Транзистор КТ814Б - параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают предельно допустимые параметры своего изделия. Схемы при которых работает устройство, не должны их превышать. Также вредна работа при значениях близких к максимальным.

Предельные характеристики КТ814:

напряжение К-Э постоянное (I_Б = 0 А):
КТ814А – 25 В;
КТ814Б – 40 В;
КТ814В – 60 В;
КТ814Г – 80 В.
разность потенциалов Б-Э длительная – 5 В;
ток К длительный – 1,5 А;
кратковременный ток К – 3 А;
ток базы длительный – 0,5 А;
мощность (присутствует теплоотвод) – 10 Вт;
мощность (отсутствует теплоотвод) – 1 Вт;
максимальна т-ра кристалла – 298 К;
рабочая т-ра – от 233 до 373 К.

Дальше идут электрические параметры. Их тестирование производится при т-ре + 25 ОС. Другие, важные для проведения измерений, значения приведены в следующей таблице.

Параметры	Транзисторы	Режимы тестирования	min	max	Ед. изм
Граничная разность потенциалов	А	I_Э = 50 мА, t_и ≤ 300 мкс, Q ≥ 100	25		В
Б	40		В
В	60		В
Г	80		В
Разность потенциалов (нас.) К-Э		I_К = 0,5 А, I_Б = 0,05 А		0,6	В
Разность потенциалов (нас.) Б-Э		I_К = 0,5 А, I_Б = 0,05 А		1,2	В
Статический к-т усиление с ОЭ	А -В	U_КБ = 2 В, I_Э = 0,15 А		40
Г		30
Граничная частота		U_КЭ = 5 В, I_Э = 0,03 А	3		МГц
Ёмкость на коллекторе		U_КЭ = 5 В, f = 465 кГц		60	пФ
Ёмкость на эмиттере		U_КЭ = 5 В, f = 465 кГц		75	пФ
Обратный ток К		U_КБ = 40 В, Т_К ≤ 298 К		50	мкА
	U_КБ = 40 В, Т_К = 373 К		1000	мкА

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.

Пара Шиклаи и каскодная схема

Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.

Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Применение транзистора КТ814Б

Транзистор КТ814Б имеет широкий спектр применения в электронике. Благодаря своим характеристикам и параметрам, он нашел применение во многих устройствах и схемах.

Основные области применения транзистора КТ814Б:

Видео и аудио усилители. Благодаря своим высоким характеристикам, КТ814Б может использоваться в усилителях для усиления и обработки аудио и видео сигналов.
Телекоммуникационные устройства. Транзистор КТ814Б может применяться в радиосистемах, мобильных телефонах и других телекоммуникационных устройствах для усиления и передачи сигналов.
Источники питания. Благодаря своей низкой потребляемой мощности, КТ814Б может быть использован в источниках питания для стабилизации и регулировки напряжения.
Схемы стабилизации. Транзистор КТ814Б может быть использован для создания стабилизаторов напряжения и тока, обеспечивая стабильную работу электронных устройств.
Драйверы. КТ814Б может использоваться в схемах драйверов для управления различными устройствами и модулями.

Транзистор КТ814Б является надежным и универсальным элементом в электронике, который можно использовать в различных устройствах и схемах. Его высокие характеристики и устойчивость делают его популярным выбором для многих электронных разработок.

Цоколевка транзистора КТ814Б

Транзистор КТ814Б имеет металлокерамическую цоколь в форме короткой цилиндрической колбы. Цоколь состоит из трех выводов, обозначенных буквами Е, К и Б.

Вывод Е — это эмиттер транзистора, который является единственным выводом, подключенным к полупроводниковому материалу с типом «n», что обозначает электронный транзистор. Эмиттер выводится на поверхность корпуса транзистора.

Вывод К — это база транзистора, который является выводом, подключенным к управляющему полупроводниковому материалу. База является основной управляющей электродной площадкой транзистора, откуда управляющий сигнал поступает в активную область.

Вывод Б — это коллектор транзистора, который собирает основной ток транзистора. Коллектор выводится на поверхность корпуса транзистора.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Советуем Вам проверить информацию о содержании драгоценных металлов в КТ825Г, так как некоторые модели могут иметь ценность даже в нерабочем состоянии, особенно продукция старого образца.

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT814

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

КТ814А, Б, В — 40
КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n. Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ827А – от 500 до 18000. У транзисторов КТ827Б, КТ827В – от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ827А – 100в. У транзисторов КТ827Б – 80в. У транзисторов КТ827В – 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении – 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до – 4-х в, при типовом значении – 3 в.

Максимальный ток коллектора – 20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора – 125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока – 4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в – не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более – 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 – КТ825.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO-276AB

Транзистор КТ814: обзор и характеристики

Основные характеристики транзистора КТ814:

Тип: Биполярный PNP-транзистор
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
Максимальный коллекторный ток: 1 А
Максимальная мощность диссипации: 500 мВт
Максимальная рабочая частота: 100 МГц
Коэффициент усиления тока (бета): 40-200

Транзистор КТ814 обладает низким уровнем шума и высокой надежностью. Он обеспечивает хорошее сочетание высоких рабочих характеристик и возможности работы в различных радиоэлектронных схемах.

Транзистор КТ814 широко применяется в усилительных схемах низкой частоты, источниках тока, импульсных преобразователях и других устройствах. Он обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень искажений при передаче сигнала.

