Маркировка
Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).
Мощность рассеивания стабилитрона
Мощность рассеивания стабилитрона Pст характеризует его способность не перегреваться выше определенной температуры на протяжении длительного времени. Чем выше значение Pст, тем больше тепла способен рассеять полупроводниковый прибор. Мощность рассеивания рассчитывается для самых неблагоприятных условий работы прибора, поэтому в ниже приведенную формулу подставляют максимально возможное в работе Uвх и наименьшие значения Rб и Iн:
Существует ряд стандартных номиналом по данному параметру: 0,3 Вт, 0,5 Вт, 1,3 Вт, 5 Вт и т.п. Чем больше Pст, тем больше габариты полупроводникового прибора.
Маркировка импортных smd
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Транзистор BD243: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Аналог транзистора BD243
Вы можете заменить BD243 на: 2N6043, 2N6044, 2N6290, 2N6291, 2N6292, 2N6293, 2N6387, 2N6388, 2N6530, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2315, 2SC2316, 2SC3254, 2SC3255, 2SC3345, 2SC3346, 2SC3709, 2SC3710, 2SC3710A, 2SC3747, 2SC3748, 2SC4511, 2SC4512, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1061, 2SD1062, 2SD1158, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1271, 2SD1277, 2SD1362, 2SD1363, 2SD1411, 2SD1411A, 2SD1412, 2SD1588, 2SD1668, 2SD1669, 2SD1826, 2SD1827, 2SD553, 2SD568, 2SD569, 2SD613, 2SD634, 2SD635, 2SD866, BD201, BD203, BD243A, BD243B, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD543, BD545B, BD643, BD645, BD647, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BD895, BD895A, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BDT63, BDT63A, BDT65, BDT65A, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDW23, BDW23A, BDW23B, BDW39, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW93, BDW93A, BDW93B, BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX53, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1588, KSD568, KSD569, NTE196, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP140T, TIP141T,TC3710B.
Комплементарной парой BD243 является транзистор BD244.
SMD версия BD243: 2STF1550 (SOT-89), 2STN1550 (SOT-223), BDP947 (SOT-223), FZT690B (SOT-223).
Примеры использования
Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.
Усилитель низкой частоты
Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.
Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора
Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.
Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.
В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.
Как проверить TL431
Так как это не одиночный радиокомпонент, а целая схема, заключенная в маленький корпус, мы не можем проверить ее одним лишь мультиметром, ведь в ней содержится только 10 штук транзисторов, не говоря об остальных компонентах. Проверка сопротивлений между выводами не принесет никакой полезной информации, так как от партии к партии и от производителя к производителю референсные значения разнятся.
Поэтому, как и для проверки большинства микросхем, необходимо собрать простейшую схему с ее использованием. Такой схемой может послужить приведенная ниже
При подаче на вход 12В на выходе должно быть 5В, а при замыкании S1 на выход должно идти опорной напряжение микросхемы TL431 — 2.5В. Вы можете подобрать свои значения
Важно, чтобы они соответствовали формуле:
Если все значения подходят — значит микросхема рабочая и ее можно использовать в проекте. Если собрать небольшой стенд с такой схемой на breadboard, то получится конвейерно проверять большое количество TL431 и ей подобных микросхем.
Характеристики
Выпускается транзистор различными производителями, как правило, в пластиковом корпусе. В системе JEDEC есть корпус обновлённого типа ТО-225АА. Вы можете скачать datasheet на транзистор BD139.
Изделие с надёжным корпусом имеет цоколевку типа:
- Эммитер – E;
- Коллектор – С;
- База – В.
Транзистор используется при температуре +25 по градусу Цельсия, работает по биполярному принципу, а его корпус без радиатора сделан прочно. Материал корпуса – пластмасса, кристалл используется кремний, проводимость – NPN.
Если покупателю необходимо найти отечественный аналог bd1390, то ниже будет указано, какой подойдёт для применения и считается качественным. Можно сказать, что аналог не уступает конкуренту, поэтому данный вариант будет оптимальным решением.
Производители
DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять. Поль Валери Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121; транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414; дата записи: 2017-08-14 04:00:51 дата записи: 2017-10-09 13:23:17 дата записи: 2019-05-18 11:56:53 Добавить аналог транзистора TIP122.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Декоративная штукатурка для внутренней отделки под камень
Параметры транзистора BD243C. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.
Высказывания:Если доктор знает, как называется ваше недомогание, это еще не значит, что он знает, что это такое.
Основные параметры транзистора BD243C биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BD243C . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 65W | 115V | 100V | 5V | 6A | 150°C | 3MHz | — | 30MIN |
Производитель: RCAСфера применения: Power, General PurposeУсловные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BD243C
| Общий вид транзистора BD243C. | Цоколевка транзистора BD243C. |
Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Разделы справочника:
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Схемы с использованием TL431
Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.
Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)
Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:
Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)
Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.
Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.
Лабораторный блок питания на TL431 с защитой
Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.
Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.
Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)
Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.
Индикатор напряжения
Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.
Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.
Таймер задержки на TL431
Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).
Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.
Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317
Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).
Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.
Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.
E13005-250 Datasheet (PDF)
1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd
E13005-250
Pb E13005-250 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70
2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd
E13005-225
Pb E13005-225 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70
3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С * Indu
Транзистор BD243: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Аналог транзистора BD243
Вы можете заменить BD243 на: 2N6043, 2N6044, 2N6290, 2N6291, 2N6292, 2N6293, 2N6387, 2N6388, 2N6530, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2315, 2SC2316, 2SC3254, 2SC3255, 2SC3345, 2SC3346, 2SC3709, 2SC3710, 2SC3710A, 2SC3747, 2SC3748, 2SC4511, 2SC4512, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1061, 2SD1062, 2SD1158, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1271, 2SD1277, 2SD1362, 2SD1363, 2SD1411, 2SD1411A, 2SD1412, 2SD1588, 2SD1668, 2SD1669, 2SD1826, 2SD1827, 2SD553, 2SD568, 2SD569, 2SD613, 2SD634, 2SD635, 2SD866, BD201, BD203, BD243A, BD243B, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD543, BD545B, BD643, BD645, BD647, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BD895, BD895A, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BDT63, BDT63A, BDT65, BDT65A, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDW23, BDW23A, BDW23B, BDW39, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW93, BDW93A, BDW93B, BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX53, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1588, KSD568, KSD569, NTE196, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP140T, TIP141T,TC3710B.
Комплементарной парой BD243 является транзистор BD244.
SMD версия BD243: 2STF1550 (SOT-89), 2STN1550 (SOT-223), BDP947 (SOT-223), FZT690B (SOT-223).