BCP54 SMD транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

Маркировка smd транзисторов - расшифровка кодовых обозначений

Система обозначений транзисторов

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер.

По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

  • 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
  • 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
  • 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

  • 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
  • 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
  • 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
  • 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например:

  • П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б;
  • МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1-й  элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2-1  элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3-1  элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах < 0,3 Вт:

  • 1    — маломощный низкочастотный, Гф< 3 МГц;
  • 2    — маломощный среднечастотный, 3 < frp< 30 МГц;
  • 3    — маломощный высокочастотный, 30 < fгр< 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Рmах <1,5 Вт:

  • 4    — средней мощности низкочастотный;
  • 5    — средней мощности среднечастотный;
  • 6    — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Рmах >1,5 Вт:

  • 7    — большой мощности низкочастотный;
  • 8    — большой мощности среднечастотный;
  • 9    — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4-й элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5-й элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например: КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 1.

Рис. 1. Цоколевка отечественных транзисторов.

Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов

Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.

Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.

Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.

В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус Маркировка
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
GS8050T 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 45 TO-92
GSTSS8050 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
MPS8050 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
S8050A/B/C/D/G 0,625 40 25 6 0,8/0,5 150 100/150 9 85…300 TO-92
S8050T 0,625 40 25 6 0,5 150 150 85 TO-92
SPS8050 0,625 15 12 6,5 1,5 150 260 5 200 TO-92
SS8050/C/D/G 1 40 25 5 1,5 150 100 85…400 TO-92
SS8050T 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
STS8050 0,625 30 25 6 0,8 150 120 19 85 TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L 0,2 40 25 5 1,5 150 100 15 120…400 SOT-323 Y1
S8050W 0,25 40 25 6 0,8 150 100 9 85 SOT-323 Y1
SS8050W 0,2 40 25 5 1,5 150 100 120 SOT-323 Y1
GSTSS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 100 100 SOT-23 1HA
MMSS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120…350 SOT-23 Y1
MPS8050S 0,35 40 25 6 1,5 150 190 85 SOT-23
MPS8050SC 0,35 40 25 5 1,2 150 150 85…300 SOT-23
MS8050-H/L 0,2 40 25 6 0,8 150 150 80…300 SOT-23 Y11
S8050 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
S8050M-/B/C/D 0,45 40 25 6 0,8 150 100 9 85…300 SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 150 120 SOT-23 KEY
KST8050D 0,25 50 50 6 1,2 150 100 100…320 SOT-23 Y1C, Y1D
KST8050M 0,3 40 25 6 0,8 150 150 40…400 SOT-23 Y11
KST8050X 0,3 40 20 5 1,5 150 100 20 40…350 SOT-23 Y1+
KST9013 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200…400 SOT-23 J3
KST9013C 0,3 40 25 5 0,5 150 150 40…200 SOT-23 J3Y
S8050LT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23 J3Y
MMS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…350 SOT-23 J3Y
DMBT8050 0,3 40 25 5 0,8 150 100 120 SOT-23 J3Y
KST8050S 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…400 SOT-23 J3Y
KTD1304S 0,2 25 20 12 0,3 150 50 10 20…800 SOT-23 J3Y
KTD1304 0,2 25 20 12 0,3 150 60 20…1000 SOT-23 J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ361, КТ361-1, КТ361-2 и КТ361-3

Тип Структура PК max,
мВт
fгр,
МГц
UКЭmax,
В
IК
max
,
мА
h21Э CК,
пФ
rКЭ нас,
Ом
rб,
Ом
3D
мод. 1
3D
мод. 2
3D
мод. 3
Библиотека
Altium Designer
КТ361А
р-n-р
150
250
25
50
20-90
≤9
≤20
≤40
КТ361
КТ361А1
р-n-р
150
150
25
100
20-90
≤9
≤20
≤40
КТ361Б
р-n-р
150
250
20
50
50-350
≤9
≤20
≤40
КТ361В
р-n-р
150
250
40
50
40-160
≤7
≤20
≤40
КТ361Г
р-n-р
150
250
35
50
50-350
≤7
≤20
≤40
КТ361Г1
р-n-р
150
250
35
100
100-350
≤7
≤20
≤40
КТ361Д
р-n-р
150
250
40
50
20-90
≤7
≤50
КТ361Д1
р-n-р
150
150
40
50
20-90
≤7
≤50
КТ361Е
р-n-р
150
250
35
50
50-350
≤7
≤50
КТ361Ж
р-n-р
150
250
10
50
50-350
≤9
≤50
КТ361И
р-n-р
150
250
15
50
≥250
≤9
≤50
КТ361К
р-n-р
150
250
60
50
50-350
≤7
≤50
КТ361Л
р-n-р
150
250
20
100
50-350
≤9
КТ361М
р-n-р
150
250
40
100
70-160
≤7
КТ361Н
р-n-р
150
150
45
50
20-90
≤7
КТ361П
р-n-р
150
300
50
50
100-350
≤7
КТ361А2
р-n-р
150
250
25
100
20-90
≤9
≤20
≤40
КТ361А3
р-n-р
150
150
25
100
20-90
≤9
≤20
≤40
КТ361Б2
р-n-р
150
250
20
50
50-350
≤9
≤20
≤40
КТ361В2
р-n-р
150
250
40
50
40-160
≤7
≤20
≤40
КТ361Г2
р-n-р
150
250
35
50
50-350
≤7
≤20
≤40
КТ361Г3
р-n-р
150
250
35
50
100-350
≤9
≤20
≤40
КТ361Д2
р-n-р
150
250
40
50
20-90
≤7
≤50
КТ361Д3
р-n-р
150
150
40
50
20-90
≤9
≤50
КТ361Е2
р-n-р
150
250
35
50
50-350
≤7
≤50
КТ361Ж2
р-n-р
150
250
10
50
50-350
≤9
≤50
КТ361И2
р-n-р
150
250
15
50
≥250
≤9
≤20
KT361K2
р-n-р
150
250
60
50
50-350
≤7
≤20
КТ361Л2
р-n-р
150
250
20
100
50-350
≤9
KT361M2
р-n-р
150
250
40
100
70-160
≤7
КТ361Н2
р-n-р
150
150
45
50
20-90
≤7
КТ361П2
р-n-р
150
300
50
50
100-350
≤7

Примечание:
1. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
2. UКЭ max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
3. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
4. rб – сопротивление базы;
5. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
6. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В;
7. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
8. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.

Практика работы составного транзистора

На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).

  • Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
  • Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
  • Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.

На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:

Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.

Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ

Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе

Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.

Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника

Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции. Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В). Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:

Схема приставки мультиметра

В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В. При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение. При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.

Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43

При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой. Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX

Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод

Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.

Принцип работы биполярного транзистора.

Биполярный транзистор может быть либо p-n-p, либо n-p-n в зависимости от чередования слоев полупроводника
в кристалле. В любом случае выводы называются — база, коллектор и эмиттер.
Слой полупроводника, соответствующий базе заключен между слоями эмиттера и коллектора.
Он имеет принципиально очень малую ширину.
Носители заряда движутся от эмиттера через базу — к коллектору.
Условием возникновения тока между коллектором и эмиттером является наличие свободных носителей
в области базы. Эти носители проникают туда при возникновении тока эмиттер-база. причиной которого
может являться разность напряжения между этими электродами.

Т.е. — для нормальной работы биполярного транзистора в качестве усилителя сигнала
всегда необходимо присутствие напряжения некого минимального уровня, для смещения перехода эмиттер-база в
прямом направлении.
Прямое смещение перехода база-эмиттер приоткрывая транзистор, задает
так называемую — рабочую точку режима. Для гармоничного усиления сигнала по напряжению и току используют
режим — А. В этом режиме напряжение между коллектором
и нагрузкой, примерно равно половине питающего напряжения — т. е выходное сопротивление транзистора
и нагрузки примерно равны . Если подавать теперь на переход база — эмиттер
сигнал переменного тока, СОПРОТИВЛЕНИЕ эмиттер — коллектор будет изменяться, графически повторяя
форму входного сигнала. Соответственно, то же будет происходить и с током через эмиттер к коллектору
протекающим. Причем амплитуда тока будет большей, нежели амплитуда
входного сигнала — будет происходить усиление сигнала.

Если увеличивать напряжение смещения база — эмиттер дальше, это приведет к росту
тока в этой цепи, и как результат — еще большему росту тока эмиттер — коллектор.
В конце, концов ток перестает расти — транзистор переходит в полностью открытое
состояние(насыщения). Если затем убрать напряжение смещения — транзистор закроется,
ток эмиттер — коллектор уменьшится, почти исчезнет. Так транзистор может работать
в качестве электронного ключа. Этот режим наиболее эффективен в отношении
управления мощностями, при протекании тока через полностью открытый транзистор величина падения напряжения
минимальна. Соответственно малы потери тока и нагрев переходов транзистора.

Существует три вида подключения биполярного транзистора.
С общим эмиттером (ОЭ) — осуществляется усиление как по току, так и по напряжению — наиболее
часто применяемая схема.
Усилительные каскады построенные подобным образом, легче согласуются между собой,
так как значения их входного и выходного сопротивления относительно близки, если
сравнивать с двумя остальными видами включения (хотя иногда и отличаются в десятки раз).

С общим коллектором (ОК) осуществляется усиление только по току — применяется для согласования
источников сигнала с высоким внутренним сопротивлением(импендансом) и низкоомными сопротивлениями нагрузок.
Например, в выходных каскадах усилителей и контроллеров.

С общей базой (ОБ) осуществляется усиление только по напряжению. Имеет низкое входное и высокое
выходное сопротивление и более широкий частотный диапазон. Это позволяет использовать подобное включение для согласования
источников сигнала с низким внутренним сопротивлением(импендансом) с последующим каскадом
усиления. Например — в входных цепях радиоприемных устройств.

Маркировка биполярный SMD транзисторов

Обозначение на корпусе Тип транзистора Условный аналог
15 MMBT3960 2N3960
1A BC846A BC546A
1B BC846B BC546B
1C MMBTA20 MPSA20
1D BC846
1E BC847A BC547A
1F BC847B BC547B
1G BC847C BC547C
1H BC847
1J BC848A BC548A
1K BC848B BC548B
1L BC848C BC548C
1M BC848
1P FMMT2222A 2N2222A
1T MMBT3960A 2N3960A
1X MMBT930
1Y MMBT3903 2N3903
2A FMMT3906 2N3906
2B BC849B BC549B
2C BC849C BC549C / BC109C / MMBTA70
2E FMMTA93
2F BC850B BC550B
2G BC850C BC550C
2J MMBT3640 2N3640
2K MMBT8598
2M MMBT404
2N MMBT404A
2T MMBT4403 2N4403
2W MMBT8599
2X MMBT4401 2N4401
3A BC856A BC556A
3B BC856B BC556B
3D BC856
3E BC857A BC557A
3F BC857B BC557B
3G BC857C BC557C
3J BC858A BC558A
3K BC858B BC558B
3L BC858C BC558C
3S MMBT5551
4A BC859A BC559A
4B BC859B BC559B
4C BC859C BC559C
4E BC860A BC560A
4F BC860B BC560B
4G BC860C BC560C
4J FMMT38A
449 FMMT449
489 FMMT489
491 FMMT491
493 FMMT493
5A BC807-16 BC327-16
5B BC807-25 BC327-25
5C BC807-40 BC327-40
5E BC808-16 BC328-16
5F BC808-25 BC328-25
5G BC808-40 BC328-40
549 FMMT549
589 FMMT589
591 FMMT591
593 FMMT593
6A BC817-16 BC337-16
6B BC817-25 BC337-25
6C BC817-40 BC337-40
6E BC818-16 BC338-16
6F BC818-25 BC338-25
6G BC818-40 BC338-40
9 BC849BLT1
AA BCW60A BC636 / BCW60A
AB BCW60B
AC BCW60C BC548B
AD BCW60D
AE BCX52
AG BCX70G
AH BCX70H
AJ BCX70J
AK BCX70K
AL MMBTA55
AM BSS64 2N3638
AS1 BST50 BSR50
B2 BSV52 2N2369A
BA BCW61A BC635
BB BCW61B
BC BCW61C
BD BCW61D
BE BCX55
BG BCX71G
BH BCX71H BC639
BJ BCX71J
BK BCX71K
BN MMBT3638A 2N3638A
BR2 BSR31 2N4031
C1 BCW29
C2 BCW30 BC178B / BC558B
C5 MMBA811C5
C6 MMBA811C6
C7 BCF29
C8 BCF30
CE BSS79B
CEC BC869 BC369
CF BSS79C
CH BSS82B / BSS80B
CJ BSS80C
CM BSS82C
D1 BCW31 BC108A / BC548A
D2 BCW32 BC108A / BC548A
D3 BCW33 BC108C / BC548C
D6 MMBC1622D6
D7 BCF32
D8 BCF33 BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA BCW67A
DB BCW67B
DC BCW67C
DE BFN18
DF BCW68F
DG BCW68G
DH BCW68H
E1 BFS17 BFY90 / BFW92
EA BCW65A
EB BCW65B
EC BCW65C
ED BCW65C
EF BCW66F
EG BCW66G
EH BCW66H
F1 MMBC1009F1
F3 MMBC1009F3
FA BFQ17 BFW16A
FD BCV26 MPSA64
FE BCV46 MPSA77
FF BCV27 MPSA14
FG BCV47 MPSA27
GF BFR92P
H1 BCW69
H2 BCW70 BC557B
H3 BCW89
H7 BCF70
K1 BCW71 BC547A
K2 BCW72 BC547B
K3 BCW81
K4 BCW71R
K7 BCV71
K8 BCV72
K9 BCF81
L1 BSS65
L2 BSS70
L3 MMBC1323L3
L4 MMBC1623L4
L5 MMBC1623L5
L6 MMBC1623L6
L7 MMBC1623L7
M3 MMBA812M3
M4 MMBA812M4
M5 MMBA812M5
M6 BSR58 / MMBA812M6 2N4858
M7 MMBA812M7
O2 BST82
P1 BFR92 BFR90
P2 BFR92A BFR90
P5 FMMT2369A 2N2369A
Q3 MMBC1321Q3
Q4 MMBC1321Q4
Q5 MMBC1321Q5
R1 BFR93 BFR91
R2 BFR93A BFR91
S1A SMBT3904
S1D SMBTA42
S2 MMBA813S2
S2A SMBT3906
S2D SMBTA92
S2F SMBT2907A
S3 MMBA813S3
S4 MMBA813S4
T1 BCX17 BC327
T2 BCX18
T7 BSR15 2N2907A
T8 BSR16 2N2907A
U1 BCX19 BC337
U2 BCX20
U7 BSR13 2N2222A
U8 BSR14 2N2222A
U9 BSR17
U92 BSR17A 2N3904
Z2V FMMTA64
ZD MMBT4125 2N4125