Транзистор КТ814 доступен в различных корпусах, что облегчает его монтаж и интеграцию в различные электронные системы.

В заключение, транзистор КТ814 представляет собой надежное и универсальное устройство, которое может быть использовано в широком спектре радиоэлектронных устройств и схем.

Плюсы и минусы составного транзистора

Если говорить о плюсах этого замечательного устройства, то это, конечно же, очень высокий коэффициент усиления, который позволяет запускать транзистор даже с очень низким током на базе. Однако, есть и минусы, как и всегда. Казалось бы, что здесь может быть не так, а вот может. Дело в том, что быстродействием здесь и не пахнет, поэтому в основном транзистор Дарлингтона используется в низкочастотных схемах. Обычно их ставят на выходных каскадах схем, а также в блоках управления электродвигателями — там они действительно на своем месте. Также без них не обойтись и многим современным авто, ведь они являются важнейшей частью коммутатора электронных схем в системе зажигания.

Вот такую схему используют радиолюбители, когда делают составной транзистор своими руками (используя транзистор Дарлингтона вместе с электродвигателем):

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера. Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора

С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

Усилитель на транзисторах 13002

Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.

Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Аналоги и их характеристики

У транзистора КТ814Г есть несколько аналогов, которые могут использоваться вместо него. Вот некоторые из них:

KT814V: Этот транзистор имеет схожие характеристики с КТ814Г. Он также является низкочастотным планарным игроком с P-N-P структурой.
KT805А: Этот транзистор также является низкочастотным игроком с P-N-P структурой. Его параметры соответствуют КТ814Г, поэтому он может быть хорошим аналогом.
2N3906: Этот транзистор также может заменить КТ814Г. Он отличается низким уровнем шума и высокой надежностью.

Выбор аналога зависит от конкретной ситуации и требований к транзистору

Важно учитывать параметры такие как максимальное рабочее напряжение, ток коллектора и коэффициент усиления. В случае замены транзистора КТ814Г, рекомендуется обратиться к документации и консультироваться с профессионалами для выбора наиболее подходящего аналога

Аналоги

Если транзистор используется в дифференциальных каскадах, то для его усиления можно подобрать комплементарную пару КТ815. По своим характеристикам устройство сходит с рассматриваемым, однако у него другая структура кристалла – N-P-N. Все сведения представлены в технической документации.

В пик продаж в СССР было сложно подобрать альтернативу для КТ814. При этом ситуация ухудшается в случае с зарубежными изделиями. На данный момент рынок не характеризуется дефицитом и с покупкой аналогов проблем не возникает. В технике советского производства в качестве аналогов КТ814 использовались транзисторы (отличается по группам):

А – TIP30;
Б – BD136;
В — BD138;
Г — BD140.

О таких вариантах замены можно прочитать в технической документации от завода-производителя.

Выбор аналога КТ814Г: сравнение по характеристикам

При выборе аналогов для замены транзистора КТ814Г необходимо обратить внимание на ряд характеристик, которые могут варьироваться у разных аналогов

Важно учитывать не только параметры, но и условия эксплуатации и требования к работе устройства

1. Тип корпуса: КТ814Г имеет пластиковый корпус TO-92, поэтому аналог должен также иметь подобный тип корпуса, чтобы обеспечить совместимость с печатной платой и другими компонентами.

2. Тип полупроводникового материала: КТ814Г изготовлен на базе кремния (Si), аналог должен также быть на основе кремния. Другие типы материалов, такие как германий (Ge) или арсенид галлия (GaAs), стоит исключить из рассмотрения.

3. Максимальное рабочее напряжение (Uкэ): КТ814Г имеет максимальное рабочее напряжение в обратном направлении 40 В

При выборе аналога следует обратить внимание на этот параметр и выбрать транзистор с аналогичным или большим значением

4. Максимальный ток коллектора (I_кмакс): КТ814Г имеет максимальный ток коллектора 100 мА. При выборе аналога следует учитывать свои требования к току и выбирать транзистор с аналогичным или большим значением.

5. Коэффициент усиления (h_21e): Это параметр, определяющий коэффициент усиления по току коллектора к току эмиттера. Он может быть разным у разных аналогов. При выборе аналога желательно выбирать транзистор с максимальным значением коэффициента усиления, чтобы обеспечить нужные характеристики работы устройства.

При выборе аналога для замены транзистора КТ814Г следует также обратить внимание на другие характеристики, такие как мощность потерь, скорость переключения и рабочая температура. Более подробную информацию о характеристиках конкретного аналога можно найти в его даташите или обратиться к производителю

Технические характеристики

Примеры использования

Усилитель низкой частоты

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Пара Шиклаи и каскодная схема

Характеристики популярных аналогов

Цоколевка

Применение транзистора КТ814Б

Цоколевка транзистора КТ814Б

Технические характеристики

Максимальные эксплуатационные значения

Электрические характеристики

Комплементарная пара

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Транзисторы КТ827

Характеристики популярных аналогов

Транзистор КТ814: обзор и характеристики

Плюсы и минусы составного транзистора

Какими же транзисторами можно заменить?

Усилитель на транзисторах 13002

Аналоги и их характеристики

Аналоги

Выбор аналога КТ814Г: сравнение по характеристикам

Похожие записи:

Похожие записи: