1, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж,
КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М
Кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный p-n-p
транзистор.
Предназначен для использования в
низкочастотных устройствах
аппаратуры широкого применения.
Зарубежный аналог(прототип) MPS404
Диапазон рабочих температур от — 45
до + 100°C
Пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Краткая
справочная таблица:
| Прибор | Предельные параметры |
Параметры при T = 25°C |
RТ п-с, °C/Вт | ||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| IК, max мА | IК и. max мА | UКЭR max, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, мВт | T, °C | Tп max, °C | Tmax, °C | h21Э | UКБ, В | IЭ, мА | UКЭ нас, В | IКБ0, мкА | fгр, МГц | CК, пФ | CЭ, пФ | tрас, мкс | ||
| КТ209 А | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Б | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40..120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Б1 | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | >12 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 В | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 80…240 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 В1 | 300 | 500 | 15 | 15 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | >30 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Г | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Д | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40..120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Е | 300 | 500 | 30 | 30 | 10 | 200 | 25 | 125 | 100 | 80…240 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Ж | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 И | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40…120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 К | 300 | 500 | 45 | 45 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 80…160 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 Л | 300 | 500 | 60 | 60 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 20…60 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 | |||
| КТ209 М | 300 | 500 | 60 | 60 | 20 | 200 | 25 | 125 | 100 | 40…120 | 1 | 30 | 0,4 | 5 | 50 | 100 |
Справочный листок по транзисторам КТ209А…М, КТ209Б1,КТ209В1
Основные
электрические параметры
транзистора КТ209 при Токр. среды
= 25 °С
| Паpаметp | Обозначение | Ед.Измеp | Режимы измеpения | Мин | Макс |
| Обратный ток коллектор-эмиттеp |
Iкэr | мкА | Uкэ=Uкэ max, Rбэ=10кОм | 1,0 | |
| Обратный ток эмиттеpа | Iэбo | мкА | Uэб=Uэб max | 1,0 | |
| Статический коэффициент передачи тока |
h21Е | Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-1B,Iк=-0,2мA | 20 | 240 | |
| Статический коэффициент передачи тока для КТ209Б1 |
h21Е | Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-1B,Iк=-0,2мA | 12 | ||
| Статический коэффициент передачи тока для КТ209В1 |
h21Е | Uкэ=-1B, Iк=-30мA Uкэ=-1B,Iк=-0,2мA | 30 | ||
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер |
Uкэ(нас) | В | Iк=-300мА,Iб=-30мA | 0,4 | |
| Напряжение насыщения база — эмиттер |
Uбэ(нас) | В | Iк=-300мА,Iб=-30мA | 1,5 | |
| Модуль коэффициента передачи тока |
/ h21Е / | Uкб=-5B,Iэ=-10мA, f=20MГц | 2 |
Значения
предельно допустимых
электрических режимов
эксплуатации для транзисторов КТ209:
| Параметр | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
| Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 15…60 |
| Напpяжение коллектоp-эмиттеp | Uкэ max | В | 15…60 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5…20 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 300 |
| Постоянный ток базы | Iб max | мА | 100 |
| Импульсный ток коллектоpа | Iк, и max | мА | 500 |
| Рассеиваемая мощность коллектора |
Pк max | мВт | 200 |
| Температура перехода | Tj | град, С | 125 |
Классификация
транзисторов КТ209:
| Прибор | Uкб max, В | Uкэ max, В | Uэб max, В | h21e |
| КТ209А | 15 | 15 | 10 | 20…60 |
| КТ209Б | 15 | 15 | 10 | 40…120 |
| КТ209Б1 | 15 | 15 | 5 | >12 |
| КТ209В | 15 | 15 | 10 | 80…240 |
| КТ209В1 | 15 | 15 | 10 | >30 |
| КТ209Г | 30 | 30 | 10 | 20…60 |
| КТ209Д | 30 | 30 | 10 | 40…120 |
| КТ209Е | 30 | 30 | 10 | 80…240 |
| КТ209Ж | 45 | 45 | 20 | 20…60 |
| КТ209И | 45 | 45 | 20 | 40…120 |
| КТ209К | 45 | 45 | 20 | 80…160 |
| КТ209Л | 60 | 60 | 20 | 20…60 |
| КТ209М | 60 | 60 | 20 | 40…120 |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Спецификация транзистора КТ809: ключевые особенности и параметры
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | КТ809 |
| Тип корпуса | TO-3 |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) | 180 В |
| Максимальный ток коллектора (Iк) | 6 А |
| Максимальная мощность потери (Pтот) | 75 Вт |
| Коэффициент усиления тока (h21e) | 30-100 |
| Температурный коэффициент стабильности коэффициента усиления тока | 0.15 %/°C |
| Температурный коэффициент стабильности мощности потери | 6.5 mW/°C |
| Максимальная рабочая температура (Tj) | 150 °C |
Это только некоторые из параметров и особенностей транзистора КТ809. Этот транзистор широко используется в различных электронных устройствах, включая усилители и стабилизаторы напряжения, благодаря своей высокой мощности и эффективному функционированию.
Цоколевка транзистора КТ809: исследование схем подключения и особенности
Цоколевка транзистора КТ809 выглядит следующим образом:
- 1 — Коллектор
- 2 — База
- 3 — Эмиттер
Схемы подключения транзистора КТ809 могут быть различными и зависят от его назначения в конкретном электронном устройстве.
Одним из вариантов использования транзистора КТ809 является схема усилителя постоянного тока. В этой схеме:
- Коллектор транзистора подключается к источнику питания через нагрузочный резистор.
- База транзистора подключается к источнику управляющего напряжения через резистор.
- Эмиттер транзистора подключается к общей точке нагрузки и источнику питания.
Варианты схем подключения транзистора КТ809 могут также включать схемы включения в ключевом режиме, схемы усиления радиочастотных сигналов и другие. В каждом случае необходимо правильно подключить каждый из выводов транзистора в соответствии с требованиями схемы.
Особенностью транзистора КТ809 является его способность выдерживать высокие токи и напряжения. Это делает его привлекательным для применения в высокопоточных и высоковольтных схемах.
Выводы транзистора КТ809 могут иметь различный размер и форму в зависимости от производителя и типа корпуса, но в целом цоколевка остается неизменной.
Таким образом, транзистор КТ809 представляет собой универсальный и надежный компонент, который может быть успешно использован в различных схемах подключения. Цоколевка транзистора КТ809 и его особенности позволяют эффективно реализовывать задачи в области электроники и создавать разнообразные электронные устройства.
Важные особенности цоколевки транзистора КТ 809
Цоколевка транзистора КТ 809 состоит из трех выводов, каждый из которых имеет свою функцию.
Первый вывод, обозначенный как E, предназначен для подключения эмиттера. Эмиттер – это область полупроводника, через которую осуществляется ввод и вывод электронов или дырок. Он является одним из трех ключевых элементов транзистора.
Второй вывод, обозначенный как B, предназначен для подключения базы. База – это участок полупроводника, который контролирует ток между эмиттером и коллектором транзистора. Именно на базе управляется передача сигнала через транзистор.
Третий вывод, обозначенный как C, предназначен для подключения коллектора. Коллектор – это область полупроводника, которая принимает электроны или дырки от эмиттера. Электроны, пропущенные через базу, передаются в коллектор и формируют выходной ток транзистора.
Важно соблюдать правильную цоколевку транзистора КТ 809 при его подключении к электрической схеме. Неправильное подключение может привести к некорректной работе или поломке устройства
Чтобы избежать ошибок, необходимо верно идентифицировать выводы транзистора и следовать указаниям схемы соединений.
Знание особенностей цоколевки транзистора КТ 809 поможет электронным специалистам, радиолюбителям и разработчикам эффективно использовать данный элемент в своих проектах и обеспечить качественную работу электронной схемы.