Мощность рассеивания стабилитрона

Мощность рассеивания стабилитрона Pст характеризует его способность не перегреваться выше определенной температуры на протяжении длительного времени. Чем выше значение Pст, тем больше тепла способен рассеять полупроводниковый прибор. Мощность рассеивания рассчитывается для самых неблагоприятных условий работы прибора, поэтому в ниже приведенную формулу подставляют максимально возможное в работе Uвх и наименьшие значения Rб и Iн:

Существует ряд стандартных номиналом по данному параметру: 0,3 Вт, 0,5 Вт, 1,3 Вт, 5 Вт и т.п. Чем больше Pст, тем больше габариты полупроводникового прибора.

Маркировка импортных smd

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Создание устройства

Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.

Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.

Более современные варианты

Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

  • был добавлен 5-контактный вариант;
  • появилась бессвинцовая версия;
  • был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.

Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.

Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования – это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них – идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка полевых транзисторов ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Подведем итог

Многие из вышеупомянутых фактов касаются исторической основы обоих устройств. Достижения и технологические прорывы в разработке нового оборудования, а также использование новых материалов, таких как карбид кремния (SiC), привели к значительному улучшению производительности этих радиодеталей за последние годы. 

МОП-транзистор: 

  • Высокая частота переключения.
  • Лучшие динамические параметры и более низкое энергопотребление драйвера. 
  • Более низкая емкость затвора.
  • Более низкое термосопротивление, которое приводит к лучшему рассеиванию мощности.
  • Более короткое время нарастания и спада, что означает способность работать на более высоких частотах.

IGBT модуль: 

  • Улучшенная технология производства, которая приводит к снижению затрат.
  • Лучшая устойчивость к перегрузкам.
  • Улучшенная способность распараллеливания схемы.
  • Более быстрое и плавное включение и выключение.
  • Снижение потерь при включении и при переключении.
  • Снижение входной мощности.

В любом случае модули MOSFET и IGBT быстро заменяют большинство старых полупроводниковых и механических устройств, используемых для управления током. Силовые устройства на основе SiC демонстрируют такие преимущества как меньшие потери, меньшие размеры и более высокая эффективность. Подобные инновации будут продолжать расширять пределы использования MOSFET и IGBT транзисторов для схем с более высоким напряжением и большей мощностью.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: