Какой транзистор подходит вместо кт209л: лучшие аналоги и замены

DataSheet

Цоколевка транзистора КТ3107Параметры транзистора КТ3107

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ3107А	ВС557А, MPS3703,BC177VI 1, BC307VI 3, ВСХ79-7 1, EN3250 3, MPS6517 1, MPS6516 1, IMBT3905 1, BSS69 1, BSS69R 1, ВСХ78-7 3, 2SA608SPAD 3, 2SA608NPD 3, 2SA495 *3
КТ3107Б	ВС308А, ВС212А, JC560A 1, JC557A 1, ВС204А 1, ВСХ79-8 1, BCX71GR 1, BCX79VII 1, KC307A 3, IMBT2907 3, ВСХ78-8 3, BCX78VII 3, 2SA608SPAE 3, 2SA608NPE 3, JC559A 3, JC558A 3
КТ3107В	ВС178АР, BCY72, РС108 1, ВС260В 3, BC250B *3
КТ3107Г	ВС308А, ВС558А, РС109 1, ВС357 1, BSY40 3, ВС205А 1
КТ3107Д	ВС308А, ВС178ВР, CD9012H 3, CD9012I 3, KC308B *3
КТ3107Е	ВС179АР, ВС309В, BC205A 1, BC205 3, BC252A 1, BC262A 1, BC263A *1
КТ3107Ж	ВС309В, ВС179ВР, ВС559, BC252B 1, BC205B 1, BC206B 1, BC260C 1, BC253C *1
КТ3107И	ВС307В, ВС212С, BCX79VIII 1, JC557 3, BC560A 3, BC177-6 1, BC204B 1, BCX79-9 1, BCX79-8 3, BCX71 HR 1, BCX71H 1, BCX71GR 3, BCX79VII 3, MPS6518 1, BCX78-9 1 , BCX78-8 3, BCX78VIII 1, BCX78VII 3, BCY78-8 3, BCY78-7 3, 2SA608SPAF 3, 2SA608SP 3, 2SA4950
КТ3107К	ВС308С, ВС213С, MPS6519 1, КС308С 3, 2SB598G *3
КТ3107Л	ВС309С, ВС322С, BC205B 3, BC206B 3, ВС259С 3, ВС260С 3, BC253C 3, ВС250С 3
Структура	—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,PK, τ max,P*K, и max	—	—	300	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, fh21б, fh21э, f**max	КТ3107А	—	≥200	МГц
КТ3107Б	—	≥200
КТ3107В	—	≥200
КТ3107Г	—	≥200
КТ3107Д	—	≥200
КТ3107Е	—	≥200
КТ3107Ж	—	≥200
КТ3107И	—	≥200
КТ3107К	—	≥200
КТ3107Л	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., UКЭR проб., U*КЭО проб.	КТ3107А	—	50	В
КТ3107Б	—	50
КТ3107В	—	30
КТ3107Г	—	30
КТ3107Д	—	30
КТ3107Е	—	25
КТ3107Ж	—	25
КТ3107И	—	50
КТ3107К	—	30
КТ3107Л	—	25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ3107А	—	5	В
КТ3107Б	—	5
КТ3107В	—	5
КТ3107Г	—	5
КТ3107Д	—	5
КТ3107Е	—	5
КТ3107Ж	—	5
КТ3107И	—	5
КТ3107К	—	5
КТ3107Л	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ3107А	—	100(200*)	мА
КТ3107Б	—	100(200*)
КТ3107В	—	100(200*)
КТ3107Г	—	100(200*)
КТ3107Д	—	100(200*)
КТ3107Е	—	100(200*)
КТ3107Ж	—	100(200*)
КТ3107И	—	100(200*)
КТ3107К	—	100(200*)
КТ3107Л	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, IКЭR, I*КЭO	КТ3107А	20 В	≤0.1	мкА
КТ3107Б	20 В	≤0.1
КТ3107В	20 В	≤0.1
КТ3107Г	20 В	≤0.1
КТ3107Д	20 В	≤0.1
КТ3107Е	20 В	≤0.1
КТ3107Ж	20 В	≤0.1
КТ3107И	20 В	≤0.1
КТ3107К	20 В	≤0.1
КТ3107Л	20 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ3107А	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Б	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107В	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Г	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Д	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107Е	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Ж	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107И	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107К	5 В; 2 мА	380…800
КТ3107Л	5 В; 2 мА	380…800
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ3107А	10 В	≤7	пФ
КТ3107Б	10 В	≤7
КТ3107В	10 В	≤7
КТ3107Г	10 В	≤7
КТ3107Д	10 В	≤7
КТ3107Е	10 В	≤7
КТ3107Ж	10 В	≤7
КТ3107И	10 В	≤7
КТ3107К	10 В	≤7
КТ3107Л	10 В	≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас	КТ3107А	—	≤20	Ом
КТ3107Б	—	≤20
КТ3107В	—	≤20
КТ3107Г	—	≤20
КТ3107Д	—	≤20
КТ3107Е	—	≤20
КТ3107Ж	—	≤20
КТ3107И	—	≤20
КТ3107К	—	≤20
КТ3107Л	—	≤20
Коэффициент шума транзистора	Кш, rb, P*вых	КТ3107А	1 кГц	≤10	Дб, Ом, Вт
КТ3107Б	1 кГц	≤10
КТ3107В	1 кГц	≤10
КТ3107Г	1 кГц	≤10
КТ3107Д	1 кГц	≤10
КТ3107Е	1 кГц	≤4
КТ3107Ж	1 кГц	≤4
КТ3107И	1 кГц	≤10
КТ3107К	1 кГц	≤10
КТ3107Л	1 кГц	≤4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, tрас, tвыкл, t**пк(нс)	КТ3107А	—	—	пс
КТ3107Б	—	—
КТ3107В	—	—
КТ3107Г	—	—
КТ3107Д	—	—
КТ3107Е	—	—
КТ3107Ж	—	—
КТ3107И	—	—
КТ3107К	—	—
КТ3107Л	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов. *1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Характеристика

Серия транзисторов КТ3107 подразделяется на несколько групп, немного различающихся по своим техническим параметрам. В основном по напряжению насыщения, статическому коэффициенту усиления по току. Коэффициент шума у моделей также может отличаться

Поэтому при выборе обращайте внимание на последнюю букву в его маркировке, она обозначает группу. Ниже приведенные параметры, характерные для транзисторов серии КТ3107 всех групп:. физические:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус: пластик для КТ-26 (зарубежный ТО-92);
материал кристалла– кремний (Si);
PNP-структура (прямая проводимость);
масса – не более 0.3 г.(g);
тех.условия: аА0.336.170 ТУ/04.

основные электрические значения:

IКБО (ICBO) не более 100 нА (nA), если UКБ макс. (VCB max) =20 В (V) и IЭ (IE)= 0;
IЭБО (IEBO) не более 100 мкА (µA), если UEБ макс. (VEB max) = 5 В (V) и IК (IC)= 0;
fгр норм.(ftTYP) не менее 250 МГц (MHz), если UКБ (VCB) = 5 В (V), IК(IC)=10 мА (mA);
СК (СС) 7.0 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 10 В (V), IЭ (IE)=0, f=10 МГц (MHz);
КШ (Noise Figure) NF в пределах 4 -10 Дб (dB), если UКЭ(VCE) =3 В (V), IK (Ic) =0.2 мА(mA);
h21е в пределах от 70 до 800, при UКЭ(VCE) = 5 В(V), IK (Ic) = 2 мА (mA);
Токр. от -40 до +85 °C;

предельные значения электрических эксплуатационных режимов (при Токр. = +25 °C):

U КБ макс. (V CBmax) от 25 до 50 В (V);
U КЭ макс. (VCEmax) от 20 до 45 В (V);
U ЭБ макс.(V ЕВ max) до 5 В (V);
IK МАКС.(IC MAX) 100 мА (mA);
PK макс.(PC) 300 мВт (mW);
Tперехода (Tj) до + 150 °C

Основные параметры

Коэффициент передачи по току.
Входное сопротивление.
Выходная проводимость.
Обратный ток коллектор-эмиттер.
Время включения.
Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
Обратный ток коллектора.
Максимально допустимый ток.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

коэффициент усиления по току α;
сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
- r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
- r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
- r_б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.

Схема подключения транзистора КТ 209

Ниже приведена таблица с примерами некоторых схем подключения транзистора КТ 209:

Пример подключения	Описание
База-эмиттер	Подключение транзистора КТ 209 по схеме база-эмиттер позволяет управлять током через эмиттер-коллектор. Данная схема обеспечивает высокое усиление тока и может использоваться в усилительных схемах.
База-коллектор	Подключение транзистора КТ 209 по схеме база-коллектор позволяет управлять напряжением между коллектором и эмиттером. Данная схема обеспечивает высокую стабильность и может использоваться в стабилизаторах напряжения.
Эмиттер-коллектор	Подключение транзистора КТ 209 по схеме эмиттер-коллектор позволяет управлять током через коллектор-эмиттер. Данная схема обеспечивает высокую мощность и может использоваться в силовых усилителях и ключевых схемах.